JPH0329304A - 軟磁性薄膜ならびにその製造方法 - Google Patents
軟磁性薄膜ならびにその製造方法Info
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- JPH0329304A JPH0329304A JP16267289A JP16267289A JPH0329304A JP H0329304 A JPH0329304 A JP H0329304A JP 16267289 A JP16267289 A JP 16267289A JP 16267289 A JP16267289 A JP 16267289A JP H0329304 A JPH0329304 A JP H0329304A
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- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/16—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing cobalt
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば磁気ヘッドなどに用いられる軟磁性薄
膜に係り、特にコバルトを主体とするほとんどが非晶質
合金の軟磁性薄膜ならびにその製造方法に関するもので
ある． ［従来技術］ 磁気ヘッド、高周波リアクトル用コアあるいは磁気シー
ルド材などに適用される軟磁性薄膜材料として、バーマ
ロイ、コバルト基非晶質合金、センダストなどが中心に
検討されている．特にＣＯ−Ｔｆ合金膜あるいはＣｏ−
Ｔａ合金膜はスパッタリング法などによって形成すると
、非晶質状態となり、高い飽和磁束密度でかつ良好な軟
磁性特性を有することから有望視されている．しかし、
この軟磁性材料においても実用上問題がない訳ではなく
，特に熱的安定性の面では各種磁気素子の製造プロセス
上に様々な制約を生じる．すなわち、例えば磁気ヘッド
を製造する場合，磁気コアの間にガラスを介在させ、加
熱によりそのガラスを溶融させて磁気コアどうしを接合
する工程、あるいは磁気特性を向上させるため磁気コア
を磁界中で熱処理する工程は，例えば６００℃程度の比
較的高温で行われる．そのためこれらの熱処理により前
記軟磁性薄膜の結晶化が進み、軟磁気特性が著しく劣化
するという問題がある．この対策として，前記磁気ヘッ
ドを製造する場合、低融点ガラスを使用することにより
プロセスの低温化を図る方法が採用されている．しかし
，低融点ガラスは磁気コアに比較して耐摩耗性に乏しく
、磁気記録媒体との摺接によりガラス層の方が先に摩耗
してしまい，ガラス層表面と磁気コア表面との間に段差
ができる．そしてこの段差の形成により、磁気記録媒体
の磁性層が損傷を受け、そのために磁気記録特性が劣化
してしまう．さらにこのＧｏ−Ｔｉ合金膜あるいはＣｏ
−Ｔａ合金膜は他のＣｏ基非晶質合金と同様に、飽和磁
束密度を高くするためにＧｏリッチにすると、軟磁性薄
膜の結晶化温度が著しく下がり、そのために熱処理の温
度が制限され、プロセスのマージンが狭められるという
問題がある． そこでプロセスのマージンならびに磁気特性の両面から
，高い飽和磁束密度を保持し、かつ結晶化温度の高い材
料の開発が強く期待されている．このような期待に応え
る一つの方法として、既にＧｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｔａ非晶
質合金の窒化膜が提案されている（電子通信学会技術研
究報告 ＭＲ８６−４，Ｐ２５〜３２ｒＮ，混合ガス中
でスパツタしたアモルファス合金膜の磁性」）．その結
果，窒化により結晶化温度が高くなり、膜硬度も増し、
さらに特徴的な現象として． Ｍ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ
等が鉄窒化膜に見出したのと同様に（Ｔ．Ｋ．ｋｉｍａ
