JPH03212901A - 角板型チップ抵抗器 - Google Patents
角板型チップ抵抗器Info
- Publication number
- JPH03212901A JPH03212901A JP2008628A JP862890A JPH03212901A JP H03212901 A JPH03212901 A JP H03212901A JP 2008628 A JP2008628 A JP 2008628A JP 862890 A JP862890 A JP 862890A JP H03212901 A JPH03212901 A JP H03212901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- glass
- softening point
- glass layer
- linear expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、主に自動実装機により高密度配線回路（ハイ
ブリッドＩＣ等）に装備される角板型チップ抵抗器に関
するものである。
ブリッドＩＣ等）に装備される角板型チップ抵抗器に関
するものである。
従来の技術
近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求がますます増
大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、抵抗
素子には非常に小型な角板型チップ抵抗器が多く用いら
れるようになってきた。
大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、抵抗
素子には非常に小型な角板型チップ抵抗器が多く用いら
れるようになってきた。
また、この角板型チップ抵抗器は高速度でプリント基板
に実装するために、自動実装機により実装されることが
ほとんどである。このため、角板型チップ抵抗器の実装
品質を高める要望が強くなってきている。
に実装するために、自動実装機により実装されることが
ほとんどである。このため、角板型チップ抵抗器の実装
品質を高める要望が強くなってきている。
従来の角板型チップ抵抗器の構造を第２図に示す。
従来の高電力型の角板型チップ抵抗器は、９６アルミナ
基板１１と、銀系厚膜電極による上面電極層１２と端面
電極層１３、ルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層１４と
、抵抗層１４を覆うホウ珪酸鉛系ガラスによる第１ガラ
ス層１５と捺印ガラス層１６と第２ガラス層１７から構
成されている。なお、露出電極面には半田材は性を向上
させるために、Ｎｉメツキ層１８と５ｎ−Ｐｂメツキ層
１９を電解メツキにより施している。
基板１１と、銀系厚膜電極による上面電極層１２と端面
電極層１３、ルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層１４と
、抵抗層１４を覆うホウ珪酸鉛系ガラスによる第１ガラ
ス層１５と捺印ガラス層１６と第２ガラス層１７から構
成されている。なお、露出電極面には半田材は性を向上
させるために、Ｎｉメツキ層１８と５ｎ−Ｐｂメツキ層
１９を電解メツキにより施している。
発明が解決しようとする課題
しかし、従来の角板型チップ抵抗器の抵抗体の、保護層
は信頼性を確保するため、３層のガラス構造をとってお
り、第１ガラス層・捺印ガラス層・第２ガラス層から構
成されている。このガラスはガラス軟化点が５９０℃〜
６１０℃で線膨張係数が６４Ｘ１０−７〜６６ Ｘ １
０−７／’Ｃであり、これを５８０℃〜６００℃の温度
で焼成することにより形成している。この場合、ガラス
表面には、捺印ガラス層の盛り上がり部分が残り、約２
０〜３０μの凹凸が発生してしまう。
は信頼性を確保するため、３層のガラス構造をとってお
り、第１ガラス層・捺印ガラス層・第２ガラス層から構
成されている。このガラスはガラス軟化点が５９０℃〜
６１０℃で線膨張係数が６４Ｘ１０−７〜６６ Ｘ １
０−７／’Ｃであり、これを５８０℃〜６００℃の温度
で焼成することにより形成している。この場合、ガラス
表面には、捺印ガラス層の盛り上がり部分が残り、約２
０〜３０μの凹凸が発生してしまう。
これは、ガラス軟化点付近で保護ガラスを焼成するため
、ガラスが十分に溶融せず、捺印ガラス層の盛り上がり
が残るためと考えられる。
、ガラスが十分に溶融せず、捺印ガラス層の盛り上がり
が残るためと考えられる。
この表面に凹凸がある角板型チップ抵抗器を自動実装機
でプリント基板等に実装しようとする場合、自動実装機
の吸着ピンで角板型チップ抵抗器を吸い上げたときに、
ガラス表面の凹凸のために吸着ビンと角板型チップ抵抗
