JPH079073B2 - 膜形成方法 - Google Patents
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- JPH079073B2 JPH079073B2 JP2085292A JP8529290A JPH079073B2 JP H079073 B2 JPH079073 B2 JP H079073B2 JP 2085292 A JP2085292 A JP 2085292A JP 8529290 A JP8529290 A JP 8529290A JP H079073 B2 JPH079073 B2 JP H079073B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 48
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 12
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010437 gem Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 12
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- -1 tiles Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000008149 soap solution Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005308 flint glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は膜形成方法に関するものであり、更に詳しく言
えば、基板に対し付着性の低い膜を基板から剥離しない
ように固持させる新規な膜形成方法に関するものであ
る。
えば、基板に対し付着性の低い膜を基板から剥離しない
ように固持させる新規な膜形成方法に関するものであ
る。
陶磁器やタイル、あるいはダイヤ等の宝石の表面に金や
白金等の貴金属を塗布したり、これら貴金属の箔膜を被
着することによって図柄装飾を施したい場合がある。
白金等の貴金属を塗布したり、これら貴金属の箔膜を被
着することによって図柄装飾を施したい場合がある。
陶磁器、タイル、プラスティックあるいはダイヤ等の宝
石の表面に金や白金等の貴金属を塗布したり、これら貴
金属の箔膜を被着することによって図柄装飾を施すこと
がある。
石の表面に金や白金等の貴金属を塗布したり、これら貴
金属の箔膜を被着することによって図柄装飾を施すこと
がある。
しかし、かかる貴金属は化学的に安定であるため、必ず
しも付着性が良いとはいえず、ちょっとした機械的接触
にも剥がれやすいものである。
しも付着性が良いとはいえず、ちょっとした機械的接触
にも剥がれやすいものである。
そこで、例えば従来より膠(にかわ)を下地の上に塗
り、その上に金箔等を貼着する方法がある。
り、その上に金箔等を貼着する方法がある。
しかし、この方法は手作業によるものであり、手間がか
かるとともに、金箔が表面に現れるため、傷が付きやい
問題がある。
かるとともに、金箔が表面に現れるため、傷が付きやい
問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであっ
て、付着性の悪い下地に対しても再現性良く、かつ簡便
に所定の膜を形成することのできる膜形成方法の提供を
目的とする。
て、付着性の悪い下地に対しても再現性良く、かつ簡便
に所定の膜を形成することのできる膜形成方法の提供を
目的とする。
上記の課題を達成するために、 第1の発明の膜形成方法は、基板上に該基板に対して付
着性の低い第1の膜を堆積する工程と、前記第1の膜に
前記基板の表面に達する微細で高密度の孔を設ける工程
と、前記多孔性の第1の膜の上から前記基板に対して付
着性の高い第2の膜を形成して該多孔性の第1の膜を基
板に固持させる工程とを有することを特徴とし、 第2の発明の膜形成方法は、基板上に該基板に対して付
着性の低い第1の膜を堆積する工程と、 前記第1の膜に前記基板の表面に達する微細で高密度の
孔を設け、かつ該孔を介して基板表面に凹部を形成する
工程と、前記基板に対して付着性の高い第2の膜を前記
多孔性の第1の膜の上に形成して、該多孔性の第1の膜
を基板に固持させる工程とを有することを特徴とする。
着性の低い第1の膜を堆積する工程と、前記第1の膜に
前記基板の表面に達する微細で高密度の孔を設ける工程
と、前記多孔性の第1の膜の上から前記基板に対して付
着性の高い第2の膜を形成して該多孔性の第1の膜を基
板に固持させる工程とを有することを特徴とし、 第2の発明の膜形成方法は、基板上に該基板に対して付
