JPH03291146A - 金属薄帯鋳造用ノズル - Google Patents
金属薄帯鋳造用ノズルInfo
- Publication number
- JPH03291146A JPH03291146A JP2092475A JP9247590A JPH03291146A JP H03291146 A JPH03291146 A JP H03291146A JP 2092475 A JP2092475 A JP 2092475A JP 9247590 A JP9247590 A JP 9247590A JP H03291146 A JPH03291146 A JP H03291146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- molten metal
- casting
- conductive ceramic
- nozzle tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Continuous Casting (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、溶融金属を連続的に移動冷却体表面上に噴出
流下せしめて30〜200μm厚の結晶質金属薄帯を形
成するに当たって用いられる溶融金属噴出ノズルに関す
る。
流下せしめて30〜200μm厚の結晶質金属薄帯を形
成するに当たって用いられる溶融金属噴出ノズルに関す
る。
従来かかる溶融金属噴出ノズルとして、ノズル内を流下
する溶湯の温度を下げないようにノズル自体を加熱し、
これによって、溶湯の流動性を維持し、金山にわたって
の均一な厚みを有する薄帯体を得ることが、例えば特開
昭57−137057号公報に記載されている。
する溶湯の温度を下げないようにノズル自体を加熱し、
これによって、溶湯の流動性を維持し、金山にわたって
の均一な厚みを有する薄帯体を得ることが、例えば特開
昭57−137057号公報に記載されている。
このノズルの加熱はノズルチップのホルダーを電極によ
り挟持し、これに通電して加熱し、加熱されたホルダー
からの伝熱によってノズルチップを昇温する構造になっ
ている。
り挟持し、これに通電して加熱し、加熱されたホルダー
からの伝熱によってノズルチップを昇温する構造になっ
ている。
ところが、このようなホルダーからの伝艷によってノズ
ルチップを加熱する間接加熱方式のものにあっては、そ
の加熱に時間がかかり、ホルダーをノズルチップにおい
て必要とする加熱温度より常に高温に維持しておく必要
があるため、熱効率が悪いばかりではなく、ホルダーの
材質をさらに高級な耐熱性と導電性を有するものとする
必要がある。
ルチップを加熱する間接加熱方式のものにあっては、そ
の加熱に時間がかかり、ホルダーをノズルチップにおい
て必要とする加熱温度より常に高温に維持しておく必要
があるため、熱効率が悪いばかりではなく、ホルダーの
材質をさらに高級な耐熱性と導電性を有するものとする
必要がある。
また、ノズルチップをセラミックス製としたものにあっ
ては、予熱段階でホルダーの加熱温度が高い場合、ホル
ダーとチップ部に温度差があり、熱衝撃によるチップの
亀裂発生のおそれがあることから、ホルダー自体の加熱
速度を高く取れず、予熱に時間がかかるという問題があ
った。
ては、予熱段階でホルダーの加熱温度が高い場合、ホル
ダーとチップ部に温度差があり、熱衝撃によるチップの
亀裂発生のおそれがあることから、ホルダー自体の加熱
速度を高く取れず、予熱に時間がかかるという問題があ
った。
本発明において解決すべき課題は、上記急冷法による金
属薄帯の製造におけるノズルの加熱に際しての上記諸問
題を解消することにあって、耐食性セラミックス製ノズ
ルチップが有する耐熱性、耐摩耗性の利点を損なうこと
なく直接加熱が可能な手段を見出すことにある。
属薄帯の製造におけるノズルの加熱に際しての上記諸問
題を解消することにあって、耐食性セラミックス製ノズ
ルチップが有する耐熱性、耐摩耗性の利点を損なうこと
なく直接加熱が可能な手段を見出すことにある。
二課題を解決するための手段〕
本発明は、急冷金属薄帯製造用ノズルチップを通電性の
セラミックスから形威し、同チップの通電による自己加
熱を可能にしたものである。
セラミックスから形威し、同チップの通電による自己加
熱を可能にしたものである。
通常、ノズルチップを形成するセラミックスとしてはA
L○−、ZrC)2. Si3N4. SIA j!
ON等の耐食性に優れたセラミックスの使用が望まれ
るが、かかるセラミックスへの通電性の付与は、遷移金
属の硼化物等、一般に高い融点を持ち金属的な導電性を
示すセラミックスとの複合化が、両者の導電性、耐酸化
性1機械的強度等高温で用いる導電性材料として必要な
特性を併せ持つ点から都合が良い。
L○−、ZrC)2. Si3N4. SIA j!