器が点接触しているような形となり、角板型チップ抵抗
器が回転してしまうことが多く、第３図に示すように斜
めに実装され、正確にプリント基板に実装できないとい
った課題があった。なお、２０はプリント基板、２１は
導体部、２２は角板型チップ抵抗器である。
でプリント基板等に実装しようとする場合、自動実装機
の吸着ピンで角板型チップ抵抗器を吸い上げたときに、
ガラス表面の凹凸のために吸着ビンと角板型チップ抵抗
器が点接触しているような形となり、角板型チップ抵抗
器が回転してしまうことが多く、第３図に示すように斜
めに実装され、正確にプリント基板に実装できないとい
った課題があった。なお、２０はプリント基板、２１は
導体部、２２は角板型チップ抵抗器である。
この課題を解決するための対策として従来、■ガラスの
焼成温度を６４０℃以上の高温で焼成し、保護ガラスを
十分に溶融させ、表面の凹凸を小さくする、■保護ガラ
スの軟化点を５５０℃程度に下げることにより、従来の
焼成温度により十分にガラスを溶融させ、表面の凹凸を
小さくする、等の検討が考えられた。しかし、■のよう
に焼成温度を上げると、抵抗値のばらつきが大きくなり
、■のようにガラスの軟化点を下げると線膨張係数が大
きくなるとともに、ガラスの耐酸性も劣化する。このた
め、ガラスとアルミナ基板との熱膨張係数の差によるガ
ラス内部の応力が残りやすく、更に耐酸性が劣化してい
るので、露出電極面に電気めっきを施すときにガラス表
面が酸に侵食され、内部応力が発散しようとして、ガラ
ス表面にクラックが発生するといった課題があった。
焼成温度を６４０℃以上の高温で焼成し、保護ガラスを
十分に溶融させ、表面の凹凸を小さくする、■保護ガラ
スの軟化点を５５０℃程度に下げることにより、従来の
焼成温度により十分にガラスを溶融させ、表面の凹凸を
小さくする、等の検討が考えられた。しかし、■のよう
に焼成温度を上げると、抵抗値のばらつきが大きくなり
、■のようにガラスの軟化点を下げると線膨張係数が大
きくなるとともに、ガラスの耐酸性も劣化する。このた
め、ガラスとアルミナ基板との熱膨張係数の差によるガ
ラス内部の応力が残りやすく、更に耐酸性が劣化してい
るので、露出電極面に電気めっきを施すときにガラス表
面が酸に侵食され、内部応力が発散しようとして、ガラ
ス表面にクラックが発生するといった課題があった。
本発明は、このような課題を一挙に解決するもので、抵
抗値ばらつきを大きくすることなく、ガラスの耐酸性も
劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を小さくし高実装
精度を実現した角板型チップ抵抗器を提供するものであ
る。
抗値ばらつきを大きくすることなく、ガラスの耐酸性も
劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を小さくし高実装
精度を実現した角板型チップ抵抗器を提供するものであ
る。
課題を解決するための手段
本発明の角板型チップ抵抗器は、絶縁性のセラミック基
板と、前記セラミック基板上に形成される銀系厚膜の上
面電極層と、前記上面電極層の一部に重なるルテニウム
系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層を完全に覆う軟化点が５
５０℃〜５７０℃でかつ線膨張係数が６９Ｘ１０−７〜
７５Ｘ１０−７層℃の第１ガラス層と、前記第１ガラス
層上に形成される軟化点が５５０℃〜５７０℃でかつ線
膨張係数が６８Ｘ１０−７〜７４ Ｘ １０−７層℃の
捺印ガラス層と、前記第１ガラス層上で前記捺印ガラス
層を完全に覆うように形成される軟化点が５８０℃〜６
３０℃でかつ線膨張係数が６２ｘ１０−７〜６８ Ｘ
１０−７層℃の第２ガラス層と、前記上面電極層の一部
に重なる銀系厚膜の端面電極層とより構成されている。
板と、前記セラミック基板上に形成される銀系厚膜の上
面電極層と、前記上面電極層の一部に重なるルテニウム
系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層を完全に覆う軟化点が５
５０℃〜５７０℃でかつ線膨張係数が６９Ｘ１０−７〜
７５Ｘ１０−７層℃の第１ガラス層と、前記第１ガラス
層上に形成される軟化点が５５０℃〜５７０℃でかつ線
膨張係数が６８Ｘ１０−７〜７４ Ｘ １０−７層℃の
捺印ガラス層と、前記第１ガラス層上で前記捺印ガラス
層を完全に覆うように形成される軟化点が５８０℃〜６
３０℃でかつ線膨張係数が６２ｘ１０−７〜６８ Ｘ
１０−７層℃の第２ガラス層と、前記上面電極層の一部
に重なる銀系厚膜の端面電極層とより構成されている。
作用
この構成にによると、第１ガラス層のガラス軟化点が焼
成温度（５９０℃）に比べ低いので、捺印ガラスが第１
