JPH03293754A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03293754A JPH03293754A JP2097055A JP9705590A JPH03293754A JP H03293754 A JPH03293754 A JP H03293754A JP 2097055 A JP2097055 A JP 2097055A JP 9705590 A JP9705590 A JP 9705590A JP H03293754 A JPH03293754 A JP H03293754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fin
- resin
- chip bonding
- bonding area
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｌｌ上皇五月±１
本発明は、半導体装置に関するものであり、より特定的
には取り付け手段を持ったモールド構造の半導体装置に
関する。
には取り付け手段を持ったモールド構造の半導体装置に
関する。
支敦吸１徽
一般に、ＩＣ（集積回路）チップは第５図に示すように
金属板よりなるフィン１に取り付けられ、複数の接続ビ
ン２と共に樹脂３によりモールドされる。フィン１はチ
ップボンディング領域４と、フィン１を取り付けるため
の取り付け部５とからなっている。フィン取り付け部５
はヒートシンクのために銅板やアルミニュウム板等の放
熱板に面接触した形で取り付けられるように比較的大き
く形成されている。６は取り付け部５に設けられた取り
付け用の穴で、通常ビスが施される。
金属板よりなるフィン１に取り付けられ、複数の接続ビ
ン２と共に樹脂３によりモールドされる。フィン１はチ
ップボンディング領域４と、フィン１を取り付けるため
の取り付け部５とからなっている。フィン取り付け部５
はヒートシンクのために銅板やアルミニュウム板等の放
熱板に面接触した形で取り付けられるように比較的大き
く形成されている。６は取り付け部５に設けられた取り
付け用の穴で、通常ビスが施される。
が ゛しよ゛と る
ところで、前記の半導体装置を放熱板に取り付け六６に
ビス等を施して取り付ける際に、無理な力がフィン１に
かかると、フィン１に応力が生じ、樹脂３が剥がれ易く
なる。また、放熱効果を上げるためにフィン１の露出部
分（非モールド部分）の面積を大きくとると、フィン１
と樹脂３との結合が弱くなる。
ビス等を施して取り付ける際に、無理な力がフィン１に
かかると、フィン１に応力が生じ、樹脂３が剥がれ易く
なる。また、放熱効果を上げるためにフィン１の露出部
分（非モールド部分）の面積を大きくとると、フィン１
と樹脂３との結合が弱くなる。
本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、放
熱効果が良く、樹脂との結合が強く、取り付け時の応力
にも強い構造の半導体装置を提供することを目的とする
。
熱効果が良く、樹脂との結合が強く、取り付け時の応力
にも強い構造の半導体装置を提供することを目的とする
。
゛するための
上記の目的を達成するため本発明では、金属板よりなる
フィンと、前記フィンのチップボンディング領域に取り
付けられたチップと、前記フィン上のチップボンディン
グ領域とは離れた位置に設けられたフィン取り付け穴と
、前記チップボンディング領域をチップと共にモールド
する樹脂と、を有する半導体装置において、前記フィン
の前記フィン取り付け穴と前記チップボンディング領域
との間に応力緩和用のスリットが形成されていると共に
該スリットに前記樹脂の一部が入り込んでおり、且つ前
記チップボンディング領域の裏面が樹脂と同一平面をな
す形態で露出した構成となっている。
フィンと、前記フィンのチップボンディング領域に取り
付けられたチップと、前記フィン上のチップボンディン
グ領域とは離れた位置に設けられたフィン取り付け穴と
、前記チップボンディング領域をチップと共にモールド
する樹脂と、を有する半導体装置において、前記フィン
の前記フィン取り付け穴と前記チップボンディング領域
との間に応力緩和用のスリットが形成されていると共に
該スリットに前記樹脂の一部が入り込んでおり、且つ前
記チップボンディング領域の裏面が樹脂と同一平面をな
す形態で露出した構成となっている。
作−」Ｌ
このような構成によると、フィンにビス止め等の外力が
無理にかかっても、それに伴うフィンの応力はスリット
によって吸収緩和されるので、前記応力がチップボンデ
ィング周辺のモールド樹脂部分まで影響を与えることは
なくなり、樹脂の剥がれは生じ難くなる。しかも、その
スリットには樹脂の一部が入り込んでいるので、フィン
と樹脂の結合が強化されていることになる。また、半導
体装置を放熱板に取り付けたとき、チップボンディング
領域の裏面が放熱板に直接接触するので、ＩＣチップで
発生した熱は効率良く放熱板に伝導される。
無理にかかっても、それに伴うフィンの応力はスリット
によって吸収緩和されるので、前記応力がチップボンデ
ィング周辺のモールド樹脂部分まで影響を与えることは
なくなり、樹脂の剥がれは生じ難くなる。しかも、その
スリットには樹脂の一部が入り込んでいるので、フィン
と樹脂の結合が強化されていることになる。また、半導
体装置を放熱板に取り付けたとき、チップボンディング
領域の裏面が放熱板に直接接触するので、ＩＣチップで
発生した熱は効率良く放熱板に伝導される。
ス】ｌ引
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。第
１図は本発明を実施した半導体装置の裏面を示し、第２
図は上面から見た図を示している。
１図は本発明を実施した半導体装置の裏面を示し、第２
図は上面から見た図を示している。
第１図、第２図において、第５図と同一部分については
同一の符号を付して重複説明を省略する。
同一の符号を付して重複説明を省略する。
本実施例では、まずフィン１のチップボンディング領域
４と取り付け穴６との間にスリット７を設けた構成とし
ている。このスリット７はフィン１の取り付け穴６側で
生じたフィン１の応力をチップボンディング領域４側に
対し遮断する役目を果たす。ＩＣチップ（図示せず）は
第２図に示すチップボンディング領域４上に搭載され、
樹脂３によりモールドされている。この場合、フィン１
と樹脂３との結合を強化するためフィン１の表面に施し