ON等の耐食性に優れたセラミックスの使用が望まれ
るが、かかるセラミックスへの通電性の付与は、遷移金
属の硼化物等、一般に高い融点を持ち金属的な導電性を
示すセラミックスとの複合化が、両者の導電性、耐酸化
性1機械的強度等高温で用いる導電性材料として必要な
特性を併せ持つ点から都合が良い。
ノズルチップとして導電性セラミックスを使用すること
によって、ホルダーによる間接加熱だけでなく、ノズル
チップ自体も通電加熱されることになり予熱温度が上昇
する。これにより、溶1に凝固によるノズル閉塞の防止
、溶湯初期通過時の急激な加熱による熱衝撃が緩和され
、ノズルの破壊を防止できる。
によって、ホルダーによる間接加熱だけでなく、ノズル
チップ自体も通電加熱されることになり予熱温度が上昇
する。これにより、溶1に凝固によるノズル閉塞の防止
、溶湯初期通過時の急激な加熱による熱衝撃が緩和され
、ノズルの破壊を防止できる。
サラニ、このノズルチップを形成するセラミックス材に
比抵抗が10−5〜100 Ω・Cro程度の導電性を
付与することは、単に、自己加熱性のノズルチップとす
るばかりではなく、ノズル孔の加工法の選択の範囲を拡
大することにもなる。
比抵抗が10−5〜100 Ω・Cro程度の導電性を
付与することは、単に、自己加熱性のノズルチップとす
るばかりではなく、ノズル孔の加工法の選択の範囲を拡
大することにもなる。
とくに、かかる導電性の付与がZr BL TI B
l’l’ a B x等の硼化物からなる群から選択さ
れた1種または2種以上のセラミックスの配合による場
合には、さらに放電加工の適用が可能となる。この放電
加工法の適用のための導電性の付与は、通電性セラミッ
クスの配合量は15体積%以上が必要となるが、50体
積%を超えた場合には基材セラミックスが有するノズル
として必要な耐食性、耐摩耗性を阻害することになり、
また、通電加熱の効率も低下する。
l’l’ a B x等の硼化物からなる群から選択さ
れた1種または2種以上のセラミックスの配合による場
合には、さらに放電加工の適用が可能となる。この放電
加工法の適用のための導電性の付与は、通電性セラミッ
クスの配合量は15体積%以上が必要となるが、50体
積%を超えた場合には基材セラミックスが有するノズル
として必要な耐食性、耐摩耗性を阻害することになり、
また、通電加熱の効率も低下する。
各添付図は本発明の実施例を示す。
第1図は本発明のノズル10を開口側から見た図であり
、第2図は第1図の■−■線から見た断面構造を示す。
、第2図は第1図の■−■線から見た断面構造を示す。
第1図において、10が本発明の対象となる金属薄帯鋳
造用ノズルである。第3図に、Si、N、に対するZr
B2の配合量を変化させた場合の比抵抗変化を示す。
造用ノズルである。第3図に、Si、N、に対するZr
B2の配合量を変化させた場合の比抵抗変化を示す。
ZrB2配合量を増加することにより比抵抗は小さくな
るが、放電加工の点から比抵抗10°0・cm以下であ
る必要があり、Z r B 2配合量としては、15体
積%以上が必要である。この導電性ノズルチップ1を、
電極2によって支持されたAlz○3にグラファイトを
20重量%含む材料からなるホルダー3に嵌合し取り付
ける。この取付けに際しては、第2図に示すように、ホ
ルダー3とノズルチップ1この間をその中央部分のみカ
ーボンモルタルのような導電性モルタル4を介して通電
性を維持している。この際、導電モルタル4の外部は、
絶縁性の酸化物系モルタル5を配して、高温下における
導電性モルタル4の酸化防止、あるいは耐食性維持の機
能を果たしている。
るが、放電加工の点から比抵抗10°0・cm以下であ
る必要があり、Z r B 2配合量としては、15体
積%以上が必要である。この導電性ノズルチップ1を、
電極2によって支持されたAlz○3にグラファイトを
20重量%含む材料からなるホルダー3に嵌合し取り付
ける。この取付けに際しては、第2図に示すように、ホ
ルダー3とノズルチップ1この間をその中央部分のみカ
ーボンモルタルのような導電性モルタル4を介して通電
性を維持している。この際、導電モルタル4の外部は、
絶縁性の酸化物系モルタル5を配して、高温下における
導電性モルタル4の酸化防止、あるいは耐食性維持の機
能を果たしている。
このノズルチップ1を用いてステンレス薄帯を製造した
。鋳造温度1600℃で200分鋳造した後、ノズルチ
ップ1のスリットaに着目し耐用性を調査した結果、5
0体積%より多くZrB2を配合したサンプルの耐食性
に問題があった。このことから、Zr B、配合量とし
ては、放電加工性、耐用性の点から15体積%曳上、5
0体積%以下配合したものが良好である結果を得た。
。鋳造温度1600℃で200分鋳造した後、ノズルチ
ップ1のスリットaに着目し耐用性を調査した結果、5
0体積%より多くZrB2を配合したサンプルの耐食性
に問題があった。このことから、Zr B、配合量とし
ては、放電加工性、耐用性の点から15体積%曳上、5
0体積%以下配合したものが良好である結果を得た。
同様に、素材セラミックス(S13N−系、5iAAO
N系、Zr0t系)と導電セラミックス(ZrB2゜T
I B2. Ta Bz)の配合量を代え、放電加工性
、耐用性の点から調査した結果を第1表に示す。また、
導電性セラミックスの2種類以上の組合せによる配合の
場合も同様な結果である。
N系、Zr0t系)と導電セラミックス(ZrB2゜T
I B2. Ta Bz)の配合量を代え、放電加工性
、耐用性の点から調査した結果を第1表に示す。また、
導電性セラミックスの2種類以上の組合せによる配合の
場合も同様な結果である。
すなわち、313 N 4系、 SiA I ON系
、Zr0a系セラー、−、クスに対してZr B2.