ガラス層に沈み込み、表面の凹凸を小さくできると共に
、第２ガラス層の耐酸性は劣化していないので、電気メ
ツキの時ガラスが侵食されず、ガラス表面にクラックは
発生しない。
成温度（５９０℃）に比べ低いので、捺印ガラスが第１
ガラス層に沈み込み、表面の凹凸を小さくできると共に
、第２ガラス層の耐酸性は劣化していないので、電気メ
ツキの時ガラスが侵食されず、ガラス表面にクラックは
発生しない。
また、第２ガラス層の線膨張係数が最も小さいので、内
部応力は第２ガラス層を圧縮する方向に発生し、クラッ
クは更に発生しにくい。
部応力は第２ガラス層を圧縮する方向に発生し、クラッ
クは更に発生しにくい。
これにより、抵抗値ばらつきを大きくすることなく、ガ
ラスの耐酸性も劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を
小さくし高精度実装を可能にした角板型チップ抵抗器を
提供することができる。
ラスの耐酸性も劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を
小さくし高精度実装を可能にした角板型チップ抵抗器を
提供することができる。
実施例
以下、本発明の実施例について、第１図を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図において、本発明の角板型チップ抵抗器は、９６
アルミナ基板１と、銀系厚膜電極による上面電極層２と
端面電極層３、ルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層４と
、抵抗層４を覆うホウ珪酸鉛系ガラスによる第１ガラス
層５と捺印ガラス層６と第２ガラス層７からなっている
。なお、露出電極面には半田付は性を向上させるために
、Ｎｉメツキ層８と５ｎ−Ｐｂメツキ層９を電解メツキ
により施している。
アルミナ基板１と、銀系厚膜電極による上面電極層２と
端面電極層３、ルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層４と
、抵抗層４を覆うホウ珪酸鉛系ガラスによる第１ガラス
層５と捺印ガラス層６と第２ガラス層７からなっている
。なお、露出電極面には半田付は性を向上させるために
、Ｎｉメツキ層８と５ｎ−Ｐｂメツキ層９を電解メツキ
により施している。
第２図を用いて、本発明の実施例の詳細について説明す
る。まず、耐熱性及び絶縁性に優れた大版の９６アルミ
ナ基板を受は入れる。このアルミナ基板には短冊状、お
よび個片状に分割するために、分割のための溝（グリー
ンシート時に金型成形）が形成されている。次に、前記
９６アルミナ基板上に厚膜銀ペーストをスクリーン印刷
し、ベルト式連続焼成炉によって８５０℃の温度で、ピ
ーク時間６分、ｌＮ−０ＵＴ ４５分のプロファイル
によって焼成し上面電極層２を形成する。次に、上面電
極層２の一部に重なるように、ＲｕＯ２を主成分とする
厚膜抵抗ペーストをスクリーン印刷し、ベルト式連続焼
成炉により８５０℃の温度でピーク時間６分、ｌＮ−０
ＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼成し、抵抗層
４を形成する。次に、前記上面電極層２間の前記抵抗層
４の抵抗値を揃えるために、レーザー光によって、前記
抵抗体層４の一部を破壊し抵抗値修正を行う。更に、前
記抵抗層４を完全に覆うように、ガラス軟化点が５６０
±５℃で焼成後の線膨張係数が７２±２Ｘ１０−７の第
１ガラスペーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉
によって１５０℃で１０分乾燥する。さらに、乾燥済み
の第１ガラスペーストの上に、ガラス軟化点が５６０±
５℃で焼成後の線膨張係数が７１±２Ｘ１０−７の捺印
ガラスペーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉に
よって１１０℃で１０分乾燥する。さらに、乾燥済みの
第１ガラスペーストの上で乾燥済み捺印ガラスペースト
を完全に覆うように、ガラス軟化点が６０３±１５℃で
焼成後の線膨張係数が６５±２Ｘ１０−７の第２ガラス
ペーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉によって
１５０℃で１０分乾燥する。その後、ベルト式連続焼成
炉によって５９０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ＝
ＯＵＴ ５Ｃ１の焼成プロファイルによって焼成し、
第１ガラス層５と捺印ガラス層６と第２ガラス層７を形
成する。次に、端面電極を形成するための準備工程とし
