JPH04351707A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH04351707A JPH04351707A JP12389891A JP12389891A JPH04351707A JP H04351707 A JPH04351707 A JP H04351707A JP 12389891 A JP12389891 A JP 12389891A JP 12389891 A JP12389891 A JP 12389891A JP H04351707 A JPH04351707 A JP H04351707A
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- coil
- magnetic head
- film magnetic
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、ＶＴ
Ｒ等の磁気記録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドに関す
る。
Ｒ等の磁気記録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドにおいて、２層以
上の導体コイル層を形成する方法として、コイル層間の
絶縁層をエッチバック法により平坦化し、コイルの線細
りや段切れを防止する方法が採用されている。
上の導体コイル層を形成する方法として、コイル層間の
絶縁層をエッチバック法により平坦化し、コイルの線細
りや段切れを防止する方法が採用されている。
【０００３】以下、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【０００４】先ず、図３に示すように結晶化ガラス等の
非磁性材料あるいはフェライト等の磁性材料よりなる基
板１の上面にセンダスト、アモルファス磁性材料等より
なる金属磁性薄膜をスパッタリング、蒸着等により被着
形成し、レジストマスクを用いてイオンミリング等によ
りパタ−ニングして下部磁性コア２を形成した後、該下
部磁性コア２上にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等よりなる絶縁
層３をスパッタリング等により被着形成する。
非磁性材料あるいはフェライト等の磁性材料よりなる基
板１の上面にセンダスト、アモルファス磁性材料等より
なる金属磁性薄膜をスパッタリング、蒸着等により被着
形成し、レジストマスクを用いてイオンミリング等によ
りパタ−ニングして下部磁性コア２を形成した後、該下
部磁性コア２上にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等よりなる絶縁
層３をスパッタリング等により被着形成する。
【０００５】次に、図４に示すように前記絶縁層３上に
Ｃｕ、Ａｌ等の導体層をスパッタリング、蒸着等により
形成し、イオンミリング法等によりパタ−ニングして１
層目のコイル層４１を形成する。
Ｃｕ、Ａｌ等の導体層をスパッタリング、蒸着等により
形成し、イオンミリング法等によりパタ−ニングして１
層目のコイル層４１を形成する。
【０００６】次に、図５に示すように前記コイル層４１
上にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等よりなる絶縁層５１をスパ
ッタリング等によりコイル層４１の厚さ以上に被着形成
する。尚、前記絶縁層５１の上面には、コイル層４１の
有無により凹凸が形成されている。
上にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等よりなる絶縁層５１をスパ
ッタリング等によりコイル層４１の厚さ以上に被着形成
する。尚、前記絶縁層５１の上面には、コイル層４１の
有無により凹凸が形成されている。
【０００７】次に、図６に示すように前記絶縁層５１の
上面にレジスト６を重ね塗り等の方法により塗布形成す
る。この時、前記レジスト６の上面は略平坦である。
上面にレジスト６を重ね塗り等の方法により塗布形成す
る。この時、前記レジスト６の上面は略平坦である。
【０００８】次に、図７に示すように前記レジスト６を
絶縁層５１が露出するまでイオンミリング等によりエッ
チング除去する。このエッチバック法による処理により
、前記絶縁層５１の上面はレジスト６の上面の形状に沿
って略平坦になる。
絶縁層５１が露出するまでイオンミリング等によりエッ
チング除去する。このエッチバック法による処理により
、前記絶縁層５１の上面はレジスト６の上面の形状に沿
って略平坦になる。
【０００９】以上の図３〜図７の工程により、１層目の
コイルパタ−ンが完成する。
コイルパタ−ンが完成する。
【００１０】次に、図８〜図１０に示すように上述の工
程と同様にして２層目のコイルパタ−ンを形成する。図
８は２層目のコイル層４２上に絶縁層５２を形成した状
態、図９は絶縁層５２上にレジスト６を形成した状態、
図１０はエッチバック法により絶縁層５２の上面を平坦
化した状態を示す図である。
程と同様にして２層目のコイルパタ−ンを形成する。図
８は２層目のコイル層４２上に絶縁層５２を形成した状
態、図９は絶縁層５２上にレジスト６を形成した状態、
図１０はエッチバック法により絶縁層５２の上面を平坦
化した状態を示す図である。
【００１１】次に、図１１〜図１２に示すようにして３