Ti B2. Ta B2等の導電性セラミックス
を15体積%以上、50体積%以下配合したものが、放
電加工性、耐用性の点から最も良好であった。
、Zr0a系セラー、−、クスに対してZr B2.
Ti B2. Ta B2等の導電性セラミックス
を15体積%以上、50体積%以下配合したものが、放
電加工性、耐用性の点から最も良好であった。
第1表の1
第1表の2
〔発明の効果〕
本発明によって以下の効果を奏することができる。
(1) ノズルチップ自体が加熱されるので、予熱時
間が従来の1/2に短縮されると共に、予熱に使用され
る電力も1/3になる。
間が従来の1/2に短縮されると共に、予熱に使用され
る電力も1/3になる。
(2)供給する溶湯の温度の低下が少なく、粘性の低下
がないので、冷却移動体への供給がスムーズに行われ、
金山にわたって均一厚みの薄帯体を得ることができる。
がないので、冷却移動体への供給がスムーズに行われ、
金山にわたって均一厚みの薄帯体を得ることができる。
(3)ノズル孔の加工に際して、放電加工のように被加
工体に導電性を必要とする加工法にも適用できるように
なり、加工方法の適用分野を拡大することができる。
工体に導電性を必要とする加工法にも適用できるように
なり、加工方法の適用分野を拡大することができる。
第1図は本発明実施例のノズルをノズル開口側から見た
図であり、第2図は第1図のn−II線から見た断面構
造を示す図であり、第3図はZ、r B2の配合量と比
抵抗の関係を示す薗である。 表中 ○:良 X:不良 1:ノズルチップ 2 :電極 3 : ホールグー :導電性モルタル :絶縁性モルタル 10:ノズル
図であり、第2図は第1図のn−II線から見た断面構
造を示す図であり、第3図はZ、r B2の配合量と比
抵抗の関係を示す薗である。 表中 ○:良 X:不良 1:ノズルチップ 2 :電極 3 : ホールグー :導電性モルタル :絶縁性モルタル 10:ノズル
Claims (5)
- 1.導電性セラミックスによって形成してなるノズルチ
ップを有する金属薄帯鋳造用ノズル。 - 2.請求項1の記載において、導電性セラミックスが比
抵抗10^−^5〜10^0Ω・cmの導電性を有する
金属薄帯鋳造用ノズル。 - 3.請求項1または2の記載において、導電性セラミッ
クスがSi_3N_4系,SiAlON系,ZrO_2
からなる群から選択された1種または2種以上のセラミ
ックスを基体とするものに導電性を付与したものである
金属薄帯鋳造用ノズル。 - 4.請求項3の記載において、セラミックスに導電性を
付与する手段が上記基体とするセラミックスに対して導
電性セラミックスを15体積%以上、50体積%以下配
合したものである金属薄帯鋳造用ノズル。 - 5.請求項4の記載において、導電性セラミックスが硼
化物からなる群から選択された1種または2種以上のセ
ラミックスである金属薄帯鋳造用ノズル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092475A JPH03291146A (ja) | 1990-04-07 | 1990-04-07 | 金属薄帯鋳造用ノズル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092475A JPH03291146A (ja) | 1990-04-07 | 1990-04-07 | 金属薄帯鋳造用ノズル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291146A true JPH03291146A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14055340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2092475A Pending JPH03291146A (ja) | 1990-04-07 | 1990-04-07 | 金属薄帯鋳造用ノズル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03291146A (ja) |
-
1990
- 1990-04-07 JP JP2092475A patent/JPH03291146A/ja active Pending
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