て、端面電極を露出させるために、アルミナ基板１を短
冊状に分割し、短冊状アルミナ基板をえる一部基板分割
を行った。前記短冊状アルミナ基板の側面に、前記上面
電極層２の一部に重なるように厚膜銀ペーストをローラ
ーによって塗布し、ベルト式連続焼成炉によって６００
℃の温度で、ピーク時間６分、ｌＮ−０ＵＴ４５分の焼
成プロファイルによって焼成し端面電極層３を形成する
ために端面導体ペースト印刷・焼成を行う。次に、電極
メツキ工程Ｊの準備工程として、前記端面電極層３を形
成済みの短冊状アルミナ基板を個片状に分割する二次基
板分割を行い、個片状アルミナ基板を得る。そして最後
に、露出している上面電極層２と端面電極層３のはんだ
付は時の電極喰われの防止およびはんだ付けの信頼性の
確保のため、電解メツキによってＮｉメツキ層８，５ｎ
−Ｐｂのメツキ層９を形成する電解メツキを行う。
る。まず、耐熱性及び絶縁性に優れた大版の９６アルミ
ナ基板を受は入れる。このアルミナ基板には短冊状、お
よび個片状に分割するために、分割のための溝（グリー
ンシート時に金型成形）が形成されている。次に、前記
９６アルミナ基板上に厚膜銀ペーストをスクリーン印刷
し、ベルト式連続焼成炉によって８５０℃の温度で、ピ
ーク時間６分、ｌＮ−０ＵＴ ４５分のプロファイル
によって焼成し上面電極層２を形成する。次に、上面電
極層２の一部に重なるように、ＲｕＯ２を主成分とする
厚膜抵抗ペーストをスクリーン印刷し、ベルト式連続焼
成炉により８５０℃の温度でピーク時間６分、ｌＮ−０
ＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼成し、抵抗層
４を形成する。次に、前記上面電極層２間の前記抵抗層
４の抵抗値を揃えるために、レーザー光によって、前記
抵抗体層４の一部を破壊し抵抗値修正を行う。更に、前
記抵抗層４を完全に覆うように、ガラス軟化点が５６０
±５℃で焼成後の線膨張係数が７２±２Ｘ１０−７の第
１ガラスペーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉
によって１５０℃で１０分乾燥する。さらに、乾燥済み
の第１ガラスペーストの上に、ガラス軟化点が５６０±
５℃で焼成後の線膨張係数が７１±２Ｘ１０−７の捺印
ガラスペーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉に
よって１１０℃で１０分乾燥する。さらに、乾燥済みの
第１ガラスペーストの上で乾燥済み捺印ガラスペースト
を完全に覆うように、ガラス軟化点が６０３±１５℃で
焼成後の線膨張係数が６５±２Ｘ１０−７の第２ガラス
ペーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉によって
１５０℃で１０分乾燥する。その後、ベルト式連続焼成
炉によって５９０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ＝
ＯＵＴ ５Ｃ１の焼成プロファイルによって焼成し、
第１ガラス層５と捺印ガラス層６と第２ガラス層７を形
成する。次に、端面電極を形成するための準備工程とし
て、端面電極を露出させるために、アルミナ基板１を短
冊状に分割し、短冊状アルミナ基板をえる一部基板分割
を行った。前記短冊状アルミナ基板の側面に、前記上面
電極層２の一部に重なるように厚膜銀ペーストをローラ
ーによって塗布し、ベルト式連続焼成炉によって６００
℃の温度で、ピーク時間６分、ｌＮ−０ＵＴ４５分の焼
成プロファイルによって焼成し端面電極層３を形成する
ために端面導体ペースト印刷・焼成を行う。次に、電極
メツキ工程Ｊの準備工程として、前記端面電極層３を形
成済みの短冊状アルミナ基板を個片状に分割する二次基
板分割を行い、個片状アルミナ基板を得る。そして最後
に、露出している上面電極層２と端面電極層３のはんだ
付は時の電極喰われの防止およびはんだ付けの信頼性の
確保のため、電解メツキによってＮｉメツキ層８，５ｎ
−Ｐｂのメツキ層９を形成する電解メツキを行う。
以上の工程により、本発明の実施例による角板型薄膜チ
ップ抵抗器を試作した また、比較例１として第１ガラス層・捺印ガラス層・第
２ガラス層を、ガラス軟化点が６００±２０℃かつ焼成
後の線膨張係数が６５±２×１０−７のガラスペースト
を用い、６４０℃で焼成した角板型チップ抵抗器を試作
し、比較例２として第１ガラス層・捺印ガラス層・第２
ガラス層を、ガラス軟化点が５５０±２０℃かつ焼成後
の線膨張係数が６５±２Ｘ１０−７のガラスを用い、５
９０℃で焼成した角板型チップ抵抗器を試作した。
ップ抵抗器を試作した また、比較例１として第１ガラス層・捺印ガラス層・第
２ガラス層を、ガラス軟化点が６００±２０℃かつ焼成