た樹脂３がスリット７内に入り込んでいるが、スリット
７による応力緩和作用は損なわれない。
４と取り付け穴６との間にスリット７を設けた構成とし
ている。このスリット７はフィン１の取り付け穴６側で
生じたフィン１の応力をチップボンディング領域４側に
対し遮断する役目を果たす。ＩＣチップ（図示せず）は
第２図に示すチップボンディング領域４上に搭載され、
樹脂３によりモールドされている。この場合、フィン１
と樹脂３との結合を強化するためフィン１の表面に施し
た樹脂３がスリット７内に入り込んでいるが、スリット
７による応力緩和作用は損なわれない。
フィン１のチップボンディング領域４の裏面は第１図に
示すように露出していると共に樹脂３と同一平面をなす
ようになっている。
示すように露出していると共に樹脂３と同一平面をなす
ようになっている。
上記実施例において、フィン１と樹脂３との配置関係に
ついて２つのバリエーションが考えられる。即ち、１つ
は第３図に示すようにフィン１の一方の面１−ａにモー
ルド樹脂３が高く存し、他方の面１ｂはフィン１と樹脂
３とが間−平面をなすタイプである。このタイプでは他
方の面１ｂ全体が放熱板（図示せず）と面接触するよう
に取り付けられるので、高い放熱効果を得る場合に用い
られる。
ついて２つのバリエーションが考えられる。即ち、１つ
は第３図に示すようにフィン１の一方の面１−ａにモー
ルド樹脂３が高く存し、他方の面１ｂはフィン１と樹脂
３とが間−平面をなすタイプである。このタイプでは他
方の面１ｂ全体が放熱板（図示せず）と面接触するよう
に取り付けられるので、高い放熱効果を得る場合に用い
られる。
他の１つは第４図に示すようにフィン１の両面に樹脂３
が施され、チップボンディング領域４だけが折曲して、
その領域４の裏面が外部に露出するタイプである。第３
図、第４図はフィン１と樹脂３のみを示し、他の要素は
省略している。
が施され、チップボンディング領域４だけが折曲して、
その領域４の裏面が外部に露出するタイプである。第３
図、第４図はフィン１と樹脂３のみを示し、他の要素は
省略している。
見匪立夏釆
以上説明した通り、本発明によれば、フィンにビス止め
等の外力が無理にかかつても、それに伴うフィンの応力
はスリットによって吸収緩和されるので、前記応力がチ
ップボンディング周辺のモルト樹脂部分まで影響を与え
ることはな（なり、樹脂の剥がれは生じ難くなる。しか
も、そのスリットには樹脂の一部が入り込んでいるので
、たとえフィンにおけるチップボンディング領域の裏面
が露出していてもフィンと樹脂との結合が損なわれない
。尚、半導体装置を放熱板に取り付けたとき、チップボ
ンディング領域の裏面が放熱板に直接接触するので、Ｉ
Ｃチップで発生した熱は効率良く放熱板に伝導される。
等の外力が無理にかかつても、それに伴うフィンの応力
はスリットによって吸収緩和されるので、前記応力がチ
ップボンディング周辺のモルト樹脂部分まで影響を与え
ることはな（なり、樹脂の剥がれは生じ難くなる。しか
も、そのスリットには樹脂の一部が入り込んでいるので
、たとえフィンにおけるチップボンディング領域の裏面
が露出していてもフィンと樹脂との結合が損なわれない
。尚、半導体装置を放熱板に取り付けたとき、チップボ
ンディング領域の裏面が放熱板に直接接触するので、Ｉ
Ｃチップで発生した熱は効率良く放熱板に伝導される。
第１図は本発明を実施した半導体装置の裏面図であり、
第２図は同じく上面図である。第３図および第４図はフ
ィンとモールド樹脂との関係構造についてバリエーショ
ンを示す断面図である。第５図は従来例の裏面図である
。 ｌ・・・フィン、 ２・・・接続ビン、３・・・樹
脂、 ４・・・チップボンディング領域、５・・
・取付部、 ６・・・取り付け穴、７・・・スリッ
ト。
第２図は同じく上面図である。第３図および第４図はフ
ィンとモールド樹脂との関係構造についてバリエーショ
ンを示す断面図である。第５図は従来例の裏面図である
。 ｌ・・・フィン、 ２・・・接続ビン、３・・・樹
脂、 ４・・・チップボンディング領域、５・・
・取付部、 ６・・・取り付け穴、７・・・スリッ
ト。
Claims (1)
- （１）金属板よりなるフィンと、前記フィンのチップボ
ンディング領域に取り付けられたチップと、前記フィン
上のチップボンディング領域とは離れた位置に設けられ
たフィン取り付け穴と、前記チップボンディング領域を
チップと共にモールドする樹脂と、を有する半導体装置
において、前記フィンの前記フィン取り付け穴と前記チ
ップボンディング領域との間に応力緩和用のスリットが
形成されていると共に該スリットに前記樹脂の一部が入
り込んでいること、及び前記チップボンディング領域の
裏面が同一平面をなす形態で露出していることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097055A JPH03293754A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097055A JPH03293754A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293754A true JPH03293754A (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=14181973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2097055A Pending JPH03293754A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03293754A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5729156B2 (ja) * | 1980-01-23 | 1982-06-21 |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP2097055A patent/JPH03293754A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5729156B2 (ja) * | 1980-01-23 | 1982-06-21 |
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