JPH03291252A - 光学活性なナフタレン誘導体、その製造法、それを有効成分とする液晶組成物およびこれを用いてなる液晶素子 - Google Patents

光学活性なナフタレン誘導体、その製造法、それを有効成分とする液晶組成物およびこれを用いてなる液晶素子

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JPH03291252A
JPH03291252A JP2236843A JP23684390A JPH03291252A JP H03291252 A JPH03291252 A JP H03291252A JP 2236843 A JP2236843 A JP 2236843A JP 23684390 A JP23684390 A JP 23684390A JP H03291252 A JPH03291252 A JP H03291252A
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栗本　勲
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正好 南井
Chizu Sekine
千津 関根
Takeshi Tani
猛 谷
Koichi Fujisawa
幸一 藤沢
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉 本発明は新規な有機化合物、その製造法、それを有効酸
分とする液晶組成物およびこれを用いてなる液晶素子に
関し、さらに詳しくは、強誘電性液晶組成物の配合酸分
として有用な、光学活性なナフタレン誘導体、その製造
法、それを有効酸分とする液晶組成物およびこれを用い
てなる液晶素子に関する。 〈従来の技術〉 現在、液晶表示素子としてＴＮ（ねじれネマチック）型
表示方式が最も広範に使用されている。このＴＮ液晶表
示は、駆動電圧が低い、消費電力が少ないなど、多くの
利点を持っているしかしながら、応答速度の点において
は、陰極管、エレクトロルミネッセンス、プラズマデイ
スプレィ等の発光型表示素子に劣っている。ねじれ角を
１８０〜２７０°にした新しいＴＮ型表示素子も開発さ
れているが、応答速度は依然十分ではない、このように
種々の改善の努力は行われているが、応答速度の速いＴ
Ｎ型表示素子は実現に至っていない。 しかしながら、最近、盛んに研究が進められている強誘
電性液晶を用いる新しい表示方式においては、著しい応
答速度の改善の可能性かある　（Ｃ１ａｒｋら；　　Ａ
ｐｐｌｉｄ、　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、、　：３ｆｊ１
．８９９（１９８０））　、この方式は強誘電性を示す
カイラルスメクチックＣ相（以下、ＳＣ＊と略称する）
等のカイラルスメクチフク相を利用する方法である０強
誘電性を示す相はＳＣ本相のみではなく、カイラルスメ
クチックＦ、Ｃｒ、Ｈ，１等の相が強誘電性を示すこと
が知られている。 実際に利用される強誘電性液晶素子に使用される強誘電
性液晶材料には多くの特性が要求されるが、それらを満
たすには現在のところ、１つの化合物では応じられず、
いくつかの液晶化金物または非液晶化合物を混合して得
られる強誘電性液晶組成物を使用する必要がある。 また、９！銹電電性液晶化物のみからなる強誘電性液晶
組成物ばかりではなく、特開昭６１−１９５１８７号公
報には非カイラルなスメクチックＣ，Ｆ、Ｇ、Ｈ，１等
の相（以下、Ｓｃ等の相と略称する）を呈する化合物お
よび組成物を基本物質として、これに強ｖ、を性液晶相
を呈する１種または複数の化合物を混合して全体を強誘
電性液晶組成物として得ることが報告されている。さら
にＳｃ等の相を呈する化合物および組成物を基本物質と
して、光学活性ではあるが強誘電性液晶相は呈しない１
種あるいは複数の化合物を混合して全体を強誘電性液晶
組成物とする報告も見受けられる（Ｍｏ１．　Ｃｒｙｓ
ｔ、　Ｌｉｑ。 Ｃｒｙｓｔ、、　ｆｌｉ、　３２７（１９８２））　。 これらのことを総合するとｍｇ量性液晶相を呈するか否
かに関わらず光学活性である化合物の１種または複数を
基本物質として強誘電性液晶組成物を構成できることが
わかる。 しかしながら、光学活性物質は、望むらくは液晶相を呈
することが好ましく、液晶相を呈しない場合でも、その
構造が液晶化合物に類似したもの、いわば疑似液晶物質
であることが望ましい、しかしながら、これまでのとこ
ろ高速応答に必要な自発分極を有し、低粘性でかつ室温
域を含む広い温度置載で強誘電性液晶相を呈する液晶材
料は見い出されていない。 〈発明が解決しようとする課題〉 本発明は、充分な自発分極を有し、かつ高速応答可能で
、しかも室温付近の温度領域で強誘電性液晶相を呈する
強誘電性液晶材料およびその成分として有用な光学活性
なナフタレン誘導体およびその製造法を提供する。 〈課題を解決するための手段〉 すなわち本発明は、一般式〔１〕 （式中、Ｒ１は炭素数３〜２０のアルキル基を、Ｒｚは
炭素数１〜２０のハロゲン原子テｆｌｌｋされていても
よいアルキル基または炭素数２〜２０のハロゲン原子で
置換されていてもよいアルコキシアルキル基を示す、Ｘ
は、−ＣＯＯ−または一０ＣＯ−を示す、に、Ｉおよび
ｍはＯまたは１を、ｎはＯ〜６までの整数を、ｐはＯま
たはｌを示す、ネ印は不斉炭素原子を示す、但し、ｋが
０のとき、ｌとｍが同時に１となることはなく、またｋ
が１のとき、ｍは１であり、ｎが０でかつｍが１のとき
、Ｘは−Ｃ○○−である。） で示される光学活性なナフタレン誘導体、その製造法、
それを有効成分とする液晶Ｍ酸物およびこれを用いてな
る液晶素子に間する。 本発明の光学活性なナフタレン誘導体のうち、ｍが１で
かつＸが一〇ＣＯ−である化合物は、次に示すような２
通りの方法で製造することができる。 第一の方法は、一般式〔２〕 （式中、Ｒ”ｎ、ｐおよび＊　印は前記と同じ意味を表
し、Ｒｏは水酸基またはハロゲン原子を示す、） で示される光学活性なナフタレンカルボンｗ１誘導体と
一般式〔３〕 （式中、Ｒ自前記と同じ意味を表し、ｋおよび１は、各
々０または１を示す、但し、ｋが０のとき、−１は０で
ある。） で示されるアルコール類とを反応させる方法である。 ここで、アルコール類〔３〕の置換基Ｒ１として具体的
には、以下のものがあげられる。 プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリ
デシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、
ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシルおよびエイコ
シル。 以上のような置換基を持つアルコール類として具体的に
は、プロピルアルコール、ブチルアルコール、ペンチル
アルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール
、オクチルアルコル、ノニルアルコール、デシルアルコ
ール、ウンデシルアルコール、ドデシルアルコール、ト
リデシルアルコール、テトラデシルアルコール、ペンタ
デシルアルコール、ヘキサデシルアルコール、ヘプタデ
シルアルコール、オクタデシルアルコール、ノナデシル
アルコールおよびエイコシルアルコール、４−プロピル
オ牛ジフェノール、４−ブチルオキシフェノール、４−
ペンチルオキシフェノール、４−ヘキシルオキシフェノ
ール、４−へブチルオキシフェノール４−オクチルオキ
シフェノール、４−ノニルオキシフェノール、４−デシ
ルオキシフェノール、４−ウンデシルオキシフェノール
、４−ドデシルオキシフェノール、４−トリデシルオキ
シフェノール、４−テトラデシルオキシフェノール、４
−ペンタデシルオキシフェノール、４−ヘキサデシルオ
キシフェノール、４−ヘプタデシルオキシフェノール、
４−オクタデシルオキシフェノール、４−ノナデシルオ
キシフェノールおよび４−エイコシルオキシフェノール
、４−プロピルフェノール、４−ブチルフェノール、４
−ペンチルフェノール、４−ヘキシルフェノール、４−
へブチルフェノール、４−オクチルフェノール、４−ノ
ニルフェノール、４−デシルフェノール、４−ウンデシ
ルフェノール４−ドデシルフェノール、４−トリデシル
フェノール、４−テトラデシルフェノール、４−ペンタ
デシルフェノール、４−ヘキサデシルフェノール、４−
ヘプタデシルフェノール、４−オクタデシルフェノール
、４−ノナデシルフェノールおよび４−エイコシルフェ
ノール等があげられる。 これらのアルコール類〔３〕は、金属アルコラードとし
て前記の光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕
と反応させることもできるもう一方の原料である光学活
性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕としては、例え
ば、６−（２−アルコキシプロピル）−２−ナフタレン
カルボン酸、６−（３−アルコキシブチル）−２−ナフ
タレンカルボン酸、６−（４−アルコキシペンチル）−
２−ナフタレンカルボン酸６−（５−アルコキシヘキシ
ル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（６−アルコキ
シヘプチル）−２−ナフタレンカルボンＩｆ、６−（７
−アルコキシオクチル）−２−ナフタレンカルボン酸、
６−（２−アルコキシアルコキシプロピル）−２−ナフ
タレンカルボン酸、６−（３−アルコキシアルコキシブ
チル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（４−アルコ
キシアルコキシペンチル）−２−ナフタレンカルボン酸
、６−（５−アルコキシアルコキシヘキシル）−２−ナ
フタレンカルボン酸、６−（６−アルコキシアルコキシ
へブチル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（７−ア
ルコキシアルコキシオクチル）−２−ナフタレンカルボ
ン酸、６−（２−アルカノイルオキシプロピル）−２−
ナフタレンカルボン酸、６−（３−アルカノイルオキシ
ブチル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（４−アル
カノイルオキシペンチル）−２−ナフタレンカルボン酸
、６−（５−アルカノイルオキシブチル）−２−ナフタ
レンカルボン酸、６−（６−アルカノイルオキシヘプチ
ル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（７−アルカノ
イルオキシオクチル）−２−ナフタレンカルボン酸、６
−（２−アルコキシアルカノイルオキシプロビル）−２
−ナフタレンカルボン酸、６−（３−アルコキシアルカ
ノイルオキシブチル）−２−ナフタレンカルボン酸、６
−（４−アルコキシアルカノイルオキシオクチル）−２
−ナフタレンカルボン酸、６−（５−アルコキシアルカ
ノイルオキシヘキシル）−２−ナフタレンカルボン酸、
６−（６−アルコキシアルカノイルオキシへブチル）−
２−なふたれｎカルボン酸、６−（７−アルコキシアル
カノイルオキシオクチル）−２−ナフタレンカルボン酸
等があげられ、これらは、酸クロリド、酸プロミド等の
酸ハライドとしても使用することができる。 上記の例示中、アルコキシ、アルコキシアルコキシ、ア
ルカノイルオキシおよびアルコキシは、炭素数ｌ〜２０
のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基また
は炭素数２〜２０のハロゲン原子で置換されていてもよ
いアルコキシアルキル基であって、これらのアルキル基
またはアルコキシアルキル基は直鎖状または分岐状であ
り、分岐状の場合は光学活性基であってもよい。 前記一般式〔２〕におけるｐが０の場合、上記のアルキ
ル基またはアルコキシアルキル基として具体的には、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
２ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、
ドデシルトリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘ
キサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル
、エイコシル、メトキシメチル、メトキシエチル、メト
キシプロピル、メト牛ジプチル、メトキシペンチル、メ
トキシヘキシル、メトキシヘプチル、メトキシオクチル
、メトキシノニル、メトキシデシル、エトキシメチル、
エトキシエチル、エトキシプロピル、エトキシブチル、
エトキシペンチル、エトキシヘキシル、エトキシへブチ
ル、エトキシオクチル、エトキシノニル、エトキシデシ
ル、プロポキシメチル、プロポキシエチル、プロポキシ
プロビル、プロポキシブチル、プロポキシペンチル、プ
ロポキシヘキシル、プロポキシヘプチル、プロポキシオ
クチル、プロポキシノニル、プロポキシデシル、ブトキ
シメチル、ブトキシエチル、ブトキシプロピル、ブトキ
シブチル、ブトキシペンチル、ブトキシヘキシル、ブト
キシへブチル、ブトキシオクチル、ブトキシノニル、ブ
トキシデシル、ペンチルオキシメチル、ペンチルオキシ
エチル、ペンチルオキシプロピル、ペンチルオキシブチ
ル、ペンチルオキシペンチル、ペンチルオキシヘキシル
、ペンチルオキシへブチル、ペンチルオキシオクチル、
ペンチルオキシノニル、ペンチルオキシブチル、ヘキシ
ルオキシメチル、ヘキシルオキシエチル、ヘキシルオキ
シプロピル、ヘキシルオキシブチル、ヘキシルオキシペ
ンチル、ヘキシルオキシヘキシル、ヘキシルオキシヘプ
チル、ヘキシルオキシオクチル、ヘキシルオキシノニル
、ヘキシルオキシデシル、ヘプチルオキシメチル、ヘプ
チルオキシエチル、ヘプチルオキシプロピル、ヘプチル
オキシブチル、ヘプチルオキシペンチル、オクチルオキ
シメチル、オクチルオキシエチル、オクチルオキシプロ
ピル、デシルオキシメチル、デシルオキシエチル、デシ
ルオキシプロビル、１−メチルエチル、１−メチル１０
ピル、１−メチルブチル、ｌ−メチルペンチル、ｌ−メ
チルヘキシル、１−メチルへブチル、１−メチルオクチ
ル、２−メチルエチル、２−メチルブチル、２．３−ジ
メチルブチル、２．３．３−トリメチルブチル、２−メ
チルペンチル、３−メチルペンチル、２．３−ジメチル
ペンチル、２４−ジメチルペンチル、２．３．３．４−
テトラメチルペンチル、２−メチルヘキシル、３−メチ
ルヘキシル、４−メチルヘキシル、２゜５−ジメチルヘ
キシル、２−メチルヘプチル、２−メチルオクチル、２
−トリハロメチルペンチル、２−トリハロメチルへキシ
ル、２−トリハロメチルヘプチル、２−ハロエチル、２
−ハロプロピル、３−ハロプロピル、３−ハロー２−メ
チルプロピル、２．３−ジハロプロピル、２−ハロブチ
ル、３−ハロブチル、４−ハロブチル、２．３−ジハロ
ブチル、２．４−ジハロブチル、３．４−ジハロブチル
、２−ハロー３−メチルブチル、２−ハロー３．３〜ジ
メチルブチル、２−ハロペンチル、３−ハロペンチル４
−ハロペンチル、５−ハロペンチル、２゜４−ジハロペ
ンチル、２．５−ジハロペンチル２−ハロー３−メチル
ペンチル、２−へロー４−メチルペンチル、２−ハロー
３−七ノハロメチルー４−メチルペンチル、２−ハロヘ
キシル、３−ハロヘキシル、４〜ハロヘキシル、５−ハ
ロヘキシル、６−ハロヘキシル、２−ハロペンチル、２
−ハロオクチル（但し、上記例示中へ口とは、フッ素、
塩素、臭素またはヨウ素を表す、）などがあげられる。 さらにｐが１の場合には、上記例示の他、ハロメチル、
ｌ−ハロエチル、ｌ−ハロプロピル１−ハロブチル、ｌ
−ハロペンチル、１−ハロヘキシル、１−ハロペンチル
、１−ハロオクチルなどがあげられる。 光学活性なナフタレンカルボン＃誘導体〔２〕とアルコ
ール類（３）との反応は、通常のエステル化法を適用す
ることができ、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒も
しくは縮合剤を用いて反応させることにより行うことが
できる。 この反応において溶媒を使用する場合、その溶媒として
は例えば、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、アセ
トン、メチルエチルケトントルエン、ベンゼン、クロル
ベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエタン、クロロホ
ルム、四塩化炭素、ジメチルホルアミド、ヘキサンまた
はピリジン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エーテ
ル、ハロゲン化炭化水素、有機アミン等の反応に不活性
な溶媒の単独または混合物があげられる。 このような溶媒の使用量については、特に制限なく使用
することができる。 この反応においては、光学活性なナフタレンカルボン酸
誘導体〔２〕が比較的高価であるため、これを有効に使
用するためにもう一方の原料であるアルコール類〔３〕
を過剰量用いて反応を行うことが好ましく、通常１〜４
当量倍、好ましくは１〜２当量倍用いて反応を行う。 触媒を用いる場合、かかる触媒としては、例えば、ジメ
チルアミノピリジン、トリー〇−ブチルアミン、ピリジ
ン、リジン、イミダゾール、炭酸ナトリウム、ナトリウ
ムメチラート、炭酸水素カリウム等の有機また。は無機
塩基性物質があげられる。 また、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸等
の有機酸あるいは無機酸を触媒として用いることもでき
る。 触媒の使用量は、使用する各原料の種類と使用する触媒
の組み合わせ等によっても異なり、必ずしも特定できな
いが、例えば酸ハライドを使用する場合には当該酸ハラ
イドに対して１当量倍以上の塩基性物質が使用される。 さらには、光学活性なナフタレンオルボン酸誘導体〔２
〕が光学活性なナフタレンカルボン酸である場合には、
Ｎ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミド、Ｎ−シク
ロヘキシル−Ｎ。 −（４−ジエチルアミノ）シクロへキシルカルボジイミ
ド等のカルボジイミド類が縮合剤として好ましく使用さ
れ、必要により４−ピロリジノピリジン、ピリジン、ト
リエチルアミン等の有機塩基を併用することもできる。 この場合の縮合剤の使用量は光学活性なナフタレンカル
ボン酸に対して通常１〜１．２当量倍であり、有機塩基
を併用する場合、有機塩基の使用量は、縮合剤に対して
０．０１〜０，２当量倍である。 光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕とアルコ
ール類〔３〕との反応における反応温度は通常−３０℃
〜１００℃であり、好ましくは一２５℃〜８０℃である
。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタレ
ンカルボン酸誘導体〔２〕の消失をもって反応終了とす
ることができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式〔１〕
で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、ｍが１
でかつχが一０Ｃ０−）を単離することができ、必要に
よりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製する
こともできる。 本発明の光学活性なナフタレン誘導体のうち、ｍが１で
かつＸが一〇〇〇−である化合物の第二の製造方法は、
前記一般式〔２〕で示される光学活性なナフタレンカル
ボン酸誘導体のうち置換基Ｒ″が水酸基である化合物と
一般式〔４〕 Ｒ１−Ｚ　　　　　　　　　　　（４）（式中、Ｒ１は
前記と同じ意味を表し、Ｚはハロゲン原子を示す、） で示されるハロゲン化合物〔４〕とを溶媒中、塩基性物
質の存在下に反応させる方法である。 ハロゲン化合物〔４］として、具体的には、ヨウ化アル
キル、臭化アルキル、塩化アルキル、等があげられ、そ
の置換基Ｒ１としては前記例示のものがあげられる。 かかるハロゲン化合物の使用量は、通常、光学活性なナ
フタレンオルボン酸誘導体〔２〕のうち置換基Ｒ°が水
酸基である化合物に対して１〜５当量倍、好ましくは１
〜３当量倍の範囲である。 溶媒としては、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ジメチ
ルホルムアミド、アセトニトリル等の芳香族または脂肪
族炭化水素、非プロトン性極性溶媒等の単独もしくは混
合物があげられる、これらの溶媒の使用量は、特に制限
されない塩基性物質としては、例えば炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、１．５−ジアザビ
シクロ［３，４，０１５−ノネン、１．８−ジアザビシ
クロ［５，４，０］７−ウンデセン等の無機または有機
塩基があげられ、これらの塩基性物質の使用量は、光学
活性なナフタレンカルボンｗｉ銹導体〔２〕のうち置換
基Ｒ°が水酸基である化合物に対して１当量以上必要で
あり、上限については特に制限されないが、通常５当量
倍である。 反応温度は、通常、−２０〜１２０℃、好ましくは０〜
１００°Ｃの範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタレ
ンカルボン＃１銹導体〔２）のうち置換基Ｒ゛が水酸基
である化合物の消失をもって反応終了とすることができ
る。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式（１）
で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、ｍが１
でかつＸが一〇Ｃ０−）を単離することができ、必要に
よりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製する
こともできる。 次に、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のう
ちｍが１でかつＸが−ＣＯＯ−である化合物についての
製造法を説明する。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のうちｍ
が１でかつＸが−ＣＯＯ−である化合物は、一般式〔５
〕 ｃ式中、Ｒ”ｎ、ｐおよび＊印派前記と同じ意味を表す
、） で示される光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体と一
般式〔６〕 ｃ式中、Ｒ１およびＲ゛は前記と同じ意味を表し、ｋお
よび１はＯまたは１を示す、但し、ｋがＯのとき１はＯ
である。） で示されるカルボンＨＩＭとを反応させることにより得
られる。 ここでカルボン＃１！！（６）としては、先に例示した
置換基Ｒ−を有するカルボン酸、４−アルコキシ安息香
酸および、４−アルキル安息香酸があげられ、これらは
、酸ハライド、すなわち酸クロリド、酸プロミド等とし
ても使用される。 もう一方の原料である光学活性なヒドロキシナフタレン
誘導体〔５〕としては、例えば、６−（１−アルコキシ
エチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（２−アル
コキシプロピル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（
３−アルコキシブチル）−２−ヒドロキシナフタレン６
−（４−アルコキシペンチル）　−２−ヒドロキシナフ
タレン、６−（５−アルコキシヘキシル）−２−ヒドロ
キシナフタレン、６−（６−アルコキシヘプチル）−２
−ヒドロキシナフタレン、６−（７−アルコキシオクチ
ル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−　（１−アルコ
キシアルコキシエチル）−２−ヒドロキシナフタレン、
６−（２−アルコキシアルコキシプロピル）−２−ヒド
ロキシナフタレン、６−（３−アルコキシアルコキシブ
チル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（４−アルコ
キシアルコキシペンチル）−２−ヒドロキシナフタレン
、６−（５−アルコキシアルコキシヘキシル）−２−ヒ
ドロキシナフタレン、６−（６−アルコキシアルコキシ
へブチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（７−ア
ルコキシアルコキシオクチル）−２−ヒドロキシナフタ
レン、６−（ｌ−アルカノイルオキシエチル）−２−ヒ
ドロキシナフタレン、６−（２−フルカッイルオキシプ
ロピル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（３−アル
カノイルオキシブチル）−２−ヒドロキシナフタレン、
６−（４−アルカノイルオキシペンチル）−２−ヒドロ
キシナフタレン６−（５−アルカノイルオキシヘキシル
）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（６−アルカノイ
ルオキシヘプチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−
（７−アルカノイルオキシオクチル）−２−ヒドロキシ
ナフタレン、６−　（１−アルコキシアルカノイルオキ
シエチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（２−ア
ルコキシアルカノイルオキシプロビル）−２−ヒドロキ
シナフタレン、６−（３−アルコキシアルカノイルオキ
シブチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（４−ア
ルコキシアルカノイルオキシペンチル）−２−ヒドロキ
シナフタレン、６−（５−アルコキシアルカノイルオキ
シヘキシル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−　（６
−アルコキジアルカッイルオキジヘプチル）−２−ヒド
ロキシナフタレン、６−（７−フルコキシアルカノイル
オキシオクチル）−２−ヒドロキシナフタレン等があげ
られる。 上記の例示中、アルコキシ、アルコキシアルコキシ、ア
ルカノイルオキシおよびアルコキシとしては既述した前
記一般式〔２〕におけるＲ１として例示したものがあげ
られる。 光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕とカルボ
ン酸類〔６〕との反応は、前述した光学活性なナフタレ
ン誘導体〔１〕　（但し、ｍが１でかつＸが一０ＣＯ−
）の第１の製造法と同様にして行うことができる。 ただし、比較的高債な光学活性なヒドロキシナフタレン
誘導体〔５〕を有効に使用するため、これらの相手原料
であるカルボン！ＩＩＩ（６）を過剰量用いて反応を行
うことが好ましく、通常ｌ〜４当量倍、より好ましくは
１〜２当量倍用いて反応を行う。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式〔１〕
で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、ｍがｌ
でかつＸが−Ｃ○０−）を単離することができ、必要に
よりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製する
こともできる。 次に、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のう
ち、ｌが１でかつｋおよびｍが０であ・る化合物につい
ての製造法を説明する。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔１）のうち、
ｌが１でかつｋおよびｍが０である化合物は、前記一般
式〔５〕で示される光学活性なヒドロキシナフタレン誘
導体と一般式〔７〕 Ｒ’−Ｙ　　　　　　　　　　　　　　（７）（式中、
Ｒ１およびＹは前記と同じ意味を表す、） で示されるアルキル化剤とを溶媒中、塩基性物質の存在
下に反応させることにより製造することができる。 アルキル化剤〔７〕は、その大部分が公知化合物であり
、文献記載の方法に準じて製造することができる。なお
、その直換基Ｒ１としては先に例示したものがあげられ
る。 かかるアルキル化剤〔７〕の使用量は、光学活性なヒド
ロキシナフタレン誘導体〔５〕に対して１当量以上任意
であるが、通常は１〜５当量の範囲である。 反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、エチ
ルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン
、ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロ
ルエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ヘキサン、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の脂肪族
もしくは芳香族炭化水素、エーテル、ハロゲン化炭化水
素、非プロトン性極性溶媒等の反応に不活性な溶媒の単
独もしくは混合物があげられる。かかる溶媒の使用量に
ついては特に制限されない。 塩基性物質としては、例えば、水素化ナトリウム、水素
化カリウム等のアルカリ金属水素化物、リチウム、ナト
リウム、カリウム等のアルカリ金属、ナトリウムエチラ
ート、ナトリウムメチラート等のアルカリ金属アルコラ
ード、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ
金属、ブチルリチウム等があげられる。 かかる塩基性物質は、光学活性なヒドロキシナフタレン
誘導体〔５〕に対して１当量以上必要であり、上限につ
いては特に制限されないが、通常は５当量倍である。 反応温度は、通常、−５０〜１２０℃、好ましくは一３
０〜１００℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なヒドロキ
シナフタレン誘導体〔５〕の消失をもって反応終了とす
ることができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式（１）
で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、Ｉが１
でかつｋおよびｍが０）を単離することができ、必要に
よりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製する
こともできる。 また、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のう
ちｌが１でかつｋおよびｍが０である化合物において、
ｐが１である場合には、上記の方法に代えて以下に示す
方法によっても製造することができる。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔ｌ〕のうちｌ
が１で、ｋおよびｍが０でかつｐが１である化合物は、
一般式〔８〕 （式中、Ｒ’　　ｎ、および＊印は前記と同じ意味を表
す、） で示される光学活性なアルコキシナフタレンアルカノー
ル誘導体と一般式
〔９〕 Ｒ”ＣＯＲ（９） （式中、Ｒ２およびＲｏは前記と同し意味を表す、） で示されるカルボン酸類とを反応させることにより得ら
れる。 ここでカルボン＃Ｉ［（９）としては、先に例示した置
換基Ｒ１を有するカルボン酸があげられ、これらのカル
ボン酸は、酸ハライド、すなわち酸クロリド、酸プロミ
ド等としても使用される。 もう一方の原料である光学活性なアルコキシナフタレン
アルカノール誘導体〔８〕としては、例えば、６−アル
コキシ−２−（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、６
