JPH0329025B2 - - Google Patents
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- JPH0329025B2 JPH0329025B2 JP61106581A JP10658186A JPH0329025B2 JP H0329025 B2 JPH0329025 B2 JP H0329025B2 JP 61106581 A JP61106581 A JP 61106581A JP 10658186 A JP10658186 A JP 10658186A JP H0329025 B2 JPH0329025 B2 JP H0329025B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- transparent
- temperature
- substrate
- containing compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Ceramic Products (AREA)
- Producing Shaped Articles From Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明はＢ、Ｎ及びSi元素からなる透明性BN
系セラミツクス材料の製造方法に関する。 優れた透明性を有するセラミツクス材料は、今
後飛躍的に進展すると予測されている光を媒体と
する光デバイス技術に関連する素材として待望さ
れている。また、セラミツクス本体の耐熱性、耐
食性、熱安定性、硬度などを具備する透明性材料
は各種の高温用窓材や高温用レンズなどの特殊光
学用途も期待される。 更に、宇宙空間において使用される各種機械装
置の構成部材としても期待される。 ［従来の技術］ 特開昭58−145665公報（「Si3N4−BN系非晶質
材料およびその製造方法」）において、透光性を
そなえたSi3N4−BN系非晶質材料とその製造方
法が開示されている。それは次のような材料であ
る、即ち、化学気相析出法により同時析出させて
得たSi3N4：70〜30重量％、BN：30〜70重量％
の組成になる非晶質の複合材料であつて、透光性
をそなえ、かつ熱安定性、耐熱衝撃性および耐薬
品性に富む透光性Si3N4−BN系非晶質材料であ
る。その製造方法として、減圧下に保持した反応
炉内に、けい素沈積源ガス、ほう素沈積源ガスお
よび水素ガスと窒素沈積源ガスとを個別に導入
し、1100〜1300℃の範囲における上記反応ガスの
合成温度で化学気相反応させ、該反応炉内に設置
の基体上にSi3N4とBNの非晶質を同時析出させ
ることを特徴とするSi3N4−BN系非晶質材料の
製造方法を開示している。 この公報でいう透光性の材料は褐色を呈する透
光体である。このことはその明細書中の記載によ
り明白であ。例えば、「白色から黄色、褐色と変
化するにつれて透光性はよくなり、とくに外観が
褐色を呈する場合にすぐれた透光性が得られる。」
との記述から明らかなように、褐色に着色した場
合に透光性を示すものであり、褐色着色と透光性
は密接不可分の関係にあることを示している。 ［発明が解決しようとする問題点］ 今後、発展する光技術をはじめとする革新的先
端技術工業分野において、多方面での応用が期待
される透明性セラミツクス材料としては、無色透
明であることが極めて重要な要件と考えられるの
で、本発明者らは無色透明な透明性セラミツクス
を開発すべく種々検討した。 一般に、化学気相析出（CVD）プロセスは多
くの要因を含む複雑な化学反応プロセスである。
化学反応がそうであるように、原料や条件により
種々の変化を呈するため、CVDも極めて個別的
かつ個性的である。CVDプロセスのメカニズム
は、少数の例外を除いて、全く未解明であり、反
応条件と生成物の関係に関し予測・予見・類推す
ることは不可能な状況にある。 CVD条件として、例えば、析出温度、炉内全
ガス圧、原料ガスの種類とその流量などが変化す
ると、析出状態や析出物の構造・組成が全く変化
してしまうことは珍しいことではない。特に原料
ガスの種類が多くなるとこの傾向は極めて顕著に
なる。本発明の対象となる３元素系からなる場合
がこれに相当する。 このような技術的状況のもとで、本発明者ら
は、実験的検討を詳細に進めた結果無色かつ透明
なBN系セラミツクスの製造方法を見出し本発明
に至つた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は無色かつ透明性を有するBN系セラミ