ｎｄ Ｍ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ；Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２０， ＰＰ４
９２， １９７２＞、Ｇｏ−Ｎｂ−Ｚ ｒ−Ｔａ非晶質
合金においても窒化により飽和磁束密度が増加する事が
見出された． ［発明が解決しようとする課題コ しかしながらその反面、この膜では膜厚を３００人以上
にすると著しく軟磁気特性が劣化することから、応用分
野への適用が困難視されている． この対策として、非常に薄い窒化膜と非窒化膜とを交互
に積層し、磁気特性の劣化を防止することが試みられた
．この方法により軟磁気特性の劣化は防止できたが、極
めて薄い膜を多層に形威して所定の膜厚にすることが必
要である．前記窒化膜ならびに非窒化膜の膜厚が２００
人の場合、例えば１０μｍの軟磁性薄膜を形或するため
には、窒化膜ならびに非窒化膜を５００回繰り返して形
成する必要である．そのため、製造工程が非常に煩雑で
生産性ならびにコストの点で問題がアル．本発明は、こ
のような欠点を解消し、優れた軟磁気特性、熱安定性を
有する軟磁性膜ならびにその製造方法を提供することに
ある． ［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するため，本発明は、コバルトを主体と
し、それにチタンならびにタンタルのグループから選択
された少なくとも１種の金属元素を添加した合金からな
り、それに窒素元素が混入していることを特徴とするも
のである．前記百的を達成するため，さらに本発明は、
コバルトを主体とし、それにチタンならびにタンタルの
グループから選択された少なくとも１種の金属元素を添
加した合金からなり、その合金を窒素ガスの存在下でス
パッタリングさせることにより、基体上に窒素元素を混
入した合金薄膜を形成したことを特徴とするものである
． 前記目的を達戒するため、さらに本発明は、コバルトを
主体にし、それにチタンならびにタンクルのグループか
ら選択された少なくとも１種の金属元素と，窒素元素と
が添加されているターゲットを用い、これをスパッタリ
ングさせることにより、基体上に窒素元素を混入した合
金薄膜を形成したことを特徴とするものである． ［作用］ Ｃｏ−Ｔｉ合金膜あるいはＣｏ−Ｔａ合金膜などは、通
常、ＴｉあるいはＴａの添加率を１５原子％程度以上に
すると非晶質化し良好な軟磁性膜となるが，本発明はこ
れら合金中に窒素を混入することにより、優れた軟磁気
特性を維持しながら熱的安定性を向上することがきるこ
とを見出した．すなわち、Ｇｏ−Ｔｉ合金膜あるいはＣ
ｏ−Ｔａ合金膜といった非晶質合金膜では，結晶化温度
以上の温度に晒されると急速に結晶化が進行し、その軟
磁気特性が著しく劣化する．これに対して本発明のＣｏ
−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｇｏ−Ｔｉ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｔｉ一
第３元素（後述） ， Ｇｏ −Ｔａ一第３元素，Ｃｏ
−Ｔｉ−Ｔａ一第３元素窒化合金膜は，高温雰囲気に晒
されても結晶化の進行が遅く、一部が結晶化しても軟磁
気特性の劣化は非常に小さい．このような窒化による熱
安定性の向上についての理論的な根拠は明らかでないが
、窒素が母体の金属元素と強く結合して、結晶化の進行
を抑制していると考えられる． 本発明に係るＣｏ−Ｔｉ，Ｇｏ−Ｔａ等の窒化合金膜の
製造方法としては、Ｃｏ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｔａ等の合金を
窒素混入ガス雰囲気中でスパッタリングしてもよいし、
Ｃｏ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｔａ等の窒化合金ターゲットをその
ままスパッタリングしてもよい． またスパッタリング方法としては、イオンビームスパッ
タリング、高周波スパッタリング、直流スパッタリング
などが用いられ、特にイオンビームスパッタリングによ