−アルコキシ−２−（２−ヒドロキシプロピル）ナフタ
レン、６−アルコキシ−２−（３−ヒドロキシブチル）
ナフタレン、６−フルコキシー２−（４−ヒドロキシペ
ンチル）ナフタレン、６−アルコキシ−２−（５−ヒド
ロキシヘキシル）ナフタレン、６−アルコキシ−２−（
６−ヒドロキシヘプチル）ナフタレン、６−アルコキシ
−２−（７−ヒドロキシオクチル）ナフタレン等があげ
られる。 光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール誘導体〔
８〕とカルボン＃Ｉ［（９）とノ反応は前述した光学活
性なナフタレン誘導体〔１〕（但し、ｍが１でかつＸが
一〇Ｃ０−）の第１の製造法と同様にして行うことがで
きる。 すなわち、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒もしく
は縮合剤を用いて光学活性なアルコキシナフタレンアル
カノール誘導体〔８〕とカルボン＃ｌ［（９）を反応さ
せることにより製造することができる。 ただし、比較的高価な光学活性なアルコキシナフタレン
アルカノール誘導体〔８］を有効に使用するため、これ
らの相手原料であるカルボンｒｌ１Ｍｃ９）を遇刺量用
いて反応を１テうことが好ましく、通常１〜４当量倍、
より好ましくは１〜２当量倍用いて反応を行う。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式〔１〕
で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、１が１
でかつｋおよびｍが０でかつＰが１）を単離することが
でき、必要によりカラムクロマトグラフィー、再結晶な
どで精製することもできる。 先に製造法を説明した本発明の光学活性なナフタレン誘
導体〔１〕のうちｌがｌでかつｋおよびｍが０である化
合物において、ｐが０である場合に社、前記の方法に代
えて以下に示す方法によっても製造することができる。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔ｌ〕のうちｌ
が１でかつｋおよびｍが０でかつＰが０である化合物は
、前記一般式〔８〕で示される光学活性なアルコキシナ
フタレンアルカノール誘導体と一般式〔１０〕 Ｒ”−Ｙ　　　　　　　　　　　　　　（１０）（式中
、Ｒ１およびＹは前記と同じ意味を表す、） で示されるアルキル化剤とを反応させることにより製造
することができる。 ここでアルキル化剤〔１０〕とは、先に例示した置換基
Ｒ１を有するハロゲン化物もしくはスルホン酸エステル
であり、対応するアルコールより公知の方法によって製
造することができる。 なお、アルキル化剤〔ｌＯ〕における置換基Ｒｚは光学
活性基であってもよく、このようなアルキル化剤、すな
わちハロゲン化物もしくはスルホン酸エステルは、対応
する光学活性なアルコールより公知の方法によって容易
に製造することができる。 咳光学活性なアルコールのうちあるものは、対応するケ
トンの不斉金属触媒または微生物もしくは酵素による不
斉還元により得られる。また、あるものは天然に存在す
るか、または光学分割により得られる次のような光学活
性ア逅ノ酸または光学活性オキシ酸から誘導することが
できる。 バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、
スレオニン、アロスレオニン、ホモセリン、アロイソロ
イシン、ｔｅｒｔ−ロイシン、２−アミノ酸酸、ノルバ
リン、ノルロイシン、オルニチン、リジン、ヒドロキシ
リジン、フエビルグリシン、アスパラギン酸、グルタミ
ン酸、マンデル酸、トロパ酸、３−ヒドロキシ酪酸リン
ゴ酸、酒石酸またはイソプロピルリンゴ酸等。 光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール誘導体〔
８〕とアルキル化剤〔ｌＯ〕との反応は前述した光学活
性なナフタレン誘導体〔１〕　（但し、ｌが１でかつｋ
およびｍがＯ）の製造法と同様にして行うことができる
。 すなわち、溶媒中、塩基性物質の存在下に光学活性なア
ルコキシナフタレンアルカノール誘導体〔８〕とアルキ
ル化剤〔１０〕とを反応させることにより製造すること
ができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式〔１〕
で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、ｌが１
でかつｋおよびｍが０でかつｐが０）を単離することが
でき、必要によりカラムクロマトグラフィー、再結晶な
どで精製することもできる。 次に、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のう
ちｋ、１およびｍが０でかつ、が１である化合物につい
ての製造法を説明する。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔ｌ〕のうちに
、１およびｍが０でかつｐが１である化合物は一般式〔
１１〕 （式中、Ｒ’　　ｎおよび＊印は前記と同じ意味を表す
、） で示される光学活性なアルキルナフタレンアルカノール
誘導体と前記一般式
〔９〕で示されるカルボン＊＊と反
応させることにより得られる原料である光学活性なアル
キルナフタレンアルカノール誘導体（１１）としては、
例えば、６−アルキル−２−（１−ヒドロキシエチル）
ナフタレン、６−アルキル−２−（２−ヒドロキシプロ
ピル）ナフタレン、６−アルキル−２−（３−ヒドロキ
シブチル）ナフタレン、６−アルキル−２−（４−ヒド
ロキシペンチル）ナフタレン、６−アルキル−２−（５
−ヒドロキシヘキシル）ナフタレン、６−アルキル−２
−（６−ヒドロキシへブチル）ナフタレン、６−アルキ
ル−２−（７−ヒドロキシオクチル）ナフタレン等があ
げられる。 光学活性なアルキルナフタレンアルカノール誘導体（１
１）とカルボン＃ｌ［（９）との反応は前述した光学活
性なナフタレン誘導体〔１〕（但し、ｍが１でかつＸが
一０ＣＯ−）の第１の製造法と同様にして行うことがで
きる。 すなわち、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒もしく
は縮合剤を用いて光学活性なアルキルナフタレンアルカ
ノール誘導体［１１）とカルボンｉｌｌ［（９）を反応
させることにより製造することができる。 ただし、比較的高価な光学活性なアルキルナフタレンア
ルカノール誘導体〔１１〕を有効に使用するため、これ
らの相手原料であるカルボン酸類
〔９〕を過剰量用いて
反応を行うことが好ましく、通常１〜４当量倍、より好
ましくは１〜２当量倍用いて反応を行う。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式〔１〕
で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、ｋ、ｌ
およびｍが０でかっｐが１）を単離することができ、必
要によりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製
することもできる。 次に、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のう
ちに、１およびｍが０でかつｐが０である化合物につい
ての製造法を説明する。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のうちに
、１＃よびｍがＯでかつｐが０である化合物は前記一般
式〔１１〕で示される光学活性なアルキルナフタレンア
ルカノール誘導体と前記一般式〔１０〕で示されるアル
キル化剤とを反応さセることにより製造することができ
る。 この反応は前述した光学活性なナフタレン誘導体〔１〕
　（但し、ｌが１でかつｋおよびｍが０）の製造法と同
様にして、溶媒中、塩基性物質の存在下に光学活性なア
ルコキシナフタレンアルカノール誘導体〔１１〕とアル
キル化剤（１０）とを反応させることにより行うことが
できる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式〔１〕
で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、ｋ、Ｉ
およびｍがＯでかつｐがＯ）を単離することができ、必
要によりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製
することもできる。 以上の製造法により得られる本発明の光学活性なナフタ
レン誘導体（１）として具体的には以下に示す化合物が
あげられる。 （１）　ｋおよびｌが０で、ｍが１でかつＸが一０ＣＯ
−である場合 ６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシプロピ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭素数３〜
２０の）ニスチル、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブチル
］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭素数３〜２
０の）エステル、 ６−（４−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシペンチ
ル〕−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭素数３〜
２０の）エステル、６−［５−アルキル（炭素数１〜２
０の）オキシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸ア
ルキル（炭素数３〜２０の）エステル、６−［６−アル
キル（炭素数１〜２０の）オキシへブチル］−２−ナフ
タレンカルボン酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステ
ル、６−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシオ
クチル〕−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭素数
３〜２０の）エステル、６−［２−アルコキシアルキル
（炭素数２〜２０の）オキシプロピル］−２−ナフタレ
ンカルボン酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭
素数３〜２０の）エステル６−［４−アルコキシアルキ
ル（炭素数２〜２０の）オキシペンチル］−２−ナフタ
レンカルボン酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル
、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（
炭素数３〜２０の）エステル、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（
炭素数３〜２０の）エステル、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（
炭素数３〜２０の）エステル、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（
炭素数３〜２０の）エステル、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭
素数３〜２０の）エステル６−〔４−アルキル（炭素数
１〜２０の）カルボニルオキシペンチル］−２−ナフタ
レンカルボン酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル
、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシへキシル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（
炭素数３〜２０の）エステＪし、 ６−［６−アルキル（炭素数ｌ〜２０の）カルボニルオ
キシへブチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（
炭素数３〜２０の）エステル、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（
炭素数３〜２０の）エステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸
アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、 ６−〔３−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸ア
ルキル（炭素数３〜２０の）エステル、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸
アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸
アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシへブチル］−２−ナフタレンカルボン酸
アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、 ６−（７−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸
アルキル（炭素数３〜２０の）エステル。 （２）　　１が０で、ｋおよびｍが１でかつＸが一〇Ｃ
〇−である場合 ６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブロピ
ルコー２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル（炭素数
３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブチル
］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル（炭素数３
〜２０の）フェニルエステル、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシペンチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル（炭素数
３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘキシ
ルコー２−ナフタレンカルボンｉ！１４−アルキル（炭
素数３〜２０の）フェニルエステル〜 ６−［６−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘプチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル（炭素数
３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシオクチ
ル］−２−ナフタレンカルボン＃１４−アルキル（炭８
数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン＃ｌＩ４−ア
ルキル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン！２４−アルキ
ル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン８１４−アル
キル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン＃４−アルキ
ル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−〔３−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシブチル】−２−ナフタレンカルボン１１４−アルキ
ル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン＃４−アルキ
ル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［・６−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシへブチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アル
キル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン１４−アルキ
ル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルキル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸４
−アルキル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシペンチル］−２−ナフタレンカルボンＭ
Ｉ４−アルキル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル
、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン８
１４−アルキル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル
、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルキル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−（７−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシオクチル］−２−ナフタレンカルボン＃
４−アルキル（炭素数３〜２０の）フェニルエステル。 （３）　　ｋ、Ｉおよびｍが１でかつＸが一○ＣＯ−で
ある場合 ６−［２−アルキル（炭素数ｌ〜２０の）オキシプロピ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキシ（炭素
数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−〔３−アルキル（炭素数ｌ〜２０の）オキシブチル
］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキシ（炭素数
３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘンチ
ル］−２−ナフタレンカルボン＃４−アルコキシ（炭素
数３〜２ｏの）フェニルエステル、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘキシ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキシ（炭素
数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜２ｏの）オキシヘプチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキシ（炭素
数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜２ｏの）オキシオクチ
ル］−２−ナフタレンカルボン［４−アルコキシ（炭素
数３〜２ｏの）フェニルエステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン＃Ｉ４−アル
コキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン＃４−アルコキ
シ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン＃１４−アル
コキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン＃１４−アル
コキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン＃Ｉ４−アル
コキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−Ｃ２−アルキル（炭素数１〜２ｏの）カルボニルオ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキ
シ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシペンチル〕−２−ナフタレンカルボンｆＩＩ４−ア
ルコキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシへブチル］−２−ナフタレンカルボンｉ１！４−ア
ルコキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−〔７−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン＃４−アルコ
キシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル
、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシブチル］−２−ナフタレンカルボンＷＩ
４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル
、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル
、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル
、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシへブチル］−２−ナフタレンカルボン８
４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル
、 ６−（７−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシオクチル〕−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）フェニルエステル
。 （４）　ｋおよびｌが０で、ｍが１でかツＸが−ＣＯＯ
−である場合 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−〔１−ア
ルキル（炭素数１〜２０の）オキシェチルコー２−ナフ
チルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［２−ア
ルキル（炭素数１〜２０の）オキシプロピル］−２−ナ
フチルエステル、アルキル（炭素数３〜２０の）カルボ
ン酸６−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブ
チル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［４−ア
ルキル（炭素数１〜２０の）オキシペンチル］−２−ナ
フチルエステル、アルキル（炭素数３〜２０の）カルボ
ン酸６−〔５−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘ
キシルゴー２−ナフチルエステル、アルキル（炭素数３
〜２０の）カルボン酸６−［６−アルキル（炭素数１〜
２０の）オキシヘプチル］−２−ナフチルエステル、ア
ルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−〔７−アル
キル（炭素数ｌ〜２０の）オキシオクチル］−２−ナフ
チルエステル、アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン
酸６−［１−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）
オキシエチル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［２−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシプロピル
］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［３−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシブチル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［４−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシペンチル
］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［５−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシヘキシル
］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［６−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシヘプチル
］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［７−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシオクチル
］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［ｌ−ア
ルキル（炭素数ｌ〜２０の）カルボニルオキシエチル］
−２−ナフチルエステルアルキル（炭素数３〜２０の）
カルボン酸６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）カ
ルボニルオキシプロピル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［３−ア
ルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシブチル］
−２−ナフチルエステルアルキル（炭素数３〜２０の）
カルボン酸６−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）カ
ルボニルオキシペンチル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［５−ア
ルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシヘキシル
］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［６−ア
ルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシへブチル
ゴー２−ナフチルエステｌし、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［７−ア
ルキル（炭素数ｌ〜２０の）カルボニルオキシオクチル
］−２−ナフチルエステル、 アルキル〔炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［１−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオキ
シエチル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［２−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオキ
シプロピル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［３−ア
ルコキシアルキル（炭素ｆｉ２〜２０の）カルボニルオ
キシブチル〕−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［４−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオキ
シペンチル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［５−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２・Ｏの）カルボニルオ
キシへキシル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［６−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオキ
シへブチル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸６−［７−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオキ
シオクチル］−２−ナフチルエステル。 （５）　　１が０で、ｋおよびｍがｌでかつＸが−ＣＯ
Ｏ−である場合 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香ａ１６−（Ｌ
−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシエチル］−２−
ナフチルエステル、４−　アルキル（炭素数３〜２０の
）安息香＃６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）オ
キシプロピル］−２−ナフチルエステル、４−アルキル
（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［３−アルキル（炭
素数１〜２０の）オキシブチル］−２−ナフチルエステ
ル、４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［
４−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシペンチル］−
２−ナフチルエステル、４−アルキル（炭素数３〜２０
の）安息香酸６−〔５−アルキル（炭素数１〜２０の）
オキシヘキシル］−２−ナフチルエステル、４−アルキ
ル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［６−アルキル（
炭素数１〜２０の）オキシヘプチル】−２−ナフチルエ
ステル、４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６
−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシオクチル
］−２−ナフチルエステル、４−アルキル（炭素数３〜
２０の）安息香酸６−〔１−アルコキシアルキル（炭素
数２〜２０の）オキシエチル］−２−ナフチルエステル
、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−〔２−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシプロピ
ル〕−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［３−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシブチル
］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［４−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシペンチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［５−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシヘキシ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［６−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシヘプチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２ｏの）安息香酸６−［７−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシオクチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−〔１−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシエチル
］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−〔２−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシプロピ
ル〕−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［３−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシブチル
］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［４−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシペンチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［５−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシヘキシ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［６−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシへブチ
ル】−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−〔７−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシオクチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−Ｅｌ−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオ
キシエチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［２−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［３−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオ
キシブチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［４−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオ
キシペンチル］　−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［５−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオ
キシヘキシル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［６−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオ
キシへブチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜２０の）安息香酸６−［７−
アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−ナフチルエステル。 （６）　　ｋ、ｍおよびｌがｌでかつＸが−ＣＯＯ−で
ある場合 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香＠６−［１
−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシエチル］−２−
ナフチルエステル、４−アルコキシ（炭素数３〜２０の
）安息香１１１６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の
）オキシプロピル］−２−ナフチルエステル、４−アル
コキシ（炭素数３〜２０の）安息香１１６−［３−アル
キル（炭素数１〜２０の）オキシブチル］−２−ナフチ
ルエステル、４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息
香ｗＩ６−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシ
ペンチル］−２−ナフチルエステル、４−アルコキシ（
炭素数３〜２０の）安息香酸　６−［５−アルキル（炭
素数１〜２０の）オキシヘキシル］−２−ナフチルエス
テル、４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香［６
−［６−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘプチル
］−２−ナフチルエステル、４−アルコキシ（炭素数３
〜２０の）安息香＃ｌｌ６−［７−アルキル（炭素数１
〜２０の）オキシオクチル］−２−ナフチルエステル、
４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香＃　６−［
１−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシエ
チル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香ｆｉ６−［
２−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシブ
ロピルコー２−ナフチルエステル、 ４−　アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香１ｉ１６
−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキ
シブチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香［６−［４
−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシペン
チル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香１１６−［
５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシヘ
キシル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香［６−［６
−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシヘプ
チル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香［６−［７
−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オキシオク
チル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香＃１６−［
１−アルキル（炭素数ｌ〜２０の）カルボニルオキシエ
チル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香＃　６−［
２−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシプ
ロピル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香酸　６−〔
３−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシブ
チル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香＃１６−［
４−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシペ
ンチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香酸　６−［
５−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシヘ
キシル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香！ｌ　６−
　［６−フルｔｒル（炭素数１〜２０１７１）カルボニ
ルオキシへブチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香［６−［７
−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシオク
チル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香＃６−［１
−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニル
オキシエチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香１１６−［
２−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニ
ルオキシプロピル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香＃６−［３
−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニル
オキシブチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香１１１６−
［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボ
ニルオキシペンチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安！香ｉ！Ｉ　６
−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カル
ボニルオキシへキシル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香！［１６−
［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボ
ニルオキシへブチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜２０の）安息香［６−［７
−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニル
オキシオクチル］−２−ナフチルエステル。 （７）　ｋおよびｍが０で、ｌが１である場合 ６−〔ｌ−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシエチル
】−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシナフタレ
ン、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブロビ
ルコー２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシナフタ
レン、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブチル
］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシナフタレ
ン、 ６−〔４−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシペンチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシナフタ
レン、 ６−〔５−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘキシ
ルゴー２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシナフタ
レン、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘプチ
ル〕−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシナフタ
レン、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシオクチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシナフタ
レン、 ６−［１−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシエチル】−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキ
シナフタレン、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシプロピル〕−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシナフタレン、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキ
シナフタレン、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシペンチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシナフタレン、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシヘキシルツー２−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシナフタレン、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシヘプチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシナフタレン、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシオクチル〕−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシナフタレン、 ６−〔１−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシエチル〕−２−アルキル（ｉｔ数３〜２０の）オキ
シナフタレン、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシナフタレン、 ６−［３−アルキル（炭素数ｌ〜２０の）カルボニルオ
キシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキ
シナフタレン、 ６−［４−アルキル（炭素数ｌ〜２０の）カルボニルオ
キシペンチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシナフタレン、 ６−〔５−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシヘキシル〕−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシナフタレン、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシへブチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシナフタレン、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシナフタレン、 ６−［１−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシエチル］−２−アルキル（炭素数３〜２
０の）オキシナフタレン、６−［２−アルコキシアルキ
ル（炭素数２〜２０の）カルボニルオキシプロピル］−
２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシナフタレン６
−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カル
ボニルオキシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０
の）オキシナフタレン６−［４−アルコキシアルキル（
炭素数２〜２０の）カルボニルオキシペンチル］−２−
アルキル（炭素数３〜２０の）オキシナフタレン、　６
−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カル
ボニルオキシヘキシル］−２−アルキル（炭素数３〜２
０の）オキシナフタレン、　６−（６−アルコキシアル
キル（炭素数２〜２０の）カルボニルオキシへブチル］
−２−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシナフタレン
、　６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の
）カルボニルオキシオクチル］−２−アルキル（炭素数
３〜２０の）オキシナフタレン、　　　（８）　　ｋ、
ｌおよびｍが０である場合 ６−〔ｌ−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシエチル
〕−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフタレン、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシプロピ
ル〕−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフタレン、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブチル
］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフタレン、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシペンチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフタレン、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘキシ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフタレン、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘプチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフタレン、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシオクチ
ル〕−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフタレン、 ６−［ｌ−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシエチル］−２−アル牛ル（炭素数３〜２０の）ナフ
タレン、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシプロピル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナ
フタレン、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフ
タレン、 ６−〔４−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシペンチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナ
フタレン、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシヘキシル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナ
フタレン、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシヘプチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の〉ナ
フタレン、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）オ
キシオクチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナ
フタレン、 ６−［１−アルキル（炭素数ｌ〜２０の）カルボニルオ
キシエチルＪ−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフ
タレン、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナ
フタレン、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフ
タレン、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシペンチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナ
フタレン、 ６−Ｃ５−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシヘキシル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の・）
ナフタレン、 ６−〔６−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシヘプチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナ
フタレン、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナ
フタレン、 ６−（１−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カ
ルボニルオキシエチル］−２−アルキル（炭素数３〜２
０の）ナフタレン、６−［２−アルコキシアルキル（炭
素数２〜２０の）カルボニルオキシプロピル］−２−ア
ルキル（炭素数３〜２０の）ナフタレン、６−［３−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボニルオキ
シブチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフタ
レン、６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０
の）カルボニルオキシペンチル］−２−アルキル（炭素
数３〜２０の）ナフタレン、６−［５−アルコキシアル
キル（炭素数２〜２０の）カルボニルオキシヘキシル］
−２−アルキル（炭素数３〜２０の）ナフタレン、６−
［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜２０の）カルボ
ニルオキシヘプチル］−２−アルキル（炭素数３〜２０
の）ナフタレン、６−〔７−アルコキシアルキル（炭素
数２〜２０の）カルボニルオキシオクチル〕−２−アル
キル（炭素数３〜２０の）ナフタレン。 なお、上記例示において、アルキル（炭素数１〜２０の
もしくは炭素数３〜２０の）およびアルコキシアルキル
（炭素・数２〜２０の）は、先に例示したものがあげら
れる。 次に、本発明の光学活性なナフタレン誘導体（１）の原
料化合物のうち光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体
〔２〕、光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕
および光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール誘
導体〔８〕の製造法について説明する。 光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕、光学活
性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕および光学活性
なアルコキシナフタレンアルカノール誘導体（８〕は、
一般式〔１２〕（式中、ｎｏは１〜６の整数を示す、）
で示されるアルコール化合物を共通の原料として製造す
ることができる。以下、順にその製造法を説明する。 （１）　光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２）
の製造法 （１−ａ）ｐが０の場合 光学活性なナフタレンカルボン＃ｍ’ｌＬ体（２〕にお
いてＰがＯである場合には以下に示した方法により該化
合物を製造することができる。 （１２） ↓ エステル化 ↓ フリーデルクラフト反応 ↓ ↓　不斉加水分解 （上記反応式中、Ｒ”　　Ｒ’　　ｎおよび傘印は前記
と同じ意味を表し、Ｒ３は低級アルキル基を示す、） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔１３〕で示される低級アルキルエステル類
はアルコール化合物〔１２〕を、−般式 ％式％（１８） 酸化（必要により酸ハライド化） （式中、Ｒ３は前記と同じ意味を表す、）で示されるカ
ルボン酸もしくはその誘導体でエステル化することによ
り製造される。 カルボン＊ｃｉ８）もしくはその誘導体としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、無水酢酸、無水プロピオン酸
、酢酸クロリドもしくはプロミド、プロピオン酸クロリ
ドもしくはプロミド、ブチリルクロリドもしくはプロミ
ド、バレロイルクロリドもしくはプロミド等があげられ
る。 これらは、アルコール化合物〔１２〕に対して１当量倍
以上必要であり、上限については特に制限されないが、
好ましくは４当量倍であるエステル化は、通常、触媒の
存在下に行われ、該触媒としては、例えば、ジメチルア
ミノピリジン、トリエチルアミン、トリーｎ−ブチルア
ミン、ピリジン、リジン、イミダゾール、炭酸ナトリウ
ム、ナトリウムメチラート、炭酸水素カリウム等の有機
または無機塩基性物質があげられる。また、トルエンス
ルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸等の有機酸あるいは
無機酸を触媒として用いることもできる。 その使用量は特に制限されないが、通常、アルコール化
合物〔１２〕に対して１〜５当量倍の範囲である。 このエステル化反応において溶媒を使用する場合、その
溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、エチルエ
ーテル、アセトン、メチルエチ′ルケトン、トルエン、
ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロル
エタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジメチルホルアミ
ドヘキサンまたはピリジン等の脂肪族もしくは芳香族炭
化水素、エーテル、ハロゲン化炭化水素、有機アミン等
の反応に不活性な溶媒の単独または混合物があげられる
。このような溶媒の使用量については、特に制限なく使
用することができる。 反応は通常、−３０℃〜１００℃、好ましくは一２０℃
〜９０°Ｃで行う。 反応時間は特に制限されず、原料のアルコール化合物〔
１２）の消失した時点を反応の終点とすることができる
。 低級アルキルエステルＩＩ　（１３）の反応混合物から
の取り出しは、反応混合物に通常の分離手段、例えば抽
出、分液、濃縮等の操作を加えることにより行われる。 前記一般式〔１４〕で示されるアセチルナフタレン類は
、上で得た低級アルキルエステル類〔１３〕をアセチル
化することにより製造することができる。 このアセチル化は通常のフリーデルクラフト反応が適用
される。 アセチル化剤としては、酢酸、アセチルクロリドおよび
アセチルプロミド等があげられ、これらの使用量は、原
料の低級アルキルエステルＩｔ（１３）に対して１当量
以上必要であり、その上限は特に制限されないが好まし
くは３当量倍以下である。 このフリーデルタラット反応には通常、触媒が使用され
、かかる触媒としては、塩化アルミニウム、臭化アルミ
ニウム、塩化亜鉛、臭化亜鉛、四塩化チタン、ポリリン
酸、三フフ化ホウ素等が例示され、これらの触媒は低級
アルキルエステル！［（１３）に対して０．３〜３当量
倍の範囲で使用される。また、この反応は通常、溶媒中
で行われ、かかる溶媒としては塩化メチレン、１，２−
ジクロルエタン等のハロゲン化炭化水素類のはかニトロ
ベンゼン、ニトロメタン、ニトロエタン、ニトロプロパ
ン等のニトロ化合物があげられる。 反応温度は通常、−３０〜１５０℃、好ましくは一１Ｏ
〜１００℃である０反応時間は特に制限されないが、通
常、１〜１０時間である。 アセチルナフタレンＩｆ（１４）の反応混合物からの取
り出しは、反応混合物に通常の分離手段、例えば抽出、
分液、濃縮等の操作を加えることにより行われる。 前記一般式〔１５〕で示される光学活性なアルカノール
類および前記一般式〔１６〕で示される光学活性な低級
アルキルエステル類は、上で得たアセチルナフタレンＩ
ｆ　（１４）を、該アセチルナフタレン類の光学異性体
のうちいずれか一方のみを優先的に加水分解する能力を
有するエステラーゼを用いて不斉加水分解することによ
り製造することができる。 この不斉加水分解反応で用いられるエステラーゼとして
は、動物、植物、微生物から得られた酵素があげられ、
その使用形態としては、精製酵素、粗酵素、酵素含有物
、微生物培養液、培養物、厘体、培養濾液およびそれら
を処理したもの等、種々の形態で必要に応じて用いるこ
とができ、酵素と微生物を組み合わせて用いることもで
きる。 あるいは、樹脂等に固定化した固定化酵素、固定化画体
としても用いることができる。 なお、ここで言うエステラーゼとはリパーゼを含む広義
のエステラーゼを意味する。 ・この不斉加水分解反応で用いられるエステラーゼを生
産する微生物としては、アセチルナフタレン類〔１４〕
を不斉加水分解する能力を有するエステラーゼを生産す
る微生物であればよく、特に限定されるものではない。 このような微生物の具体例としては、例えば、エンテロ
バクタ−属、アルスロバクタ−属、ブレビバクテリウム
属、シェードモナス属、アルカリ土類金属、ξクロコツ