ツクスの改良された製造方法を提示するものであ
る。即ち、ほう素元素含有化合物、窒素元素含有
化合物及びけい素元素含有化合物を用いて化学気
相析出法によつて、析出温度を1400℃以上1600℃
未満の温度に保ち、減圧下で析出させ、20〜40重
量％をホウ素、35〜55重量％の窒素および３〜40
重量％をケイ素を主構成元素とする非晶質材料を
形成することを特徴とする透明性BN系セラミツ
クス材料の製造方法である。 本発明により得られるBN系材料は、ほう素
（Ｂ）元素、窒素（Ｎ）元素及びけい素（Si）元
素を主たる構成元素として含む透明性材料であ
る。上記の３元素以外の元素として、例えば、
Ｏ、Ｈ、Cl、Ｆ、Ｃ、Na、Ｐ、Ｙ、Li、Al、
Ni、Fe、Zr、Caなどを、それらの総和として
10wt％以下好ましくは５重量％以下１重量％以
上の割合で含むこともある。３種の主構成元素の
割合はＢ元素：20〜40wt％、Ｎ元素：35〜55wt
％及びSi元素：３〜40wt％の範囲にある。特に
Ｂ元素：20〜35重量％、Ｎ元素：44〜55重量％、
Si元素：10〜36重量％が好ましい。 これらの元素は、主としてＢ−Ｎ結合とSi−Ｎ
結合を形成しているが、全ての元素がこの結合に
関与しているとは限らない。しかしＢ−Ｎ結合は
常に存在するので、BN系材料と称する。本発明
の方法で製造された材料は、厚さ0.7mmの板状試
料について分光光度計によりその透過率を測定し
た場合、波長400nｍにおいて50％以上、450nｍ
において60％以上の光透過率を示すものである。 本発明においては、このような無色かつ透明な
材料を製造するために、析出温度を1400℃以上
1600℃未満の温度に保ち、減圧状態に保持する。
その全ガス圧力は10〜100Torrの範囲がよい。
1400℃より低い温度では、反応中間体を含むもの
が出来やすいためか、すぐれた透明体が得られな
い。一方1600℃以上だと、結晶の成長などのため
か、透明性の低下したものとなる。好ましい温度
は1400℃〜1500℃であり、歩留りよく無色かつ透
明性にすぐれた材料を製造することができる。こ
の場合、温度は二色光高温計により（基体上に析
出した）析出物表面の温度を測定した値とする。 反応装置内の気体の全ガス圧力は上記の如く10
〜100Torrがよいが、より優れた性質の良好な透
明体を得たいときには20〜60Torrに設定するこ
とが望ましい。特に30Torr前後が最善である。 本発明の製造方法の概要は以下の通りである。 黒鉛、耐熱金属（Ｗ、Mo、Taなど）や耐熱セ
ラミツクス（SiC、TiB2など）などの材料からな
る所望形状の基体を真空加熱炉中に設置し、これ
を1400以上1600℃未満の間の所定温度に加熱す
る。そして、ほう素含有化合物、窒素含有化合
物、けい素含有化合物及び搬送もしくは希釈ガス
からなる気体をこの基体上に吹きつけることによ
り、Ｂ、Ｎ及びSi元素を主構成元素とするBN系
材料を基体上に析出させる。そして、基体より析
出物を分離することにより透明性BN系材料が得
られる。 本発明は、基体を使用する化学気相析出法に限
定されるものではなく、また、基体の材質が上記
のものに限定されるものでもない。一般の化学気
相析出法ならびにその装置において適宜適用され
るものである。 ほう素元素含有化合物としては、例えば、
BCl3、BF3などのハロゲン化合物；B2H6、
B10H14などを水素化物；Ｎ元素を含むボラジン、
塩素化ボラジンなどを用いる。本発明において
は、BCl3が特に好ましい。それは、本発明の方
法によるとき特に優れた無色かつ透明な材料が得
やすいからである。 窒素元素含有化合物としては、例えば、NH3、
N2、尿素系化合物が用いられる。NH3が好まし
い。また、けい素元素含有化合物としては、例え
ば、SiCl4、SiH4、Si（CH3）2Cl2などが用いられ
る。SiCl4が好んで用いられる。搬送もしくは希
釈ガスとしてH2、N2、Arなどの非反応性ガスを
用いる。H2ガスが好ましい。ほう素、窒素及び
けい素元素含有化合物の流量の総和に対し1/10〜
100倍の範囲が普通である。 本発明においては、BCl3−NH3−SiCl4−H2ガ
ス系のCVDからすぐれた透明性材料が容易に得
られるので、これらを原料とすることが最も好ま
しいものである。そしてこの場合、理由は不明で
あるが、BCl3ガスの流量（FR［BCl3］）とSiCl4
ガスの流量（FR［SiCl4］）との和に対するSiCl4
の流量の比率、即ち FR［SiCl4］／（FR［BCl3］＋FR［SiCl4］）をＸ
座標とし、析出温度（Temp.℃）をＹ座標とす
るとき、第２図に示す点Ａ（0.5、1500）、点Ｂ