後の線膨張係数が６５±２×１０−７のガラスペースト
を用い、６４０℃で焼成した角板型チップ抵抗器を試作
し、比較例２として第１ガラス層・捺印ガラス層・第２
ガラス層を、ガラス軟化点が５５０±２０℃かつ焼成後
の線膨張係数が６５±２Ｘ１０−７のガラスを用い、５
９０℃で焼成した角板型チップ抵抗器を試作した。
この本発明の実施例と比較例１、比較例２の性能比較を
第１表に示す。
第１表に示す。
第１表に示さなかった特性（抵抗温度特性、電流雑音特
性等）は本発明の実施例、従来例、比較例１．比較例２
は同等の性能を有していることを確認した。
性等）は本発明の実施例、従来例、比較例１．比較例２
は同等の性能を有していることを確認した。
また更に、本発明の角板型チップ抵抗器は第１ガラス層
・捺印ガラス層のガラス軟化点は焼成温度より約３０℃
も低いので、十分に軟化し、角板型チップ抵抗器でしば
しば問題になるガラス表面のピンホールも改善されてい
る。
・捺印ガラス層のガラス軟化点は焼成温度より約３０℃
も低いので、十分に軟化し、角板型チップ抵抗器でしば
しば問題になるガラス表面のピンホールも改善されてい
る。
（以 下 余 白）
第
表
第１表より明らかなように、本発明の実施例の角板型チ
ップ抵抗器はガラス表面の凹凸が小さいため実装性能が
優れ（斜゛め実装無し）、耐酸性も良好で、抵抗値バラ
ツキも従来品と比べ同等で優れた性能を有していると言
える。
ップ抵抗器はガラス表面の凹凸が小さいため実装性能が
優れ（斜゛め実装無し）、耐酸性も良好で、抵抗値バラ
ツキも従来品と比べ同等で優れた性能を有していると言
える。
なお、第１ガラス層にガラス軟化点が５６０±５℃で焼
成後の線膨張係数が７２±２Ｘ１０−７のガラスペース
トを、捺印ガラス層としてガラス軟化点が５６０±５℃
で焼成後の線膨張係数が７１±２×１０−７のガラスペ
ーストを、第２ガラス層としてガラス軟化点が６０３±
１５℃で焼成後の線膨張係数が６５±２×１０ のガラ
スペーストを用いたが、これはガラス層を限定するもの
ではなく、これは軟化点が５５０℃〜５７０℃（５５５
℃〜５６５℃が最適）でかつ線膨張係数が６９Ｘ１０−
７〜７５Ｘ１０″７７℃の第１ガラス層と、軟化点が５
５０℃〜５７０℃（５５５℃〜５６５℃が最適）でかつ
線膨張係数が６８Ｘ１０−７〜７４ Ｘ １０−７／’
Ｃの捺印ガラス層と、軟化点が５８０℃〜６３０℃（５
８８℃〜６１８℃が最適）でかつ線膨張係数が６２Ｘ１
０−７〜６８ Ｘ １０−７−／℃の第２ガラス層であ
ればよい。
成後の線膨張係数が７２±２Ｘ１０−７のガラスペース
トを、捺印ガラス層としてガラス軟化点が５６０±５℃
で焼成後の線膨張係数が７１±２×１０−７のガラスペ
ーストを、第２ガラス層としてガラス軟化点が６０３±
１５℃で焼成後の線膨張係数が６５±２×１０ のガラ
スペーストを用いたが、これはガラス層を限定するもの
ではなく、これは軟化点が５５０℃〜５７０℃（５５５
℃〜５６５℃が最適）でかつ線膨張係数が６９Ｘ１０−
７〜７５Ｘ１０″７７℃の第１ガラス層と、軟化点が５
５０℃〜５７０℃（５５５℃〜５６５℃が最適）でかつ
線膨張係数が６８Ｘ１０−７〜７４ Ｘ １０−７／’
Ｃの捺印ガラス層と、軟化点が５８０℃〜６３０℃（５
８８℃〜６１８℃が最適）でかつ線膨張係数が６２Ｘ１
０−７〜６８ Ｘ １０−７−／℃の第２ガラス層であ
ればよい。
また実施例においては、抵抗値トリミング前に抵抗値ド
リフトを抑えるためのプリコートガラスを形成しなかっ
たが、プリコートガラスを形成した後にトリミングし、
角板型チップ抵抗器を試作しても同等の性能が得られる
ことを確認している。
リフトを抑えるためのプリコートガラスを形成しなかっ
たが、プリコートガラスを形成した後にトリミングし、
角板型チップ抵抗器を試作しても同等の性能が得られる
ことを確認している。
発明の効果
以上の説明より明らかなように、本発明の角板型チップ
抵抗器は抵抗値ばらつきを大きくすることなく、ガラス
の耐酸性も劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を小さ
くし高精度実装を可能にした角板型チップ抵抗器を提供
することができるといった優れた効果が得られる。
抵抗器は抵抗値ばらつきを大きくすることなく、ガラス
の耐酸性も劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を小さ
くし高精度実装を可能にした角板型チップ抵抗器を提供
することができるといった優れた効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例による角板型チップ抵抗器の
構造を示す断面図、第２図は従来の角板型チップ抵抗器
の構造の一例を示す断面図、第３図は従来の角板型チッ