カス属、クロモバクテリウム属、ミクロバクテリウム属
、コリネバクテリウム属、バシルス属、ラクトバシル金
属、トリコデルマ属、キャンディダ属、サツカロミセス
属、ロドトルラ属、クリプトコツカス属、トルロプシス
属、ビヒア属、ペニシリウム属、アスペルギルス属、リ
ゾプス属、ムコール属、オーレオパシディウム属、アク
チノムコール属、ノカルデイア属、ストレプトミセス属
、ハンゼヌラ属、アクロモバクタ−属に属する微生物が
あげられる。 上記微生物の培養は、通常、常法に従って行われ、液体
培養を行うことにより培養液を得ることができる。 例えば、滅菌した液体培地［かび類、酵母頻用には麦芽
エキス・酵母エキス培地（水ＩＬににペプトン５ｇ、グ
ルコース１０ｇ、麦芽エキス３ｇ、酵母エキス３ｇを溶
解し、ＰＨ６，５とする）、細菌用には加糖ブイヨン培
地（水ＬＬにグルコース１０ｇ、ペグ１フ５ｇ、肉エキ
ス５ｇ、塩化ナトリウム３ｇを熔解し、ｐＨ７，２とす
る）］に微生物を接種し、通常２０〜４０℃で１〜３日
間往復振とう培養をすることにより行われ、また必要に
応じて固体培養を行ってもよい。 また、これらの微生物起源のエステラーゼのなかには市
販されているものがあり、容易に入手することができる
。市販エステラーゼの具体例としては、例えば以下のも
のがあげられる。 シュードモナス属のリパーゼ［リパーゼＰＣ天野製薬製
）］、アスペルギルス属のリパーゼ〔リパーゼＡＰ（天
野製薬製）］、ムコール属のリパーゼ［リパーゼＭ−Ａ
Ｐ　（天野製薬　製）］、キ中ンディダ・シリンドラッ
セのリパーゼ〔リパーゼＭＹ（名糖産業製〕〕、アルカ
リ土類金属のリパーゼ［リパーゼＰＬ（名糖産業製）］
、］アクロモバクターのリパーゼ［リパーゼＡＬ（名糖
産業製）］、］アルスロバクターのリパーゼ［リパーゼ
合同ＢＳＬ　（合同酒精部）］、クロモバクテリウム属
のリパーゼ（東洋醸造製）、リゾプス・デレマーのリパ
ーゼ［タリバーゼ（田辺製薬型）］、リゾプス属のリパ
ーゼ［リパーゼサイケン（大阪細菌研究所）］。 また、動物・植物のエステラーゼを用いることもでき、
これらの具体的なエステラーゼとしては以下のものをあ
げることができる。 ステアプシン、パンクレアチン、ブタ肝臓エステラーゼ
、Ｗｈｅａｔ　Ｇｅｒ−エステラーゼ。 不斉加水分解反応は、原料のアセチルナフタレン類〔１
４〕と上記酵素もしくは微生物の混合物を、通常、緩衝
液中で激しく撹拌することによって行われる。 緩衝液としては、通常用いられるリン酸ナトリウム、リ
ン酸カリウムのごとき無機酸塩の緩衝液、酢酸ナトリウ
ム、クエン酸ナトリウムのごとき有ＩＩ＃１塩の緩衝液
等が用いられ、そのｐＨは、好アルカリ性菌の培養液や
アルカリ性エステラーゼではｐＨ８〜１１．好アルカリ
性でない微生物の培養液や耐アルカリ性を有しないエス
テラーゼではｐＨ５〜８が好ましい、１１衝液の濃度は
通常０．０５〜２Ｍ、好ましくは００５〜０．５Ｍの範
囲である。 反応温度は通常１０〜６０″Ｃであり、反応時間は一般
的には１０〜７０時間であるが、これに限定されること
はない。 なお、この不斉加水分解反応でエステラーゼとしてシュ
ードモナス属あるいはアルスロバクタ−属に属するリパ
ーゼを用いる場合には、比較的高い光学純度で光学活性
なアルカノール類〔１５〕および光学活性な低級アルキ
ルエステル［（１６）を得ることができる。 また、この不斉加水分解反応を行うにあたって、緩衝液
に加えてトルエン、クロロホルム、メチルイソブチルケ
トン、ジクロルメタン等の反応に不活性な有機溶媒を使
用することもできこれらを使用することによって不斉加
水分解反応を有利に行うことができる。 かかる不斉加水分解反応により、原料のアセチルナフタ
レン類（１４）の光学異性体のうちいずれか一方のみが
不斉加水分解されて、光学活性なアルカノールＩｆ（１
５）が生威し、一方、他方の光学異性体、すなわち光学
活性な低級アルキルエステル１！　（１６）は不斉加水
分解残として残存することになる。 このような光学活性なアルカノール類〔１５〕および光
学活性な低級アルキルエステル類〔１６〕の反応混合物
からの取り出しおよび分離は、反応混合物に通常の後処
理、例えば、酢酸エチル等の溶媒により抽出処理し、得
られた有機層から溶媒を留去した後、濃縮残金をカラム
クロマトグラフィーで処理する等の方法により行われる
。 また、このようにして得られた光学活性な低級アルキル
エステルｌｌ［（１６）は、必要に応して更に加水分解
することにより、光学活性なアルカノールＩｆ　（１５
）を得ることができる。 ここで得られる光学活性なアルカノール類〔１５］は、
先に不斉加水分解反応により得た光学活性なアルカノー
ルｌ１（１５）とは対掌体の関係にある。 なお、光学活性な低級アルキルエステル類〔１６〕の加
水分解は、−船釣なエステル化合物の加水分解反応の条
件が適用され、特に限定されるものではない。 前記一般式〔１７〕で示される光学活性なエーテル類は
、上で得た光学活性なアルカノールＩｆ（１５）と前記
一般式〔ｌＯ〕示されるアルキル化剤とを反応させるこ
とにより製造することができる。 このアルキル化反応は、通常、塩基性物質の存在下に行
われる。かかる塩基性物質としては、具体的には、水素
化ナトリウム、水素化カリウム等のアルカリ金属水素化
物、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属
、ナトリウムエチラート、ナトリウムメチラート等のア
ルカリ金属アルコラード、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等の炭酸アルカリ金属、ブチルリチウム等があげられ
る。 かかる塩基性物質は、光学活性なアルカノール類〔１５
〕に対して１当量以上必要であり、上限については特に
制限されないが、通常は５当量倍である。 また、アルキル化剤〔ｌＯ〕使用量は、光学活性なアル
カノールＩＩ　（１５）に対して１当量以上任意である
が、通常は１〜５当量の範囲である。 反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、エチ
ルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン
、ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロ
ルエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ヘキサン、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の脂肪族
もしくは芳香族炭化水素、エーテル、ハロゲン化炭化水
素、非プロトン性極性溶媒等の反応に不活性な溶媒の単
独もしくは混合物があげられる。かかる溶媒の使用量に
ついては特に制限されない。 反応温度は、通常、−５０〜１２０℃、好ましくは一３
０〜１００℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアルカノ
ールＩｔ（１５）の消失をもって反応終了とすることが
できる。 光学活性なエーテル類〔１７〕の反応混合物からの取り
出しは、例えば、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操
作を加えることにより行われる。 また、咳アルキル化反応において、アルキル化剤〔ｌＯ
〕の直換基Ｙがヨウ素原子である場合には、前記の塩基
性物質に代えて、酸化銀を用いることもできる。 この場合、かかる酸化銀は、光学活性なアルカノールＩ
Ｉ（１５）に対して１当量倍以上必要であり、上限につ
いては特に制限されないが、好ましくは５当量倍である
。 酸化銀の存在下にアルキル化反応を行う場合、アルキル
化剤（１０）（但し、置換基Ｙがヨウ素原子）の使用量
は、光学活性なアルカノールＩＩ（１５）に対して１当
量倍以上任意であるが、好ましくは、２〜ｌＯ当量倍で
ある。 反応溶媒としては、過剰のアルキル化剤〔１０〕　（但
し、置換基Ｙがヨウ素原子）を溶媒として用いることが
できる他、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオ
キサン、アセトン、メチルエチルケトン、ベンゼン、ト
ルエン、ヘキサン等のエーテル、ケトンあるいは炭化水
素系溶媒等の反応に不活性な溶媒の単独または混合物を
使用してもよい。 反応温度は、通常、０〜１５０℃、好ましくは２０〜１
００″Ｃの範囲である。 反応時間は、通常、１時間〜２０日間である光学活性な
エーテル１！　（１７）の反応混合物からの取り出しは
、濾過により銀塩を除去したのち、例えば、抽出、分液
、濃縮等の通常の後処理操作を加えることにより行われ
る。 目的化合物である光学活性なナフタレンカルボン酸誘導
体〔２〕　（但し、Ｐが０）は、上で得た光学活性なエ
ーテルＩｆ（１７）を水の存在下に酸化することにより
製造することができるこの酸化反応において用いられる
酸化剤としては、アセチル基を酸化してカルボン酸とす
るものであれば特に制限なく用いることができる、かか
る酸化剤としては、例えば、重クロム酸カリウム、重ク
ロム酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム、過マンガン
酸ナトリウム、次亜塩素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリ
ウム、次亜臭素酸カリウム、次亜臭素酸ナトリウム等が
あげられる。 かかる酸化剤は光学活性なエーテル類〔１７〕に対して
１当量倍以上必要であり、上限については特に制限され
ないが、好ましくは１０当量倍以下の使用量である。 この反応においては、水が必須であるが、有機溶媒を併
用することもでき、かかる溶媒としては、例えば、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン等
の反応に不活性な溶媒の単独もしくは混合物があげられ
る。これらの溶媒の使用量は、特に制限されない。 反応温度は、通常、−２０〜１３０℃、好ましくは一１
０〜１００℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なエーテル
ｌ［（１７）の消失をもって反応終了とすることができ
る。 目的化合物である光学活性なナフタレンカルボン酸誘導
体〔２〕　（但し、ｐがＯ）の反応混合物からの取り出
しは、例えば、濾過、酸析、抽出、分液、濃縮等の後処
理操作を加えることにより行われる。 なお、ここで得られた光学活性なナフタレンカルボン酸
誘導体〔２〕　（但し、ｐが０）は、一般式〔２〕にお
ける置換基Ｒ゛が水ｆ１１基である化合物であり、この
ものはさらに必要に応じて公知の方法により酸ハライド
化して一般式〔２〕における置換基Ｒ°がハロゲン原子
である化合物へ誘導することができる。 （１−ｂ）ｐが１の場合 光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕において
ｐが１である場合には以下に示した方法により、前述し
た光学活性なナフタレンカルボン＃銹導体〔２〕の製造
法（１−ａ）で得た光学活性なアルカノールＩＩ（１５
）から誘導することができる。 ↓　エステル化（必要によ り酸ハライド化） ↓ 水＃１基の保護 ↓ 酸化 ↓ 脱保護 （上記反応式中、Ｒ’、Ｒ”ｎおよび＊印は前記と同じ
意味を表す、） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔１９〕で示される光学活性なアセチルナフ
タレン類は、光学活性なアルカノールＩ！（１５）の水
酸基を保護することにより製造することができる。 この保護基導入反応は、光学活性なアルカノール１１　
（１５）と水酸基の保護化剤とを触媒の存在下に反応さ
せることにより行われる。 水Ｍ基の保護基としては、例えば、メチル基、ベンジル
基、トリチル基のごときアルキルまたはアラアルキル基
、メトキシメチル基、メトキシエト牛ジメチル基、エト
キシエチル基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピ
ラニル基のごときアルコキシアルキル基、さらには、ト
リメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基のごと
きシリル基があげられ。 この反応で用いられる触媒は、用いる保護化剤により異
なるが、例えば、水酸基の保護基がアルキル、アラアル
キルまたは一部のアルコキシアルキル基の場合には、塩
基性物質が好ましく用いられる。かかる塩基性物質とし
ては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭
酸水素カリウム、ナトリウムメチラート、ナトリウムエ
チラート、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ｎ−ブ
チルリチウム、５ｅＣ−ブチルリチウム等の無機あるい
は有機塩基性物質があげられる。 この場合用いられる保護化剤としては、具体的には、ヨ
ウ化メチル、臭化メチル、ベンジルクロリド、ベンジル
プロミド、トリチルクロリド、クロロメチルメチルエー
テル、クロロメチルメトキシエトキシエーテル等があげ
られる。 これらの保護化剤および触媒の使用量は、使用する保護
化剤によって異なり、必ずしも特定できないが、通常、
原料の光学活性なアルカノールＩｆ（１５）に対して、
保護化１ｆＪ１〜５当量倍、触媒１〜４当量倍の範囲で
ある。 この反応は、通常、溶媒の存在下に行われ、かかる溶媒
としては、例えば、エチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、トル
エン、ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、１
．２−ジクロルエタン、クロロホルム、四塩化炭素、酢
酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホリルトリアえド、アセトニトリ
ル、ヘキサン、ヘプタン等のエーテル、ハロゲン化炭化
水素、エステル、非プロトン性極性溶媒等の反応に不活
性な溶媒の単独もしくは混合物があげられ、その使用量
については特に制限されない。 反応温度は、使用する保護化剤によって異なり、必ずし
も特定できないが、通常、−２０”Ｃ〜１５０″Ｃの範
囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアルカノ
ールＩＩ（１５）の消失をもって反応終了とすることが
できる。 また、水＃ＩＩ基の保護基がアルコキシアルキル基の場
合には、触媒としては、酸性物質が好ましく用いられる
。かかる酸性物質としては、ベンゼンスルホン酸、Ｐ−
トルエンスルホン酸、メ°タンスルホン酸、硫酸、硫酸
水素カリウム、塩酸、リン酸、酢酸、塩化アンモニウム
等の無機あるいは有機酸性物質があげられる。 この場合用いられる保護化剤としては、具体的には、ジ
メトキシメタン、エチルビニルエーテル、ジヒドロフラ
ン、ジヒドロピラン等があげられる。 これらの保護化剤および触媒の使用量は、使用する保護
化剤によって異なり、必ずしも特定できないが、通常、
原料の光学活性なアルカノールｍｌ　（ＸＶ）に対して
、保護化剤１〜５当量倍、触媒ｏ、ｏｏｓ〜１当量倍の
範囲である。 反応溶媒、反応温度及び反応時間は前述の塩基性物質を
触媒とする保護基導入反応の場合と同様である。 水酸基の保護基がシリル基の場合、触媒としては塩基性
物質が好ましく用いられる。かかる塩基性物質としては
、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水
素カリウム、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチラ
ート、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ｎ−ブチル
リチウム、５ｅｃ−ブチルリチウム、イミダゾール、ピ
リジン、４−ジメチルアミノビウリジン等の無機あるい
は有機塩基性物質があげられる。 この場合用いられる保護化剤としては、具体的には、ト
リメチルシリルクロリド、トリメチルシリルプロミド、
ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド等があげられる。 これらの保護化剤および触媒の使用量は、使用する保護
化剤によって異なり、必ずしも特定できないが、通常、
原料の光学活性なアルカノールＩｆ（１５）に対して、
保護化剤１〜５当量倍、触媒１〜４当量倍の範囲である
。 反応溶媒、反応温度及び反応時間は前述の塩基性物質を
触媒とする保護基導入反応の場合と同様である。 以上の様にして得られる光学活性なアセチルナフタレン
ＩＩ（１９）の反応混合物からの取り出しは、例えば、
抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えることに
より行われる。 前記一般式〔２０〕で示される光学活性なナフタレンカ
ルボン酸類は、上で得た光学活性なアセチルナフタレン
Ｉｔ　（１９）を水の存在下に酸化することにより製造
することができる。 この酸化反応は、前述した光学活性なナフタレンカルボ
ンｒ１！誘導体〔２〕の製造法（１−ａ）における光学
活性なエーテルｌ［（１７）から光学活性なナフタレン
カルボンｆｌＩ誘導体〔２］（但し、ｐが０）を製造す
る反応と同様にして行うことができる。 すなわち、光学活性なアセチルナフタレン類〔１９〕を
水の存在下に前述したアセチル基をカルボン酸とする能
力を有する酸化剤により酸化することにより、光学活性
なナフタレンカルボン酸１［（２’Ｏ）を得ることがで
きる。 光学活性なナフタレンカルボン＃ｌ［（２０）の反応混
合物からの取り出しは、例えば、濾過、酸析、抽出、分
液、濃縮等の後処理操作を加えることにより行われる。 前記一般式〔２１〕で示される光学活性なヒドロキシカ
ルボン酸類は、上で得た光学活性なナフタレンカルボン
酸ｍ１（２０）の水酸基の保護基を脱保護剤を用いて脱
保護することにより製造することができる。 この脱保護反応は、一般式〔２０〕における水酸基の保
護基Ａの種類により方法が異なる。 以下、その方法について説明する。 水酸基の保護基Ａがアルキルまたはアラアルキル基の場
合には、脱保護剤としては、ルイス酸が好ましく用いら
れる。 かかるルイス酸としては、例えば、三臭化リン、三フッ
化ホウ素、塩化アルミニウム等があげられる。このよう
なルイス酸の使用量は、通常、原料の光学活性なナフタ
レンカルボン酸類〔２０〕に対して１〜５当量倍の範囲
である。 この反応は、通常、溶媒中で行われ、かかる溶媒として
は、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン、ジクロ
ルメタン、１．２−ジクロルエタン、クロロホルム等の
炭化水素、ハロゲン化炭化水素等の反応に不活性な溶媒
の単独もしくは混合物があげられ、その使用量について
は特に制限されない。 反応温度は、通常、−２０℃〜１５０°Ｃの範囲である
。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタレ
ンカルボン酸Ｉ！（２０）の消失をもって反応終了とす
ることができる。 また、水酸基の保護基Ａがアラアルキル基の場合、特に
ベンジル基もしくはトリチル基の場合には、水添触媒の
存在下、接触水素添加することにより脱保護を行うこと
もできる。 この接触水素添加反応において水添触媒としては遷移金
属触媒が好ましく用いられ、かかる遷移金属触媒として
は、例えば、酸化白金、ｐｔ、Ｃ等の白金系、Ｐｄ−Ｃ
，Ｐｄ−Ｂａ５Ｏ’、パラジウム黒等のパラジウム系、
Ｒｈ−Ｃ，Ｒｈ−＾１ｔ０３等のロジウム系、酸化ルテ
ニウム、Ｒｕ−Ｃ等のルテニウム系もしくはラネーニッ
ケル等のニッケル系触媒があげられるが、これらの中で
もパラジウム系触媒が特に好ましく用いられる。 これらの水添触媒の使用量は、原料の光学活性なナフタ
レンカルボン［１１（２０）に対して通常、０．０１〜
１００重量％、好ましくは、０．１〜５０重量％の範囲
である。 反応溶媒としては、メタノール、エタノール等のアルコ
ール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、酢酸エチル
等のエステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロトン
性極性溶媒類、酢酸等の脂肪＊＊もしくは水などの反応
に不活性な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、これ
らの使用量は特に制限されない。 反応時の水素圧は、通常、１〜２００気圧の範囲である
。 反応温度は、通常、０℃〜２００℃、好ましくは２０℃
〜１８０℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタレ
ンカルボン酸Ｉｆ（２０）の消失もしくは水素吸収の停
止をもって反応終了とすることができる。 次に、水酸基の保護基Ａがアルコキシアルキル基もしく
はシリル基である場合の脱保護法について説明する。 この場合の脱保護剤としては、酸触媒が好ましく用いら
れる。かかる酸触媒としては、ベンゼンスルホン酸、ｐ
−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸、硫酸
水素カリウム、塩酸、リン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸
等の無機あるいは有Ｉｌ！ｌｌ性物質があげられる。 このような酸触媒の使用量は、通常、原料の光学活性な
ナフタレンカルボン＃ｌ［（２０）に対して、０．００
１〜１当量倍の範囲である。 この反応に際しては、反応系内に水、メタノールもしく
はエタノール等のプロトン性溶媒の存在が必要である。 反応溶媒としては、水、メタノールもしくはエタノール
等のプロトン性溶媒の単独もし、＜は混合物があげられ
る他、これろのプロトン性溶媒と以下に示す溶媒の単独
もセ＜り混合物を併用して用いることもでき多、　　　
＝；、、　　でジオキサン、テトラヒドロフラン、７ｊ
）＝ン、アセトニトリル、ジメチ／！／牟ル本アしド、
酢酸エチル、ベンゼン、トルエン、？キサン１、ヘプタ
ン、ジクロルメタン、１．２−ジクロルエタン、クロロ
ホルム等。 反応温度は、通常、−２０℃〜１５０℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタレ
ンカルボンａｌｌ（２０）の消失をもって反応終了とす
ることができる。 また、特に水酸基の保護基Ａがシリル基である場合には
、フッ素イオンの存在下、脱保護反応を行うこともでき
る。 この反応におけるフッ素イオンの発生源としては、テト
ラブチルアンモニウムフルオライド、フン化水素、リチ
ウムテトラフルオロポレート等があげられ、その使用量
は、通常、原料の光学活性なナフタレンカルボンｌｆｌ
［（２０）に対して、１〜５当量倍の範囲である。 反応溶媒としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン、
アセトン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、酢
酸エチル、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン、
ジクロルメタン、１．２−ジクロルエタン、クロロホル
ム等のエーテル、ケトン、エステル、非プロトン性極性
溶媒、炭化水素、ハロゲン化炭化水素等の反応に不活性
な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、これらの使用
量は特に制限されない。 反応温度は、通常、−２０℃〜１５０℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタレ
ンカルボン酸類（２０）の消失をもって反応終了とする
ことができる。 以上の欅にして得られる光学活性なヒドロキシカルボン
ａｌｌ（２１）の反応混合物からの取り出しは、例えば
、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えること
により行われる。 目的化合物である光学活性なナフタレンカルボン酸ｌｉ
ｇ導体（２）（但し、ｐがｌ）は、上で得た光学活性な
ヒドロキシカルボンｉｌｉ！Ｉｔ（２１〕を一般式 ％式％（２２） （式中、Ｒ１は前記と同じ意味を表し、Ｒ４はハロゲン
原子またはＲ”ＣＯＯを示す、）で示される酸ハライド
もしくは酸無水物と反応させることにより製造すること
ができる。 ここで酸ハライドもしくは酸無水物〔２２〕における置
換基Ｒｔとしては、先に例示したものがあげられる。 この反応は、通常のエステル化法を適用することができ
、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒を用いて反応さ
せることにより行うことかで合る。 この反応で用いられる触媒としては、例えば、ジメチ゛
ルアミゾピリジン、トリーｎ−ブチル゛プ１ン；ビリジ
シ、リジン、イミダゾール、炭ＩＩす↑す′４：ＩＬ、
ナトリウムメチラート、炭酸水素カリウム等の有機また
は無機塩基性物質があげられる　”＋　　　７　ｒ’ 西また、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸
等゛の有機酸あるいは無機酸を触媒として用いることも
できる。 触媒の使用量は、使用する各原料の種類と使用する触媒
の組み合わせ等によっても興なり、必ずしも特定できな
いが、例えば、触媒として塩基性勧賞を使用する場合に
は、通常、酸ハライドもしくは酸無水物〔２２〕に対し
て１当量倍以上使用される。 酸ハライドもしくは酸無水物〔２２〕の使用量は、原料
の光学活性なヒドロキシカルボン酸１［（２１１に対し
て、通常、１〜４当量倍、好ましくは１〜２当量倍の範
囲である。 この反応において溶媒を使用する場合、その溶媒として
は例えば、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、アセ
トン、メチルエチルケトントルエン、ベンゼン、クロル
ベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエタン、クロロホ
ルム、四塩化炭素、ジメチルホルア逅ド、ヘキサンまた
はピリジン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エーテ
ル、ハロゲン化炭化水素、有機アミン等の反応に不活性
な溶媒の単独または混合物があげられる。このような溶
媒の使用量については、特に制限されない。 反応温度は通常−３０℃〜１００℃であり、好ましくは
一２５℃〜８０℃である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なヒドロキ
シカルボン酸Ｉ！（２１）の消失をもって反応終了とす
ることができる。 目的化合物である光学活性なナフタレンカルボンｆｌＩ
誘導体〔２〕　（但し、ｐがｌ）の反応混合物からの取
り出しは、例えば、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理
操作を加えることにより行われる。 なお、ここで得られた光学活性なナフタレンカルボンＭ
誘導体〔２〕　（但し、ｐが１）は、一般式〔２〕にお
ける置換基Ｒ°が水ｒＩｉ基である化合物であり、この
ものはさらに必要に応じて公知の方法により酸ハライド
化して一般式〔２〕における置換基Ｒ°がハロゲン原子
である化合物へ誘導することができる。 （２）　光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔三〕
の製造法 （２−ａ）ｐがＯの場合 光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５）において
ｐが０である場合には、以下に示した方法により、前述
した光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕の製
造法（１−ａ）で得た光学活性なエーテル１！（１７）
から誘導することができる。 〔１７］ ↓ バイヤービリ１−鹸化 ↓ 加水分解 （上記反応式中、Ｒ１ｎおよび＊印は前記と同じ意味を
表す、） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔２３〕で示される光学活性なアセトキシナ
フタレン類は、光学活性なエーテル類（１７）をバイヤ
ービリガー酸化することにより製造することができる。 このバイヤービリガー酸化反応に用いられる酸化剤とし
ては、例えば、過酢酸、過ギ酸、メタクロル過安息香酸
、過安息香酸等の過酸が例示される。 かかる過酸は、例えば、対応するカルボン酸と過酸化水
素から生じせしめることもでき、反応系中で過酸を合成
しながら、該反応を行うこともできる。 かかる過酸は、通常、原料の光学活性なエーテルＩｔ（
１７）に対して１当量倍以上必要であり、上限について
は特に制限されないが、好ましくは２当量倍以下である
。 この反応は、通常、溶媒中で行われ、かかる溶媒として
は、例えば、ジクロルメタン、ｌ。 ２−ジクロルエタン、クロロホルム、クロルベンゼン、
ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキ
サン等のハロゲン化炭化水素、芳香族もしくは脂肪族炭
化水素等の反応に不活性な溶媒の単独もしくは混合物が
あげられる反応温度は、通常、−２０℃〜１３０℃、好
ましくは、−１０℃〜１００℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なエーテル
Ｉｔ（１７）の消失をもって反応終了とすることができ
る。 光学活性なアセトキシナフタレンｍ１（２３）の反応混
合物からの取り出しは、通常、過剰の過酸の除去、抽出
、分液、濃縮等の後処理操作を加えることにより行われ
る。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘導
体〔５〕　（但し、Ｐが０）は、上で得た光学活性なア
セトキシナフタレン類〔２３〕を加水分解することによ
り製造することができる。 この加水分解反応は、水の存在下に、酸もしくはアルカ
リを用いて行われる。 ここで用いられる酸としては、例えば、硫酸リン酸、塩
酸のごとき無機酸、Ｐ−）ルエンスｌレホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸、メタンスルホン酸のごとき有１１Ｍがあ
げられる。 また、アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
ｌ、８−ジアザビシクロ［５，４，Ｏ］　？−ウンデセ
ン等の無機または有機塩基があげられる。 かかる酸およびアルカリの使用量は、酸を使用する場合
には、原料の光学活性なアセトキシナフタレンＩｆ（２
３）に対して、通常、０．０２〜１０当量倍の範囲で使
用され、アルカリを使用する場合には、原料の光学活性
なアセトキシナフタレンｌＩ［２３）に対して、１当量
倍以上、好ましくは１０当量倍以下が使用される。 この反応は、水中で行ってもかまわないが、通常は、水
と有機溶媒の共存下で反応を行う。 かかる有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノ
ール、プロパツール、アセトン、メチルエチルケトン、
クロロホルム、ジクロルメタン、トルエン、キシレン、
ヘキサン、ヘプタン、エチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エーテ
ル、アルコール、ケトン、非プロトン性極性溶媒あるい
はハロゲン化炭化水素等の反応に不活性な溶媒の単独も
しくは混合物があげられる。　反応温度は、通常、−３
０°Ｃ−１５０℃、好ましくは、−２０℃〜１００℃の
範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアセトキ
シナフタレン［（２３）の消失をもって反応終了とする
ことができる。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘導
体〔５〕　（但し、ｐがＯ）の反応混合物からの取り出
しは、例えば、酸析、抽出、分液、濃縮等の通常の後処
理操作を加えることにより行われる。 また、光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕　
（但し、Ｐが０）は、前述した光学活性なナフタレンカ
ルボンｉ１！誘導体〔２〕の製造法（１−ａ）で得た光
学活性なアルカノール類〔１５〕または光学活性な低級
アルキルエステルＩｆ　（１６）から製造することもで
きる。 ↓ ベンジル化 ↓ アルキル化 〔１５〕 〔１６〕 ↓　脱ベンジル化 ↓　加水分解 （上記反応式中、Ｒ”　　Ｒ”　　ｎおよび本印は前記
と同じ意味を表す、） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔２４〕で示される光学活性なアルカノール
類および上記一般式〔２５〕で示される光学活性な低級
アルキルエステル類は、それぞれ対応する光学活性なア
ルカノール類〔１５〕または光学活性な低級アルキルエ
ステル類〔１６〕をバイヤービリガー酸化することによ
り製造することができる。 この反応は、前述した光学活性なエーテル類〔１７〕か
ら光学活性なアセトキシナフタレンＩ！（２３）を得る
反応と同様の反応であり、該反応と同様の反応、後処理
条件を光学活性なアルカノールｌ［（１５）または光学
活性な低級アルキルエステルＩＩ（１６）に適用するこ
とにより、それぞれ対応する光学活性なアルカノール類
〔２４〕または光学活性な低級アルキルエステルＩ！（
２５）を得ることができる。 前記一般式〔２６〕で示される光学活性なジオール類は
、上で得た光学活性なアルカノール１１（２４）または
光学活性な低級アルキルエステル！（２５）を加水分解
することにより製造することができる。 この加水分解反応は、水の存在下に、酸もしくはアルカ
リを用いて行われる。 ここで用いられる酸としては、例えば、硫酸リン酸、塩
酸のごとき無機酸、ｐ−）ルエンスルホン酸、ベンゼン
スルホン酸、メタンスルホン酸のごとき有機酸があげら
れる。 また、アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
１．８−ジアザビシクロ［５，４，Ｏ］　７−ウンデセ
ン等の無機または有機塩基があげられる。 かかる酸およびアルカリの使用量は、以下に示すとおり
である。 酸を使用する場合には、原料の光学活性なアルカノール
Ｉｆ（２４）または光学活性な低級アルキルエステルＩ
Ｉ（２５）に対して、通常、０゜０２〜１０当量倍の範
囲で使用される。また、アルカリを使用する場合（は、
原料が光学活性なアルカノールＩＩ（２４）であるとき
は１当量倍以上、原料が光学活性な低級アルキルエステ
ルＩｔ（２５）であるときは２当量倍以上必要であリ、
上限については特に制限されないが、通常ｌＯ当量倍で
ある。 この反応は、水中で行ってもかまわないが、通常は、水
と有機溶媒の共存下で反応を行う。 かかる有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノ
ール、プロパツール、アセトン、メチルエチルケトン、
クロロホルム、ジクロルメタン、トルエン、キシレン、
ヘキサン、ヘプタン、エチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エーテ
ル、アルコール、ケトン、非プロトン性極性溶媒あるい
はハロゲン化炭化水素等の反応に不活性な溶媒の単独も
しくは混合物があげられる。 反応温度は、通常、−３０℃〜１５０℃、好ましくは、
−２０℃〜１００℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアルカノ
ール類〔２４〕または光学活性な低級アルキルエステル
ＩＩ（２５）の消失をもって反応終了とすることができ
る。 光学活性なジオールｌｌ［２６）の反応混合物からの取
り出しは、例えば、酸析、抽出、分液、濃縮等の通常の
後処理操作を加えることにより行われる。 なお、光学活性なアルカノールｌ［（２４）から得られ
る光学活性なジオールＩＩ（２６）と光学活性な低級ア
ル牛ルエステルＩ！（２５）から得られる光学活性なジ
オールＩＩ（２６）とは、対掌体の関係にある。 前記一般式〔２７〕で示される光学活性なベンジルオキ
シナフタレンアルカノール類は、上で得た光学活性なジ
オールＩ！（２６）を一般式（式中、Ｚは前記と同じ意
味を表す、）で示されるハロゲン化ベンジル類と反応さ
せ、光学活性なジオールＩＩ（２６）のフェノール性水
酸基のみを選択的にベンジル化することにより製造する
ことができる。 このベンジル化反応では、触媒として塩基が使用される
。かかる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム等の炭酸アルカリ金属、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、ナトリウムメチ
ラート、ナトリウムエチラート等のアルカリ金属アルコ
ラード等があげられる。 このような塩基は、原料の光学活性なジオール類〔２６
〕に対して１当量倍以上必要であり、通常、１〜５当量
倍用いられる。 反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、エチルエーテル、アセトン、メチルエチルケト
ン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の
エーテル、ケトンまたは非プロトン性極性溶媒等の反応
に不活性な溶媒の単独または混合物が用いられる。 一般式〔２９〕で示されるハロゲン化ベンジル類として
は、具体的には、ベンジルクロリド、ベンジルプロミド
等が例示され、これらは原料の光学活性なジオール［（
２６）に対して１当量倍以上必要であり、上限について
は特に制限されないが、通常、１〜５当量倍用いられる
反応温度は、通常、−２０℃〜１５０℃、好ましくは、
００〜１３０℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なジオール
類〔２６〕の消失をもって反応終了とすることができる
。 光学活性なベンジルオキシナフタレンアルカノールＩＩ
（２７）の反応混合物からの取り出しは、例えば、抽出
、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えることにより
行われる。 前記一般式〔２８〕で示される光学活性なベンジルオキ
シナフタレン類は、上で得た光学活性なベンジルオキシ
ナフタレンアルカノール類〔２７］　　を前記一般式〔
１０〕示されるアルキル化剤と反応させることにより製
造することができる。 この反応は、前述した光学活性なナフタレン誘導体〔１
〕　（但し、ｋおよびｍが０でかつｌがりの製造法と同
様にして行うことができるすなわち、溶媒中、塩基性物
質の存在下に光学活性なベンジルオキシナフタレンアル
カノール！［（２７）とアルキル化剤〔１０〕を反応さ
せることにより製造することができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする光学活性なベ
ンジルオキシナフタレン類〔２８〕を単離することがで
きる。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘導
体〔５〕　（但し、ｐが０）は、上で得た光学活性なベ
ンジルオキシナフタレン類〔２８〕を水添触媒の存在下
、接触水素添加して脱ベンジル化することにより製造す
ることができる。 この接触水素添加反応において水添触媒としては遷移金
属触媒が好ましく用いられ、かかる遷移金属触媒として
は、例えば、酸化白金、Ｐｔ−Ｃ等の白金系、Ｐｄ−Ｃ
，Ｐｄ−ＢａＳＯ４、パラジウム黒等のパラジウム系、
Ｒｈ−Ｃ，Ｒｈ−＾ｈ０３等のロジウム系、酸化ルテニ
ウム、Ｒｕ−Ｃ等のルテニウム系もしくはラネーニッケ
ル等のニッケル系触媒があげられるが、これらの中でも
パラジウム系触媒が特に好ましく用いられる。 これらの水添触媒の使用量は、原料の光学活性なベンジ
ルオキシナフタレン類〔２８〕に対して通常、０．０１
〜１００重量％、好ましくは、０．１〜５０重量％の範
囲である。 反応溶媒としては、メタノール、エタノール等のアルコ
ール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ヘキサ
ン、シクロへ牛サン等の脂肪族炭化水素類、酢酸エチル
等のエステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロトン
性極性溶媒類、酢酸等の脂肪酸類もしくは水などの反応
に不活性な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、これ
らの使用量は特に制限されない。 反応時の水素圧は、通常、１〜２００気圧の範囲である
。 反応温度は、通常、０℃〜２００″Ｃ１好ましくは２０
℃〜１８０°Ｃの範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なベンジル
オキシナフタレンｌＩＣ２Ｂ）の消失もしくは水素吸収
の停止をもって反応終了とすることができる。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘導
体〔５〕　（但し、ｐがＯ）の反応混合物からの取り出
しは、例えば、濾過、抽出、分液、濃縮等の通常の後処
理操作を加えることにより行われる。 （２−ｂ）ｐが１の場合 光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体［５］において
ｐが１である場合には、以下に示した方法により、前述
した光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕の製
造法（２−ａ）で得た光学活性なベンジルオキシナフタ
レンアルカノールｌ［（２７）から誘導することができ
る〔２７〕 ↓ エステル化 ↓ 脱ベンジル化 （上記反応式中、Ｒ”　　ｎ、および＊印は前記と同し
意味を表す、） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔３０）で示されるベンジルオキシナフタレ
ン類は、光学活性なベンジルオキシナフタレンアルカノ
ール［（２７）を前記一般式
〔９〕で示されるカルボン
酸類と反応させることにより製造することができる。 この反応は、前述した光学活性なナフタレンｔＲ導体〔
１〕　（但し、ｋおよびｍがＯでかつ１が１）の第１の
製造法と同様にして行うことができる。 すなわち、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒もしく
は縮合剤を用いて光学活性なベンジルオキシナフタレン
アルカノールＩＩ（２７）とカルボン！１ｍ１（９）を
反応させることにより製造することができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする光学活性なベ
ンジルオキシナフタレン類［！Ｏ）　　を単離すること
ができる。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレンＩＩ
！：ｓ体〔５〕　（但し、ｐが１）は、上で得た光学活
性なベンジルオキシナフタレン類〔３０〕を水添触媒の
存在下、接触水素添加して脱ベンジル化することにより
製造することができる。 この反応は、前述した光学活性なヒドロキシナフタレン
誘導体〔５〕の製造法（２−ａ）にオケる光学活性なベ
ンジルオキシナフタレン類〔２８）から光学活性なヒド
ロキシナフタレン誘導体〔５Ｊ　（但し、ｐがＯ）を得
る反応と同様にして行うことができる。 反応混合物からの目的化合物である光学活性なヒドロキ
シナフタレン誘導体〔５〕　（但し、Ｐが１）の取り出
しは、例えば、濾過、抽出、分液、濃縮等の通常の後処
理操作を加えることにより行われる。 （２−ｃ）ｎが２〜６の場合 光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕において
れが２〜６の場合には、以下に示した方法により製造す
ることができる。 ↓　脱ベンジル化 （上記反応式中、Ｒ”　　Ｒ”　　ｎ、ｐおよび＊印は
前記と同じ意味を表し、Ｘ′は臭素またはヨウ素原子を
示す、） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔３３〕で示される不飽和低級エステル類は
、上記の２−ベンジルオキシ−６−ハロナフタレン〔３
１］と一般式〔３２］エステル化 （式中、Ｒ３およびｎは前記と同じ意味を表す、） で示されるオレフィンｌｌＦ　（３２）とを、金属触媒
と塩基性物質存在化で反応させることにより製造するこ
とができる。 ２−ベンジルオキシ−６−ハロナフタレン〔３１〕は公
知化合物であり、具体的には２−ベンジルオキシ−６−
ブロモナフタレン、２−ベンジルオキシ−６−ヨードナ
フタレンが挙げられ、上記一般式Ｃ３２〕で示されるオ
レフィン類も文献記載の方法に準じて製造することがで
きる。 オレフィン！！（３２）の使用量は、２−ベンジルオキ
シ−６−ハロナフタレン（３１）に対して通常、０．９
〜１０倍等量であるが、好ましくは、　１〜２倍等量で
ある。 金属触媒としては、パラジウム系では塩化パラジウム、
酢酸パラジウム、トリフェニルホスフィンパラジウム錯
体、パラジウム／炭素などが用いられ、ニッケル系およ
びロジウム系についても前記と同様な触媒が用いられる
。 これらの金属触媒の使用量は、２−ベンジルオキシ−６
−ハロナフタレン〔３１］に対して１Ｏ−３〜１Ｏ−１
倍等量の範囲である。 この反応では、上記金属触媒のほかに、助触媒として３
価のリン化合物が必要であり、それらとしては一般式〔
３４〕 ６ Ｒ’−Ｑ−Ｒ？　　　　　　　（３４）（式中、ＱはＰ
またはＡｓ原子を表わし、Ｒ＄ＲｈおよびＲ７は同一ま
たは異なっていてもよいアルキル基、アリール基、アル
コキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン原子を示す
。 ） で示される化合物であって、具体的にはトリーｎ−７”
チルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリーｏ−
）リルホスフィン、トリーロートリルホスファイト、三
塩化リン、トリフェニルヒ素などが例示される。 これらのリン化合物またはヒ素化合物の使用量は、上記
の金属触媒に対して０．５〜５０倍等量、好ましくはｌ
Ｏ〜３０倍等量である。 塩基としては、アルカリ金属の炭酸塩、カルボン酸塩、
アルコキサイド、水酸化物などや、有機塩基が挙げられ
るが、３級アミンまたは２級アミン（有機塩基）が好ま
しく用いられ、これらはトリエチルアミン、ジ−イソプ
ロピルエチルアミン、トリーｎ−ブチルアミン、Ｎ−メ
チルピロリドン、ジメチルアニリンなどが例示される。 塩基の使用量は、２−ベンジルオキシ−６−ハロナフタ
レン〔３１〕に対して０．９５〜１．１倍等量である。 必要により、適当な溶媒、たとえば、アセトニトリル、
テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメ
チルホスホリルアくド、Ｎ−メチルピロリドン、メタノ
ールなどを反応溶媒として使用することもできる。 これらの反応溶媒の使用量は特に制限されない。 なお、本反応は通常窒素、アルゴン等の不活性ガス中で
行われる。 本方法においては、反応温度を高めることにより、目的
とする不飽和ナフタレン類（３３）の収率を向上させる
ことができるが、あまり高温では副生物が増加するので
、通常反応温度は１５〜１９０℃であり、好ましくは１
００〜１５０℃である。 不飽和ナフタレン類（３３）の反応混合物からの取り出
しは、抽出、分液、濃縮、再結晶等の後処理操作を加え
ることにより行われる。 光学活性な不飽和アルカノールＩＩ（３５）および光学
活性な不飽和低級エステルＩＩ（３６］は、上で得た不
飽和ナフタレンＩ！（３３）を、該不飽和ナフタレン類
の光学異性体のうちいずれか一方のみを優先的に加水分
解する能力を有するエステラーゼを用いて不斉加水分解
することにより製造することができる。 この反応は（１−ａ）で説明した光学活性なナフタレン
カルボン酸誘導体〔２〕の製造方法における、光学活性
なアルカノールＩｔ（１５）および〔１６〕で示される
光学活性な低級アルキルエステル類を、アセチルナフタ
レン類〔１４〕から製造する反応と同様にして、製造す
ることができる。 このような光学活性な不飽和アルカノール類〔３５〕お
よび光学活性な不飽和低級エステル類〔３６〕の反応混
合物からの取り出しおよび分離は、反応混合物に通常の
後処理、例えば、酢酸エチル等の溶媒により抽出処理し
、得られた有機層から溶媒を留去した後、濃縮残金をカ
ラムクロマトグラフィーで処理する等の方法により行わ
れる。 また、このようにして得られた光学活性な不飽和低級エ
ステル類〔３６〕は、必要に応じて更に加水分解するこ
とにより、光学活性な不飽和アルカノールｍ１（３５）
を得ることができるここで得られる光学活性な不飽和ア
ルカノールｌ［（３５）は、先に不斉加水分解反応によ
り得た光学活性な不飽和アルカノールＩ！（３５）とは
対掌体の関係にある。 なお、光学活性な不飽和低級エステル類〔３６〕の加水
分解は、−Ｊｌ的なエステル化合物の加水分解反応の条
件が適用され、特に限定されるものではない。 次に光学活性な不飽和ナフタレン類（ただしＰ−０）（
３７）は、上で得た光学活性な不飽和アルカノールＩｆ
（３５）を前記一般式（１０）示されるアルキル化剤と
反応させることにより製造することができる。 この反応は、前述した光学活性なナフタレン誘導体〔１
〕　（但し、ｋおよびｍが０でかつｌが１）の製造法と
同様にして行うことができるすなわち、溶媒中、塩基性
物質の存在下に光学活性な不飽和アルカノールＩＩ（３
５）とアルキル化剤（１０）とを反応させることにより
製造することができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする光学活性な不
飽和ナフタレンＩｔ（３７）を単離することができる。 次に光学活性な不飽和ナフタレンＩｔ（３７）（ただし
、ｐ−１）は、上で得た光学活性な不飽和アルカノール
類〔３５〕を前記一般式
〔９〕で示されるカルボン＃類
と反応させることにより製造することができる。 この反応は、前述した光学活性なナフタレン誘導体（Ｉ
）（但し、ｍが１でかつＸが−ＣＯ０−）の製造法と同
様にして行うことができるすなわち、溶媒の存在下ある
いは非存在下に触媒もしくは縮合剤を用いて光学活性な
不飽和アルカノール誘導体〔３５〕とカルボン酸類〔９
〕を反応させることにより製造することができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする光学活性な不
飽和ナフタレンｍ１（３？）（ただし、ｐ＝１）を単離
することができる。 また目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン
誘導体〔５〕は、上で得た光学活性な不飽和ナフタレン
Ｉ！（３７）を水添触媒の存在下、接触水素添加して脱
ベンジル化すると同時に二重結合を飽和化することによ
り製造することができる。 この接触水素添加反応において水添触媒としては遷移金
属触媒が好ましく用いられ、かかる遷移金属触媒として
は、例えば、酸化白金、ｐｉ−Ｃ等の白金系、Ｐｄ４．
　Ｐｄ−ＢａＳＯ４、パラジウム黒等のパラジウム系、
Ｒｈ−Ｃ，Ｒｈ−＾ｌｘ’ｓ等のロジウム系、酸化ルテ
ニウム、Ｒｕ−Ｃ等のルテニウム系もしくはラネーニッ
ケル等のニッケル系触媒があげられるが、これらの中で
もパラジウム系触媒が特に好ましく用いられる。 これらの水添触媒の使用量は、原料の光学活性な不飽和
ナフタレンＩＩ（３７）に対して通常０．０ｌ−１００
重量％、好ましくは、０．１〜５０重量％の範囲である
。 反応溶媒としては、メタノール、エタノール等のアルコ
ール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、酢酸エチル
等のエステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロトン
性極性溶媒類、酢酸等の脂肪酸類もしくは水などの反応
に不活性な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、これ
らの使用量は特に制限されない。 反応時の水素圧は、通常、１〜２００気圧の範囲である
。 反応温度は、通常、０℃〜２００℃、好ましくは２０°
Ｃ−１８０°Ｃの範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性な不飽和ナ
フタレンｆｆ（３７）の消失もしくは水素吸収の停止を
もって反応終了とすることができる。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘導
体〔５〕の反応混合物からの取り出しは、例えば、濾過
、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えること
により行われる。 （２−ｄ）ｎが０の場合 一般式〔５〕で示される光学活性なヒドロキシナフタレ
ン誘導体は、一般式〔４２］ 〔４２〕 （式中、ＲＺ　、　ｐおよび＊印は前記と同じ意味を表
わす、） で示される光学活性なベンジルオキシナフタレン誘導体
を、溶媒中で、水添触媒および水素の存在下に脱ベンジ
ル化することにより製造することができる。 ここで、水添触媒としては、Ｐｔ０ｔ、　Ｐｔ−ｃ等の
白金糸もしくはＰｄ−Ｃ％Ｐｄ−Ｂａ５Ｏａ、パラジウ
ム黒等のパラジウム系もしくはＲｈ−Ｃ，Ｒｈ−Ａｌｔ
ｏ２等のロジウム系もしくはＲＵＯｘ、　Ｒｕ−Ｃ等の
ルテニウム系もしくはラネーニッケル等のニッケル系触
媒などが挙げられ、パラジウム系触媒が好ましく使用さ
れる。 水添触媒は、一般式〔４２〕で示される光学活性なベン
ジルオキシナフタレン誘導体に対して通常０．０１〜１
００重量％、好ましくは０．１〜５０重量％使用される
。 ここで、溶媒としてはメタノール、エタノール等のアル
コール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル類、ベンゼン、トルエン等ノ芳香族炭化水素類、ｎ−
ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、酢酸
エチル等のエステル類、ジメチルホルムアミド等のアミ
ド類、酢酸等の脂肪ｔａ類もしくは水などの単独または
混合物が例示される。 反応での水素圧は通常ｌ〜２００気圧である。 反応温度は、通常０〜２００°Ｃ１より好ましくは２０
〜１８０“Ｃで行う０反応時間は水添触媒の種類、反応
温度および水素圧により異なり特に限定されないが、反
応終点は通常光学活性なベンジルオキシナフタレン誘導
体〔４２］の反応系からの消失もしくは水素吸収の停止
により決定される。 反応混合物からの一般式〔４２〕で示される光学活性な
ヒドロキシナフタレン誘導体の取出しは、濾過、濃縮、
再結晶、蒸留またはカラムクロマトグラフィー等の通常
の後処理操作を加えることにより行われる。 −Ｃ式〔４２〕で示され、かつＰが１である光学活性な
ベンジルオキシナフタレン誘導体は、式（式中、＊印は
前記と同し意味を表す、）で示される光学活性なアルコ
ール化合物と一般式％式％（９） （式中、Ｒ２は前記と同し意味を表す、）で示されるカ
ルボン酸もしくはその誘導体とを、触媒もしくは縮合剤
の存在下に反応させることにより製造することができる
。 一般式
〔９〕における置換基Ｒとしては、具体的には、
前記したものが例示される。 この反応においては、これらの置換基を有するカルボン
酸またはそれらの酸無水物あるいは酸クロリドもしくは
酸プロミド等の酸ハライドが使用される。 なお、これらのカルボン酸もしくはその誘導体はラセミ
体あるいは光学活性体のいずれであってもよく、カルボ
ン酸が光学活性体である場合に、その中のあるものは対
応するアルコールの酸化またはアミノ酸の還元的脱アミ
ノ化により得られ、また、あるものは天然に存在するか
あるいは分割により得られる以下に示すような光学活性
アミノ酸または光学活性オキシ酸より誘導することがで
きる。 アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニル
アラニン、セリン、スレオニン、アロスレニオン、ホモ
セリン、アロイソロイシン、ｔｅｒｔ−ロイシン、２−
アミノ！１酸、ノルバリン、ノルロイシン、オルニチン
、リジン、ヒドロキシリジン、フェニルグリシン、トリ
フルオロアラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、乳
酸、マンデル酸、トロパ酸、３−ヒドロキシ酪酸、リン
ゴ酸、酒石酸、イソプロピルリンゴ酸等。 このようなカルボン酸もしくはその誘導体と一般式〔４
３〕で示される光学活性なアルコール化合物との反応は
、溶媒の存在下または非存在下に行われる。溶媒として
は、たとえばテトラヒドロフラン、エチルエーテル、ア
セトン、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼン、ク
ロロホルム、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロ
ルエタン、四塩化炭素、ジメチルホルムアミド、ヘキサ
ン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エーテル、ケト
ン、アミドあるいはハロゲン化炭化水素等の反応に不活
性な溶媒の単独または混合物が挙げられ、その使用量は
特に制限されない。 この反応において酸無水物または酸ハライドを用いる場
合には、該反応は触媒を用いて行われる酸無水物または
酸ハライドの使用量は光学活性なアルコール化合物〔４
３〕に対して１当量倍以上用いられ、上限については特
に制限されないが、好ましくは４当量倍以下である。 触媒としては、たとえばジメチルホルムアミノピリジン
、トリエチルアミン、トリーｎ−ブチルアミン、ピコリ
ン、イミダゾール、炭酸ナトリウムもしくは炭酸水素カ
リウム等の有機あるいは無機塩基性物質が挙げられ、ま
た、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸など
の有Ｉ！酸あるいは無機酸が挙げられる。 触媒の使用量は、特に制限されるものではないが、例え
ば酸ハライドを使用する場合には、核酸ハライドに対し
て１当量倍以上である。 また、反応においてカルボン酸〔９１を使用する場合に
は、該反応は縮合剤を用いて行われる。 カルボン酸の使用量は、通常、光学活性なアルコール化
合物〔４３〕に対して１〜２当量倍である縮合剤として
はＮ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミド、Ｎ−シ
クロへキシル−Ｎ’　−（４−ジエチルアミノ）シクロ
ヘキシルカルボジイミドの如きカルボジイミドが好まし
く用いられ、また必要により４−ピロリジノピリジン、
ピリジントリエチルア逅ンの如き有機塩基が併用される
縮合剤の使用量はカルボン酸
〔９〕に対して１〜１．２
当量倍であり、有機塩基を使用する場合にその使用量は
、縮合剤に対して０．０１〜０．２当量倍である。 反応温度は通常、−８０°Ｃ〜１２０″Ｃ好ましくは一
２０°Ｃ〜９０″Ｃで行われる。 反応時間は特に制限されず、光学活性なアルコール化合
物〔４３〕が反応系から消失した時点を反応終点とする
ことができる。 一般式〔４２〕で示され、かつｐが１である光学活性な
ベンジルオキシナフタレン誘導体の反応混合物からの取
出しは、例えば抽出、分液、濃縮、再結晶またはカラム
クロマトグラフィー等の通常の後処理操作を加えること
により行われる。 一般式〔４２］で示され、かつｐが０である光学活性な
ベンジルオキシナフタレン誘導体は、−般式〔４３〕で
示される光学活性なアルコール化合物と、一般式〔１０
〕で示されるアルキル化剤とを、溶媒中、塩基性物質の
存在下に反応させることにより製造することができる。 塩基性物質としては水素化ナトリウム、水素化カリウム
のごときアルカリ金属水素化物、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化カルシウムのごとき水酸化アルカ
リ金属あるいは水酸化アルカリ土類金属、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウムのごとき炭酸アルカリ金属、ブチルリ
チウムなどが、またリチウム、ナトリウム、カリウム等
のアルカリ金属類が例示さる。 かかる塩基性物質は光学活性なアルコール類〔４３〕に
対して１当量倍以上用いられ、上限については特に制限
されないが、好ましくは１〜５当量倍使用される。 この反応で使用されるアルキル化剤とは、炭素数１〜２
０のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基ま
たはアルコキシアルキル基を有するクロリド、プロミド
、アイオダイド等のハロゲン化物あるいは硫酸エステル
Ｉｆ（メタンスルホン酸エステル、エタンスルホン酸エ
ステル、ベンゼンスルホン酸エステル、トルエンスルホ
ン酸エステル等〕である。なお、アルキル化剤〔１０〕
における置換基Ｒ１の具体的例示は、カルボン酸
〔９〕
における置換基Ｒ２と同様である。 これらのアルキル化剤は、必要により相当するアルコー
ルから容易に台底することができる。 また、アルキル化剤〔１０〕おける置換基Ｒ２は光学活
性基であってもよく、これらの光学活性基を有するアル
キル化剤（ハロゲン化物あるいは硫酸エステルｌ［）は
必要により相当する光学活性アルコールから台底される
。 核光学活性アルコールのうちのあるものは、対応するケ
トンの不斉金属触媒または微生物もしくは酵素による不
斉還元により容易に得られる。またあるものは、天然に
存在するか、または分割により得られる次のような光学
活性アミノ酸及び光学活性オキシ酸から誘導できる。バ
リン、ロイシン、インロイシン、フェニルアラニン、ス
レオニン、アロスレオニン、ホモセリン、アロイソロイ
シン、ｔｅｒｔ−ロイシン、２−アミノ酸酸、ノルバリ
ン、ノルロイシン、オルニチン、リジン、ヒドロキシリ
ジン、フェニルグリシン、アスパラギン酸、クルタ暑ン
酸、マンデル酸、トロバ酸、３−ヒドロキシ酪酸、リン
ゴ酸、酒石酸、イソプロピルリンゴ酸等。 このようなアルキル化剤〔１０〕は、光学活性なアルコ
ール化合物〔４３〕に対して１当量倍以上任意であるが
、通常は１〜５当量倍使用される反応溶媒としては、例
えばテトラヒドロフラン、エチルエーテル等のエーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、トル
エン、ベンゼン等の芳香族炭化水素類、クロロホルム、
ジクＯＪＬｔメタン、ジクロルエタンもしくはクロルベ
ンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン
等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミドもしく
はＮ−メチルピロリドン等の極性溶媒などを使用するこ
とができる。 反応温度は、通常−５０°Ｃ−１２０℃、好ましくは一
８０″Ｃ−１００″Ｃで行われる。 反応時間は特に制限されず、通常、一般式〔４３〕で示
される光学活性なアルコール化合物が反応系から消失し
た時点をもって反応終点とすることができる。 一般式〔４２］で示され、かつＰが０であるベンジルオ
キシナフタレン誘導体の反応混合物からの取出しは、例
えば抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えるこ
とにより行われる。 一般式〔４３〕で示される光学活性だアルコール化合物