着性の低い第1の膜を堆積する工程と、 前記第1の膜に前記基板の表面に達する微細で高密度の
孔を設け、かつ該孔を介して基板表面に凹部を形成する
工程と、前記基板に対して付着性の高い第2の膜を前記
多孔性の第1の膜の上に形成して、該多孔性の第1の膜
を基板に固持させる工程とを有することを特徴とする。
上記基板としては、セラミック,ガラス,プラスチッ
ク,金属,合金,または宝石が用いられ、 また、第1の膜としては、金膜,白金膜,銀膜,インジ
ウム膜,銅膜,ニッケル膜,クロム膜等の金属膜,もし
くはこれらの金属の合金膜、またはTiN膜等の有機金属
化合物膜が用いられ、 第2の膜としては、釉薬膜,SiO膜,SiO2膜,ベリリウム
膜,Al膜,モリブデン膜,鉛膜,タングステン膜,もし
くは金属の合金膜,または有機金属化合物膜が用いられ
るが、これに限られるものではなく、基板に対して付着
性の小さい第1の膜と付着性の大きい第2の膜に対して
一般的に適用可能である。
ク,金属,合金,または宝石が用いられ、 また、第1の膜としては、金膜,白金膜,銀膜,インジ
ウム膜,銅膜,ニッケル膜,クロム膜等の金属膜,もし
くはこれらの金属の合金膜、またはTiN膜等の有機金属
化合物膜が用いられ、 第2の膜としては、釉薬膜,SiO膜,SiO2膜,ベリリウム
膜,Al膜,モリブデン膜,鉛膜,タングステン膜,もし
くは金属の合金膜,または有機金属化合物膜が用いられ
るが、これに限られるものではなく、基板に対して付着
性の小さい第1の膜と付着性の大きい第2の膜に対して
一般的に適用可能である。
第1の発明の膜形成方法によれば、基板と第2の膜と
は、第1の膜に設けられた高密度で微細な孔を介して互
いに固着しており、第1の膜は、孔の部分を除いてこれ
ら基板と第2の膜に挟まれた状態にある。
は、第1の膜に設けられた高密度で微細な孔を介して互
いに固着しており、第1の膜は、孔の部分を除いてこれ
ら基板と第2の膜に挟まれた状態にある。
従って、第1の膜が基板に対して付着性が低い場合に
は、該第1の膜が基板から剥がれることを防止すること
が可能となる。
は、該第1の膜が基板から剥がれることを防止すること
が可能となる。
また、第2の発明の膜形成方法によれば、第1の膜に孔
を形成するだけでなく、該孔を介して基板を凹部を形成
している。このため、第2の膜と基板との接触面積は第
1の発明の膜形成方法の場合よりも大きくなるととも
に、第2の膜は針を打ったような状態で基板に形成され
るので、第1の膜の基板に対する付着性は、より向上す
る。
を形成するだけでなく、該孔を介して基板を凹部を形成
している。このため、第2の膜と基板との接触面積は第
1の発明の膜形成方法の場合よりも大きくなるととも
に、第2の膜は針を打ったような状態で基板に形成され
るので、第1の膜の基板に対する付着性は、より向上す
る。
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。
る。
第1の実施例 第1図は本発明の第1の実施例に係るセラミックからな
るタイル基板にAu膜を固着する方法の説明図である。図
のように、施釉温度1140℃〜1300℃(中火度施釉)で施
釉されたタイル基板1(基板)の表面をトリクロルエチ
レン等で洗浄した後、100℃,1時間程度、乾燥する。
るタイル基板にAu膜を固着する方法の説明図である。図
のように、施釉温度1140℃〜1300℃(中火度施釉)で施
釉されたタイル基板1(基板)の表面をトリクロルエチ
レン等で洗浄した後、100℃,1時間程度、乾燥する。
次に、Arガス,2×10-4Torrのチャンバー内にタイル基板
1を送入した後、スパッタリング法により、タイム基板
1上に薄いAu膜2を形成する。
1を送入した後、スパッタリング法により、タイム基板
1上に薄いAu膜2を形成する。
次いで、粒径2〜5μmのAl2O3粒子3を3%石鹸液に
混入した後、該石鹸液をAu膜2上に散布して乾燥させ、
Al2O3粒子3をAu膜2上に固着させる。次に該Al2O3粒子
3をマスクとしてアルゴンイオン(Ar+)4によるAu膜
2をドライエッチングする。このときのドライエッチン
グ条件は、加速電圧400V,Arガス2×10-4Torr,10分間で
ある。その後、超音波洗浄機で水洗するとAl2O3粒子3
および石鹸材が除去され、細孔面積率25%の不定形微細
孔が形成されたAu膜3が得られる。
混入した後、該石鹸液をAu膜2上に散布して乾燥させ、
Al2O3粒子3をAu膜2上に固着させる。次に該Al2O3粒子
3をマスクとしてアルゴンイオン(Ar+)4によるAu膜
2をドライエッチングする。このときのドライエッチン
グ条件は、加速電圧400V,Arガス2×10-4Torr,10分間で
ある。その後、超音波洗浄機で水洗するとAl2O3粒子3
および石鹸材が除去され、細孔面積率25%の不定形微細
孔が形成されたAu膜3が得られる。
次に、スピナーで0.7μm厚のレジスト膜6を塗布し、