って製造した軟磁性膜は、優れた磁気特性を有するため
賞用できる．［実施例］ 本発明において使用される軟磁性材料は、Ｃｏを主体と
し．Ｔａあるいは（および）Ｔｉを所定量含有したＣＯ
基合金で、さらに窒素が混入されている．この軟磁性薄
膜の結晶構造は，熱処理前はほぼ完全に非晶質状態であ
り，熱処理後は一部微結晶化しているが、ほとんど非晶
質状態である．なお，本発明の軟磁性薄膜における磁歪
定数を調整するため等に、例えばＺｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｎｂ
，Ｍｏ，Ｗなどの他の第３元素を少量添加することもで
きる． ＣＯに対するＴａあるいは（および）Ｔｉの添加率は、
１５〜３０７Ｆ子％（実施例では１８原子％）が適当で
ある． 第１図は、本発明の実施例に用いるイオンビームスパッ
タリング装置の概略構或図である．同図において１は排
気管、２は二一ドルパルブ、３はイオン銃、４はターゲ
ット、５は基板、６は真空槽である．この真空槽６内を
Ｉ Ｘ １ ０”トール以下の高真空状態にした後、二
一ドルパルブ２よりアルゴンと窒素の混合ガスを槽内圧
力が３×１０−’トールとなるように導入した．次にイ
オン＃ｌｉ！３より０．７ ＫＶに加速したアルゴンイ
オンを，例えばＣｏ＠２Ｔｉ１ｍ合金のターゲツト４に
照射し、それによって生じたスパッタリング微粒子を耐
熱ガラスからなる基板５上に膜厚７０００人となるよう
に堆積させる．なお，薄膜形成におけるアルゴンイオン
照射電流は２０ｍＡとし、膜の堆積速度は２０〜３０人
／分とし、薄膜形或時には前記基板５に−４０Ｖのバイ
アス電圧を印加した．そしてこのようにして形威した膜
を、５００℃で約３０分間磁界（４００ ０ｓ）中で
熱処理した． このようにして作威した窒化膜ならびに同一合金組威の
非窒化膜の，ａｉ気特性（保磁力）をＶＳＭにより測定
し、その結果を次の表に示した．表 また．各サンプルの結晶構造をＸ線回折（ＣｕＫα）に
より調べた結果、熱処理前のものはいずれもほぼ完全に
非晶質状態であった．熱処理後の窒化膜の方は一部微結
晶化しているがそのほとんどは非晶質状態にあるのに対
し，非窒化膜の方は結晶化がかなり進行していることが
分った．前記表から明らかなように、非窒化膜の場合は
約４００℃で結晶化が開始するため、５００℃の熱処理
では保磁力が急増（５５０倍）している．これに対して
本発明の窒化膜は、Ｘ線回折によれば一部結晶化してい
るものの，その進行は遅く、そのため高温の熱処理後に
おいても良好な軟磁気特性（保磁力は６０倍増大で、非
窒化膜に比較すると約１／９に抑制されている）を有し
ている．なお、前記熱処理は磁界中で行ったが，磁界を
かけないで熱処理を行っても、同様の優れた軟磁気特性
が得られることが実験で確認されている．前記実施例で
はＣｏ−Ｔｉ合金を用いたが、Ｃｏ−Ｔａ合金，Ｇｏ−
Ｔｉ−Ｔａ合金，Ｃｏ−Ｔｉ一第３元素合金，Ｇｏ−Ｔ
ａ一第３元素合金，Ｃｏ−Ｔｉ−Ｔａ一第３元素合金等
においても良好な軟磁気特性が得られる． 前記実施例ではＣｏ−Ｔｉ合金をターゲットとして用い
，窒素ガスの存在下でスパッタリングを行ったが、例え
ばＴ ｉ ＮあるいはＴａＮ等の窒化物のペレットとＣ
ｏ板との複合物をターゲットとして用い（形或される薄
膜中の合金組成は、Ｃｏ板上のベレットの数によってｖ
４整することができる），これをそのままスパッタリン
グしても窒素を含んだＣｏ基合金薄膜が得られる． 前記実施例ではイオンビームスパッタリング広により軟
磁性薄膜を形威したが，例えば高周波スパッタリング法
など他の方法でも軟磁性薄膜を形成することができる．
この薄膜形成技術のうち特にイオンビームスパッタリン
グ法によって形威された軟磁性薄膜は、優れた磁気特性
を有している．これの理論的な根拠は明らかでないが、
次のようなことが考えられる．すなわち、スパッタ雰囲
気中に窒素が存在していると、それがアルゴンプラズマ
中でイオン化される訳であるが，イオンビームスパッタ
リング法を採用すれば、プラズマがイオン銃の中にあり
、形成された膜が窒素イオンに晒されないから、膜中に