は、一般式〔４４〕 （式中、Ｒ３は前記と同じ意味を表す、）で示されるエ
ステル類を、該エステル類の光学異性体のうちいずれか
一方のみを加水分解する能力を有するエステラーゼを用
いて、不斉加水分解することにより製造することができ
る。 この反応は（１−ａ）で説明した光学活性なナフタレン
カルボン酸誘導体の製造方法における、光学活性なアル
カノールｌ［（１５）および〔１６〕で示される光学活
性な低級アルキルエステル類を、アセチルナフタレンＩ
Ｉ　（１４）から製造する反応と同様にして製造するこ
とができる。 光学活性なアルコール化合物〔４３〕の反応混合物から
の取出しは、反応混合物を通常の後処理、例えば酢酸エ
チル等の溶媒により抽出処理し、得られた有機層から溶
媒を留去した後、ＩＩＶａ残渣をカラムクロマトグラフ
ィーで処理する等の方法により行われる。 このようにして、不斉加水分解生成物として光学活性な
アルコール化合物〔４３］と不斉加水分解残として一般
式〔４４〕で示され、かつ光学活性体であるエステル類
が得られるが、不斉加水分Ｍ残である光学活性なエステ
ル類は、必要に応して更に加水分解することにより、先
の不斉加水分解反応で得たものとは体軍体の光学活性な
アルコール化合物〔４３〕を得ることができる。 一般式〔４４〕で示されるエステル類は、式〔４５〕 で示されるエタノール誘導体を、一般式〔１６〕で示さ
れるカルボン酸もしくはそのｔＲ誘導体、溶媒中、触媒
の存在下にエステル化することによ・り製造される。　
　　　　　　　　　　　竺、Ｓ　；；ａカルボン酸〔１
８］もしくはその誘導体としては、例えば酢酸、プロピ
オン酸、無水酢酸、無事プロピオン酸、酢酸クロリドも
しくはプロＬ、Ｆ・、プロピオン酸クロリドもしくはブ
ロミ＋、ブチリルクロリドもしくはプロミド、バレロイ
、ルク１リドもしくはプロミドなどが挙げられる。−Ｌ
これらは、エタノール誘導体〔４５〕に対゛シ２工１当
量倍以上必要であり、上限については特に制限されない
が、好ましくは４当量倍使用される。 エステル化は触媒の存在下に行われ、該触媒としては、
たとえばジメチルアミノピリジン、トリエチルアミン、
トリーｎ−ブチルアミン、ピリジン、ピコリン、イミダ
ゾール、炭酸ナトリウム、ナトリウムメチラート、炭酸
水素カリウム等の有機あるいは無機塩基物質があげられ
る。又、トリエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸
当の酸類を触媒として用いることもできる。 その使用量は特に制限されないが、通常、エタノール誘
導体〔４５〕に対して１〜５当量倍である。 このエステル化反応において、使用する溶媒としてはた
とえばテトラヒドロフラン、エチルエーテル、アセトン
、メチルエチルケトン、ヘキサントルエン、ベンゼン、
クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエタン、ク
ロロホルム、四塩化炭素、ジメチルホルムア稟ド、ピリ
ジン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エーテル、ハ
ロゲン化炭化水素、非プロトン性極性溶媒または有機ア
ミン等の反応に不活性な溶媒の単独または混合物があげ
られる。 その使用量については特に制限なく使用することができ
る。 溶媒として有機アミンを使用する場合は、該アミンが触
媒として作用することもある。 反応温度は通常−３０℃〜１００℃、好ましくは一２０
℃〜９０°Ｃで行われる。 反応時間は特に制限されず、原料のエタノール誘導体〔
４５〕が消失した時点を反応の終点とすることができる
。 エステル類〔４４〕の取出しは、反応混合物に通常の分
離手段、たとえば抽出、分液、濃縮、再結晶等の後処理
操作を加えることにより行われる。 −ａ式〔４５〕で示されるエタノール誘導体は一般式〔
４６〕 （式中、Ｙ′は塩素、臭素又は沃素原子を示す、）で示
されるグリ二中−ル化合物とアセトアルヒデドを反応さ
せることにより製造することができる。 グリニヤール化合物〔４６〕は、対応するハロゲンナフ
タリン誘導体とマグネシウムから容易に製造することが
できる。 この反応は、通常、溶媒中で行われ、かかる溶媒として
はエチルエーテルもしくはテトラヒドロフラン等のエー
テル類あるいはベンゼン、トルエンもしくはキシレン等
の芳香族炭化水素類などの単独もしくは混合物が挙げら
れ、これらの使用量は特に制限されない。 反応温度は、通常、−１００℃〜８０℃、好ましくは一
８０℃〜５０℃で行い、反応時間は特に制゛県されない
。 反応混合物からのエタノール銹導体〔４５〕の取出しは
１例えば、酸による加水分解、抽出、分液４濃縮および
再結晶またはカラムクロマトグラフィ′−等Ｏ這常の後
処理により行われる。 ’（’！　）　、光学活性なアルコキシナフタレンアル
カノ“＝ル誘導体〔８〕の製造法 光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール１導体〔
８〕は、以下に示した方法により前述した光学活性なヒ
ドロキシナフタレン誘導体〔５〕の製造法（２−ａ）で
得た光学活性なジオール類〔２６〕から誘導することが
できる。 ↓　アルキル化 （上記反応式中、Ｒ’　　ｎおよび＊印は前記と同じ意
味を表す、） 以下、詳細に説明する。 目的化合物である光学活性なアルコキシナフタレンアル
カノール誘導体〔８〕は、光学活性なジオールＩＩ（２
６）を前記一般式〔７〕で示されるアルキル化剤と反応
させ、光学活性なジオール類〔２６〕のフェノール性水
敞基のみを選択的にアルキル化することにより製造する
ことができる。 このアルキル化反応では、触媒として塩基が使用される
。 かかる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム等の炭酸アルカリ金属、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム等の水酸化アルカリ金属、ナトリウムメチラ
ート、ナトリウムエチラート等のアルカリ金属アルコラ
ード等があげられる。 このような塩基は、原料の光学活性なジオール類〔２６
〕に対して１当量倍以上必要であり、通常、ｌ〜５当量
倍用いられる。 反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、エチルエーテル、アセトン、メチルエチルケト
ン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の
エーテル、ケトンまたは非プロトン性極性溶媒等の反応
に不活性な溶媒の単独または混合物が用いられる。 アルキル化剤〔７〕の使用量は、原料の光学活性なジオ
ール［（２６）に対して１当量倍以上任意であるが、通
常、１〜５当量倍の範囲である。 反応温度は、通常、−２０“Ｃ−１５０℃、好ましくは
、０°Ｃ−１３０℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なジオール
！（２６）の消失をもって反応終了とすることができる
。 目的化合物である光学活性なアルコキシナフタレンアル
カノール誘導体〔８〕の反応混合物からの取り出しは、
例えば、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加え
ることにより行われる。 また光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール誘導
体〔８〕のうち、ｎが２〜６の場合は以下に示す方法に
より製造することができる。 （上記反応式中、ＲＩ　　Ｒ３１、ｎおよび＊印は前記
と同じ意味を表し、Ｘｏは臭素またはヨウ素原子を示す
、） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式（３８））で示される、２−アルコキシ−６
−ハロナフタレンと、オレフィン類〔３２〕とを、金属
触媒と塩基性物質存在化で反応させることにより製造す
ることができる。 ２−アルコキシ−６−ハロナフタレン〔３８〕は公知化
合物であり、オレフィン！（３２）も文献記載の方法に
準じて製造することができる。 この反応は、（２−ｃ）の光学活性なヒドロキシナフタ
レン誘導体〔５〕製造方法において２−ベンジルオキシ
−６−ハロナフタレン〔３１）とオレフィンＩＩ（３２
）とを、金属触媒と塩基性物質存在化で反応させること
により不飽和ナフタレン類（３３）を製造する方法と同
様である。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とするアルコキシナ
フタレン不飽和低級エステル化合物（３９））を単離す
ることができる。 次に、光学活性なアルコキシナフタレン不飽和アルカノ
ールＩＩ　（４０）および光学活性なアルコキシナフタ
レン不飽和低級エステル類〔４１〕は、上で得たアルコ
キシナフタレン不飽和低級エステル化合物〔３９〕を、
該アルコキシナフタレン不飽和低級エステル化合物の光
学異性体のうちいずれか一方のみを加水分解する能力を
有するエステラーゼを用いて不斉加水分解することによ
り製造することができる。 この反応、は（１−ａ）で説明した光学活性なナフタレ
ンカルボンｉｉ２誘導体〔２〕の製造方法における、光
学活性なアルカノール［（１５］および〔１６〕で示さ
れる光学活性な低級アルキルエステル類を、アセチルナ
フタレン類〔１４〕から製造する反応と同様にして、製
造することができる。 ・このような光学活性なアルコキシナフタレン不飽和ア
ルカノールＩｌ［４０）および光学活性なアルコキシナ
フタレン不飽和低級エステル類〔４１〕の反応混合物か
らの取り出しおよび分離は、反応混合物に通常の後処理
、例えば、酢酸エチル等の溶媒により抽出処理し、得ら
れた有機層から溶媒を留去した後、濃縮残金をカラムク
ロマトグラフィーで処理する等の方法により行われる。 また、このようにして得られた光学活性なアルコキシナ
フタレン不飽和低級エステル類〔４１］は、必要に応じ
て更に加水分解することにより、光学活性なアルコキシ
ナフタレン不飽和アルカノールＩ！（４０）を得ること
ができる。 ここで得られる光学活性なアルコキシナフタレン不飽和
アルカノールＩｆ（４０）は、先に不斉加水分解反応に
より得た光学活性なアルコキシナフタレン不飽和アルカ
ノールＩＩ（４０）とは対掌体の関係にある。 なお、光学活性なアルコキシナフタレン不飽和低級エス
テル１１（４１）の加水分解は、−船釣なエステル化合
物の加水分解反応の条件が適用され、特に限定されるも
のではない。 また目的化合物である光学活性なアルコキシナフタレン
誘導体〔８〕は、上で得た光学活性なアルコキシナフタ
レン不飽和アルカノール類〔４０〕を水添触媒の存在下
、接触水素添加して二重結合を飽和化することにより製
造することができる。 この反応は前述した光学活性な不飽和ナフタレンｌ［（
３７）を水添触媒の存在下、接触水素添加して光学活性
なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕を得る反応と同様
である。 次に、光学活性なナフタレンカルボ＃Ｉ銹導体〔２〕、
光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕および光
学活性なアルコキシナフタレンアルカノール銹導体〔８
〕の共通の原料化合物であるアルコール化合物［１２］
　　の製造法について説明するアルコール化合物：ｔ　
２）　　は、種々の方法により製造することができるが
、以下にその主な製造法を示す。 ［製造法１］ （式中、Ｚおよびｎは前記と同じ意味を表す、）で示さ
れるハロアルキルナフタレン類をマグネシウムと反応さ
せてグリニヤール試薬を製造し、このグリニ中−ル試薬
をアセトアルデヒドと反応させることにより製造するこ
とができる。 この反応は、一般的なグリニヤール反応の条件が適用さ
れ、特に制限されない。 なお、原料となるハロアルキルナフタレン類〔４７〕は
、以下に示すような方法で得ることができる。 ｎが１から３の場合には、一般式〔４８〕口＊（ＩＩ）
ジリチウムを触媒として、一般式％式％（４９） （式中、Ｚは前記と同じ意味を表す、）で示されるハロ
ゲン化ナフタレン類をマグネシウムと反応させてグリニ
ヤール試薬を製造し、このグリニヤール試薬をホルムア
ルデヒド、酸化エチレンまたはオキセタンと反応させて
、ハロアルキルナフタレン！！（４７）に対応するヒド
ロキシアルキルナフタレン類を得、さらにこのヒドロキ
シアルキルナフタレン類の水酸基を公知の方法により、
ハロゲン原子に置換することにより製造することができ
る。 また、ｎが３から６の場合には、ハロゲン化ナフタレン
ｍ！（４３）とマグネシウムから製造されるグリニ中−
ル試薬をＪ、Ａａ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、ＪｉＬ７１０１
　（１９７４）に記載の方法に準じて、テトラクロ（式
中、Ｚは前記と同し意味を表す、）テ示すれるジハロア
ルカン類とカップリング反応させることにより製造する
ことができる。 〔製造法２コ アルコール化合物〔１２〕は一般式〔５０〕（式中、２
およびｎは前記と同し意味を表す、）で示されるハロア
ルキルナフタレン類をマグネシウムと反応させてグリニ
ヤール試薬を製造し、このグリニヤール試薬を酸化プロ
ピレンと反応させることにより製造することができる。 この反応は、一般的なグリニヤール反応の条件が適用さ
れ、特に制限されない。 なお、原料となるハロアルキルナフタレン類〔５０〕は
、先に説明したハロアルキルナフタレンＩＩ（４７）と
同様にして得ることができる。 ［製造法３］ アルコール化合物〔１２〕は、以下に示す方法によって
も製造することができる。 すなわち、前記一般式〔４８〕で示されるハロゲン化ナ
フタレン類をニッケル触媒の存在下一般式〔５１〕 （式中、Ｚおよびｎは前記と同じ意味を表す、）で示さ
れる環状ケタール化合物とマグネシウムから調製される
グリニヤール試薬と反応させて一般式〔５２〕 （式中、ｎおよびｑは前記と同じ意味を表す、）で示さ
れる環状ケタール類を得、次いで、核環状ケタール類を
加水分解して、一般式〔５３〕（式中、ｎは前記と同じ
意味を表す、）で示されるケトン類を得、さらに該ケト
ン類を還元することにより、目的とするアルコール化合
物〔１２〕を製造することができる。 第一段目のグリニヤール試薬において用いられるグリニ
ヤール試薬は、環状ケタール化合物〔５１〕とマグネシ
ウムから公知の方法によって製造することができ、該グ
リニヤール試薬は、原料のハロゲン化ナフタレンｌＩＣ
４Ｂ）に対して１当量倍以上、好ましくは、１〜３当量
倍使用される。 ニッケル触媒としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル、
ヨウ化ニッケル、ビス（アセチルアセトナト）ニッケル
、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、
ジクロロ［１，２−ヒス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン］ニッケル、ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）プロパン］ニッケルまたはジクロロ［１，４
−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］二、ケル等が
例示され、これらの中でもジフェニルホスフィノ基また
はトリフェニルホスフィン基を有するニッケル触媒が好
ましく使用される。 該ニッケル触媒は、通常、原料のハロゲン化ナフタレン
ＩＩ　（４Ｂ）に対して０．０１〜５０モル％、好まし
くは、０．１〜１０モル％使用される。 反応溶媒としては、エチルエーテルまたはテトラヒドロ
フラン等のエーテル類あるいはベンゼン、トルエンもし
くはキシレン等の芳香族炭化水素類等の単独もしくは混
合物があげられ、これらの溶媒の使用量は特に制限され
ない。 反応は、通常、−１００〜８０℃、好ましくは、−８０
〜５０℃で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からの環状ケタール類（５２）の取り出しは
、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等の
操作を加えることにより行われ、必要に応じて再結晶ま
たはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の方法によ
り、精製することもできるが、精製せずに第二段目の加
水分解反応に供することもできる。 第二段目の加水分解反応は、ケタール基を加水分解して
ケトン基とする反応である。この反応は、通常、水溶媒
中、酸触媒の存在下で行われ、かかる酸触媒としては塩
酸、硫酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、シュウ酸、ケイ酸
、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が例
示される。 反応は、水溶媒中で行われるが、原料のハロゲン化ナフ
タレン類（４８）と水との相溶性を向上させるためにし
ばしば有機溶媒が併用され、このような有機溶媒として
は、メタノール、エタノールもしくはイソプロピルアル
コール等のアルコール類、テトラヒドロフランもしくは
ジオキサン等のエーテル類、アセトンもしくはメチルイ
ソブチルケトン等のケトン類、ベンゼンもしくはトルエ
ン等の芳香族炭化水素類またはジクロルメタンもしくは
クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類が等が例示され
る。 反応は、通常、−３０〜１００℃、好ましくは、２０〜
８０℃で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からのケトンＩｆ（５３）の取り出しは、通
常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等の操作
を加えることにより行われ、必要に応じて再結晶または
シリカゲルカラムクロマトグラフィー等の方法により、
精製することもできる。 第三段目の還元反応は、ケトンＩ！（５３）を還元して
アルコール化合物〔１２〕を得る反応である。 この反応では、ケトンをアルコールに還元する還元剤が
用いられ、かかる還元剤としては、水素化アラえニウム
リチウム、水素化ホウ素ナトリウムあるいは水素化ホウ
素等が例示され、これらの還元剤は原料のケトンＩｔ（
５３）に対して１当量倍以上、通常、１−１０当量倍使
用される。 この反応は、溶媒中で行われ、かかる溶媒としては、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエーテル等のエ
ーテル類、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアル
コール、イソプロピルアルコール等のアルコール類、ベ
ンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、クロロホルム
、ジクロルメタン等のハロゲン化炭化水素類等の単独も
しくは混合物が例示される。 反応は、通常、−３０〜１００℃、好ましくは、−２０
〜９０℃で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からのアルコール化合物〔１２〕の取り出し
は、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等
の操作を加えることにより行われ、必要に応じて再結晶
またはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の方法に
より、精製することもできる。 ［製造法４］ アルコール化合物〔１２〕のうちｎが２〜６の場合には
、以下に示す方法によっても製造することができる。 すなわち、前記一般式〔５０〕で示されるハロアルキル
ナフタレン類を塩基性物質の存在下に、一般式〔５４］ （式中、Ｒ３は前記と同じ意味を表す、）で示されるア
セト酢酸エステル類と反応させて一般式〔５５〕 （式中、Ｒ３は前記と同し意味を表し、ｎ　は２〜６の
整数を示す、） で示されるケトエステル類を得、次いで該ケトエステル
類を塩基性条件下で加水分解し、さらに酸性条件下で脱
炭酸させて、一般式〔５６〕（式中、ｎｏは前記と同じ
意味を表す、）で示されるケトン類を得、次いで該ケト
ン類を還元することにより、目的とするアルコール化合
物（１２）（但し、ｎが２〜６までの整数）を得ること
ができる。 第一段目のアルキル化反応において使用される塩基性物
質としては、具体的には、ナトリウム、カリウム、水素
化ナトリウム、水素化カリウム、ナトリウムメチラート
、ナトリウムエチラート、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、炭酸ナトリウムまたは炭酸カリウム等が例示さ
れ、これらの塩基性物質は、原料のハロアルキルナフタ
レンｌ［（５０）に対して１当量倍以上必要であり、通
常、１〜５当量倍使用される。 反応溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール等
のアルコール類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル
等のエーテル類、アセトン、メチルイソブチルケトン等
のケトン類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類
、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類もし
くはジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
非プロトン性極性溶媒等の単独もしくは混合物があげら
れ、その使用量は特に制限されない。 反応は、通常、−２０〜１２０℃、好ましくは、０〜１
００℃で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からのケトエステルｌ［（５５）の取り出し
は、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等
の操作を加えることにより行われる。 第二段目の加水分解および脱炭酸反応のうち加水分解反
応は、水溶媒中、塩基性物質の存在下に行われる。 この反応で用いられる塩基性物質としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属などが
例示され、該塩基性物質は、原料のケトエステルｌ［（
５５）に対して１当量倍以上、通常、１〜１０当量倍使
用される。 この反応では、水に加えて、メタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール等のアルコール類、ジオキサン
、テトラヒドロフラン等のエーテル類等の有機溶媒を使
用することもでき、これらの有機溶媒の使用により、加
水分解反応を有利に行うことができる。 反応は、通常、０〜１２０℃、好ましくは、２０〜１０
０°Ｃで行い、反応時間は特に制限されない。 反応終了後、通常は反応混合物から加水分解生成物の取
り出しを行うことなく、続く脱炭酸反応に供する。 この脱炭酸反応は、ｇ酸、塩酸、酢酸等の酸の存在下に
行われ、核酸は先に得た加水分解生成物に対して１当量
倍以上、通常、１〜１０当量倍使用される。 反応は、通常、−２０〜１００°Ｃ１好ましくは、０〜
８０℃で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からのケトン類〔５６〕の取り出しは、通常
の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等の操作を
加えることにより行われる。 第三段目の還元反応は、先に、アルコール化合物〔１２
〕の製造法３において説明したケトンＩｔ（４Ｂ）から
アルコール化合物〔１２〕を得る反応と全く同様の反応
であり、ケトン類〔４６〕を還元剤により還元すること
により、目的とするアルコール化合物（１２）（但し、
ｎが２〜６までの整数）を得ることができる。 つぎに、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕の
原料化合物の１つである光学活性なアルキルナフタレン
アルカノール誘導体〔１１］の製造法について説明する
。 光学活性なアルキルナフタレンアルカノール誘導体〔１
１〕は、一般式〔５７〕 （式中、Ｒ１およびＺは前記と同し意味を表す、）で示
されるハロゲン化ナフタレン類を先に説明したアルコー
ル化合物〔１２〕の製造法において原料として用いたハ
ロゲン化ナフタレン類〔４８〕に代えて原料として用い
、アルコール化合物〔１２〕の製造法１〜４に記載のい
ずれか１つの方法に準して反応を行って、一般式〔５８
〕 （式中、Ｒ１およびｎは前記と同し意味を表す、）で示
されるアルコール化合物を得、次いでこのアルコール化
合物を既述した光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体
〔２〕の製造法（１−ａ）におけるアルコール化合物〔
１２］から低級アルキルエステルＩｆ（１３）を得る方
法に準じてエステル化して、一般式〔５９〕 −ル誘導体（１１）のうちｎが２〜６までの整数である
場合は以下に示す方法により製造することができる。 （式中、ＲＩ　　Ｒ１およびｎは前記と同じ意味を表す
、） で示される低級アルキルエステル類を得、さらに、該低
級アルキルエステル類を既述した光学活性なナフタレン
カルボン＃誘導体〔２〕の製造法（１−ａ）におけるア
セチルナフタレン類〔１４］から光学活性なアルカノー
ル類〔１５〕および光学活性な低級アルキルエステル類
〔１６〕を得る方法に準じて不斉加水分解することによ
り製造することができる。 また光学活性なアルキルナフタレンアルカノ↓接触水素
添加 （上記反応式中、Ｒ’、Ｒコ、Ｘ’　　ｎおよび＊印は
前記と同し意味を表す、） 以下、各工程について詳細に説明する。 一般式（６１〕で示されるアルキルナフタレン不飽和低
級エステル類は、２−アルキル−６−ハロナフタレン（
６０）と、オレフィン類〔３ｔ２〕とを、金属触媒と塩
基性物質存在化で反応させることにより製造することが
できる。 ２−アルキル−６−ハロナフタレン（６０）は公知化合
物であり、オレフィン類（３２）も文献記載の方法に準
じて製造することができる。 この反応および後処理操作は、（２−ｃ）の光学活性な
ヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕の製造方法において
１．２−ベンジルオキシ−６−ハロナフタレン（３１）
とオレフィン類〔３１）とを、金属触媒と塩基性物質存
在化で反応させることにより不飽和ナフタレン類〔３２
］を製造する方法と同様である。 次に、光学活性なアルキルナフタレン不飽和アルカノー
ル１１（６２）および光学活性なアルキルナフタレン不
飽和低級エステルＩ！（６３）は、上で得たアルキルナ
フタレン不飽和低級エステルＩｆ（６１）を、該アルキ
ルナフタレン不飽和低級エステル類の光学異性体のうち
いずれか一方のみを加水分解する能力を有するエステラ
ーゼを用いて不斉加水分解することにより製造すること
ができる。この反応、は（１−ａ）で説明した光学活性
なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕の製造方法におけ
る、光学活性なアルカノールＩｔ（１５）および〔１６
〕で示される光学活性な低級アルキルエステル類を、ア
セチルナフタレンｌｌ［（１４）から製造する反応と同
様にして、製造することができる。 このような光学活性なアルキルナフタレン不飽和アルカ
ノール１１［（６２）および光学活性なアルキルナフタ
レン不飽和低級エステル類〔６３〕の反応混合物からの
取り出しおよび分離は、反応混合物に通常の後処理、例
えば、酢酸エチル等の溶媒により抽出処理し、得られた
有機層から溶媒を留去した後、濃縮残金をカラムクロマ
トグラフィーで処理する等の方法により行われる。 また、このようにして得られた光学活性なアルキルナフ
タレン不飽和低級エステル類〔６３〕は、必要に応じて
更に加水分解することにより、光学活性なアルキルナフ
タレン不飽和アルカノールＩｆ（６２）を得ることがで
きる。 ここで得られる光学活性なアルキルナフタレン不飽和ア
ルカノール１１（６２）は、先に不斉加水分解反応によ
り得た光学活性なアルキルナフタレン不飽和アルカノー
ルＩＩ（６２）とは対掌体の関係にある。 なお、光学活性なアルキルナフタレン不飽和低級エステ
ル１ｌ（６３）の加水分解は、−船釣なエステル化合物
の加水分解反応の条件が通用され、特に限定されるもの
ではない。 また目的化合物である光学活性なアルキルナフタレン誘
導体〔１１〕は、上で得た光学活性なアルキルナフタレ
ン不飽和アルカノール頬〔６２〕を水添触媒の存在下、
接触水素添加して二重結合を飽和化することにより製造
することができる。 この反応は前述した光学活性な不飽和ナフタレンＩｆ（
３７））を水添触媒の存在下、接触水素添加して光学活
性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕を得る反応と同
様である。 以上説明した製造法により、一般式〔１〕で示される光
学活性なナフタレン誘導体が得られるが、該誘導体を液
晶の構成成分、特に強誘電性液晶の構成成分として利用
する場合には、般式〔１〕における置換基Ｒｚがハロゲ
ン原子を含まないアルキル基またはアルコキシアルキル
基であるものが好ましく、また、実用化に際し、より好
ましい諸物性を示すものとして、ｎが４または５である
化合物があげられる。 本発明のうち、液晶組成物は、前記一般式〔１〕で示さ
れる光学活性なナフタレン誘導体を少なくとも１種頻配
合威分として含有するものである。 該液晶組成物は光学活性なナフタレン誘導体〔ｌ□を得
られる液晶組成物の０．１〜９９゜９重量％、特に好ま
しくは１〜９９重量％含有する。 また、かかる液晶＆１ｌｔｃ物を用いることにより液晶
素子、例えば、光スイツチング素子として有効に利用す
ることができるが、この場合の液晶組成物の使用方法は
、公知の方法がそのまま適用でき、特に制限されない。 〈発明の効果〉 一般式〔１〕で示される光学活性なナフタレン誘導体は
、液晶化合物として非常に優れた特性を有しており、中
でもＳｃ＊相を有する化合物は、液晶組成物の１Ｉｆ７
：、分として用いることにより、Ｓｃ＊相の温度範囲を
広めることに有効である。また、単独ではＳｃ＊相を示
さない化金物においても、液晶組成物の自発分極を誘起
させる成分として有効に使用することができる。 また、本発明の光学活性なナフタレン誘導体（１）は、
粘性係数が小さく、液晶素子の応答速度を速めるのに有
効である。 以上の優れた特性により、本発明の光学活性なナフタレ
ン誘導体〔１〕は、液晶ｌｌｌ動物して、さらには、そ
れを用いた液晶素子として有効に利用することができる
。 さらに、本発明の方法によれば、光学活性なナフタレン
誘導体〔１〕が好収率かつ容易に得られ、工業的に有利
である。 〈実施例〉 以下、製造例および実施例により、本発明を説明する。 〔アルコール化合物Ｃα）の製造例〕 製造例１ 温度計、滴下ロートおよび撹拌装置を装着した四つロフ
ラスコにマグネシウム片２．４ｇ　（０，１モル）およ
び無水テトラヒドロフラン２０−を仕込み、２−ブロモ
ナフタレン２．１ｇ（１０ミリモル）と無水テトラヒド
ロフランＬｏａｄの混合物および少量のヨウ素を加えた
。 この混合物を昇温して、溶媒を還流させた後、２−ブロ
モナフタレン１８．９ｇ　（９０Ｑ９モル）と無水テト
ラヒドロフラン９０Ｊｄの混合物を滴下した０滴下終了
後、還流下で２時間攪拌した後、室温まで冷却した。 この混合物を、０〜５℃で尉４と７′７７と″ム／４゜
８ｇ　（０，１１モル）および無水テトラヒドロフラン
５０Ｍ１の混合物中に滴下した。滴下終了後、同温で２
