JPH0328514Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、基板上に所定の回路を構成するチツ
プ部品や抵抗やコンデンサ等が設けられるハイブ
リツドIC基板の改良に関する。

（従来の技術） 従来のハイブリツドIC基板としては、例えば
「電子技術第27巻第３号」（昭和60年３月１日(株)日
刊工業新聞社発行）の第26ページ〜第32ページに
記載されているようなものが知られている。

この従来出典の刊行物には、ハイブリツド用材
料として、セラミツク素材を用いたセラミツク基
板が記載され、一般にもこのセラミツク基板が多
く使用されている。

この従来のハイブリツドIC基板Ｂは、第４図
に示すように、一般にセラミツク基板１００と、
膜材料１０１と、チツプ部品等の回路素子１０
２，１０３と、から構成されている。

尚、膜材料１０１としては、導体、抵抗体及び
誘電体の３種類があり、誘電体の中には回路絶縁
を目的とした絶縁ペースト、抵抗体や回路の保護
ガラスペースト、コンデンサ形成用ペースト等が
ある。

（考案が解決しようとする問題点） しかしながら、このような従来のハイブリツド
IC基板Ｂにあつては、単なる板状のセラミツク
基板が用いられていたものであつたため、放熱面
積が狭く高い放熱効果を期待できないという問題
点があつた。

例えば、回路素子としてパワートランジスタを
用いようとしても、パワートランジスタの発熱性
に対してセラミツク基板の放熱性が低すぎて、ハ
イブリツドIC基板に組み込めず、パワートラン
ジスタだけを放熱対策を施した上で、別に設置し
なければならないものであつた。

（問題点を解決するための手段） 本考案は、上述のような問題点を解決すること
を目的としてなされたもので、この目的達成のた
めに本考案では、基板材料としてセラミツクを用
いたセラミツク基板によるハイブリツドIC基板
において、前記セラミツク基板と一体に複数の放
熱フインを形成し、該放熱フインに強制放熱媒体
の通路となる穴を設けた。

（作用） 従つて、本考案のハイブリツドIC基板では、
上述のように、セラミツク基板と一体に複数の放
熱フインを形成し、該放熱フインに強制放熱媒体
の通路となる穴を設けたことで、放熱面積の拡大
と、穴を通過する強制放熱媒体による放熱フイン
周囲の温度上昇抑制とによつて、高い放熱効率を
得ることができる。

（実施例） 以下、本考案の実施例を図面により詳述する。
尚、この実施例を述べるにあたつて、空調装置を
備えた自動車に設けられるハイブリツドIC基板
を例にとる。

まず、実施例の構成を説明する。

実施例のハイブリツドIC基板Ａは、第１図及
び第２図に示すように、セラミツク基板１、膜材
料２、回路素子３とを備えている。

セラミツク基板１は、セラミツク素材を用いて
成形された基板で、このセラミツク基板１には、
一体成形により複数の放熱フイン１１が形成さ
れ、かつ、この放熱フイン１１には、フイン方向
の直交方向に貫通するヒートパイプ用穴１２が開
穴されている。

膜材料２は、前記セラミツク基板１上に印刷さ
れ、基板と共に焼成させることで設けられるもの
で、回路レイアウトに応じて導体、抵抗体及び誘
電体の３種類が配置される。

回路素子３は、前記膜材料２に設けられるもの
で、回路素子３としては、ICチツプ３１やパワ
ートランジスタ３２等が用いられる。

尚、実施例では、セラミツク基板１の焼成時に
ポジスタ４も同時焼成し、その後、導体印刷にて
電極５を付加し、このポジスタ電極に電源ライン
を接続することによつて、ハイブリツドIC基板
の温度上昇時に電源を遮断するフエイルセーフ機
能を付加することが可能なようにしている。

次に、実施例の作用を説明する。

まず、実施例のハイブリツドIC基板Ａは、第
３図に示すように、放熱フイン１１のヒートパイ
プ用穴１２にヒートパイプ６を挿通させた状態で
設置される。

そして、ハイブリツドIC基板Ａの使用時にお
いては、パワートランジスタ３２等からの発熱に
よりセラミツク基板１が全体的に熱をもち、次第
に基板温度が上昇しようとするものであるが、実
施例では、放熱フイン１１が設けられていること
で、放熱面積拡大により温度上昇率が抑えられる
し、また、冷媒が通過するヒートパイプ６が設け
られていることで、ヒートパイプ用穴１２の外周
部から熱を奪うという冷却作用により、強制的に
セラミツク基板１の温度を低下させることが可能
で、パワートランジスタ３２等からの発熱量が多
くても、セラミツク基板１の温度を高めることが
ない。

以上、本考案の実施例を図面により詳述してき
たが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲におけ
る設計変更等があつても本考案に含まれる。

例えば、実施例では空調装置を備えた自動車に
設置するハイブリツドIC基板を示したが、自動
車以外の様々な機器類に適用してもよく、適用範
囲は実施例に限られない。

また、実施例では、焼成により膜形成がなされ
る厚膜タイプのハイブリツドIC基板を示したが、
蒸着等により膜形成がなされる薄膜タイプのハイ
ブリツドIC基板や、その他、多層配線基板や特
殊機能基板等にも適用できる。

また、実施例では、強制放熱媒体として冷却作
用を有する冷媒が通過するヒートパイプを穴に挿
通させて使用する好ましい例を示したが、単に放
熱フインに穴を設けただけで、この放熱フインを
送風通路や冷風通路に配置したものであつてもよ
い。

尚、強制放熱媒体とは、冷媒や冷風等の冷却作
用を有する媒体ばかりでなく、放熱フインからの
放射熱を拡散させることで放熱効果を高めること
ができる送風も含まれる。

また、実施例では放熱フインに設けた穴とし
て、パイプの形状に合致する円形穴を示したが、
設置場所や必要とする放熱容量等に応じて、複数
の穴を設けたり、円形以外の様々な形による穴を
設けたものであつてもよい。

（考案の効果） 以上説明してきたように、本考案のハイブリツ
ドIC基板にあつては、セラミツク基板と一体に
複数の放熱フインを形成し、該放熱フインに強制
放熱媒体の通路となる穴を設けたため、放熱面積
の拡大と、穴を通過する強制放熱媒体による放熱
フイン周囲の温度上昇抑制とによつて、高い放熱
効果が得られる。

また、セラミツク基板とは一体に放熱フインを
形成させていることで、放熱効果を高め得るばか
りでなく、部品点数の増大もないし、また製造コ
スト的にも有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案実施例のハイブリツドIC基板
を示す正面図、第２図は実施例基板の側面図、第
３図は実施例基板の使用状態図、第４図は従来の
ハイブリツドIC基板を示す図である。 １……セラミツク基板、１１……放熱フイン、
１２……ヒートパイプ用穴。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 基板材料としてセラミツクを用いたセラミツク
   基板によるハイブリツドIC基板において、前記
   セラミツク基板と一体に複数の放熱フインを形成
   し、該放熱フインに強制放熱媒体の通路となる穴
   を設けたことを特徴とするハイブリツドIC基板。