該レジスト膜6に所定のパターン画像を形成した後、該
レジスト膜をマスクとしてAu膜2を部分的に除去する。
その後、レジスト膜6を全面除去する。
該レジスト膜6に所定のパターン画像を形成した後、該
レジスト膜をマスクとしてAu膜2を部分的に除去する。
その後、レジスト膜6を全面除去する。
次に、Au膜2およびタイル基板1の表面に楽焼釉7を施
した後、850℃の炉中で焼成する。なお、楽焼釉7は鉛
丹,溶融硼砂,フリントガラスを9:6:2の割合でフリッ
トを造り、このフリントに硝石1を加えて粉砕して作成
したものである。
した後、850℃の炉中で焼成する。なお、楽焼釉7は鉛
丹,溶融硼砂,フリントガラスを9:6:2の割合でフリッ
トを造り、このフリントに硝石1を加えて粉砕して作成
したものである。
このようにして、タイル基板1上に楽焼釉7が施された
Au膜2のパターン画像が得られる。
Au膜2のパターン画像が得られる。
以上のように、本発明の第1の実施例によれば、多数の
微細な孔を介して楽焼釉7とタイル基板1とが固着して
いるので、楽焼釉7とタイル基板1に挟まれたAu膜2が
剥がれ難くなる。
微細な孔を介して楽焼釉7とタイル基板1とが固着して
いるので、楽焼釉7とタイル基板1に挟まれたAu膜2が
剥がれ難くなる。
このようにして、付着性の小さいタイル基板1に対して
も、絢爛豪華なAu模様を施してこれを楽しむことができ
る。
も、絢爛豪華なAu模様を施してこれを楽しむことができ
る。
なお、本発明の実施例によれば、Al2O3粒子の径の大き
さや散布状態を変えることによって、Au膜2の孔の形成
状態を調整することができる。
さや散布状態を変えることによって、Au膜2の孔の形成
状態を調整することができる。
例えば、微細孔がAu膜全体に占める割合(細孔面積率)
を多くすることにより、Auの色相を淡くすることができ
るし、逆に微細孔がAu膜全体に占める割合を少なくし
て、視覚的にほぼ完全なAu膜に見えるようにすることも
できる。
を多くすることにより、Auの色相を淡くすることができ
るし、逆に微細孔がAu膜全体に占める割合を少なくし
て、視覚的にほぼ完全なAu膜に見えるようにすることも
できる。
第2の実施例 第2図は本発明の第2の実施例に係るタイル基板にAu膜
を固着する方法の説明図である。
を固着する方法の説明図である。
まず、同図(a)に示すように、中火度施釉タイム基板
1上のAu膜2に約0.7μm厚のレジスト膜8を形成し、
微細孔が形成された不図示のマスクを介して露光・現像
することにより、レジスト膜8に約2μmの孔を設けた
後、同図(b)に示すように、ドライエッチング法によ
りレジスト膜8をマスクとしてAu膜2に孔9を形成す
る。
1上のAu膜2に約0.7μm厚のレジスト膜8を形成し、
微細孔が形成された不図示のマスクを介して露光・現像
することにより、レジスト膜8に約2μmの孔を設けた
後、同図(b)に示すように、ドライエッチング法によ
りレジスト膜8をマスクとしてAu膜2に孔9を形成す
る。
その後、同図(c)に示すように、透明楽焼釉10を全面
に施すと、タイル基板1に固着したAu膜2が得られる。
に施すと、タイル基板1に固着したAu膜2が得られる。
この実施例によれば、マスクにより孔9の大きさや個数
を制御することができるので、Au膜2の固着の度合いや
Au膜2の色相を、精度良く調整して楽しむことができ
る。
を制御することができるので、Au膜2の固着の度合いや
Au膜2の色相を、精度良く調整して楽しむことができ
る。
また、人物写真画像をスクリーン網を介して転写する
と、微細な白・黒点からなる人物画像マスクが得られる
が、該マスクを上記の本発明の実施例の工程で用いる
と、該タイル基板1上にAu膜からなる鮮明な人物画像を
描くことができる。
と、微細な白・黒点からなる人物画像マスクが得られる
が、該マスクを上記の本発明の実施例の工程で用いる
と、該タイル基板1上にAu膜からなる鮮明な人物画像を
描くことができる。
第3の実施例 第3図は本発明の第3の実施例に係るガラス基板にAu膜
を固着する方法の説明図である。
を固着する方法の説明図である。
まず、同図(a)のように、約1mm厚のガラス基板11
(基板)の表面をトリクロルエチレン等で洗浄した後、
100℃,1時間程度、乾燥する。
(基板)の表面をトリクロルエチレン等で洗浄した後、
100℃,1時間程度、乾燥する。
次に、圧力2×10-4Torrのチャンバー内にガラス基板11
を送入した後、真空蒸着法によりガラス基板11上に0.1
μm〜1μmの薄いAu膜12を形成する。
を送入した後、真空蒸着法によりガラス基板11上に0.1
μm〜1μmの薄いAu膜12を形成する。
その後、第1図の第1の実施例で説明したのと同様な方
法で、Au膜12に細孔面積比率約10%の孔13を設けた後
(第3図(b))、スパッタリング法によりCr膜14をAu