柱状組織のようなものが戒長しないことに起因している
と予測される．［発明の効果］ 本発明は前述のような構成になっており、軟磁気特性な
らびに熱的安定性の両面を向上することができる． また本発明によれば、５０００〜８０００人程度の比較
的膜厚の厚い単層膜においても良好な軟磁性膜を得るこ
とができ、従来提案されたように窒化膜と非窒化膜とを
多層に積層する必要がない．そのために、生産性の向上
ならびにコストの低減を図ることができる．
膜に係り、特にコバルトを主体とするほとんどが非晶質
合金の軟磁性薄膜ならびにその製造方法に関するもので
ある． ［従来技術］ 磁気ヘッド、高周波リアクトル用コアあるいは磁気シー
ルド材などに適用される軟磁性薄膜材料として、バーマ
ロイ、コバルト基非晶質合金、センダストなどが中心に
検討されている．特にＣＯ−Ｔｆ合金膜あるいはＣｏ−
Ｔａ合金膜はスパッタリング法などによって形成すると
、非晶質状態となり、高い飽和磁束密度でかつ良好な軟
磁性特性を有することから有望視されている．しかし、
この軟磁性材料においても実用上問題がない訳ではなく
，特に熱的安定性の面では各種磁気素子の製造プロセス
上に様々な制約を生じる．すなわち、例えば磁気ヘッド
を製造する場合，磁気コアの間にガラスを介在させ、加
熱によりそのガラスを溶融させて磁気コアどうしを接合
する工程、あるいは磁気特性を向上させるため磁気コア
を磁界中で熱処理する工程は，例えば６００℃程度の比
較的高温で行われる．そのためこれらの熱処理により前
記軟磁性薄膜の結晶化が進み、軟磁気特性が著しく劣化
するという問題がある．この対策として，前記磁気ヘッ
ドを製造する場合、低融点ガラスを使用することにより
プロセスの低温化を図る方法が採用されている．しかし
，低融点ガラスは磁気コアに比較して耐摩耗性に乏しく
、磁気記録媒体との摺接によりガラス層の方が先に摩耗
してしまい，ガラス層表面と磁気コア表面との間に段差
ができる．そしてこの段差の形成により、磁気記録媒体
の磁性層が損傷を受け、そのために磁気記録特性が劣化
してしまう．さらにこのＧｏ−Ｔｉ合金膜あるいはＣｏ
−Ｔａ合金膜は他のＣｏ基非晶質合金と同様に、飽和磁
束密度を高くするためにＧｏリッチにすると、軟磁性薄
膜の結晶化温度が著しく下がり、そのために熱処理の温
度が制限され、プロセスのマージンが狭められるという
問題がある． そこでプロセスのマージンならびに磁気特性の両面から
，高い飽和磁束密度を保持し、かつ結晶化温度の高い材
料の開発が強く期待されている．このような期待に応え
る一つの方法として、既にＧｏ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｔａ非晶
質合金の窒化膜が提案されている（電子通信学会技術研
究報告 ＭＲ８６−４，Ｐ２５〜３２ｒＮ，混合ガス中
でスパツタしたアモルファス合金膜の磁性」）．その結
果，窒化により結晶化温度が高くなり、膜硬度も増し、
さらに特徴的な現象として． Ｍ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ
等が鉄窒化膜に見出したのと同様に（Ｔ．Ｋ．ｋｉｍａ
ｎｄ Ｍ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ；Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２０， ＰＰ４
９２， １９７２＞、Ｇｏ−Ｎｂ−Ｚ ｒ−Ｔａ非晶質
合金においても窒化により飽和磁束密度が増加する事が
見出された． ［発明が解決しようとする課題コ しかしながらその反面、この膜では膜厚を３００人以上
にすると著しく軟磁気特性が劣化することから、応用分
野への適用が困難視されている． この対策として、非常に薄い窒化膜と非窒化膜とを交互
に積層し、磁気特性の劣化を防止することが試みられた
．この方法により軟磁気特性の劣化は防止できたが、極
めて薄い膜を多層に形威して所定の膜厚にすることが必
要である．前記窒化膜ならびに非窒化膜の膜厚が２００
