JPH03292760A

JPH03292760A - セラミック配線基板

Info

Publication number: JPH03292760A
Application number: JP9605790A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Maruyama; 和之丸山; Hiroyuki Fukuda; 博之福田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1990-04-10
Filing date: 1990-04-10
Publication date: 1991-12-24
Anticipated expiration: 2013-07-30
Also published as: JP2781053B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、集積回路素子を搭載するためのセラミック配
線基板に関する。

［従来の技術］Ｊ”文字状に成形された外部リードをセラミック製基台
にガラス層で固定し、集積回路素子の密封等で再加熱が
必要なセラミック配線基板では、密封の際の熱でガラス
層が溶けて外部リードがずれてしまわないようにガラス
層に結晶化ガラスを採用している。

１発明か解決しようとする課題］しかるに、結晶化ガラスは誘′８率が大きいのて、従来
のセラミック配線基板は電気的特性に劣るという欠点が
ある。

本発明の目的は、電気的特性に優れ、かつ再加熱時の外
部リードのずれが防止できるセラミック配線基板の提供
にある。

一課題を解決するための手段］上記課題を解決するため、本発明は、集積回路素子を搭
載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前
記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と
、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードと
を備え、後工程で再加熱を必要とするセラミック配線基
板において、前記外部リードの基部に接するガラス層は
結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶
化ガラスは、少なくとも前記基部のガラス層への接触面
の内、外側部以外の位置に配された構成を採用した。

［作用および発明の効果］（作用）溶融後に結晶化ガラスおよび非晶質ガラスとなるガラス
原料を基台の主表面に配する。なお、結晶化ガラスとな
るガラス原料は基台主表面の外側部以外の位置に配する
。

熱を加えて各ガラス原料を溶かし、複数本の外部リード
を基台の主表面に固定する。

固化すると物性が変化し、結晶化ガラスは軟化温度、溶
融温度がガラス原料時より高くなる。

リード曲げによるガラスクラックの補修、集積回路素子
の密封、セラミックフレームの取付けなどを行うために
再加熱しても結晶化ガラスは軟化したり溶融したりしな
い。

なお、結晶化ガラスを基台主表面の外側部に介在させる
と、ガラスクラックの補修が完全には行えない。また、
結晶化ガラスを外部リードに接するようにしないとずれ
防止の効果がでない。

く効果）誘電率が高い結晶化ガラスが、誘電率が低い非晶質ガラ
スに一部分置き換わるので、セラミック配線基板は電気
的特性が良くなる。

結晶化ガラスは再加熱時に、軟化したり溶融したすせず
外部リードを拘持する。このため、外部リードのずれが
防止できる。

［実施例］つぎに、本発明の第１実施例を第１図および第２図に基
づき説明する。

セラミッククワッドパッケージ（以下略してパッケージ
と呼ぶ）Ａは、基台１に外部リード２をガラス層３を介
して固定している。

基台１は、断面正方形の薄板状を呈し、アルミナを主体
とするセラミック焼結体で形成されている。なお、上端
面１１の中央部には集積回路素子を搭載するための、窪
みであるキャビティ１２か形成されている。

外部リード２（４２アロイ製）は、基部２１か前記ガラ
ス層３に固定され、先部２２は略、１字形状に内方に曲
げられている。

ガラス層３は、ＩＭＨｚにおける誘電率がそれぞれ１８
９．１２，７の結晶化ガラス３１（コニング社の＃７５
８３）　、および非晶質ガラス３２（岩城硝子社のＴ−
１８７）で構成されている。

本実施例では、結晶化ガラス３１をキャビティ１２側〈
上端面１１の約１／３を占める〉に位置させ、この結晶
化ガラス３１により外部リード２のずれ防止を図ってい
る。

つぎに、パッケージＡの製造方法と説明する。

（１）結晶化ガラス３１および非晶質ガラス３２の各ガ
ラス原料（微粉末）に、それぞれ有機溶剤を加えてペー
スト状にし、各ペーストを前記セラミック製基台１のキ
ャビティ１２側および残り部分の上端面１１に印刷、お
よび焼成を行う。