時間攪拌し、さらに室温で１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を０〜５℃に冷却し、ＩＮ塩ｆ
ｉ　１００−を加えた後、エチルエーテル３００ｄを加
え抽出、分液した。得られた有機層を水、５％重曹水、
飽和食塩水の順に洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、減圧下に濃縮した。 得られた残金をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出液：トルエン／酢酸エチル−２０／１に供し、２−
（２−ヒドロキシ７″ｏ　／：ｔｔｙ＞ナフタレン（１
２−１）　１５．４ｇ　（収率８２．５％）を得た。 製造例？ 温度計、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した４つロフ
ラスコにアセト酢酸エチル１７９ｇ　（１，３７５モル
）およびエタノール（５００ｍ）を仕込み、ここに、ナ
トリウム３１．５ｇ　（１，３７５モル）を少量づつ加
え、溶解させた。この溶液に２−ブロモメチルナフタレ
ン２７６．４ｇ　（１，２５モル）のエタノール１００
０ｄ容液を室温で２時間かけて滴下した０滴下終了後、
６５℃まで昇温し、同温度で６時間攪拌した０反応終了
後、減圧下にエタノールを留去し、得られた残金にトル
エン（１５００ｄ）を加えて抽出し、有機層を分液した
。有機層を１０％塩酸、水、５％重曹水、水の順に洗浄
し、その後、減圧濃縮して２−（２−エトキシカルボニ
ル−３−オキソブチル）ナフタレン３８５．４　ｇを粗
生成物として得た。 このものをイソプロピルアルコール１０００ｍに熔解し
、水酸化カリウム１４０．５ｇ　（２，５モル）の１０
００＋ｄ水溶液を加え、８０℃に昇温して３時間保温し
た。保温終了後、０〜５℃に冷却し、同温度で５０％！
＃５４０ｇを１時間かけて滴下した０滴下終了後、室温
で１時間攪拌した０反応混合物にトルエン１５０１）ｄ
を加え、抽出し有機層を分液した。 その後、減圧濃縮して黄褐色固体２９０．８　ｇを得た
。 このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出
、液：トルエン／酢酸エチル＝２０／１）！：付して２
−（３−オキソブチル）ナフタレン（１−１）１１３ｇ
　（２ニプロモメチルナフタレンからの通算収率４５．
５％、融点５６〜５８°Ｃ）を淡黄色固体として得た。 次に、エタノール１０００−に（４７−１）９９ｇ（０
，５モル）を懸濁させ、ここに水素化ホウ素ナトリウム
９．５ｇ　（０，２５モル）を仕込み、室温で５時間攪
拌した６反応終了後、トルエン１５００ｍおよび水５０
０ａｄを加えて抽出して分液後、有機層を水で洗浄し、
その後、濃縮して２−（３−ヒドロキシブチル）ナフタ
レン（１２−２）　　１００ｇ　（収率１００％）を淡
黄色固体として得た。 製造例３ 温度針、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した四つロフ
ラスコにマグネシウム片２．６ｇ　（ＩＣ５ミリモル）
、無水エチルエーテル２０−および無水テトラヒドロフ
ラン２０Ｊｄを仕込み、２−（３−クロロプロピル）−
２−メチル−１，３−ジオキフラン１７．３ｇ　（１０
，５ミリモル）と少量のヨウ素を加えた。 この混合物を昇温しで、溶媒を還流させた後、１５．５
７ｇ　（９４，５ミリモル）の２−（３−クロロプロピ
ル）−２−メチル−１，３−ジオキソランを滴下した０
滴下終了後、連流下で１２時間攪拌し、その後、室温ま
で冷却した。 この混合物を、０〜５℃で２−ブロモナフタレン２０．
７ｇ　（１００ミリモル）、ジクロロ（１，３−ビス（
ジフェニルホスフィ））プロパン〕ニッケル０．４３ｇ
　（０，８ミリモル）およびジエチルエーテル１５０ｄ
の混合物中に滴下した０滴下終了後、室温まで昇温し、
同温度で２０時間攪拌した。 反応終了後、ＩＮ塩酸２０Ｏｄ中に反応混合物を注ぎ入
れ、得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後
、無水硫酸マグネシウムで乾燥して、その後減圧下に濃
縮した。 得られた残渣をテトラヒドロフラン８０ＩＩｉに溶解さ
せ、この溶液にＩＮ塩酸１５０−を加え、室温で１２時
間攪拌した。 反応終了後、反応混合物に酢酸エチル３０Ｇ−を加えて
抽出した。得られた有機層を５％水酸化ナトリウム水溶
液、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出液：トルエン／酢酸エチル＝１０／ｌ）に供して２
−（４−オキソペンチル）ナフタレン（４’グー２　）
　１１．７ｇ　（２−ブロモナフタレンに対する収率５
５．１％を淡黄色液体として得た。 ここで得た（ｆ′″クー２）　１０．６ｇ　（５０ミリ
モル）をエタノール１００Ｈ１に溶かした後、水素化ホ
ウ素ナトリウム０．９５ｇ　（２５ミリモル）を加えて
室温で３時間攪拌した。 反応終了後、酢酸エチル２００Ｍ１および水１００ｍＮ
を加えて抽出、分液後、得られた有機層を水で洗浄し、
有機層をさら減圧濃縮して２−（４−ヒドロキシペンチ
ル）ナフタレン（／２−３）　１０．６ｇ（収率９８．
８％）を得た。 製造例４ 温度計、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した４つロフ
ラスコにマグネシウム片４．９ｇ　（０，２モル）およ
び無水テトラヒドロフラン５０−を仕込み、２−ブロモ
ナフタレン８．３ｇ　（０，０４モル）の無水テトラヒ
ドロフラン（１０ｄ）溶液を加えた。この混合物に少量
のヨウ素を加え、３０分放直した後、攪拌下に２−ブロ
モナフタレン３３．２ｇ　（０，１６モル）の無水テト
ラヒドロフラン（４０ｄ）溶液を滴下した０滴下終了後
、反応混合物を昇温して２時間還流した。その後室温ま
で冷却した。 この混合物を０〜５℃でオキセタン１３．９ｇ　（０゜
２４モル）および無水テトラヒドロフラン５０−の混合
物中に滴下し、滴下終了後室温まで昇温して同温度で１
０時間攪拌した。 反応終了後、ＩＮ塩＊　２０Ｏｄ中に反応混合物を注ぎ
入れ、エーテル３００ｄで抽出処理した。得られた有機
層を水、５％重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥の後、得られたエーテル溶液を減
圧濃縮した。 得られた濃縮残渣をトルエン−ヘキサン混合液から再結
晶して２−（３−ヒドロキシプロピル）ナフタレン２４
．３ｇ　（収率６５％）を得た。 次に、２−（３−ヒドロキシプロピル）ナフタレン２２
．４ｇ　（０，１２モル）を四塩化炭素１５０−に溶か
し、この溶液に０〜５℃で三臭化リン１６．２ｇ（０，
０６モル）を滴下した０滴下終了後、室温まで昇温し、
同温度で５時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、分液後、
得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。得られた残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トル
エン／酢酸エチル２０／１）に供して２−（３−ブロモ
プロピル）ナフタレン２５．４ｇ収率８５％）を淡黄色
固体として得た。 ここで得た２−（３−ブロモプロピル）ナフタレン２５
．１ｇを製造例２で原料として用いた２−ブロモメチル
ナフタレンに代えて原料とする以外は製造例２と同様に
して以下の反応を行い、２−（５−ヒドロキシヘキシル
）ナフタレン１５．８ｇ（２−（３−ブロモプロピル）
ナフタレンからの通算収率６９％）を得た。 製造例り 温度計、滴下ロートおよび攪拌１［を装着した四つロフ
ラスコにマグネシウム片４．９ｇ　（０，２モル）およ
び無水テトラヒドロフラン５０−を仕込み、２−ブロモ
ナフタレン４．２ｇ（２０ａリモル）と無水テトラヒド
ロフラン５Ｉ１１の混合物および少量のヨウ素を加えた
。 この混合物を昇温しで、溶媒を還流させた後、２−ブロ
モナフタレン３７．４ｇ　（１８０ξリモル）と無水テ
トラヒドロフラン４５−の混合物を滴下した０滴下終了
後、還流下で２時間攪拌した後、０〜５℃に冷却した。 得られた混合物に１．４−ジブロモブタン５４．０ｇ　
（０，２５モル）および無水テトラヒドロフラン８０ａ
ｆを加えた後、さらに塩化リチウム０．１７　ｇい塩化
第二銅０．２７ｇおよび無水テトラヒドロフラン２０ｍ
の混合物を加えた。 得られた混合物を０〜５℃で２時間攪拌した後、室温ま
で昇温し、さらに５時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を０〜５℃に冷却し、ＩＮ塩酸
２００ｍを加えた後、トルエン５００−を加え、抽出、
分液した。得られた有機層を水、５％重曹水、飽和食塩
水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減
圧濃縮して、２−　（４−ブロモブチル）ナフタレン５
５．２ｇを粗生成物として得た。 次に、温度計、滴下ロートおよび攪拌装置を装置した四
つロフラスコにアセト酢酸エチル７８．１　ｇ（０，６
モル）およびエタノール４００−を仕込み、ここにナト
リウム１３．８ｇ　（０，６モル）を少量ずつ加え、溶
解させた。 得られた溶液に先に得た粗２−（４−ブロモブチル）ナ
フタレン５５．２　ｇを室温で滴下した０滴下終了後、
昇温し、溶媒還流下で５時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、濾過した。 得られた濾液を減圧下に濃縮し、残渣にトルエン５００
−を加え、これを水、１０％塩酸、水、５％重曹水、飽
和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の
後、減圧濃縮して２−（５−エトキシカルボニル−６−
オキソヘプチル）ナフタレン８０．５ｇを粗生成物とし
て得た。 ここで得た２−（５−エトキシカルボニル−６−オキソ
ヘプチル）ナフタレンをさらに精製することなく、イソ
プロピルアルコール２００ｄに溶解させ、２０％水酸化
カリウム水溶液２５０ｍを加え、８０℃に昇温しで５時
間攪拌した。その後、０〜５℃まで冷却し、同音で濃塩
酸をｐＨ１〜２となるまで加えた。その後、室温まで昇
温しで１時間・攪拌した後、反応混合物にトルエン５０
０−を加え、抽出した。得られた有機層を水、５％重曹
水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥の後、減圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出液：トルエン／酢酸エチル−２０／ｌ）に供して、
２−（６−オキソヘプチル）ナフタレン２６．５ｇ（２
−ブロモナフタレンからの通算収率５５％）を得た。 次にここで得た２−（６−オキソヘプチル）ナフタレン
２４．１ｇ（０，１モル）をエタノール２０〇−に溶解
させ、０〜５℃で水素化ホウ素ナトリウム１．９ｇ（５
０ミリモル）を加え、同温で１時間攪拌し、さらに室温
まで昇温して２時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、トルエン
３０ＯＮ！で抽出した。得られた有機層を水および飽和
食塩で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧
濃縮して、２−（６−ヒドロキシへブチル）ナフタレン
２４．３ｇ　（収率１００％）を得た。 製造例６ 製造例夕で用いた１、４−ジブロモブタンに代えて１．
５−ジブロモペンタンを用いる以外は製造例Ｓと同様に
して反応および後処理を行い、２−（７−ヒドロキシオ
クチル）ナフタレン３１．３　ｇ（２−ブロモナフタレ
ンからの通算収率６１％）を得た。 〔光学活性なナフタレンカルボンｉ！１１ｇ導体（２）
の製造例〕 製造例７ 温度計および攪拌装置を装置した４つロフラスコに製造
例１で得た（１２−１　）ＩＳ、１ｇ　（０，０８モル
）、トルエン５０ａｆ＃よびピリジン２０Ｍ１を仕込み
、その後、無水酢酸１０．２ｇ　（０，１モル）および
４−ジメチルアミノピリジン０．１ｇを加えて、４０〜
５０℃で４時間撹拌した。 反応終了後、反応混合物を４Ｎ塩酸５ＯＩｄ中に注ぎ出
し、抽出および分液した後、得られた有機層をＩＮ塩酸
、水、５％重曹水、水の順に洗浄した。有機層を減圧下
に濃縮して、２−（２−アセトキシ１σどル）ナフタレ
ン（１Ｂ−１）１８．２ｇ　（収率９９．０％）を得た
＠　Ｄｉ””１．５４１３次に、無水ニトロベンゼン８
０ｍ！、塩化アセチル１１．８ｇ　（０，１５モル）お
よび塩化アルミニウム２０゜Ｏｇ　（０，１５モル）の
混合物を室温で３０分間攪拌し、塩化アルミニウムをほ
とんど溶解させた。この溶液を０〜５℃に冷却し、上で
得た（１：５−１　）１６．１　ｇのニトロベンゼン５
０１＃液を同温で滴下した０滴下終了後、同温で２時間
保温した後、反応し混合物を水５００Ｊｄに注ぎ入れ、
抽出して有機層を分液した。有機層を水で洗浄した後、
減圧下に濃縮して黄色固体を得た。これをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エチ
ル−１０／１）により精製して２−（２−アセトキシ７
＠Ｏどル）−６−アセチルナフタレン（７４−１）　１
１．６ｇ　（収率６０．５％）を得た。 上で得た（１４−１　）　１０．９ｇ　（４０ミリモル
）をクロロホルム２０Ｍ１に溶解させ、０．３Ｍリン酸
バッファー４００ｍおよびリパーゼ（ｒアマノＰＪ）１
．８ｇを加えて、３６±２℃で４８時間激しく攪拌した
。 反応終了後、反応混合物に酢酸エチル３０（ｌｄを加え
、濾過した後、抽出、分液した。有機層を水で洗浄した
後、減圧下に濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ｆｓ出液：トルエン／酢酸エチ
ル−１０／１）に供し、（−）−２−（２−アセトキシ
ｆｎピル）−６−アセチルナフタレン（Ｉｓ−１）６．
０ｇ〔収率５５．０％、（α）　ｉ”−−８，６′（ｃ
　＝１．０　、　ＣＨＣｊ！ｓ　）　）と（−）−２−
（２−ヒドロキシプロピル）〜６−アセチルナフタレン
（７５−１）　　３．８ｇ　Ｃ収率４１，０％（ｆｆ　
）　！”−−１３，３°（ｃ　−１，０、ＣＨＣｊ！ｓ
　）を得た。 次に、攪拌装置および温度針を１ｉｆｅた４つロフラス
コに、上記の方法により得られた（１５−１　）　２２
．５ｇ　（０，１モル）、酸化１ｉ６９．５ｇ　（０，
３モル）およびヨウ化プロピル２５５ｇ、（１，５モル
）を仕込み、室温で１５日間攪拌した。その後、反応混
合物をクロロホルム３００−で希釈し、銀塩を濾別した
後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル−１
０／１）に供して（−）−６−アセチル−２−（２−プ
ロボキシプＤピル）ナフタレン（１７−１）　１２．２
ｇ　（収率５８．２％）〔〔ａ〕ｉ”＝−７，２°　（
ｃ−１、ｃｏｃｌ、））および原料（１５−１）　　９
．２ｇ　（回収率４０．２％）を得た。 上で得た（１７−１　）　　１．７ｇ　（６，４ミリモ
ル）のジオキサン８０Ｍ１溶液を、２０％水酸化ナトリ
ウム水溶液８０−および臭素８．２ｇ　（５１，５ミリ
モル）より調製した次亜臭素酸ナトリウム水溶液中に加
えて室温で８時間攪拌した。この反応混合物に亜硫酸水
素ナトリウム４．０ｇを加え３０分間攪拌した後、塩酸
を加えてｐＨ１〜２に調整した。この混合物をエーテル
１０（ｌｄで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、そ
の後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧
下に留去して（＝）−６−（２−プロホキシブａごル）
−２−ナフタレンカルボン酸（２−１）１．７ｇ　（収
率９８％、〔α）　！’−−１１．８°　（ｃ　＝　１
、ＣＨｉＯＨ）　）を得た。 製造例８〜２０ 製造例７で原料として用いた（＋２−１　）に代えて、
製造例２〜６で製造した（１２−２　）から（１２−６
）のうちいずれかｌ化合物を原料とし、さらに製造例７
においてアルキル化剤として用いたヨウ化プロピルに代
えて表−１に記載のアルキル化剤を用いる以外は、製造
例７に準拠して反応および後処理を行った。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−１に示す
。 製造例２１ 製造例７に記載の方法により得られた（１５−１　）　
２２．８ｇ　（０，１モル）を無水ジメチルホルムアミ
ド１００ｍに溶かし、イミダゾール７．１５ｇ　（０，
１０５モル）を加え、２５〜３０℃で６時間攪拌した。 反応終了後、水中に注ぎ入れ、トルエン４００−を加え
、さらに塩酸を加えて水層のｐＨを１〜２とし、抽出、
分液した。得られた有機層を水、５％重曹水、水の順に
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧濃縮し
て、（−）　−６−（２−（１−ブチル−ジメチルシロ
キシ）プロピル）−２−ア文チルナフタレン（１４−１
）　３３．２ｇ　（収率９７％、（α）　！”−−ｓ、
ｔｏ　（Ｃ−１％ＣＨＣｊ！、））を得た。 上で得た（１４−１　）　１７．１ｇ　（５０ミリモル
）をジオキサン２００ｄに熔かし、２０％水酸化ナトリ
ウム水溶液６００ｄと臭素３０−から調整した次亜臭素
酸ナトリウム溶液に加え、室温で一昼夜攪拌した。 反応終了後、反応混合物に水５００−および亜硫酸ナト
リウム５０ｇを加えて攪拌した後、塩酸でｐＨ１〜２と
し、トルエンで抽出した。得られた有機層を水洗、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮した。得られ
た残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液
：トルエン／酢酸−２０／１　）に供し、（−）−６−
（２−（ｔ−ブチルジメチルシロキシ）プロピル）−２
−ナフタレンカルボン酸（２０−１）　１４．８ｇ　（
収率８６％、　　（α）！”−−１２，１°　（（−１
，ＣＨＣｌ５　）　）を得た。 上で得た（２０−１　）　１３．８ｇ　（４０ミリモル
）をテトラヒドロフラン１００ｍに溶かし、テトラプチ
ルアンモニウムフリオリドのＩＭ−ＴＨＦ溶液５（ｌｄ
を加え、室温で１２時間攪拌した。 反応終了後、水中に注ぎ入れ、塩酸でｐＨ１〜２とした
後、トルエンで抽出した。得られた有機層を飽和食塩水
で洗浄し、無水ａｍマグネシウムで乾燥した後、減圧濃
縮して、（−）　−６−（２−ヒドロキシプロピル）−
２−ナフタレンカルボン酸（２１−１）　　８．７ｇ　
（収率９５％、〔α〕ｉ＠ｍ−９，２’　　（Ｃ−１，
ＣＨＣＪ！＊　）　）を得た。 上で得た（２１−１）０．６９ｇ　（３ミリモル）をピ
リジン１ＯＩｌｉに溶かし、ｎ−ブチリルクロリド０．
３２ｇ（３ミリモル）を加えて室温で１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、塩酸でｐＨ
１〜２とした後、トルエンで抽出した。 得られた有線層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、減圧濃縮し、得られた残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／
酢酸−４０／１）に供し、（＋）−６−（２−ブタ）イ
ルオキシプロピル）−２−ナフタレンカボンｍｌ（−２
）０６８ｇ（収率７５％、〔α）　１”−＋　４．５°
　（ｃ−１，ＣＩＩＣｊ！ｓ））を得た。 製造例２２〜２４ 製造例２１で原料として用いた（１５−１）に代えて表
−２に記載の光学活性なアルカノール類（１５）を用い
る以外は、製造例２１と同様にして、反応および後処理
を行った。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−２に示す
。 〔光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体（５）の製造
例〕 製造例２５ 製造例９で中間体として得た（１７−１　）　　２．７
ｇ（１０電リモル）を無水ジクロルメタン５０ｍ１に溶
かした後、ｍ−クロロ遇安息香ＩＩＩ　２．１ｇ　（１
２ミリモル）を加えて室温で２４時間攪拌した０反応終
了後、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加え、過剰
のｍ−クロロ過安息香酸を分解した後、有機層を１０％
重曹水、水の順に洗浄した。有機層を減圧下に濃縮して
（−）−６−アセトンシー２−（２−プロポキシプロビ
ル）ナフタレン（２３−１）　　２．７ｇ　（収率９４
　％）　　（（ｒ）　ｌ”−−８，９゜（ｃ−１、ＣＨ
Ｃｊ！ｓ　）　）を得た。 次に、ここで得た（２３−１）　　２．３ｇ　（８ミリ
モル）をメタノール３０ａｉに溶かした後、２０％水酸
化ナトリウム水溶液１０−を加えて室温で２時間攪拌し
た０反応終了後、ＩＮ塩酸を加えてＰＨ２〜３とした後
、酢酸エチル１００ｍを加えて抽出処理した。有機層を
水で洗浄後、減圧濃縮して（−）−６−ヒドロキシ−２
−（２−プロポキシプロビル）ナフタレン（５−１）　
　１．８ｇ　（収率１００％）、〔〔α）　！＠−−８
，１°　（ｃ−１，ＣＨＣｊ！、）〕を得た。 製造例２６〜３８ 製造例２７で原料として用いた（１７−１　）に代えて
、表−３に記載の光学活性なエーテルＩ［（１７）を用
いる以外は、製造例２５と同様にして、バイヤービリガ
ー酸化、加水分解反応および後処理を行った。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−３に示す
。 製造例３９ 製造例７における不斉加水分解反応で得られた（１６−
１　）　２７．０ｇ　（０，１モル）を温度計、攪拌装
置を装置した四つロスラスコに仕込み、ジクロメタン２
００−を加えて溶解させた。この溶液にｍ−クロ口過安
息香！１２０．７ｇ　（０，１２モル）を加えて還流下
に８時間攪拌した。 反応混合物に１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加え
て過剰のｍ−クロロ遇安息香酸を分解した後、有機層を
１０％重曹水、水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。得られたジクロルメタン溶液を減圧濃縮し
て（−）−６−アセドキシンー２−（２−７セトキシプ
ロビル）ビフェニル（２５−１）　２７．５ｇ　（収率
９６％）、〔〔ｆｆ）ｉ”＝　　９．５”　　（ｃ−１
、ＣＢＣＪ！ｓ　）　）を得た。 次に上で得た（２５−１）２５．８ｇ　（９０ミリモル
）をメタノール２００１ｄに溶かし、２０％水酸化ナト
リウム水溶液５０１ＩＩｉを加えて室温で２時間攪拌し
た。 反応混合物に１０％塩酸を加えてｐＨ１〜２とした後、
メタノールの大部分を減圧留去した。得られた残渣を酢
酸エチルで抽出した。得られた有機層を５％重曹水、水
の順に洗浄し、無水ＷＲ酸マグネシウムで乾燥した。得
られた酢酸エチル溶液を減圧濃縮して（＋）−６−ヒド
ロキシ−２−（２−ヒドロキシプロピル）ナフタレン（
２６−１）　１８．０ｇ　（収率９９％）　　〔（α）
　！”＝＋９．８”（ｃｍｌ、ＣＨ３０１１）　）を得
た。 次に上で得た（２６−ＩＮ６．２ｇ　（８０ミリモル）
をジメチルホルムアミド１００１ｄに溶かし、これに塩
化ベンジル１２．２ｇ（９６ミリモル）および炭酸カリ
ウム２２．１ｇ　（０，１６モル）を加えて５０〜６０
℃で５時間攪拌した。 反応混合物を水２００ｄ中に注加し、酢酸エチルで抽出
した。得られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、得られた酢酸エチ
ル溶液を減圧濃縮した。得られた黄色固体をエタノール
より再結晶して（＋）−６−ベンジルオキシ−２−（２
−ヒドロキシプロピル）ナフタレン（２７−１）　１６
．４ｇ　（収率７％）　　（（ｃｒ）　ｌ”−＋　　８
．４°　（ｃ−１、Ｃｌ１Ｃｊ！ｓ　　Ｏ）〕を得た。 次に上で得た（２７−１）２．９ｇ　（１０ミリモル）
およびｌ−ブロモプロパン３．７ｇ（３０ｓリモル）を
ジメチルスルホキシド３０Ｍ１に溶解し、６０％水素化
ナトリウム０．８ｇ（２０ミリモル）を加えて８０℃で
１２時間攪拌した０反応混合物を水５０Ｈ１中に注加し
、トルエンで抽出処理した。 有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、得られたトルエン溶液を減圧濃縮
した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶出液：トルエン／ヘキサン−５／１）に供し、
（＋）−６−ベンジルオキシ−２−（２−プロポキシプ
ロビル）ナフタレン（２８−１）２．３ｇ　（収率７０
％）を得た（　（α）　ｒ−＋　９．８″″　（ｃ−１
、ＣＨＣｊ！＊　）　）　。 次に上で得た（２８−１）１．７ｇ　（５ミリモル）を
酢酸エチル５ｄに溶かし、さらにエタノール８０−で希
釈した後、１０５％Ｐ　ｄ／Ｃ０，３ｇを加え、水素圧
１〜１．２気圧下で１０時間激しく攪拌した。 反応終了後、Ｐｄ／Ｃを濾別し、濾液を濃縮して、（＋
）−６−ヒドロキシ−２−（２−プロポキシプロビル）
ナフタレン（５−２）１．２ｇ　Ｃ収率９８％）　　（
（α）　ｍ”−＋９．５°　（ｃ　−ｌ、　　ＣＨＣＬ
３）〕を得た。 製造例４０〜５８ 製造例三９において原料として用いた（１６−１）に代
えて表−４に記載の光学活性な低級アルキルエステル１
（１６）を用い、さらに製造例４５でアルキル化剤とし
て用いた１−ブロモプロパンに代えて表−４に記載のア
ルキル化剤を用いる以外は製造例３９と同様にして反応
および後処理を行い、光学活性なヒドロキシナフタレン
誘導体（５）（但し、Ｐが０）を得た。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−４に示す
。 製造例５９ 製造例７における不斉加水分解反応により得られた　（
１５−１）　２２．８ｇ　（０，１モル）を温度計、攪
拌装置を装着した四つロフラスコに仕込み、ジクロルメ
タン２００ｄを加えて溶解させた後、−クロロ遇安息香
酸２０．７ｇ　（０，１２モル）を加え、室温で２４時
間攪拌した。 反応混合物を１０％亜硫酸水素ナトリウム、５％重曹水
、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。 得られたジクロルメタン溶液を減圧濃縮して（−）−６
−アセトキシ−２−（２−ヒドロキシプロピル）ナフタ
レン（２４−１）　２３．９ｇ（収率９８％）　　（（
α）　！”　−−１１，４°　（Ｃ−１、ＣＨＣｊ！ｓ
　）　］を得た。 次に上で得た（２４−１　）２２．０ｇ　（９０ミリモ
ル）をメタノール１５０ｄに溶解させた後、２０％水酸
化ナトリウム水溶液３０Ｉｄを加えて室温で２時間攪拌
した。 反応混合物に１０％塩酸を加えてｐＨ１〜２とした後、
酢酸エチルで抽出した。 得られた有機層を水、５％重曹水、飽和食塩水の順に洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた酢酸
エチル溶液を減圧濃縮して（−）−６−ヒドロキシ−２
−（２−ヒドロキシプロピル）ナフタレン（２６−２）
　１８．２ｇ（収率１００％）〔〔α）！’−−９．９
°（−＝ｌ、ＣＨｓＯＨ）　）を得た。 次に上で得た（２６−２）１６．２ｇ　（８０ミリモル
）をジメチルホルムアミド１００ｄに溶解させ、これに
塩化ベンジル１２．２ｇ　（９６ミリモル）および炭酸
カリウム２２．１ｇ　（０，１６モル）を加えて５０〜
６０℃で８時間攪拌した。 反応混合物を水２００ｄに注加し、酢酸エチルで抽出し
た。得られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。 得られた酢酸エチル溶液を減圧濃縮した。得られた残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トル
エン／酢酸エチル＝５／ｌ）に供して（−）−６−ベン
ジルオキシ−２−（２−ヒドロキシプロピル）ナフタレ
ン（２７−２）２２．４ｇ（収率９６％）〔〔α〕轟０
＝−８，７°　（Ｃ−１、ＣＨＣｊ！３　）　）を得た
。 次に上で得た（２７−２）２．９ｇ　（１０ミリモル）
をジメチルホルムアミド２０ｄに溶かし、６０％水素化
ナトリウム０．８ｇ（２０ミリモル）を加えて室温で１
時間攪拌した後、ｐ−）ルエンスルホン酸　３−エトキ
シプロピル７．７ｇ（３０ミリモル）の１０Ｍ１ジメチ
ルホルムアミド溶液を滴下した。 滴下終了後、５０〜６０℃に昇温し、同温度で２４時間
攪拌した。 反応混合物を水５０ｄ注に注加し、酢酸エチルで抽出処
理した。得られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄し
、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を留去後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル−１０／
ｌ）に供して（−）−６−ベンジルオキシ−２−［２−
（３−エトキシプロポキシ）プロピル］ナフタレン（２
８−２）２．５ｇ　（収率６５％）〔〔α〕。−−１１
，５゜（ｃ−１、Ｃ）ｌｃｊ！ｉ　）　）　ヲ得り。 上で得た（２Ｂ−２）１．９ｇ　（５ミリモル）をエタ
ノール８０−に溶かし、１０％Ｐｄ／Ｃ０，４ｇを加え
て水素圧１〜１．２気圧下で１０時間激しく攪拌した。 反応終了後、Ｐｄ／Ｃを濾別し、得られた濾液を濃縮し
て（−）−６−ヒドロキシ−２−（２−（３−エトキシ
プロポキシ）プロピル〕ナフタレ７　（５−３）　　１
．４ｇ　（収率１００％）（（ｉｙ）　Ｍ”＝　　１２
．４°　（ｃ−１、ＣＨＣｊ！ｓ　）　）を得た。 製造例６０〜６２ 製造例５９において得た（２７−２）を原料とし、製造
例５９においてアルキル化剤として用いたｐ−）ルカン
スルホン酸、３−エトキシプロピルに代えて、表−５に
記載のアルキル化剤を用いる以外は製造例５９に準拠し
てアルキル化反応、脱ベンジル化反応および後処理を行
い光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体（５）（但し
、Ｐが０）を得た。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−５に示す
。 製造例６３ 製造例３９で得た（２７−１）２．９ｇ　（１０ミリモ
ル）をピリジン３０Ｍ１に溶解させ、０〜５℃に冷却し
た。同温度でこの溶液にプロピオン酸クロリド１．１ｇ
（１２ミリモル）を滴下し、その後、室温まで昇温して
５時間攪拌した。 反応混合物を水５０−中に江別し、酢酸エチルで抽出し
た。得られた有機層を１０％塩酸、水、５％重曹水、飽
和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。得られた酢酸エチル溶液を減圧濃縮して（−）−６
−ベンジルオキシ−２−（２−プロパノイルオキシプロ
ビル）ナフタレン（２９−１）３．４ｇ　（収率９９％
）〔〔α〕　。−−７，５°　（ｃ−１，ＣＨＣｌ３）
〕を得た。 次に上で得た（２９−１）１．７ｇ　（５ミリモル）を
トルエン２０Ｍ１に溶解させ、エタノール８０Ｈ１で希
釈した後、１０％Ｐｄ／Ｃ０，２ｇを加えて水素圧１〜
１．２気圧下で１２時間激しく撹拌した。 反応終了後、Ｐｄ／Ｃを濾別し、得られた濾液　を減圧
濃縮して（−）−６−ヒドロキシ−２−（２−プロパノ
イルオキシプロビル）（５−４）１．２ｇ（収率９７％
）〔〔〔α〕Ｖ＝＝１２．６″　（Ｃ諺１、ＣＨＣｌ！
、、）〕を得た。 製造例６４〜７１ 製造例６３において原料として用いた（２７−１）に代
えて表−６に記載の光学活性なベンジルオキシビフェニ
ルアルカノール！！（２７）を用い、さらに製造例６３
で用いたプロピオン酸クロリドに代えて表−６に記載の
カルボン酸類を用いる以外は製造例６３と同様にして反
応および後処理を行い、光学活性なヒドロキシビフェニ
ル誘導体（５）（但し、ｐが１）を得た。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−６に示す