プ抵抗器が斜めに実装されたときの状態説明図である。 １・・・・・・９６アルミナ基板、２・・・・・・上面
電極層、３・・・・・・端面電極層、４・・・・・・抵
抗層、５・・・・・・第１ガラス層、６・・・・・・捺
印ガラス層、７・・・・・・第２ガラス層、８・・・・
・・Ｎｉメツキ層、９・・・・・・５ｎ−Ｐｂメツキ層
。
構造を示す断面図、第２図は従来の角板型チップ抵抗器
の構造の一例を示す断面図、第３図は従来の角板型チッ
プ抵抗器が斜めに実装されたときの状態説明図である。 １・・・・・・９６アルミナ基板、２・・・・・・上面
電極層、３・・・・・・端面電極層、４・・・・・・抵
抗層、５・・・・・・第１ガラス層、６・・・・・・捺
印ガラス層、７・・・・・・第２ガラス層、８・・・・
・・Ｎｉメツキ層、９・・・・・・５ｎ−Ｐｂメツキ層
。
Claims (1)
- 絶縁性のセラミック基板と、前記セラミック基板上に
形成される銀系厚膜の上面電極層と、前記上面電極層の
一部に重なるルテニウム系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層
を完全に覆う軟化点が５５０℃〜５７０℃でかつ線膨張
係数が６９×１０＾−＾７〜７５×１０＾−＾７／℃の
第１ガラス層と、前記第１ガラス層上に形成される軟化
点が５５０℃〜５７０℃でかつ線膨張係数が６８×１０
＾−＾７〜７４×１０＾−＾７／℃の捺印ガラス層と、
前記第１ガラス層上で前記捺印ガラス層を完全に覆うよ
うに形成される軟化点が５８０℃〜６３０℃でかつ線膨
張係数が６２×１０＾−＾７〜６８×１０＾−＾７／℃
の第２ガラス層と、前記上面電極層の一部に重なる銀系
厚膜の端面電極層とより構成したことを特徴とする角板
型チップ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008628A JP2780408B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 角板型チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008628A JP2780408B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 角板型チップ抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212901A true JPH03212901A (ja) | 1991-09-18 |
| JP2780408B2 JP2780408B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=11698218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008628A Expired - Fee Related JP2780408B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 角板型チップ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2780408B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5379017A (en) * | 1993-10-25 | 1995-01-03 | Rohm Co., Ltd. | Square chip resistor |
| US5955938A (en) * | 1995-03-09 | 1999-09-21 | Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices, Inc. | RuO2 resistor paste, substrate and overcoat system |
| JP2008277628A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック基板の製造方法、セラミック基板、および電子装置 |
| JP2010238801A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| JP2011014845A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Tdk Corp | 電子部品 |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP2008628A patent/JP2780408B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5379017A (en) * | 1993-10-25 | 1995-01-03 | Rohm Co., Ltd. | Square chip resistor |