（２）外部リード２を乗せ、４２０°Ｃ〜５００°Ｃで
各ガラス原料を溶融させる。

（３）各ガラス原料は、固化後、結晶化ガラス３１およ
び非晶質ガラス３２になる。

（４）外部リード２の先端を略Ｊ字状に内側に曲げろ。

この時、外側部１３に位置する非晶質ガラス３２には折
曲げによるカラスクラックが発生する。

（５）ガラスクラックを浦１６するために、４２０°Ｃ
〜５００°Ｃにして非晶質カラス３２のみ７容融させる
。

Ｙ′１下　パフケージＡに集積回路素子を密封する１稈
について述べる。

（６）キャビティ１２に集積回路素子を載置し、素子の
足を外部リード２にボンディングする。

（７）非晶質ガラス３２と同様のペーストを印刷、焼成
された蓋とともに４２０℃〜４５０°Ｃに加熱して封着
する。

つぎに、パッケージＡの効果（集積回路素子の密封後の
効果も含む）を述べる。

ア、上記（５）や（７）の工程において、非晶質ガラス
３２が再溶融しても、結晶化ガラス３１は軟化したり溶
融したりしない。このなめ、蓋材着後の外部リード２の
段差の増加は０．０１ｍｍ以内に収まる。なお、全て非
晶質ガラス３２にしたちのく比較品）は、外部リード２
の段差の増加が０゜１ｍｍ〜０．５ｍｍである。

イ、ガラスクラックが非晶質ガラス３２に発生しても、
非晶質ガラス３２を再溶融させることにより修復するこ
とができ、気密性に優れる。

つ、非晶質ガラス３２部分の方が多いので、誘電率が下
がり、外部リード２どうしの静電容量の低減が量れ集積
回路素子の高速作動に有利である。

第３図は、本発明の第２実施例である。

パッケージＢは、キャビティ１２側の上層部のみ結晶化
ガラス３１を用いている。

本実施例のものは、蓋材着後の外部リード２の段差の増
加が０．０２ｍｍ以内となり、ややパッケージＡに比べ
て劣るが、上記（１）の工程が容易にできるという利点
がある。

第４図は、本発明の第３実施例である。

パッケージＣは、上記工程（５）まで行った後、セラミ
ックフレーム５に非晶質ガラス３２と同様のペーストを
印刷、焼成して非晶質ガラス４とし、４２０℃〜４５０
℃に加熱してセラミックフレーム５を取り付けている。

本発明は、上記実施例以外につぎの実施態様を含む。

ａ、外部リード２の形状はフラットやガルウィングでも
良い。

ｂ、蓋の封着は、Ａｕ−３ｉシール、フリットシールを
問わない。

Ｃ，セラミック製基台１は、上述のアルミナに限定され
ず、５ｉＣ−ＢｅＯ系、ＡｆＪＮ系、Ａｐ２Ｑ３−３ｉ
ｎ、系、（Ｚ　ｒ　Ｓ　ｎ　）　Ｔ　ｉ　Ｏａ系、ペロ
ブスカイト型酸化物系などのセラミックでも良い。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の第１実施例を示す。第２図はパッケージの上面図、第１図はそのＤＤ線断面
図である。第３図は本発明の第２実施例におけるパッケージの断面
図である。第４図は本発明の第３実施例における三層構造を備えた
パッケージの断面図である。図中　１・・・基台　２・・・外部リード　３・・ガラ
ス層　１１・・・上端面（主表面）１２・・キャビティ
（窪み）１３・・・外側部　２１・・・基部　３１・・
結晶化ガラス　３２・・非晶質ガラス　Ａ、Ｂ、Ｃセラ
ミッククワ・ソドパッゲージ（セラミンク配線基板）第２図

Claims

【特許請求の範囲】１）集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラ
ミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層
と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で再加熱を必要とするセラミック配線基
板において、前記外部リードの基部に接するガラス層は結晶化ガラス
および非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは、少なくとも前記基部のガラス層へ
の接触面の内、外側部以外の位置に配されたことを特徴
とするセラミック配線基板。