。 製造例７２ 温度計、攪拌装置を装着した四つロフラスコに、６−ベ
ンジルオキシ−２−ブロモナフタレン３１．３ｇ　（０
，１モル）、トリフェニルホスフィン１．３ｇ（５ミリ
モル）、炭酸水素ナトリウム３３．６ｇ（０，４モル）
、Ｎ−メチルピロリドン１５０−と、２−アセトキシ−
５−ヘキセン（３２−１）　２８．４ｇ　（０，２モル
）を仕込み撹拌しながら１００℃まで昇温した。 昇温後、十分なチッ素置換の後、酢酸パラジウム２．２
ｇ（１，リモル）を加え、８時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、水２００−
を加えた後、トルエン５００ａｔを加え、抽出、分液し
た。得られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄しへ無
水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出液：トルエン／酢酸エチル−２０／ｌ）に供して、
６−ベンジルオキシ−２−（５−アセトキシ−１−へキ
セニル）ナフタレン（３３−１）　２８．１ｇ　（収率
７５％）を得た。 次にここで得た６−ベンジルオキシ−２−（５−アセト
キシ−１−へキセニル）ナフタレン１８．７ｇ　（５０
ミリモル）をクロロホルム２〇−に熔かし、０．３ＭＩ
Ｊン酸バッファー４００Ｉ１１およびリパーゼ（「アマ
ノＰ））１．８ｇを加えて、３６±２℃で４８時間激し
く撹拌した。 反応終了後、反応混合物に酢酸エチル３００ｄを加え、
濾過した後、抽出、分液した。有機層を水で洗浄した後
、減圧下に濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル１
０／１）に供し、（−）−６−ベンジルオキシ−２−（
５−アセトキシ−１−へキセニル）ナフタレン（３６−
１）　１０．５ｇ　（収率５６，２％、〔α〕１０−−
１．０５＠（ｃ　＝１．０、ＣＨＣｊ！ｉ　）　）と（
−）−６−ベンジルオキシ−２−（５−ヒドロキシ−ｌ
−へキセニル）ナフタレン（３５−１）６．６ｇ〔収率
３９．５％、（ｆｆ）ｉ”　　−−２，６１°　（（ｓ
ｍｌ、０、ＣＨＣｊ！ｓ））を得た。 次に、攪拌装置および温度針を装着した４つロフラスコ
に、上記の方法により得られた（３５−１）　３３．２
ｇ　（０，１モル）、酸化銀６９．５　ｇ（０，３モル
）およびヨウ化プロピル２５５ｇ　（１゜５モル）を仕
込み、室温でｌＯ日間攪拌した。 その後、反応混合物をクロロホルム３００−で希釈し、
銀塩を濾別した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／
酢酸エチル−１０／１）に供して（−）−６−ベンジル
オキシ〜２−（５−プロポキシ−１−へキセニル）ナフ
タレン（３７−１）１８．２ｇ　（収率４８．２％、（
ｔｘ　）　Ｉ”−−２，５８°　（ｃ−１，０、ＣＨＣ
ｊ！ｓ）および原料（３５−１）　１５．０ｇ　（回収
率４５．２％）を得た。 上で得た（３７−１）３．７ｇ　（１０ミリモルを酢酸
エチル１０ｄに溶かし、さらにエタノール８０Ｍ１で希
釈した後、１０％Ｐｄ／Ｃ９，６ｇを加え、水素圧１〜
１．２気圧下で８時間激しく攪拌した。　反応終了後、
Ｐｄ／Ｃを濾別し、濾液を濃縮し　て、（−）−６−ヒ
ドロキシ−２−（２−プロポキシヘキシル）ナフタレン
（５−５）２．３ｇ　Ｃ収率１００％、〔α）　、　−
−２，７６″″（Ｃ■１，０、ＣＨＣｆｓ　）　）を得
た。 製造例７３ 製造例７２において原料として用いた２−アセトキシ−
５−ヘキセン（３２−１）に代えて２−アセトキシ−４
−ペンテン（３２−２）を用いる以外は製造例７２と同
様にして反応および後処理を行い、（−）−６−ヒドロ
キシ−２−（４−プロポキシペンチル）ナフタレン（５
−６）２．１ｇ、（（α〕轟・−−２，６８°　（ｃｍ
ｌ。 ０、ＣＨＣｊ！ｓ　）　］を得た。 製造例７４ 製造例７２において得られた（−）−６−ベンジルオキ
シ−２−（５−ヒドロキシ−１−へキセニル）ナフタレ
ン（３５−１）　　３．３ｇ　（１０ミモル）をピリジ
ン３０Ｍ１に熔かし、ｎ−フチリルクロリド１．１ｇ（
１０ミリモル）を加えて室温で１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、塩酸でｐＨ
１〜２とした後、トルエンで抽出した。得られた有機層
を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢＃−４０／１
）に供し、（−）−６−ベンジルオキシ−２−（５−ブ
タノイルオキシ−１−へキセニル）ナフタレン（３５−
２）３．０ｇ　（収率７５％、（ｃｒ）！”−−３，８
°　（ｃ−１，０、ＣＨＣｊ！、））を得た。 上記の方法により得られた（３５−２）を製造例７２と
同様にして反応および後処理を行い（−）−６−ヒドロ
キシ−２−（５−ブタノイルオキシヘキシル）ナフタレ
ン（５−７）　　１．５ｇ（（α〕Ｉ・−一２．５°　
（ｃ−１，０、ＣＮ（４３）〕を得た。 製造例７５ 製造例４４において得られた（＋）−６−ヒドロキシ−
２−（３−ヒドロキシブチル）ナフタレン（２６−３Ｎ
、１ｇ　（５ミリモル）と１−ブロモデカン１．３ｇ（
６ミリモル）を温度計および攪拌装置を装着した四つロ
フラスコに仕込み、ジメチルホルムアミド２０ｄを加え
溶解させた。 この混合物に炭酸カリウム１．４ｇ（ＩＯＪリモル）を
加え、５０〜６０℃で８時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、酢酸エチル
で抽出処理した。得られた有機層を水、飽和食塩水の順
に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、得られた
酢酸エチル溶液を減圧下に濃縮した。得られた濃縮残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トル
エン）に供し、（＋）−６−ゾシルオキシー２−（３−
ヒドロキシブチル）ナフタレン（８−１）１．７ｇ（収
率９６％）〔〔α）　Ｉ＠−＋　８．５゜（ｃ＝１．０
、ＣＨＣｊ！ｓ　）　）を得た。 製造例７６〜９７ 製造例７５において原料として用いた（２６−３）に代
えて表−７に記載の光学活性なジオールｌ［（２６）を
用い、さらに製造例７４でアルキル化剤として用いたｌ
−ブロモデカンに代えて表−７に記載のアルキル化剤を
用いる以外は製造例７４と同様にして反応および後処理
を行い、光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール
誘導体（８）を得た。 反応収率および生成物の物性値を表−７に示す。 製造例９８ 温度針、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した四つロフ
ラスコに無水テトラヒドロフラン３〇−およびマグネシ
ウム片２．４ｇ　（０，１モル〉を仕込み、ここに２−
ベンジルオキシ−６−プロモナフタレン３．１ｇ（１０
ミリモル）および無水テトラヒドロフラン３０Ｍ１の混
合物と少量のヨウ素を加え、６０℃に昇温した。 その後、この混合物に２−ベンジルオキシ−６−プロモ
ナフタレン２８．２ｇ　（９０ミリモル）と無水テトラ
ヒドロフラン２７０ｍの混合物を滴下した０滴下終了後
、還流下で７時間攪拌し、その後、室温まで冷却した。 この混合物を０〜５℃でアセトアルデヒド５゜３ｇ　（
０，１２モル）と無水テトラヒドロフラン８０ｄの混合
物中に滴下し、同温で４時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物に０〜ｌＯ℃ＩＮ塩素５０−を
滴下し、滴下終了後、室温まで昇温した。この混合物に
エーテル３００−を加えて抽出し、得られた有機層を水
、５％重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、さらに無水硫
酸マグネシウムで乾燥の後、減圧下、濃縮した。得られ
た残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液
：トルエン／酢酸エチル−２０／１　）に供し、２−ベ
ンジルオキシ−６−（１−ヒドロキシエチル）ナフタレ
ン（４５−１）１８．１ｇ（収率６５％）を白色固体と
して得た。融点：１１３℃〜１１４℃。 ここで得た（４５−１）１６．７ｇ　（６０ミリモル）
をピリジン８０ｍ１に溶解し、０〜５℃で塩化アセチル
５．７ｇ（７２４リモル）を滴下し、滴下終了後、同温
で２時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水に注ぎ入れ、酢酸エチルで
抽出し、得られた有機層を１０％塩酸、水、５％重曹水
、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥の後、減圧濃縮して、２−ベンジルオキシ−６−（ｌ
−アセトキシエチル）ナフタレン（４４−１）１９．２
ｇ　（収率１００％）白色固体として得た。融点９７°
Ｃ〜９８℃。 ここで得た（４４−１　）　１９．２ｇをクロロホルム
１０Ｍ１に溶解し、０．３Ｍリン酸バッファー３００−
およびリパーゼ（アマノＰ）１．９ｇを加え３６〜３８
℃で４８時間激しく攪拌した。 反応終了後、反応混合物をろ過し、ろ液を酢酸エチルで
抽出して、得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、その後、減圧下に濃縮
した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出液：トルエン／酢酸エチル−２０／ｌ）に供し、（
＋）−２−ベンジルオキシ−６−（１−ヒドロキシエチ
ル）ナフタレン（４３−１）　　８．３ｇ　（収率４９
．５％、〔α〕ｒ−＋３５．７°　（ｃ　ｍｌ、０％　
ＣＨＣｊ！ｓ　）　、融点：１１３〜１１４℃）および
（＋）−２−ベンジルオキシ−６−（１−アセトキシエ
チル）ナフタレン９．９ｇ（収率５１．３％、（α）　
！’−＋８０．５９（ｃ　＝１．０　、　　ＣＢＣＩｓ
　）　、融点：９７〜９８℃）を得た。 ここで得た（−）−２−ベンジルオキシ−６−（１−ア
セトキシエチル）ナフタレン９．６ｇ（３０ミリモル）
をメタノール５０−に溶解し、２０％水酸化ナトリウム
衰容液２０Ｍ１を加え、室温で１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水に注ぎ入れ、酢酸エチルで
抽出した。得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下、濃縮
して、（−）、−２−ベンジルオキシ−６−（１−ヒド
ロキシエチル）ナフタレン（４４−２）　　８．４ｇ　
（収率１００％、（ａ　）　Ｍ”−−３３，８＠（ｃ−
１，０、ＣＨＣｆｆｉ、）、融点：９７〜９８℃）を得
た。 製造例９９ 製造例９８で得た（４３−１）１．４ｇ　（５ミリモル
）をジメチルホルムアミド２０Ｗ１に溶解し、水素化ナ
トリウム（含量６０％）０．３ｇ（８ミリモル）を加え
、室温で１時間撹拌した。その後、Ｐ−トルエンスルホ
ンｆＩＩＮ−ヘキシル２．１ｇ（８ミリモル）を加え、
７０〜８０℃で１００時間撹拌た。 反応終了後、反応混合物を水にあけ、有機層を水および
飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後
、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トル
エン／酢酸エチル−４０／１）に供し、（＋）　−２−
ベンジルオキシ−６−（１−へ牛シルオキシエチル）ナ
フタレン（４２−１）１．５ｇ　（収率８１％、（ｃｒ
）ｉ・−＋５３．０°　（、ｃ−１，０、ＣＨＣｌｘ　
）　）を得た。 製造例１００〜１０３ 製造例９８でアルキル化剤として用いたｐ−トルエンス
ルホン酸　ｎ−ヘキシルに代えて、表−８に記載のアル
キル化剤を用いる以外は、製造例９９と同モル数、同量
の試薬、溶媒を用いて反応および後処理を行った。 結果を表−８に示す。 製造例１０４〜１０６ 製造例９９で原料として用いた（４３−１）に代えて、
製造例９８で得た（４３−２）を原料とし、製造例９９
でアルキル化剤として用いたｐ−）ルエンスルホン酸　
ｎ−ヘキシルに代えて、表−９に示すアルキル化剤を用
いる以外は、製造例９９と同モル数、同量の試薬、溶媒
を用いて、反応および後処理を行った。 結果をＩＥ−９に示す。 （以下余白） 製造例１０７ 製造例９Ｂで得た（４３−２）１．４ｇ　（５ミリモル
）をピリジンｌＯ−に溶解し、０〜５℃に冷却した後、
ヘキサノイルクロリド０．９ｇ　（６゜５ミリモル）を
加え、同温で２時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水に注ぎ入れ、酢酸エチルで
抽出した。得られた有機層を１０％塩酸、水、５％重曹
水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥の後、減圧濃縮して、（−）−２−ベンジルオキシ
−６−（１−ヘキサノイルオキシエチル）ナフタレン４
２−９）　　１．８ｇ　（収率９６％、（Ｃｌ　）　ｓ
　”−７０゜３°　（ｃ−１、ＣＨＣｊ！ｓ　））を得
た。 製造例１０Ｂおよび１０９ 製造例１０７でエステル化剤として用いたヘキサノイル
クロリドに代えて、表−１０に記載のエステル化剤を用
いる以外は製造例１０７と同モル数、同量の試薬、溶媒
を用いて反応および後処理を行った。　結果を表−ｌＯ
に示す。 製造例１１０ 製造例９９で得た（４２−１）１．１ｇ　（３逅すモル
）をテトラヒドロフラン３０−およびメタノール１５ｍ
ｇの混合物に溶解し、１０％Ｐｄ／Ｃ０，１ｇを加え、
水素圧１〜１゜２気圧下で１２時間激しく攪拌した。 反応終了後、Ｐｄ／Ｃをろ別し、得られたろ液を減圧濃
縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル−１０／１　）
に供し、（＋）　−６−（１−へキシルオキシエチル）
２−ナフトール０．７７ｇ　（収率９０％、〔α）　ｌ
’−＋６０．６’（ｃ−１，ＣＨＣｊ！ｓ　））を得り
。 製造例１１１＃よび１２０ 製造例１１０で原料として用いた（４２Ｉ［−１）に代
えて製造例１００〜１０９で得た各種の光学活性なベン
ジルオキシナフタレン誘導体（４２）を用いる以外は、
製造例１１０と同様にして反応および後処理を行った。 結果を表−１１に示す。 〔光学活性なアルキルナフタレンナルカノール誘導体（
１１）の製造例〕 製造例１２１ 製造例１において原料として用いた２−ブロモナフタレ
ンに代えて２−ブロモ−６−ヘプチルナフタレンを用い
る以外は、製造例２と同様にして反応および後処理を行
い、２−（２−ヒドロキシプロピル）−６−ヘプチルナ
フタレン（５８−１）１６．８ｇ　（収率５９％）を得
た。 上で得た（５Ｂ−１）１４．２ｇ　（５０ミリモル）を
ピリジン１００ｍに溶解させ、０〜５“Ｃで塩化アセチ
ル４．７ｇ　（６０′、リモル）を加え、同温で３時間
攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、トルエン２
０（ｌｄを加え、抽出した。得られた有機層を１０％塩
酸、水、５％重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮して、２−（２
−アセトキシプロピル）−６−へブチルナフタレン（５
９−１）　１５．５ｇ　（収率９５％）を得た。 上で得た（５９−１）１３．０ｇ　（４０ミリモル）を
クロロホルム２０−に溶解させ、０．３Ｍリン酸パンフ
ァー３００Ｉ１１およびリパーゼ（「アマノＰ」）１．
４ｇを加えて、３６±２℃で６０時間激しく攪拌した。 反応終了後、反応混合物に酢酸エチル２００ｄを加え、
濾過した後、濾液を分液した。得られた有機層を飽和食
塩水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液−：トルエン
／酢酸エチルー２０／１）に供し、（−）−２−（２−
アセトキシプロピル）−６−ヘプチルナフタレン６．５
ｇ　（収率５０．１％、〔α）　ｉ”＝　−７，７＠（
ｃ＝　１、ＣＨＣｊ！ｓ　）　）および（−）−２＝　
（２−ヒドロキシプロピル）−６−へブチルナフタレン
（１１−１３５，１ｇ　（収率４５％、（α）！’−−
９，３°（ｃ　−１、ＣＢＣＩＩｓ　）　）を得た。 製造例１２２ 製造例３において原料として用いた４−ブロモナフタレ
ンに代えて２−ブロモ−６−ヘプチルナフタレンを用い
る以外は、製造例３と同様にして反応および後処理を行
い、２−（４−ヒドロキシペンチル）−６−へブチルナ
フタレン（５Ｂ−２）１５．３ｇ　（２−ブロモ−６−
ヘプチルナフタレンからの這蒐収率４９％）を得た。 上で得た（５８−２）を製造例１２１における（５Ｂ−
１）に代えて原料とする以外は、製造例１２１に準じて
エステル化反応、不斉加水分解反応および後処理を行い
、（−）−２−（４−アセトキシペンチル）−６−へプ
チルナタレン７．４ｇ（（α３ｍ”　　５．３°　（（
ｍ　ｌ、ＣＨＣｌ雪））および（−）−２−（４−ヒド
ロキシペンチル）−６−ヘプチルナフタレン（１１−２
）　　５．５ｇ　（α）　！”−−６，６″（ｃ　−１
、ＣＨＣｊ！ｓ））を得た。 実施例１ 攪拌装置、温度計を装着した四つロフラスコに（−）−
６−（２−プロポキシプロピル）−２−ナフタレンカル
ボン酸（２−１）　０．５５ｇ　（２ミリモル）と１−
オクタツール０．２９　ｇ　（２，２ミリモル）を仕込
み、無水ジクロルメタン１０ｍを加え、溶解させた。 この混合物に、Ｎ、Ｎ’　−ジシクロへキシルカルボジ
イミド０．５０ｇ　（２，４ミリモル）と４−ピロリジ
ノピリジン２０ｇを加え、室温で２４時間攪拌した。 反応終了後、生じた沈澱を濾別し、濾液をトルエン５０
ｍ！で希釈し、水、５％酢酸、水、５％重曹水、飽和食
塩水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、
減圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
ｔ８出液：トルエン／ヘキサン−２７１）に供し、（−
）−６−（２−プロポキシプロピル）−２−ナフタレン
カルボン！Ｉｉ！１−オクチル（１−１）　０．７４　
ｇ　（収率９６％）を得た。 実施例２ 攪拌装置、温度計を装着した四つロフラスコに（−）−
６−（２−プロポキシプロピル）−２−ナフタレンカル
ボン酸（２−１）　０．５５ｇ　（２ミリモル）と１−
ブロモペンクン０．３６　ｇ　（２，４ミリモル）を仕
込み、アセトニトリル１０ｄを加え、溶解させた。 この混合物に１，８−ジアザビシクロ（５，４゜０〕−
７−ウンデセン０．３７ｇ　（２，４ミリモル）を加え
、室温で１２時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、トルエン５
０−で抽出した。得られた有機層をＩＮ塩酸、水、５％
重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥の後、減圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出液：トルエン／ヘキサン−２／１）に供し、（−）
−６−（２−プロポキシプロピル）−２−ナフタレンカ
ルボン＃　　１−ペンチル（１−２）０．６５ｇ　（収
率９５％）を得た。 実施例３〜１２ 表−１２に記載の光学活性なナフタレンカルボン酸誘導
体〔２〕を原料とし、表−１２に記載のアルコール類〔
３〕またはハロゲン化合物〔４〕を実施例１または２に
記載の方法に準拠して反応させ、光学活性なナフタレン
誘導体〔１〕　（但し、Ｘが一〇〇〇−）を得た。 結果を表−１２に示す。 実施例１３ 攪拌装置、温度計を装着した四つロフラスコに（−）−
２−ヒドロキシ−６−（２−プロポキシプロビル）ナフ
タレン（５−１３０，５１ｇ　（２ミリモル）およびｌ
−ブロモデカン０．５３　ｇ　（２，４ミリモル）を仕
込み、ジメチルホルムアミド１０＋ｄを加え、溶解させ
た。 この混合物に炭酸カリウム０．４１ｇ（３ミリモル）を
加え、５０〜６０°Ｃで５時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、トルエン５
０ｍ！で抽出した。得られた有機層を水および飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧下
、濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
ｔｌ出液：トルエン／ヘキサン−２／１”）に供し、（
−）−２−デシルオキシ−６−（２−プロポキシプロビ
ル）ナフタレン（１−１３）０．７８ｇ　（収率９８％
）を得た。 実施例１４ 攪拌装置、温度針を装着した四つロフラスコに（−）−
２−ヒドロキシ−６−（２−プロポキシプロビル）ナフ
タレン（５−１３０，５１ｇ　（２ミリモル）を仕込み
、ピリジン５Ｉｄを加え、溶解させた。 この混合物に０〜５℃ヘキサノイルクロリド０．３０ｇ
　（２，２ミリモル）を加え、同温で１時間、さらに室
温で１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、トルエン
５０ｄで抽出した。得られた有機層をＩＮ塩酸、水、５
％重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥の後、減圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
ｉ出液：）ルエン／ヘキサン−２／１　）に供し、（−
）−２−ヘキサノイルオキシ−６−（２−プロポキシプ
ロビル）ナフタレン〔１−１４１０，７１ｇ　（収率９
９％）を得た。 実施例１５〜４４ 表−１３に記載の光学活性なヒドロキシナフタレン誘導
体〔５〕を原料とし、表−１３に記載のアルキル化剤〔
７〕またはカルボン酸〔６〕を実施例１３または１４に
記載の方法に準拠して反応させ、光学活性なナフタレン
誘導体（１）を得た。 結果を表−１３に示す。 実施例４５ 攪拌装置、温度針を装着した四つロフラスコに（＋）−
２−デシルオキシ−６−（３−ヒドロキシブチル）ナフ
タレン（８−１）０．７１ｇ　（２ミリモル］を仕込み
、ピリジン５＋ｄを加え、溶解させた。 この混合物に０〜５℃でプロピオン酸クロリド０．２０
ｇ　（２，２ミリモル）を加え、同温で２時間攪拌した
。 反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、トルエン
５０ｗ１で抽出した。得られた有機層をｌＮＩ！酸、水
、５％重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥の後、減圧下、濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出ｆｉ：）ルエン／ヘキサン−２／１　）に供し、（
−）　−２−デシルオキシ−６−（３−プロパノイルオ
キジプチル）ナフタレン〔１−４５］　０．８３ｇ　（
収率１００％）を得た。 実施例４６ 攪拌装置、温度計を装着した四つロフラスコに水素化カ
リウム（含量３５％）０．３４ｇ（３ミリモル）および
無水テトラヒドロフラン５Ｍ１を仕込み、さらに（＋）
−２−デシルオキシ−６−（７−ヒドロキシオクチル）
ナフタレン（８−２）０．８３ｇ（２ミリモル）を加え
、室温で１時間攪拌した。 得られた混合物に１−ヨードブタン０．７４ｇ（４ミリ
モル）を加え、４０〜５０℃で８時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物に少量の氷を加えて過剰の水素
化カリウムを分解した後、トルエン５〇−を加え抽出し
た。得られた有機層をＩＮ塩酸、水、５％重曹水、飽和
食塩水の順に洗浄し、無水硫骸マグネシウムで乾燥の後
、減圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
Ｉ出液：トルエン／ヘキサン−２／１）に供し、（＋）
−２−デシルオキシ−６−（７−ブトキシオクチル）ナ
フタレン（１−４６）　０．７５ｇ（収率８０％）を得
た。 実施例４７〜６７ ！Ｉ！−１４に記載の光学活性なアルコキシナフタレン
アルカノール絖導体〔８〕または光学活性なアルキルナ
フタレンアルカノール銹導体〔１１１を原料とし、表−
１４に記載のカルボンａ［（６）またはアルキル化剤〔
７〕を実施例４５または４６に記載の方法に準拠して反
応させ、光学活性なナフタレン誘導体〔１〕を得た。 結果を表−１４に示す。 実施例６８〜６つ 液晶化合物を用いて、表−１５に示す液晶組成物を調整
した。１１整は所定の化合物を所定の重量だけ試料ビン
中に秤量したものを加熱溶融しながら混合することによ
り行った。 このようにして調整した液晶組成物を酸化インジウム透
明電極が設けられているガラス基板にポリイミド系高分
子膜を設け、一定方向にラビング処理し、２枚の基板の
ラビング方向が平行になるようにガラスファイバー（径
６．ｕｍ）をスペーサーとして組立た液晶セル内に真空
封入して液晶素子を得た。 液晶Ｍｉ威物の相系列、チルト角および自発分極値を表
−１５に示す。 実施例７０ 本発明化合物のうち単独でＳｃ”相を示した化合物のう
ち、表−１６に記載の化合物単体を実施例６８〜６９で
用いた液晶組成物に代えて液晶素子を製造した。 これらの液晶素子を偏光子と組み合わせ、電界を２０Ｖ
に印加したところ、透過光強度の変化が観察された。こ
の透過光強度の変化より応答時間を測定し、表−１６に
示す結果を得た。 表−１６

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は炭素数３〜２０のアルキル基を、Ｒ＾
    ２は炭素数１〜２０のハロゲン原子で置換されていても
    よいアルキル基または炭素数２〜２０のハロゲン原子で
    置換されていてもよいアルコキシアルキル基を示す、Ｘ
    は、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−を示す。ｋ、ｌおよび
    ｍは０または１を、ｎは０〜６までの整数を、ｐは０ま
    たは１を示す。＊印は不斉炭素原子を示す。但し、ｋが
    ０のとき、ｌとｍが同時に１となることはなく、またｋ
    が１のとき、ｍは１であり、ｎが０でかつｍが１のとき
    Ｘは−ＣＯＯ−である。） で示される光学活性なナフタレン誘導体。
  2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾２、ｎ、ｐおよび＊印は前記と同じ意味を
    表し、Ｒ′は水酸基またはハロゲン原子を示す。） で示される光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体。
  3. （３）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾２、ｎ、ｐおよび＊印は前記と同じ意味を
    表す。） で示される光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体。
  4. （４）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１、ｎ、および＊印は前記と同じ意味を表
    す。） で示される光学活性なアルコキシナフタレンアルカノー
    ル誘導体。
  5. （５）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、ｎ、ｐおよび＊印は前記と同
    じ意味を表す。） で示される光学活性なアルキルナフタレンアルカノール
    誘導体。
  6. （６）請求項２に記載の光学活性なナフタレンカルボン
    酸誘導体と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１、ｋ、およびｌは前記と同じ意味を表す
    。） で示されるアルコール類とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうち、ｍが１でかつＸが−
    ＯＣＯ−である化合物の製造法。
  7. （７）請求項２に記載の光学活性なナフタレンカルボン
    酸誘導体のうちＲ′が水酸基である化合物と一般式 Ｒ＾１−Ｚ （式中、Ｒ＾１は前記と同じ意味を表し、Ｚはハロゲン
    原子を示す。） で示されるハロゲン化合物とを反応させることを特徴と
    する請求項１に記載の化合物のうち、ｍが１、ｋが０、
    ｌが０でかつＸが−ＯＣＯ−である化合物の製造法。
  8. （８）請求項３に記載の光学活性なヒドロキシナフタレ
    ン誘導体と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１およびＲ′は前記と同じ意味を表し、ｋ
    およびｌは０または１を示す。但し、ｋが０のときｌは
    ０である。） で示されるカルボン酸類とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうち、ｍが１でかつＸが−
    ＣＯＯ−である化合物の製造法。
  9. （９）請求項３に記載の光学活性なヒドロキシナフタレ
    ン誘導体と一般式 Ｒ＾１−Ｙ （式中、Ｒ＾１は前記と同じ意味を表し、Ｙはハロゲン
    原子または−ＯＳＯ２Ｒ″を示す。ここでＲ″は低級ア
    ルキル基または置換されていてもよいフェニル基を示す
    。） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちｌが１でかつｋおよび
    ｍが０である化合物の製造法。
  10. （１０）請求項４に記載の光学活性なアルコキシナフタ
    レンアルカノール誘導体と一般式 Ｒ＾２ＣＯＲ′ （式中、Ｒ＾２およびＲ′は前記と同じ意味を表す。） で示されるカルボン酸類とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちｌが１で、ｋおよびｍ
    が０でかつｐが１である化合物の製造法。
  11. （１１）請求項４に記載の光学活性なアルコキシナフタ
    レンアルカノール誘導体と一般式 Ｒ＾２−Ｙ （式中、Ｒ＾２およびＹは前記と同じ意味を表す。） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちｌが１でかつｋおよび
    ｍが０でかつｐが０である化合物の製造法。
  12. （１２）請求項５に記載の光学活性なアルキルナフタレ
    ンアルカノール誘導体と一般式 Ｒ＾２ＣＯＲ′ （式中、Ｒ＾２およびＲ′は前記と同じ意味を表す。） で示されるカルボン酸類とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちｋ、ｌおよびｍが０で
    かつｐが１である化合物の製造法。
  13. （１３）請求項５に記載の光学活性なアルキルナフタレ
    ンアルカノール誘導体と一般式 Ｒ＾２−Ｙ （式中、Ｒ＾２およびＹは前記と同じ意味を表す。） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちに、ｌおよびｍが０で
    かつｐが０である化合物の製造法。
  14. （１４）請求項１に記載の光学活性なナフタレン誘導体
    を少なくとも１種類配合成分として含有することを特徴
    とする液晶組成物。
  15. （１５）請求項１に記載の光学活性なナフタレン誘導体
    を少なくとも１種類配合成分として含有する液晶組成物
    を用いてなる液晶素子。
JP2236843A 1989-09-08 1990-09-05 光学活性なナフタレン誘導体、その製造法、それを有効成分とする液晶組成物およびこれを用いてなる液晶素子 Expired - Fee Related JP2890759B2 (ja)

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