人の場合、例えば１０μｍの軟磁性薄膜を形或するため
には、窒化膜ならびに非窒化膜を５００回繰り返して形
成する必要である．そのため、製造工程が非常に煩雑で
生産性ならびにコストの点で問題がアル．本発明は、こ
のような欠点を解消し、優れた軟磁気特性、熱安定性を
有する軟磁性膜ならびにその製造方法を提供することに
ある． ［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するため，本発明は、コバルトを主体と
し、それにチタンならびにタンタルのグループから選択
された少なくとも１種の金属元素を添加した合金からな
り、それに窒素元素が混入していることを特徴とするも
のである．前記百的を達成するため，さらに本発明は、
コバルトを主体とし、それにチタンならびにタンタルの
グループから選択された少なくとも１種の金属元素を添
加した合金からなり、その合金を窒素ガスの存在下でス
パッタリングさせることにより、基体上に窒素元素を混
入した合金薄膜を形成したことを特徴とするものである
． 前記目的を達戒するため、さらに本発明は、コバルトを
主体にし、それにチタンならびにタンクルのグループか
ら選択された少なくとも１種の金属元素と，窒素元素と
が添加されているターゲットを用い、これをスパッタリ
ングさせることにより、基体上に窒素元素を混入した合
金薄膜を形成したことを特徴とするものである． ［作用］ Ｃｏ−Ｔｉ合金膜あるいはＣｏ−Ｔａ合金膜などは、通
常、ＴｉあるいはＴａの添加率を１５原子％程度以上に
すると非晶質化し良好な軟磁性膜となるが，本発明はこ
れら合金中に窒素を混入することにより、優れた軟磁気
特性を維持しながら熱的安定性を向上することがきるこ
とを見出した．すなわち、Ｇｏ−Ｔｉ合金膜あるいはＣ
ｏ−Ｔａ合金膜といった非晶質合金膜では，結晶化温度
以上の温度に晒されると急速に結晶化が進行し、その軟
磁気特性が著しく劣化する．これに対して本発明のＣｏ
−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｇｏ−Ｔｉ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｔｉ一
第３元素（後述） ， Ｇｏ −Ｔａ一第３元素，Ｃｏ
−Ｔｉ−Ｔａ一第３元素窒化合金膜は，高温雰囲気に晒
されても結晶化の進行が遅く、一部が結晶化しても軟磁
気特性の劣化は非常に小さい．このような窒化による熱
安定性の向上についての理論的な根拠は明らかでないが
、窒素が母体の金属元素と強く結合して、結晶化の進行
を抑制していると考えられる． 本発明に係るＣｏ−Ｔｉ，Ｇｏ−Ｔａ等の窒化合金膜の
製造方法としては、Ｃｏ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｔａ等の合金を
窒素混入ガス雰囲気中でスパッタリングしてもよいし、
Ｃｏ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｔａ等の窒化合金ターゲットをその
ままスパッタリングしてもよい． またスパッタリング方法としては、イオンビームスパッ
タリング、高周波スパッタリング、直流スパッタリング
などが用いられ、特にイオンビームスパッタリングによ
って製造した軟磁性膜は、優れた磁気特性を有するため
賞用できる．［実施例］ 本発明において使用される軟磁性材料は、Ｃｏを主体と
し．Ｔａあるいは（および）Ｔｉを所定量含有したＣＯ
基合金で、さらに窒素が混入されている．この軟磁性薄
膜の結晶構造は，熱処理前はほぼ完全に非晶質状態であ
り，熱処理後は一部微結晶化しているが、ほとんど非晶
質状態である．なお，本発明の軟磁性薄膜における磁歪
定数を調整するため等に、例えばＺｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｎｂ
，Ｍｏ，Ｗなどの他の第３元素を少量添加することもで
きる． ＣＯに対するＴａあるいは（および）Ｔｉの添加率は、
１５〜３０７Ｆ子％（実施例では１８原子％）が適当で
ある． 第１図は、本発明の実施例に用いるイオンビームスパッ
タリング装置の概略構或図である．同図において１は排
気管、２は二一ドルパルブ、３はイオン銃、４はターゲ
ット、５は基板、６は真空槽である．この真空槽６内を
Ｉ Ｘ １ ０”トール以下の高真空状態にした後、二
一ドルパルブ２よりアルゴンと窒素の混合ガスを槽内圧
力が３×１０−’トールとなるように導入した．次にイ
オン＃ｌｉ！３より０．７ ＫＶに加速したアルゴンイ
オンを，例えばＣｏ＠２Ｔｉ１ｍ合金のターゲツト４に
照射し、それによって生じたスパッタリング微粒子を耐
熱ガラスからなる基板５上に膜厚７０００人となるよう
に堆積させる．なお，薄膜形成におけるアルゴンイオン
照射電流は２０ｍＡとし、膜の堆積速度は２０〜３０人
／分とし、薄膜形或時には前記基板５に−４０Ｖのバイ
アス電圧を印加した．そしてこのようにして形威した膜
を、５００℃で約３０分間磁界（４００ ０ｓ）中で
熱処理した． このようにして作威した窒化膜ならびに同一合金組威の
非窒化膜の，ａｉ気特性（保磁力）をＶＳＭにより測定
し、その結果を次の表に示した．表 また．各サンプルの結晶構造をＸ線回折（ＣｕＫα）に
より調べた結果、熱処理前のものはいずれもほぼ完全に
非晶質状態であった．熱処理後の窒化膜の方は一部微結
晶化しているがそのほとんどは非晶質状態にあるのに対
し，非窒化膜の方は結晶化がかなり進行していることが
分った．前記表から明らかなように、非窒化膜の場合は
約４００℃で結晶化が開始するため、５００℃の熱処理
では保磁力が急増（５５０倍）している．これに対して
本発明の窒化膜は、Ｘ線回折によれば一部結晶化してい
るものの，その進行は遅く、そのため高温の熱処理後に
おいても良好な軟磁気特性（保磁力は６０倍増大で、非
窒化膜に比較すると約１／９に抑制されている）を有し
ている．なお、前記熱処理は磁界中で行ったが，磁界を
かけないで熱処理を行っても、同様の優れた軟磁気特性
が得られることが実験で確認されている．前記実施例で
はＣｏ−Ｔｉ合金を用いたが、Ｃｏ−Ｔａ合金，Ｇｏ−
Ｔｉ−Ｔａ合金，Ｃｏ−Ｔｉ一第３元素合金，Ｇｏ−Ｔ
ａ一第３元素合金，Ｃｏ−Ｔｉ−Ｔａ一第３元素合金等
においても良好な軟磁気特性が得られる． 前記実施例ではＣｏ−Ｔｉ合金をターゲットとして用い
，窒素ガスの存在下でスパッタリングを行ったが、例え
ばＴ ｉ ＮあるいはＴａＮ等の窒化物のペレットとＣ
ｏ板との複合物をターゲットとして用い（形或される薄
膜中の合金組成は、Ｃｏ板上のベレットの数によってｖ
４整することができる），これをそのままスパッタリン
グしても窒素を含んだＣｏ基合金薄膜が得られる． 前記実施例ではイオンビームスパッタリング広により軟
磁性薄膜を形威したが，例えば高周波スパッタリング法
など他の方法でも軟磁性薄膜を形成することができる．
この薄膜形成技術のうち特にイオンビームスパッタリン
グ法によって形威された軟磁性薄膜は、優れた磁気特性
を有している．これの理論的な根拠は明らかでないが、
次のようなことが考えられる．すなわち、スパッタ雰囲
気中に窒素が存在していると、それがアルゴンプラズマ
中でイオン化される訳であるが，イオンビームスパッタ
リング法を採用すれば、プラズマがイオン銃の中にあり
、形成された膜が窒素イオンに晒されないから、膜中に
柱状組織のようなものが戒長しないことに起因している
と予測される．［発明の効果］ 本発明は前述のような構成になっており、軟磁気特性な
らびに熱的安定性の両面を向上することができる． また本発明によれば、５０００〜８０００人程度の比較
的膜厚の厚い単層膜においても良好な軟磁性膜を得るこ
とができ、従来提案されたように窒化膜と非窒化膜とを
多層に積層する必要がない．そのために、生産性の向上
ならびにコストの低減を図ることができる．
第１図は，本発明で用いられるイオンビームスパッタリ
ング装置の概略構威図である．第１図 １・・・・・・排気管、 ２・・・・・・二一
ドルバルブ、３・・・・・・イオン銃、 ４・・・・・・ターゲット、 ５・・・・・・基板、 ６・・・・・・真空槽．
ング装置の概略構威図である．第１図 １・・・・・・排気管、 ２・・・・・・二一
ドルバルブ、３・・・・・・イオン銃、 ４・・・・・・ターゲット、 ５・・・・・・基板、 ６・・・・・・真空槽．
Claims (5)
- （１）コバルトを主体とし、それにチタンならびにタン
タルのグループから選択された少なくとも１種の金属元
素を添加した合金からなり、それに窒素元素が混入して
いることを特徴とする軟磁性薄膜。 - （２）請求項（１）記載において、前記合金の結晶構造
のほとんどが非晶質状態であることを特徴とする軟磁性
薄膜。 - （３）コバルトを主体とし、それにチタンならびにタン
タルのグループから選択された少なくとも１種の金属元
素を添加した合金からなり、その合金を窒素ガスの存在
下でスパツタリングさせることにより、基体上に窒素元
素を混入した合金薄膜を形成したことを特徴とする軟磁
性薄膜の製造方法。 - （４）コバルトを主体とし、それにチタンならびにタン
タルのグループから選択された少なくとも１種の金属元
素と、窒素元素とが添加されているターゲツトを用い、
これをスパツタリングさせることにより、基体上に窒素
元素を混入した合金薄膜を形成したことを特徴とする軟
磁性薄膜の製造方法。 - （５）請求項（３）または請求項（４）記載において、
前記スパツタリングが、加速されイオンビームをターゲ
ツトに照射して微粒子を発生するイオンビームスパツタ
リングであることを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16267289A JPH0329304A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 軟磁性薄膜ならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16267289A JPH0329304A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 軟磁性薄膜ならびにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0329304A true JPH0329304A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15759095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16267289A Pending JPH0329304A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 軟磁性薄膜ならびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0329304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG106659A1 (en) * | 2001-05-31 | 2004-10-29 | Ibm | Method of making a spin valve sensor with a free layer structure sputter deposited in a nitrogen atmosphere |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16267289A patent/JPH0329304A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG106659A1 (en) * | 2001-05-31 | 2004-10-29 | Ibm | Method of making a spin valve sensor with a free layer structure sputter deposited in a nitrogen atmosphere |
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