層目のコイルパタ−ンを形成する。図１１は３層目のコ
イル層４３、絶縁層５３、レジスト６を形成した状態、
図１２はエッチバック法により絶縁層５３の上面を平坦
化した状態を示す図である。
層目のコイルパタ−ンを形成する。図１１は３層目のコ
イル層４３、絶縁層５３、レジスト６を形成した状態、
図１２はエッチバック法により絶縁層５３の上面を平坦
化した状態を示す図である。
【００１２】次に、前述と同様にして図１３に示すよう
に４層目のコイルパタ−ンを形成する。４４は４層目の
コイル層、５４は上面が平坦化された絶縁層である。
に４層目のコイルパタ−ンを形成する。４４は４層目の
コイル層、５４は上面が平坦化された絶縁層である。
【００１３】次に、図１４に示すように前記絶縁層５１
、５２、５３、５４のうちフロントギャップになる部分
とバックギャップになる部分とを下部磁性コア２が露出
するまでイオンミリング等によりエッチング除去してス
ル−ホ−ル７ａ、７ｂを形成する。
、５２、５３、５４のうちフロントギャップになる部分
とバックギャップになる部分とを下部磁性コア２が露出
するまでイオンミリング等によりエッチング除去してス
ル−ホ−ル７ａ、７ｂを形成する。
【００１４】最後に、ＳｉＯ２等よりなる磁気ギャップ
層８、センダスト、アモルファス磁性材料等の金属磁性
材料よりなる上部磁性コア９、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等
よりなる保護用絶縁層１０をスパッタリング及びイオン
ミリング等により所定形状に被着形成して図１５に示す
薄膜磁気ヘッドが完成する。尚、図１５において、５は
前記絶縁層３、５１、５２、５３、５４により構成され
る絶縁層である。
層８、センダスト、アモルファス磁性材料等の金属磁性
材料よりなる上部磁性コア９、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等
よりなる保護用絶縁層１０をスパッタリング及びイオン
ミリング等により所定形状に被着形成して図１５に示す
薄膜磁気ヘッドが完成する。尚、図１５において、５は
前記絶縁層３、５１、５２、５３、５４により構成され
る絶縁層である。
【００１５】上述のようなエッチバック法によるコイル
層間の絶縁層の平坦化方法では、平坦化に用いるレジス
トの塗布精度が問題になる。即ち、図６においてコイル
層４１が密集している部分ではコイル層の間隔が狭いた
めレジスト６の上面の平坦化は良好に行われるが、コイ
ルパターンの外周及び内周の端部ではレジスト６の上面
は十分に平坦化が行われず、段差Ａ、Ｂが生じる。この
段差Ａ、Ｂが生じる部分では、レジスト６の厚みが他の
部分に比べて薄いため、絶縁層とレジストとのエッチン
グレ−トが等しい条件でエッチングを行うエッチバック
法では、所定量だけ絶縁層をエッチングすると、図７に
示すように絶縁層５１のうちコイルパタ−ンの外周の端
部上の部分Ａ１及びコイルパターンの内周の端部上の部
分Ｂ１は他の部分に比べて薄くなり、段差による変形が
生じる。そして、このような絶縁層の変形、薄膜化は図
からも分かるように上層へ行くほど顕著になる。
層間の絶縁層の平坦化方法では、平坦化に用いるレジス
トの塗布精度が問題になる。即ち、図６においてコイル
層４１が密集している部分ではコイル層の間隔が狭いた
めレジスト６の上面の平坦化は良好に行われるが、コイ
ルパターンの外周及び内周の端部ではレジスト６の上面
は十分に平坦化が行われず、段差Ａ、Ｂが生じる。この
段差Ａ、Ｂが生じる部分では、レジスト６の厚みが他の
部分に比べて薄いため、絶縁層とレジストとのエッチン
グレ−トが等しい条件でエッチングを行うエッチバック
法では、所定量だけ絶縁層をエッチングすると、図７に
示すように絶縁層５１のうちコイルパタ−ンの外周の端
部上の部分Ａ１及びコイルパターンの内周の端部上の部
分Ｂ１は他の部分に比べて薄くなり、段差による変形が
生じる。そして、このような絶縁層の変形、薄膜化は図
からも分かるように上層へ行くほど顕著になる。
【００１６】また、図１３に示すように平坦化が不十分
な絶縁層５１上に形成された２層目以降のコイルでは、
両端のコイル層が変形し多層化が進んだ場合、オーバー
エッチングによるコイルの線細りＣや近接したコイル層
間でのコイルショ−トＤが発生する。
な絶縁層５１上に形成された２層目以降のコイルでは、
両端のコイル層が変形し多層化が進んだ場合、オーバー
エッチングによるコイルの線細りＣや近接したコイル層
間でのコイルショ−トＤが発生する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑み為されたものであり、コイルパタ−ンを多層
化した場合においても、コイルの線細りやショ−トを防
止した薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とするもの
である。
欠点に鑑み為されたものであり、コイルパタ−ンを多層
化した場合においても、コイルの線細りやショ−トを防
止した薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とするもの
である。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、コイルパターンの外周及び内周にそれぞれ該コイル
パターンとは電気的に分離しているダミーパターンを形