（0.19、1400）、点Ｃ（0.67、1400）、点Ｄ（0.67、
1500）で囲まれる領域において製造するときに最
も良好な析出物が得られる。 本発明の方法を実施するにあたつて、CVD装
置の内部を清浄に保つことは極めて重要である。
可及的に装置内部に存在する付着物を取り除くこ
とが望ましい。これらの付着物は、基体の交換や
析出物の取り出しのため装置を開放する際大気中
の水分を吸収しやすく、その結果析出中に水分が
徐々に放出され良好な析出物の製造に悪影響を与
えることになりやすいからである。例えば析出の
過程で析出物中にクラツクが発生したり、局部的
に基体から剥離するなどのトラブルが生じやす
い。 ［実施例］ 実施例 １〜４ 基板を通電加熱する方式のCVD装置を使つて、
黒鉛基板上に試料を析出させた。源料ガスとし
て、NH3、BCl3、SiCl4を用い搬送ガスとしてH2
を用いた。基板温度は二色光高温計を用いて測定
した。 まず、基板をセツトしてCVD装置を真空排気
した後、基板を所定の温度まで加熱し、次に、反
応ガス及び搬送ガスを導入して所定の圧力におい
て析出を行なう。析出終了後基板から析出物を剥
離させ、アルキメデス法で密度を測定し、さらに
試料を切断して読みとり顕微鏡で厚さを測定し
た。そして化学分析によつて、Si含有量を測定し
た。さらに、透明性を定量化するために分光光度
計を用いて200nｍから2200nｍの範囲で全透過率
を測定した。 その結果1350℃より低い温度では、優れた透明
体は得られず、1600℃で実験を行なうと褐色とな
り不透明であつた。一方、10Torrより低い圧力
では白濁して透明性が低下し、100Torrより高い
圧力では、反応炉内の副生成物が多すぎて、優れ
た透明体を得ることが妨げられた。 表１及び表２に、優れた透明性セラミツクスを
得ることのできた実施例の実験条件と結果を示
す。実施例１、２、４では200nｍから600nｍに
かけて、透過率は０％から75％に上昇し、その後
2200nｍまで80％〜85％Ｗであつた。波長400nｍ
では70％、450nｍでは76％であつた。第１図に
その結果を示した。実施例３では他の例より少し
低い透過率を示した。これも第１図に示す。
系セラミツクス材料の製造方法に関する。 優れた透明性を有するセラミツクス材料は、今
後飛躍的に進展すると予測されている光を媒体と
する光デバイス技術に関連する素材として待望さ
れている。また、セラミツクス本体の耐熱性、耐
食性、熱安定性、硬度などを具備する透明性材料
は各種の高温用窓材や高温用レンズなどの特殊光
学用途も期待される。 更に、宇宙空間において使用される各種機械装
置の構成部材としても期待される。 ［従来の技術］ 特開昭58−145665公報（「Si3N4−BN系非晶質
材料およびその製造方法」）において、透光性を
そなえたSi3N4−BN系非晶質材料とその製造方
法が開示されている。それは次のような材料であ
る、即ち、化学気相析出法により同時析出させて
得たSi3N4：70〜30重量％、BN：30〜70重量％
の組成になる非晶質の複合材料であつて、透光性
をそなえ、かつ熱安定性、耐熱衝撃性および耐薬
品性に富む透光性Si3N4−BN系非晶質材料であ
る。その製造方法として、減圧下に保持した反応
炉内に、けい素沈積源ガス、ほう素沈積源ガスお
よび水素ガスと窒素沈積源ガスとを個別に導入
し、1100〜1300℃の範囲における上記反応ガスの
合成温度で化学気相反応させ、該反応炉内に設置
の基体上にSi3N4とBNの非晶質を同時析出させ
ることを特徴とするSi3N4−BN系非晶質材料の
製造方法を開示している。 この公報でいう透光性の材料は褐色を呈する透
光体である。このことはその明細書中の記載によ
り明白であ。例えば、「白色から黄色、褐色と変
化するにつれて透光性はよくなり、とくに外観が
褐色を呈する場合にすぐれた透光性が得られる。」
との記述から明らかなように、褐色に着色した場
合に透光性を示すものであり、褐色着色と透光性
は密接不可分の関係にあることを示している。 ［発明が解決しようとする問題点］ 今後、発展する光技術をはじめとする革新的先
端技術工業分野において、多方面での応用が期待
される透明性セラミツクス材料としては、無色透
明であることが極めて重要な要件と考えられるの
で、本発明者らは無色透明な透明性セラミツクス
を開発すべく種々検討した。 一般に、化学気相析出（CVD）プロセスは多
くの要因を含む複雑な化学反応プロセスである。
化学反応がそうであるように、原料や条件により
種々の変化を呈するため、CVDも極めて個別的
かつ個性的である。CVDプロセスのメカニズム
は、少数の例外を除いて、全く未解明であり、反
応条件と生成物の関係に関し予測・予見・類推す
ることは不可能な状況にある。 CVD条件として、例えば、析出温度、炉内全
ガス圧、原料ガスの種類とその流量などが変化す
ると、析出状態や析出物の構造・組成が全く変化
してしまうことは珍しいことではない。特に原料
ガスの種類が多くなるとこの傾向は極めて顕著に
なる。本発明の対象となる３元素系からなる場合
がこれに相当する。 このような技術的状況のもとで、本発明者ら
は、実験的検討を詳細に進めた結果無色かつ透明
なBN系セラミツクスの製造方法を見出し本発明
に至つた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は無色かつ透明性を有するBN系セラミ
ツクスの改良された製造方法を提示するものであ
る。即ち、ほう素元素含有化合物、窒素元素含有
化合物及びけい素元素含有化合物を用いて化学気
相析出法によつて、析出温度を1400℃以上1600℃
未満の温度に保ち、減圧下で析出させ、20〜40重
量％をホウ素、35〜55重量％の窒素および３〜40
重量％をケイ素を主構成元素とする非晶質材料を
形成することを特徴とする透明性BN系セラミツ
クス材料の製造方法である。 本発明により得られるBN系材料は、ほう素
（Ｂ）元素、窒素（Ｎ）元素及びけい素（Si）元
素を主たる構成元素として含む透明性材料であ
る。上記の３元素以外の元素として、例えば、
Ｏ、Ｈ、Cl、Ｆ、Ｃ、Na、Ｐ、Ｙ、Li、Al、
Ni、Fe、Zr、Caなどを、それらの総和として
10wt％以下好ましくは５重量％以下１重量％以
上の割合で含むこともある。３種の主構成元素の
割合はＢ元素：20〜40wt％、Ｎ元素：35〜55wt
％及びSi元素：３〜40wt％の範囲にある。特に
Ｂ元素：20〜35重量％、Ｎ元素：44〜55重量％、
Si元素：10〜36重量％が好ましい。 これらの元素は、主としてＢ−Ｎ結合とSi−Ｎ
結合を形成しているが、全ての元素がこの結合に
関与しているとは限らない。しかしＢ−Ｎ結合は
常に存在するので、BN系材料と称する。本発明
の方法で製造された材料は、厚さ0.7mmの板状試
料について分光光度計によりその透過率を測定し
た場合、波長400nｍにおいて50％以上、450nｍ
において60％以上の光透過率を示すものである。 本発明においては、このような無色かつ透明な
材料を製造するために、析出温度を1400℃以上
1600℃未満の温度に保ち、減圧状態に保持する。
その全ガス圧力は10〜100Torrの範囲がよい。
1400℃より低い温度では、反応中間体を含むもの
が出来やすいためか、すぐれた透明体が得られな
い。一方1600℃以上だと、結晶の成長などのため
か、透明性の低下したものとなる。好ましい温度
は1400℃〜1500℃であり、歩留りよく無色かつ透
明性にすぐれた材料を製造することができる。こ
の場合、温度は二色光高温計により（基体上に析
出した）析出物表面の温度を測定した値とする。 反応装置内の気体の全ガス圧力は上記の如く10
〜100Torrがよいが、より優れた性質の良好な透
明体を得たいときには20〜60Torrに設定するこ
とが望ましい。特に30Torr前後が最善である。 本発明の製造方法の概要は以下の通りである。 黒鉛、耐熱金属（Ｗ、Mo、Taなど）や耐熱セ
ラミツクス（SiC、TiB2など）などの材料からな
る所望形状の基体を真空加熱炉中に設置し、これ
を1400以上1600℃未満の間の所定温度に加熱す
る。そして、ほう素含有化合物、窒素含有化合
物、けい素含有化合物及び搬送もしくは希釈ガス
からなる気体をこの基体上に吹きつけることによ
り、Ｂ、Ｎ及びSi元素を主構成元素とするBN系
材料を基体上に析出させる。そして、基体より析
出物を分離することにより透明性BN系材料が得
られる。 本発明は、基体を使用する化学気相析出法に限
定されるものではなく、また、基体の材質が上記
のものに限定されるものでもない。一般の化学気
相析出法ならびにその装置において適宜適用され
るものである。 ほう素元素含有化合物としては、例えば、
BCl3、BF3などのハロゲン化合物；B2H6、
B10H14などを水素化物；Ｎ元素を含むボラジン、
塩素化ボラジンなどを用いる。本発明において
は、BCl3が特に好ましい。それは、本発明の方
法によるとき特に優れた無色かつ透明な材料が得
やすいからである。 窒素元素含有化合物としては、例えば、NH3、
N2、尿素系化合物が用いられる。NH3が好まし
い。また、けい素元素含有化合物としては、例え
ば、SiCl4、SiH4、Si（CH3）2Cl2などが用いられ
る。SiCl4が好んで用いられる。搬送もしくは希
釈ガスとしてH2、N2、Arなどの非反応性ガスを
用いる。H2ガスが好ましい。ほう素、窒素及び
けい素元素含有化合物の流量の総和に対し1/10〜
100倍の範囲が普通である。 本発明においては、BCl3−NH3−SiCl4−H2ガ
ス系のCVDからすぐれた透明性材料が容易に得
られるので、これらを原料とすることが最も好ま
しいものである。そしてこの場合、理由は不明で
あるが、BCl3ガスの流量（FR［BCl3］）とSiCl4
ガスの流量（FR［SiCl4］）との和に対するSiCl4
の流量の比率、即ち FR［SiCl4］／（FR［BCl3］＋FR［SiCl4］）をＸ
座標とし、析出温度（Temp.℃）をＹ座標とす
るとき、第２図に示す点Ａ（0.5、1500）、点Ｂ
（0.19、1400）、点Ｃ（0.67、1400）、点Ｄ（0.67、
1500）で囲まれる領域において製造するときに最
も良好な析出物が得られる。 本発明の方法を実施するにあたつて、CVD装
置の内部を清浄に保つことは極めて重要である。
可及的に装置内部に存在する付着物を取り除くこ
とが望ましい。これらの付着物は、基体の交換や
析出物の取り出しのため装置を開放する際大気中
の水分を吸収しやすく、その結果析出中に水分が
徐々に放出され良好な析出物の製造に悪影響を与
えることになりやすいからである。例えば析出の
過程で析出物中にクラツクが発生したり、局部的
に基体から剥離するなどのトラブルが生じやす
い。 ［実施例］ 実施例 １〜４ 基板を通電加熱する方式のCVD装置を使つて、
黒鉛基板上に試料を析出させた。源料ガスとし
て、NH3、BCl3、SiCl4を用い搬送ガスとしてH2
を用いた。基板温度は二色光高温計を用いて測定
した。 まず、基板をセツトしてCVD装置を真空排気
した後、基板を所定の温度まで加熱し、次に、反
応ガス及び搬送ガスを導入して所定の圧力におい
て析出を行なう。析出終了後基板から析出物を剥
離させ、アルキメデス法で密度を測定し、さらに
試料を切断して読みとり顕微鏡で厚さを測定し
た。そして化学分析によつて、Si含有量を測定し
た。さらに、透明性を定量化するために分光光度
計を用いて200nｍから2200nｍの範囲で全透過率
を測定した。 その結果1350℃より低い温度では、優れた透明
体は得られず、1600℃で実験を行なうと褐色とな
り不透明であつた。一方、10Torrより低い圧力
では白濁して透明性が低下し、100Torrより高い
圧力では、反応炉内の副生成物が多すぎて、優れ
た透明体を得ることが妨げられた。 表１及び表２に、優れた透明性セラミツクスを
得ることのできた実施例の実験条件と結果を示
す。実施例１、２、４では200nｍから600nｍに
かけて、透過率は０％から75％に上昇し、その後
2200nｍまで80％〜85％Ｗであつた。波長400nｍ
では70％、450nｍでは76％であつた。第１図に
その結果を示した。実施例３では他の例より少し
低い透過率を示した。これも第１図に示す。
【表】
【表】
実施例 ５
先の実施例と同様に、基板を通電加熱する方式
のCVD装置を用いて、黒鉛基板上に試料を析出
させた。析出温度は1400、1500および1600℃、析
出圧力は30Torrとした。原料ガスとして、BCl3、
NH3、SiCl4及びH2を用いた。NH3およびH2の
流量は、それぞれ、90および670SCCMとし、
BCl3とSiCl4の流量はそれらの合計で140SCCMと
した。 BCl3とSiCl4の流量の和に対するSiCl4の流量の
比率を変化させた。原料ガスをCVD装置に導く
ガス導入管には同芯二重管を用い、内管にNH3、
外管にBCl3、SiCl4及びH2を流した。 析出時間は２〜５時間とした。基板より析出物
を剥がしその透明性を肉眼判定した。第２図に結
果を示した。この図で、○印は無色透明な析出
物、×印は不透明な析出物、△印は耐湿性に劣る
析出物を示している。少くとも、点Ａ（0.5、
1500）、点Ｂ（0.19、1400）、点Ｃ（0.67、1400）お
よび点Ｄ（0.67、1500）で囲まれる四角形の範囲
では優れた無色透明性を有するBN形セラミツク
ス材料が得られることが明らかである。 ［発明の効果］ 本発明は無色の透明性を有するセラミツクス材
料を容易に得る方法で、かかる材料は耐熱性にす
ぐれたもので、光を媒体とする光デバイス技術に
関連する素材として有用なものであり、また各種
高温用窓材や高温用レンズなどとしても有用なも
のである。そして、単体としてのみでなく、金
属、セラミツクスおよびパリマーとの複合材料の
形で種々の用途に適用可能な新規な材料である。
のCVD装置を用いて、黒鉛基板上に試料を析出
させた。析出温度は1400、1500および1600℃、析
出圧力は30Torrとした。原料ガスとして、BCl3、
NH3、SiCl4及びH2を用いた。NH3およびH2の
流量は、それぞれ、90および670SCCMとし、
BCl3とSiCl4の流量はそれらの合計で140SCCMと
した。 BCl3とSiCl4の流量の和に対するSiCl4の流量の
比率を変化させた。原料ガスをCVD装置に導く
ガス導入管には同芯二重管を用い、内管にNH3、
外管にBCl3、SiCl4及びH2を流した。 析出時間は２〜５時間とした。基板より析出物
を剥がしその透明性を肉眼判定した。第２図に結
果を示した。この図で、○印は無色透明な析出
物、×印は不透明な析出物、△印は耐湿性に劣る
析出物を示している。少くとも、点Ａ（0.5、
1500）、点Ｂ（0.19、1400）、点Ｃ（0.67、1400）お
よび点Ｄ（0.67、1500）で囲まれる四角形の範囲
では優れた無色透明性を有するBN形セラミツク
ス材料が得られることが明らかである。 ［発明の効果］ 本発明は無色の透明性を有するセラミツクス材
料を容易に得る方法で、かかる材料は耐熱性にす
ぐれたもので、光を媒体とする光デバイス技術に
関連する素材として有用なものであり、また各種
高温用窓材や高温用レンズなどとしても有用なも
のである。そして、単体としてのみでなく、金
属、セラミツクスおよびパリマーとの複合材料の
形で種々の用途に適用可能な新規な材料である。
第１図は実施例で得られた材料の透過率を示す
グラフ、第２図は最も良好な析出物の得られる範
囲を示したグラフである。
グラフ、第２図は最も良好な析出物の得られる範
囲を示したグラフである。
Claims (1)
- １ ほう素元素含有化合物、窒素元素含有化合物
及びけい素元素含有化合物を用いて化学気相析出
法によつて、析出温度を1400℃以上1600℃未満の
温度に保ち、減圧下で析出させ、20〜40重量％の
ホウ素、35〜55重量％の窒素および３〜40重量％
のケイ素を主構成元素とする非晶質材料を形成す
ることを特徴とする透明なBN系セラミツクス材
料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106581A JPS6283379A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 透明性ｂｎ系セラミツクスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106581A JPS6283379A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 透明性ｂｎ系セラミツクスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283379A JPS6283379A (ja) | 1987-04-16 |
| JPH0329025B2 true JPH0329025B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=14437178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61106581A Granted JPS6283379A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 透明性ｂｎ系セラミツクスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283379A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58145665A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-30 | 平井 敏雄 | 透光性Ｓｉ―Ｎ―Ｂ系非晶質材料およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-05-12 JP JP61106581A patent/JPS6283379A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6283379A (ja) | 1987-04-16 |
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