JPH0311736A - 集積回路の配線電極 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は集積回路の配線電極材料に関・する。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、ＡｔまたはＡｔ合金に
よる配線電極は耐マイグレーション性かたと“えＴｉ−
ＡｔやＷＳｉ−Ａｔの如（多層膜構造にしても充分でな
（、またＷを配線電極に用いると耐マイグレーション性
は充分であるが、下地Ｓ１０．膜等の絶縁膜との接着性
が悪いとい５課題があった。

本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、耐マイグレ
ーション性にすぐれ、絶縁体との接着性にもすぐれ、か
つ電気抵抗の小さい、集積回路の配線電極材料を提供す
ることを目的とする。

［従来の技術］ 従来、集積回路の配線電極材料としては、Ａｔ、　Ａｔ
−３ｉ　、　Ａ４−８　ｉ−Ｏｕが用いられ、耐マイグ
レーション性を得る為にはＴ１−Ａｔ。

ｙｓｌ−Ａｔ等の多層膜やＷが用いられるのが常であっ
た。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、本発明は集積回路の低抵抗
配線部の電極材料に関しＴｉＮを用いることを基本とす
る。

［実施例］ 以下、実施例により本発明を詳述する。

いま、８１ゲ一トＭＯ５ＦＥＴから成る半導体集積回路
装置を例にとると、Ｓｉ基板表面に８１ゲー）ＭＯＳ　
　ＦＥＴを通常の半導体製造プロセスにより製作し、Ｏ
ｖＤ法等によりＳｉｎ。

膜等の絶縁膜を形成後、該絶縁膜にホト・エツチング処
理によりコンタクト孔を穿ち、該コンタクト孔を通し、
前記絶縁膜を介して上部低抵抗電極配線を施すに際し、
スパッタ法またはＯＶＤ法等によりＴｉＮ膜を形成して
、該ＴｉＮ膜をホト・エツチング処理して低抵抗ｉｔｓ
配線と成し、その後該ＴｉＮｔ極配線のＡｕ線またはＡ
ｔ腺から成る外部リード線との接続部となるパッド部の
Ｔ１Ｎ電極にはＡ／、蒸着膜を形成して成る。なお、Ｔ
ＩＮ電極配線を形成後、プラズマＯＶＤ処理等によりＳ
ｉ３Ｎ、膜等の絶縁膜を形成し、該絶縁膜の前記パッド
部ＴｉＮ電極上にはホト・エツチング処理等により窓開
けを行い、該窓部のみにＡｔ膜を形成しても良い。

本発明は単に上記例に示すＭＯ８型ＰＥＰＥ上る半導体
集積回路装置のみならず、その他の半導体集積回路装置
や一般的な集積回路装置に適用できる。ことは云うまで
もなく、更には低抵抗配線を多層に形成を要する場合に
も適用できることは云うまでもない。

［発明の効果コ 本発明により、耐マイグレーション性にすぐれ絶縁物と
の接着性にもすぐれた低抵抗電極配線を提供する事がで
きる効果がある。

以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ＴｉＮから成る配線電極を用いる事を特徴とする集積回
   路の配線電極。