成したことを特徴とする。
は、コイルパターンの外周及び内周にそれぞれ該コイル
パターンとは電気的に分離しているダミーパターンを形
成したことを特徴とする。
【００１９】
【作用】上記構成によれば、コイル層の形状の変形はコ
イルパターンの外周及び内周に位置するダミーパターン
に生じ、コイルパターンにはコイルの線細りやコイル層
間のショートは起きない。
イルパターンの外周及び内周に位置するダミーパターン
に生じ、コイルパターンにはコイルの線細りやコイル層
間のショートは起きない。
【００２０】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２１】図１は本実施例の薄膜磁気ヘッドの断面図
、図２はこの薄膜磁気ヘッドの１層目のコイルパタ−ン
を示す平面図であり、図１５と同一部分には同一符号を
付し、その説明は割愛する。
、図２はこの薄膜磁気ヘッドの１層目のコイルパタ−ン
を示す平面図であり、図１５と同一部分には同一符号を
付し、その説明は割愛する。
【００２２】本実施例の薄膜磁気ヘッドでは、１層目の
コイルパターンの外周と内周にそれぞれ第１、第２ダミ
−パタ−ン１１１、１２１が被着形成されている。前記
第１、第２ダミーパターン１１１、１２１は共にコイル
層４１と同一の導電材料より成り、コイル層４１形成時
に同時に被着形成される。また、前記第１、第２コイル
パターン１１１、１２１は共にコイル層４１とは分離し
ており、その膜厚はコイル層４１の膜厚に等しい。また
、本実施例の薄膜磁気ヘッドでは、２層目、３層目、４
層目のコイルパターンにおいても、１層目のコイルパタ
ーンと同様にコイル層４２、４３、４４の外周と内周に
それぞれ第１、第２ダミ−パタ−ン１１２、１２２、１
１３、１２３、１１４、１２４が被着形成されている。 尚、前記コイル層４１、４２、４３、４４は、フロント
ギャップ部Ｆとバックギャップ部Ｂとの間に位置する最
も狭い部分の線幅ｌ１が４μｍ、バックギャップ部Ｂの
後方に位置する最も広い部分の線幅ｌ２が１０μｍであ
る。また、前記第１、第２ダミーパターン１１１、１２
１、１１２、１２２、１１３、１２３、１１４、１２４
は、フロントギャップ部Ｆとバックギャップ部Ｂとの間
に位置する最も狭い部分の線幅ｍ１が５〜６μｍ、バッ
クギャップ部Ｂの後方に位置する最も広い部分の線幅ｍ
２が１２〜１４μｍである。
コイルパターンの外周と内周にそれぞれ第１、第２ダミ
−パタ−ン１１１、１２１が被着形成されている。前記
第１、第２ダミーパターン１１１、１２１は共にコイル
層４１と同一の導電材料より成り、コイル層４１形成時
に同時に被着形成される。また、前記第１、第２コイル
パターン１１１、１２１は共にコイル層４１とは分離し
ており、その膜厚はコイル層４１の膜厚に等しい。また
、本実施例の薄膜磁気ヘッドでは、２層目、３層目、４
層目のコイルパターンにおいても、１層目のコイルパタ
ーンと同様にコイル層４２、４３、４４の外周と内周に
それぞれ第１、第２ダミ−パタ−ン１１２、１２２、１
１３、１２３、１１４、１２４が被着形成されている。 尚、前記コイル層４１、４２、４３、４４は、フロント
ギャップ部Ｆとバックギャップ部Ｂとの間に位置する最
も狭い部分の線幅ｌ１が４μｍ、バックギャップ部Ｂの
後方に位置する最も広い部分の線幅ｌ２が１０μｍであ
る。また、前記第１、第２ダミーパターン１１１、１２
１、１１２、１２２、１１３、１２３、１１４、１２４
は、フロントギャップ部Ｆとバックギャップ部Ｂとの間
に位置する最も狭い部分の線幅ｍ１が５〜６μｍ、バッ
クギャップ部Ｂの後方に位置する最も広い部分の線幅ｍ
２が１２〜１４μｍである。
【００２３】尚、上記実施例の磁気ヘッドは、第１、第
２ダミーパターン１１１、１２１、１１２、１２２、１
１３、１２３、１１４、１２４の形成以外は、前述の従
来例で説明した製造方法と同様にして形成される。
２ダミーパターン１１１、１２１、１１２、１２２、１
１３、１２３、１１４、１２４の形成以外は、前述の従
来例で説明した製造方法と同様にして形成される。
【００２４】上述のような本実施例の薄膜磁気ヘッドで
は、コイルパターンの外周及び内周にダミーパターンが
形成されているため、パターンの外周及び内周の端部に
生じやすい線細りやショートは、磁気ヘッドの動作とは
全く関係のない第１、第２ダミーパターンに生じ、コイ
ル層は変形せずコイルの線細りやコイル層間でのショー
トは防止され、信頼性が向上する。また、ダミ−パタ−
ンを形成した分だけ各コイルパターン上に形成される絶
縁層５１、５２、５３、５４の上面の面積が大きくなる
ため、該絶縁層５１、５２、５３、５４の平坦化が向上
する。
は、コイルパターンの外周及び内周にダミーパターンが
形成されているため、パターンの外周及び内周の端部に
生じやすい線細りやショートは、磁気ヘッドの動作とは
全く関係のない第１、第２ダミーパターンに生じ、コイ
ル層は変形せずコイルの線細りやコイル層間でのショー
トは防止され、信頼性が向上する。また、ダミ−パタ−
ンを形成した分だけ各コイルパターン上に形成される絶
縁層５１、５２、５３、５４の上面の面積が大きくなる
ため、該絶縁層５１、５２、５３、５４の平坦化が向上
する。
【００２５】尚、上記実施例では、ダミ−パタ−ンはコ
イルパタ−ンの外周及び内周を１周する構造であるが、
ダミ−パタ−ンはコイルパタ−ンの外周及び内周を２周
、３周・・・する構造でもよい。
イルパタ−ンの外周及び内周を１周する構造であるが、
ダミ−パタ−ンはコイルパタ−ンの外周及び内周を２周
、３周・・・する構造でもよい。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、コイルの線細りやコイ
ル層間でのショートを防止し、信頼性の高い薄膜磁気ヘ
ッドを提供し得る。
ル層間でのショートを防止し、信頼性の高い薄膜磁気ヘ
ッドを提供し得る。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの１層目のコイルパタ
ーンを示す平面図である。
ーンを示す平面図である。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図
である。
である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図
である。
である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図
である。
である。
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図
である。
である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図
である。
である。
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図
である。
である。
【図９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図
である。
である。
【図１０】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図１２】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図１３】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図１４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図１５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面
図である。
図である。
１ 基板
２ 下部磁性コア
３、５、５１、５２、５３、５４ 絶縁層４１、４２
、４３、４４ コイル層 ８ 磁気ギャップ層 ９ 上部磁性コア
、４３、４４ コイル層 ８ 磁気ギャップ層 ９ 上部磁性コア
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に下部磁性コアを形成し、該下
部磁性コア上に磁気ギャップ層、及び絶縁層により各層
が絶縁分離された多層のコイルパターンを形成し、更に
その上に上部磁性コアを形成してなる薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記コイルパターンの外周及び内周にそれぞれ
該コイルパターンとは電気的に分離しているダミーパタ
ーンを形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12389891A JPH04351707A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12389891A JPH04351707A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04351707A true JPH04351707A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=14872073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12389891A Pending JPH04351707A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04351707A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11581117B2 (en) * | 2015-06-11 | 2023-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coil-incorporated multilayer substrate and method for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP12389891A patent/JPH04351707A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11581117B2 (en) * | 2015-06-11 | 2023-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coil-incorporated multilayer substrate and method for manufacturing the same |
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