膜12上に5μm〜30μm堆積する(第3図(c))。
法で、Au膜12に細孔面積比率約10%の孔13を設けた後
(第3図(b))、スパッタリング法によりCr膜14をAu
膜12上に5μm〜30μm堆積する(第3図(c))。
これにより、不透明なCr膜14を背面にしたAu膜12による
金色の鏡が得られる。本発明の実施例においても、孔13
を介して固着するCr膜14とガラス板11との間にAu膜12を
挟み込んでいるので、該Au膜12は剥がれ難いものとな
る。
金色の鏡が得られる。本発明の実施例においても、孔13
を介して固着するCr膜14とガラス板11との間にAu膜12を
挟み込んでいるので、該Au膜12は剥がれ難いものとな
る。
第4の実施例 第4図は本発明の第4の実施例に係るプラスチックレリ
ーフにAu膜を固着する方法の説明図である。
ーフにAu膜を固着する方法の説明図である。
まず、プラスチックレリーフ15の表面を洗浄した後、ス
パッタリング法により0.1μm〜1μm薄いAu膜16を形
成する(同図(a))。
パッタリング法により0.1μm〜1μm薄いAu膜16を形
成する(同図(a))。
次いで、粒径2〜5μmのAl2O3粒子と3%澱粉糊溶液
を混合して縣濁液17を作り、該縣濁液17中にプラスティ
ックレリーフ15を浸漬してAu膜16の表面に縣濁液17を付
着させる(同図(b))。
を混合して縣濁液17を作り、該縣濁液17中にプラスティ
ックレリーフ15を浸漬してAu膜16の表面に縣濁液17を付
着させる(同図(b))。
次に常温乾燥させて、Al2O3粒子18をAu膜16上に固着さ
せる(同図(c))。
せる(同図(c))。
次いで、該Al2O3粒子18をマスクとして、ドライエッチ
ングしてAu膜16に孔19を形成する(同図(c))。
ングしてAu膜16に孔19を形成する(同図(c))。
その後、水洗してAl2O3粒子18及び糊剤を除去した後、H
2SiF6(ケイフッ化水素酸)の水溶液にシリカゲルを入
れた飽和させ、更にほう酸溶液を加えて得られた常温の
液に、プラスティックレリーフ15を15時間、浸漬する
と、同図(d)に示すように、Au膜16上を被覆する0.3
μm厚のSiO2膜20が得られる。
2SiF6(ケイフッ化水素酸)の水溶液にシリカゲルを入
れた飽和させ、更にほう酸溶液を加えて得られた常温の
液に、プラスティックレリーフ15を15時間、浸漬する
と、同図(d)に示すように、Au膜16上を被覆する0.3
μm厚のSiO2膜20が得られる。
このSiO2膜20は孔19を介してプラスティックレリーフ15
に対して強固に密着しているので、Au膜16がプラスティ
ックレリーフ15から剥がれるのを防止できるとともに、
透明なSiO2膜20の膜厚による光の干渉色とAu膜16の金色
の輝きとが交じり合った複合的な色を楽しむことができ
る。
に対して強固に密着しているので、Au膜16がプラスティ
ックレリーフ15から剥がれるのを防止できるとともに、
透明なSiO2膜20の膜厚による光の干渉色とAu膜16の金色
の輝きとが交じり合った複合的な色を楽しむことができ
る。
特に、本発明の実施例によれば、Al2O3粒子18を含む縣
濁液17に浸漬することによりAu膜16上にAl2O3粒子18を
固着させることができるので、表面が平でないプラステ
ィックレリーフ15上にも容易に一様に形成することが可
能となる。これにより、孔19も曲面全体に平均して形成
することができるので、曲面のプラスティックレリーフ
15に対してもAu膜16を固着させることができる。
濁液17に浸漬することによりAu膜16上にAl2O3粒子18を
固着させることができるので、表面が平でないプラステ
ィックレリーフ15上にも容易に一様に形成することが可
能となる。これにより、孔19も曲面全体に平均して形成
することができるので、曲面のプラスティックレリーフ
15に対してもAu膜16を固着させることができる。
同様にして、鉛等からなる曲面をもった仏像に対しても
Au膜を固着させることが可能となり、SiO2膜やSiO膜の
保護膜によって被覆された耐久性のある黄金の仏像も極
めて容易に作製することができる。
Au膜を固着させることが可能となり、SiO2膜やSiO膜の
保護膜によって被覆された耐久性のある黄金の仏像も極
めて容易に作製することができる。
第5の実施例 第5図は本発明の第5の実施例に係るダイヤモンド基板
にpt膜を固着する方法の説明図である。図のように、ダ
イヤモンド基板21の表面を洗浄した後、スパッタリング
法により0.1μm〜1μm厚のPt膜22を形成する(同図
(a))。
にpt膜を固着する方法の説明図である。図のように、ダ
イヤモンド基板21の表面を洗浄した後、スパッタリング
法により0.1μm〜1μm厚のPt膜22を形成する(同図
(a))。
次いで、レジスト膜23をパターニングして細孔を含む所
定のパターンを形成した後(同図(b))、該レジスト
膜23をマスクとしてPt膜22をドライエッチングして孔24
および開口部25を形成する(同図(c))。
定のパターンを形成した後(同図(b))、該レジスト
膜23をマスクとしてPt膜22をドライエッチングして孔24
および開口部25を形成する(同図(c))。
その後、スパッタリングによる全面に炭素(C)からな
る0.05μm厚の透明ダイヤモンド保護膜26を形成する
と、同図(d)に示すようなPt膜22による所定のパター
ン模様が描かれたダイヤモンド基板21が得られる。
る0.05μm厚の透明ダイヤモンド保護膜26を形成する
と、同図(d)に示すようなPt膜22による所定のパター
ン模様が描かれたダイヤモンド基板21が得られる。
この実施例によれば、孔24を介してダイヤモンド基板21
と透明ダイヤモンド保護膜26とが固着しているので、そ
れらの膜に挟まれたPt膜22も固着した状態にある。
と透明ダイヤモンド保護膜26とが固着しているので、そ
れらの膜に挟まれたPt膜22も固着した状態にある。
また、Pt膜22は透明ダイヤモンド保護膜26によって被覆
されているので、耐久性を増すことができる。
されているので、耐久性を増すことができる。
従って、指輪や首飾り等の装飾品に適用すれば、丈夫
で、より豪華な物になる。
で、より豪華な物になる。
なお、本発明の各実施例では代表的な場合について説明
したが、これらに限るものではなく、本発明が示す原理
により、基板に付着性の小さい膜を固着する有効な方法
として広く適用可能なものである。
したが、これらに限るものではなく、本発明が示す原理
により、基板に付着性の小さい膜を固着する有効な方法
として広く適用可能なものである。
以上説明したように、第1の発明の膜形成方法によれ
ば、高密度で微細な孔を介して第2の膜と基板とは互い
に固着しているので、第1の膜が基板に対して付着性が
低い場合にも、該第1の膜が基板から剥がれることを防
止することが可能となる。
ば、高密度で微細な孔を介して第2の膜と基板とは互い
に固着しているので、第1の膜が基板に対して付着性が
低い場合にも、該第1の膜が基板から剥がれることを防
止することが可能となる。
また、第2の発明の膜形成方法によれば、第1の膜に孔
を形成するだけでなく、該孔を介して基板に凹部を形成
して接触面積を第1の発明の膜形成方法の場合よりも増
やし、かつ針打ち形状効果を付加しているので、第1の
膜の基板に対する付着性を、より向上させることができ
る。
を形成するだけでなく、該孔を介して基板に凹部を形成
して接触面積を第1の発明の膜形成方法の場合よりも増
やし、かつ針打ち形状効果を付加しているので、第1の
膜の基板に対する付着性を、より向上させることができ
る。
これにより、例えば従来より付着性が悪く使用に不便が
あった貴金属膜を種々の物品に固着させたり、あるいは
更に文字や絵柄等の模様を形成することができ、その豪
華さを楽しむことが可能になる。
あった貴金属膜を種々の物品に固着させたり、あるいは
更に文字や絵柄等の模様を形成することができ、その豪
華さを楽しむことが可能になる。
第1図は、本発明の第1の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第2図は、本発明の第2の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第3図は、本発明の第3の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第4図は、本発明の第4の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第5図は、本発明の第5の実施例に係る膜形成方法の説
明図である。 (符号の説明) 1……タイル基板、 2,12,16……Au膜、 3,18……Al2O3粒子、 4……アルゴンイオン、 5,9,13,19,24……孔、 6,8,23……レジスト膜、 7,10……楽焼釉、 11……ガラス基板、 14……Cr膜、 15……プラスティックレリーフ、 17……縣濁液、 20……SiO2膜、 21……ダイヤモンド基板、 22……Pt膜、 25……開口部、 26……ダイヤモンド保護膜。
明図、 第2図は、本発明の第2の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第3図は、本発明の第3の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第4図は、本発明の第4の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第5図は、本発明の第5の実施例に係る膜形成方法の説
明図である。 (符号の説明) 1……タイル基板、 2,12,16……Au膜、 3,18……Al2O3粒子、 4……アルゴンイオン、 5,9,13,19,24……孔、 6,8,23……レジスト膜、 7,10……楽焼釉、 11……ガラス基板、 14……Cr膜、 15……プラスティックレリーフ、 17……縣濁液、 20……SiO2膜、 21……ダイヤモンド基板、 22……Pt膜、 25……開口部、 26……ダイヤモンド保護膜。
Claims (5)
- 【請求項1】基板上に該基板に対して付着性の低い第1
の膜を堆積する工程と、 前記第1の膜に前記基板の表面に達する微細で高密度の
孔を設ける工程と、 前記多孔性の第1の膜の上から前記基板に対して付着性
の高い第2の膜を形成して該多孔性の第1の膜を基板に
固持させる工程とを有することを特徴とする膜形成方
法。 - 【請求項2】基板上に該基板に対して付着性の低い第1
の膜を堆積する工程と、 前記第1の膜に前記基板の表面に達する微細で高密度の
孔を設け、かつ該孔を介して基板表面に凹部を形成する
工程と、 前記基板に対して付着性の高い第2の膜を前記多孔性の
第1の膜の上に形成して、該多孔性の第1の膜を基板に
固持させる工程とを有することを特徴とする膜形成方
法。 - 【請求項3】請求項1または2の第1の膜に微細な孔を
設ける工程は、該第1の膜の上に耐エッチング性の微粒
子を散布した後、該微粒子をマスクとして第1の膜をエ
ッチングすることにより行うことを特徴とする膜形成方
法。 - 【請求項4】請求項1または2の第1の膜に微細な孔を
設ける工程は、微細孔が形成されたマスクを介してレジ
スト膜を露光・現像し、該レジスト膜をマスクとして第
1の膜をエッチングすることにより行うことを特徴とす
る膜形成方法。 - 【請求項5】前記基板はセラミック,ガラス,プラスチ
ック,金属,合金,または宝石からなり、前記第1の膜
は金膜,白金膜,銀膜,インジウム膜,銅膜,ニッケル
膜,クロム膜等の金属膜,もしくはこれらの金属の合金
膜または,TiN膜等の有機金属化合物膜からなり、前記第
2の膜は釉薬膜,SiO膜,SiO2膜,ベリリウム膜,Al膜,モ
リブデン膜,鉛膜,タングステン膜,もしくは金属の合
金膜,または有機金属化合物膜からなることを特徴とす
る請求項1〜4のいずれかに記載の膜形成方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2085292A JPH079073B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 膜形成方法 |
| KR9016387A KR930003822B1 (en) | 1990-03-30 | 1990-10-15 | Film forming process |
| EP19900120941 EP0448781A3 (en) | 1990-03-30 | 1990-10-31 | Film forming process |
| CN90106054.2A CN1027087C (zh) | 1990-03-30 | 1990-12-14 | 膜形成方法 |
| CS91262A CZ281021B6 (cs) | 1990-03-30 | 1991-02-04 | Způsob vytváření tenké vrstvy |
| IL9765091A IL97650A (en) | 1990-03-30 | 1991-03-22 | Use a porous intermediate layer on a surface for gluing a coating |
| US07/853,892 US5275693A (en) | 1990-03-30 | 1992-03-19 | Film forming process |
| US08/081,500 US5405676A (en) | 1990-03-30 | 1993-06-22 | Film forming process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2085292A JPH079073B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285084A JPH03285084A (ja) | 1991-12-16 |
| JPH079073B2 true JPH079073B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=13854507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2085292A Expired - Fee Related JPH079073B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 膜形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0448781A3 (ja) |