| US5955938A (en) * | 1995-03-09 | 1999-09-21 | Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices, Inc. | RuO2 resistor paste, substrate and overcoat system |
| JP2008277628A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック基板の製造方法、セラミック基板、および電子装置 |
| JP2010238801A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| JP2011014845A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Tdk Corp | 電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2780408B2 (ja) | 1998-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03212901A (ja) | 角板型チップ抵抗器 | |
| JP2836303B2 (ja) | 角形チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JP3231370B2 (ja) | 角形チップ抵抗器の製造方法 | |
| JP3126131B2 (ja) | 角板型チップ抵抗器 | |
| JP3111823B2 (ja) | 回路検査端子付き角形チップ抵抗器 | |
| JPH04214601A (ja) | 機能修正用角形チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JP3370685B2 (ja) | 角形チップ抵抗器の製造方法 | |
| JP3116579B2 (ja) | 角形チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH03263301A (ja) | 角板型チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH0969406A (ja) | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
| JP3104690B2 (ja) | 角板型チップ抵抗器の製造方法 | |
| JP3659432B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2757524B2 (ja) | 角形チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH0653004A (ja) | 角形チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH09246006A (ja) | 角形チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH0645118A (ja) | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH11273901A (ja) | チップ型抵抗器の構造 | |
| JPH05234702A (ja) | 角形チップ抵抗器およびその製造方法およびそのテーピング部品連 | |
| JPH03215902A (ja) | 角板型チップ抵抗器 | |
| JPH07211509A (ja) | チップ抵抗器とその製造方法 | |
| JPH11260602A (ja) | 角形チップ抵抗器およびそれに用いる絶縁基板 | |
| JPH05304002A (ja) | 角形チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| JPH09330802A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH04254302A (ja) | 機能修正用角形チップ抵抗器およびそのトリミング方法 | |
| JPH10275705A (ja) | 角形チップ抵抗器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |