JPH03286412A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 星策圭凶剋里豆且 本発明は薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関し、より
詳しくは磁気ディスク装置等に用いられ関する。

瑳迷ｍ虫 従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、導体コイルの絶縁膜
としてフォトレジストを焼成したちのが多く用いられて
きた。

ところが最近では、薄膜磁気ヘッドの磁極として、記録
密度の向上に伴いパーマロイ磁極以上の高Ｂ１１（飽和
磁束密度）軟磁性膜、例えばＣｏ系アモルファス材等が
使用されるようになり、このＣｏ系アモルファス材が軟
磁気特性を保持できる最高温度が、上記したフォトレジ
ストの焼成温度（２００℃以上）より６低いことから、
フォトレジスト以外の絶縁膜が使用されることが多くな
ってきている。中でも、コイルの絶縁膜として、スパッ
タ法により形成することができるＳｉＯ□膜が用いられ
ていることが多い。

第２図（ａ）〜（ｃｌ　は従来の薄膜磁気ヘッドの絶縁
膜及びコイルの形成工程を模式的に示した断面図である
。従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、まず第
２図（ａ）に示した如く、基板ｌｌ上に下部磁性膜１２
をパターン形成し、次いで下部磁性膜１２上にギャップ
層１３を形成する。さらに、スパッタ法によりギャップ
層１３上に絶縁層１４としての３１０２膜を積層形成す
る（第２図（ｂ））。そして、このように形成された絶
縁膜１４上に、メツキ法又はスパッタ法を用いて、例え
ばＣＩを積層してパクーニングし、Ｃｕからなるコイル
１５を形成する（第２図（Ｃ））。

−日が解決しようとする課 しかしながら、上記した方法により絶縁膜１４を形成し
た場合、下部磁性ｌＩ！１２の厚みのために、下部磁性
膜１２の端部に対応する部分の絶縁膜１４に段差が生し
、この絶縁膜１４上にコイル１５を形成すると、第３図
において矢印Ａで示した段差部でコイル１５の膜厚が薄
くなり、コイル１５の断面積が減少するという問題が生
していた。コイル１５の断面積が減少すると、電気抵抗
が増大し７、またコイル１５が断線し易くなるといった
問題が発生するため、このことが薄膜磁気へラドの信頼
性を低下させる一因となっていた。

また、上記した方法においては、段差部への露光が困難
であるという製造上の問題点も有していた。

本発明は」二記した課題に鑑みなされたものであり、容
易に製造でき、しかも信頼性が向上した薄膜磁気ヘッド
及びその製造方法を提供することを目的としている。

課題を解決する為の　Ｆ″ 上記した目的を達成するために本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、基板上に下部磁性膜、ギャップ層、絶縁層及び
コイルが順次積層形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、
平坦化された前記絶縁層の上にコイルが形成されている
ことを特徴とし、また、上記薄１１１１ｉｆ１気ヘッド
の製造方法であって、絶縁層上にフォトレジストを平坦
に塗布し、この後前記絶縁層と前記フォトレジストのエ
ツチングレートが等しくなるようにイオンミリングの操
作条件を設定して前記フォトレジスト及び前記絶縁層に
イオンミリングを施し、この後コイルを形成することを
特徴としている。

庄及 上記記載の薄膜磁気ヘッドによれば、平坦化された絶縁
層上にコイルが形成されているので、段差部におけるコ
イルの線細りが防止される。従って、コイルの断面積の
減少がなくなり、電気抵抗の増大が防止され、また断線
することもなくなり、信頼性が向上する。

また、上記記載の薄膜ｍ気ヘッドの製造方法によれば、
イオンミリングにより前記フォトレジストは除去され、
前記絶縁層が平坦化されて形成される。このことにより
、前記下部磁性膜による段差は解消され、コイルは一定
の膜厚で容易に絶縁層上に形成されることとなる。従っ
て、コイルの線細りゃ断線が防止され、信頼性が向上し
た薄膜磁気ヘッドが容易に製造される。

丈施当 以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッド及びその製造方法の
一実施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同
一機能を有する構成部品には同一の符合を付すこととす
る。

第１図　（ａ）〜（ｅｌ　は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の工程の一例を模式的に示した断面図であ
る。薄膜６ｎ気ヘツドを製造する場合は、まず基板１１
上にスパッタ法により例えばＣｏアモルファス膜を形成
し、イオンミリングにより所要のパターンにエツチング
して下部６ｎ極層１２を形成する。次いで下部磁極層１
２上に、スパッタ法によって１２０．等の絶縁膜を積層
してギャップ層１３を形成しく第１図（ａ））、スパッ
タ法を用いてギャップ層１３上にＳｉＯ□を５μｍの厚
さに成膜して絶縁層１４を形成する（第１図（ｂｌｌ。

そして、絶縁層１４上に回転塗布によりフォトレジスト
１６を、下部磁性膜１２の厚みにより生じる段差（例え
ば１〜２　Ｉｆ　ｍ程度）を被覆できる厚み（例えば３
ｕｍ程度）に形成する。このとき、フォトレジスト１６
は表面が平坦化されて形成される。続いて絶縁層１４と
フォトレジスト１６とのエツチングレートが等しくなる
ように、イオンミリング装置の出力、ミリング角度等の
条件を設定し、フ才トレジスト１６及び絶縁層１４を例
えばＡｒイオンにより６０°の角度でミリングする（第
１図（Ｃ））。ここで、イオンミリングは下部磁性膜１
２上に形成されているギャップ層１３に達しない程度と
とし、少なくとち下部磁性膜１２上に形成されている絶
縁層１４の膜厚がＩｔｉｍ程度残るようにミリングする
。このこと（こより、フォトレジスト１６が完全にミリ
ングされて除去され、ギャップ層１３上には表面が平坦
化された絶縁層１４が形成される（第１図（ｄ））。最
後に、平坦化されたこの絶縁層１４上に例えばＣｕを積
層し、パターニングを行なってコイル１５を形成する（
第１図（ｅ））。

上記実施例の薄膜磁気ヘッドにおいては、絶縁層１４の
表面を平坦化することにより下部磁性膜１２による段差
を解消することができる。従って、平坦化された絶縁層
１４上にコイル１５は一定の厚みで形成されるため、コ
イル１５の断面積減少による電気抵抗の増大を防止でき
断線等のおそれらなくなり、信頼性が向上した薄膜磁気
ヘッドを容易に得ることができる。

及旦ユ勲１ 以上の説明により明らかなように、本発明に係る薄膜磁
気ヘッドによれば、基板上に下部磁性膜、ギャップ層、
絶縁層及びコイルが順次積層形成された薄膜磁気ヘッド
においで、平坦化された前記絶縁層の上にコイルが形成
されているので、前記コイルの断面積の減少をなくすこ
とができ、電気抵抗の増大を防止することができ、また
断線等のおそれもなくなる。従って、信頼性の向上した
薄膜磁気ヘッドを得ることが可能となる。

また、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、絶縁層
上にフォトレジストを平坦に塗布し、この後前記絶縁層
と前記フォトレジストのエツチングレートが等しくなる
ようにイオンミリングの操作条件を設定して前記フォト
レジスト及び前記絶縁層にイオンミリングを施し、この
後コイルを形成するので、絶縁層を容易に平坦化するこ
とができ、下部磁性膜による段差を解消することができ
る。　従ってこの絶縁層上に、前記コイルを断面積を減
少させることなく容易に形成することができ、断線等の
おそれをなくして信頼性の高い磁気ヘッドを歩留まり良
く製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程の一実
施例を示す模式的断面図、第２図は従来の薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程の一例を示す模式的断面図、第３図は従来
の薄膜磁気ヘッドの一部破断斜視図である。 第１図 １１・・・基板　　１２・・・下部磁性膜１３・・・ギ
ャップ層　　１４・・・絶縁層１５・・・コイル　　　
１６・・・フォトレジスト特　許　出願人：住友金属工
業株式会社代　　理　　人：弁理士　　弁内　龍二第 １ 図 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に下部磁性膜、ギャップ層、絶縁層及びコ
   イルが順次積層形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、平
   坦化された前記絶縁層の上にコイルが形成されているこ
   とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. （２）絶縁層上にフォトレジストを平坦に塗布し、この
   後前記絶縁層と前記フォトレジストのエッチングレート
   が等しくなるようにイオンミリングの操作条件を設定し
   て前記フォトレジスト及び前記絶縁層にイオンミリング
   を施し、この後コイルを形成することを特徴とする請求
   項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。