| JP (1) | JPH079073B2 (ja) |
| KR (1) | KR930003822B1 (ja) |
| CN (1) | CN1027087C (ja) |
| CZ (1) | CZ281021B6 (ja) |
| IL (1) | IL97650A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1053650C (zh) * | 1997-06-20 | 2000-06-21 | 清华大学 | 一种氧化铝-氧化硅-氧化钛复合陶瓷薄膜的制备方法 |
| US6819540B2 (en) | 2001-11-26 | 2004-11-16 | Shipley Company, L.L.C. | Dielectric structure |
| JP4702938B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-06-15 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| KR100731549B1 (ko) * | 2006-07-21 | 2007-06-22 | 이노필터 주식회사 | 다공성 복합 세라믹 분리막 제조방법과, 이에 의해 제조된다공성 복합 세라믹 분리막 |
| CN104275868B (zh) * | 2014-06-27 | 2016-05-11 | 江苏金恒新型包装材料有限公司 | 一种金箔及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2323824C3 (de) * | 1973-05-11 | 1979-09-13 | Volk, K.E., Dr.-Ing., 5070 Bergisch- Gladbach | Überzugssystem zur dekorativen Oberflächenveredelung |
| GB2145132B (en) * | 1983-07-08 | 1986-08-20 | Aluteck Co Ltd | Decorative tile and a method for its manufacture |
| DE3817600C2 (de) * | 1987-05-26 | 1994-06-23 | Matsushita Electric Works Ltd | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem keramischen Substrat und einem integrierten Schaltungskreis |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2085292A patent/JPH079073B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-15 KR KR9016387A patent/KR930003822B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-31 EP EP19900120941 patent/EP0448781A3/en not_active Withdrawn
- 1990-12-14 CN CN90106054.2A patent/CN1027087C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-04 CZ CS91262A patent/CZ281021B6/cs unknown
- 1991-03-22 IL IL9765091A patent/IL97650A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930003822B1 (en) | 1993-05-13 |
| EP0448781A3 (en) | 1992-05-20 |
| CN1027087C (zh) | 1994-12-21 |
| JPH03285084A (ja) | 1991-12-16 |
| IL97650A (en) | 1995-11-27 |
| CS9100262A2 (en) | 1991-11-12 |
| EP0448781A2 (en) | 1991-10-02 |
| CN1055398A (zh) | 1991-10-16 |
| IL97650A0 (en) | 1992-06-21 |
| CZ281021B6 (cs) | 1996-05-15 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |