JPH03290967A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体基板に安定したバイアス電位を供給で
きる半導体装置に関する。

〔従来の技術〕

ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域は半導体基
板とｐｎ接合を形成し、接合容量をもつ。

この容量成分が大きいとＭＯＳ）ランジスタの高速動作
に悪影響を与える。このｐｎ接合容量は逆方向にバイア
スを加えるほど小さくなるので、ＭＯＳトランシズタの
高速動作を保障するためには、前記ｐｎ接合への印加電
圧が逆バイアスになるように半導体基板にバイアス電圧
をかける必要がある。またノイズその他の理由で前記ｐ
ｎ接合が順方向にバイアスされると、少数キャリアが半
導体基板中に注入され、これによってラッチアップが発
生することがある。さらに、入力信号がアンダーシュー
トした場合なども前記ｐｎ接合が順方向にバイアスされ
て半導体基板に少数キャリアが注入され、その少数キャ
リアがフローティングノードの信号、特にＤＲＡＭセル
の記憶データを破壊するようなことが起こる。このよう
なことから前記ｐｎ接合への印加電圧が逆バイアスにな
るように半導体基板にバイアス電圧を印加しなければな
らない。

一方、半導体基板へのバイアス電圧が変動すると、半導
体基板に生じる空乏層幅が変動し、イオン化したドナー
（ＮＭＯＳの場合）の増減が生じ、同一のチャネル電荷
を誘起するのに必要なゲート電界が変動するため、閾値
電圧に変動が生じる。

この閾値電圧の変動は回路動作の安定性に直接影響を与
える。したがって、半導体装置の安定動作を確保するに
は、半導体基板へ与えられるバイアス電圧の変動を少な
くすることが重要な要因である。しかし前述のようにノ
イズその他の理由によりｐｎ接合に順バイアスがかかる
と半導体基板中にキャリアが注入され、これにより基板
電流が変動する。このため、半導体基板のバイアス電位
が変動してしまうという問題が起こる。

以上のことから、半導体装置においては、半導体基板に
変動の少ないバイアス電位を供給することが重要な課題
となっている。

第２Ａ図は、変動の少ないバイアス電位ＶＢＢを半導体
基板へ与えるためのｖＢＲ発生回路を備えた従来の半導
体装置を示す斜視図である。

ダイパッド１上には絶縁性接着剤２により半導体チップ
７が接着されている。半導体チップ７上にはＶ　発生回
路”ＶＢＢパッド５及び複数のパＢ ラド１０が設けられている。パッド１０は所定のリード
１１に接続される。■ＢＢ発生回路４から発生したバイ
アス電位■ＢＢはｖＢＢパッド（オーミックコンタクト
）５を通じて半導体基板に与えられる。ｖＢＢ発生回路
４の出力は第２Ｂ図に示すように、デカップリングコン
デンサＣｄを介して固定電位（例えば半導体チップ７０
表面に形成された接地電位線）に接続されている。この
デカップリングコンデンサＣｄによりバイアス電位ｖＢ
Ｂの安定化を図っている。

第３図も変動の少ないバイアス電位ｖＢＢを半導体基板
へ与えるためのＶＢＢ発生回路４を備えた従来の半導体
装置を示す斜視図である。この装置ではダイパッド１と
半導体チップ７を導電性接着剤３で接着するとともに、
ＶＢＢバッド５とダイパッド１を接続することにより、
バイアス電位ＶＢＢを表面からたけでなく半導体チップ
７の裏面からも供給するようにし、よりバイアス電位ｖ
ＢＢの安定化を図っている。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体装置は以上のように半導体チップ７の表面
でデカップリングコンデンサＣｄを形成するようにして
いるため、半導体チップ７の表面に形成された他の回路
との関係上デカップリングコンデンサＣｄを形成する領
域に制限がある。そのため十分なデカップリング容量値
を得ることができず、バイアス電位ＶＢＢの安定化を保
障できないという問題点かあった。

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、半導体チップ表面にデカップリングコンデ
ンサを形成する余裕がなくても、半導体基板のバイアス
電位の安定化を保障することができる半導体装置を得る
ことを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイ
パッドに固定電位を与えるための、固定電位供給手段と
、前記ダイパッド上に設けられた半導体チップと、前記
半導体チップの半導体基板にバイアス電位を与えるため
のバイアス電位供給手段と、前記ダイパッドと前記半導
体チップの間に設けられ、前記ダイパッドと前記半導体
チップとを接着するための絶縁性接着剤とを備えている
。

〔作用〕

この発明においては、ダイパッドに固定電位を与えると
ともに半導体基板にバイアス電位を与え、ダイパッドと
半導体基板を絶縁性接着剤により接着したので、ダイパ
ッドと絶縁性接着剤と半導体チップとによりデカップリ
ングコンデンサとして働く容量素子が形成される。

〔実施例〕

第１図は、この発明に係る半導体装置の一実施例を示す
斜視図である。図において、６ａは複数のパッド１０の
うちの１ってあり、複数のり一１１１のうちの１つのリ
ード６ｂから接地電位ｖｓｓが与えられるｖｓｓパッド
である。接地電位Ｖｓｓを与えるためのリード６ｂはダ
イパッド１にも接続されている。その他の構成は第２Ａ
図に示した従来装置と同様である。

ダイパッド１にはり一ド６ｂを介して接地電位Ｖ８８が
与えられ、半導体チップ７の半導体基板にはＶ　発生回
路４からバイアス電位ｖＢＢが与えらＢ れている。従って、ダイパッド１．絶縁性接着剤２及び
半導体チップ７により容量素子が形成されることになる
。その結果、前記容量素子がデカップリングコンデンサ
Ｃｄの役割を果たすことにより、半導体チップ７上のデ
カップリングコンデンサＣｄを形成する領域が制限され
ても、十分なデカップリング容量値を確保でき、半導体
基板に与えられるバイアス電位■ＢＢの変動を有効に防
止することができる。

なお、上記実施例では接地電位Ｖ８８をダイパッド１に
与えるようにしたが、その他の電位、例えば電源電位に
接続しても上記実施例と同様の効果が得られる。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、ダイパッドに固定電位
を与えるための固定電位供給手段と、半導体チップの半
導体基板にバイアス電位を与えるためのバイアス電位供
給手段と、ダイパッドと半導体チップの間に設けられ、
ダイパッドと半導体チップとを接着するだめの絶縁性接
着剤を設けたので、ダイパッドと絶縁性接着剤と半導体
チップとによりデカップリングコンデンサとして働く容
量素子が形成される。その結果、半導体チップ表面のデ
カップリングコンデンサ形成領域が制限されても、十分
なデカップリング容量を確保することができ、半導体基
板に与えられるバイアス電位の安定化が図れるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示す斜
視図、第２Ａ図及び第３図は従来の半導体装置を示す斜
視図、第２Ｂ図はデカップリングコンデンサを示す図で
ある。 図において、１はダイパッド、２は絶縁性接着剤、４は
Ｖ　発生回路、５はＶＢＢバッド、６ａはＢ ｖｓｓパッド、６ｂはリード、７は半導体チップである
。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ダイパッドと、 前記ダイパッドに固定電位を与えるための固定電位供給
   手段と、 前記ダイパッド上に設けられた半導体チップと、前記半
   導体チップの半導体基板にバイアス電位を与えるための
   バイアス電位供給手段と、 前記ダイパッドと前記半導体チップの間に設けられ、前
   記ダイパッドと前記半導体チップとを接着するための絶
   縁性接着剤とを備えた半導体装置。