JPH03286533A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03286533A JPH03286533A JP8797590A JP8797590A JPH03286533A JP H03286533 A JPH03286533 A JP H03286533A JP 8797590 A JP8797590 A JP 8797590A JP 8797590 A JP8797590 A JP 8797590A JP H03286533 A JPH03286533 A JP H03286533A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- silicon nitride
- nitride film
- film
- electrode wiring
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、主として樹脂封止半導体装置の最終保護被膜
構造に関する。
構造に関する。
［従来の技術］
従来、樹脂封止半導体装置の最終保護被膜構造はシリコ
ン酸化膜とシリコン窒化膜の２層構造が用いられていた
が、該構造ではシリコン窒化膜とシリコン戯化膜の２層
を一度のホト・エツチング工程でパッド部穴開けするの
が困難であるとの理由で、最近はシリコン窒化膜−層を
用いるのが通例であった。
ン酸化膜とシリコン窒化膜の２層構造が用いられていた
が、該構造ではシリコン窒化膜とシリコン戯化膜の２層
を一度のホト・エツチング工程でパッド部穴開けするの
が困難であるとの理由で、最近はシリコン窒化膜−層を
用いるのが通例であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術では、シリコン窒化膜−層構造で
はシリコン窒化膜の電気伝導度がシリコン酸化膜に比し
てろ桁程度高く、シリコン窒化膜を通して電流が流れ、
電極配線が電解腐蝕を起こすと云う課題があった。
はシリコン窒化膜の電気伝導度がシリコン酸化膜に比し
てろ桁程度高く、シリコン窒化膜を通して電流が流れ、
電極配線が電解腐蝕を起こすと云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、電気伝導度
が低く、且つ、ホト・エンチング工程でパッド部穴開け
が容易に行なえる樹脂封止半導体装置の新しい最終保護
被膜構造を提供する事を目的とする。
が低く、且つ、ホト・エンチング工程でパッド部穴開け
が容易に行なえる樹脂封止半導体装置の新しい最終保護
被膜構造を提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決する為に、本発明は半導体装置に関し、
金属電極配線後の最終保護被膜をシリコン窒化膜とシリ
コン酸化膜の２層とデＬす手段を取る。
金属電極配線後の最終保護被膜をシリコン窒化膜とシリ
コン酸化膜の２層とデＬす手段を取る。
［実施例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、半導体集債回路装置の最終金属電極配線としてア
ルミニウム電極配線をｉｔ後、ＣＶＤ（化学蒸着法）等
によりシリコン窒化膜を５００ ｎｍ厚形筬し、引き続
いてシリコン酸化膜を１００ ｎｍ形戊すると、シリコ
ン窒化膜がＩＱ１１〜１０１３オームの抵抗値であって
も、シリコン酸化膜は１０ＱｒＬｍと薄くてもＩ Ｏ１
４〜１０ ｉ３オーム以下の抵抗値となり、最終保護被
膜を通しての電流の流れは防止する事が出来ると共に、
−回のホト・エツチング工程にてシリコン酸化膜とシリ
コン窒化膜とのパッド部穴開げが可能となる。該２層保
護被膜による半導体装置を樹脂封止し、８５℃、８５％
ＲＨ中で５ｖの印加電圧を印加して寿命テストをしても
、アルミニウム電極配線の電界集中部に電解腐蝕を起こ
す事もない。
ルミニウム電極配線をｉｔ後、ＣＶＤ（化学蒸着法）等
によりシリコン窒化膜を５００ ｎｍ厚形筬し、引き続
いてシリコン酸化膜を１００ ｎｍ形戊すると、シリコ
ン窒化膜がＩＱ１１〜１０１３オームの抵抗値であって
も、シリコン酸化膜は１０ＱｒＬｍと薄くてもＩ Ｏ１
４〜１０ ｉ３オーム以下の抵抗値となり、最終保護被
膜を通しての電流の流れは防止する事が出来ると共に、
−回のホト・エツチング工程にてシリコン酸化膜とシリ
コン窒化膜とのパッド部穴開げが可能となる。該２層保
護被膜による半導体装置を樹脂封止し、８５℃、８５％
ＲＨ中で５ｖの印加電圧を印加して寿命テストをしても
、アルミニウム電極配線の電界集中部に電解腐蝕を起こ
す事もない。
［発明の効果コ
本発明により樹脂封止半導体装置の電解腐蝕による電極
配線の断線を容易に防止することができる効果がある。
配線の断線を容易に防止することができる効果がある。
以上
Claims (1)
- 金属電極配線後の最終保護被膜をシリコン窒化膜とシ
リコン酸化膜の２層となした事を特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8797590A JPH03286533A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8797590A JPH03286533A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286533A true JPH03286533A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13929836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8797590A Pending JPH03286533A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286533A (ja) |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP8797590A patent/JPH03286533A/ja active Pending
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