JPH03294236A - 枝分れしたパーフルオロノナンの製造法 - Google Patents
枝分れしたパーフルオロノナンの製造法Info
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- JPH03294236A JPH03294236A JP9468890A JP9468890A JPH03294236A JP H03294236 A JPH03294236 A JP H03294236A JP 9468890 A JP9468890 A JP 9468890A JP 9468890 A JP9468890 A JP 9468890A JP H03294236 A JPH03294236 A JP H03294236A
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- UVWPNDVAQBNQBG-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-icosafluorononane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F UVWPNDVAQBNQBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 17
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/013—Preparation of halogenated hydrocarbons by addition of halogens
- C07C17/04—Preparation of halogenated hydrocarbons by addition of halogens to unsaturated halogenated hydrocarbons
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、枝分れしたパーフルオロノナンの製造法に関
する。更に詳しくは、ヘキサフルオロプロペン3量体を
フッ素化する枝分れしたパーフルオロノナンの製造法に
関する。
する。更に詳しくは、ヘキサフルオロプロペン3量体を
フッ素化する枝分れしたパーフルオロノナンの製造法に
関する。
などのヘキサフルオロプロペン3量体(パーフルオロノ
ネン)をフッ素化し、枝分れしたパーフルオロノナンを
製造する方法が知られている。しかしながら、従来提案
された方法には、それぞれ次のような問題点がみられる
。
ネン)をフッ素化し、枝分れしたパーフルオロノナンを
製造する方法が知られている。しかしながら、従来提案
された方法には、それぞれ次のような問題点がみられる
。
特公昭58−49526号公報:
ヘキサフルオロプロペン3量体を液相中で、不活性溶媒
の不存在下に非希釈元素状フッ素と反応させる方法であ
り、フッ素ガスは希釈されずに用いられるばかりではな
く、それを微細な気泡にして吹き込んでいるため、微細
な気泡にするための装置を必要としている。また、反応
速度が遅く。
の不存在下に非希釈元素状フッ素と反応させる方法であ
り、フッ素ガスは希釈されずに用いられるばかりではな
く、それを微細な気泡にして吹き込んでいるため、微細
な気泡にするための装置を必要としている。また、反応
速度が遅く。
その実施例によれば、パーフルオロノナン1モルを生成
させるために、 44.88時間の反応時間を必要とし
ている。
させるために、 44.88時間の反応時間を必要とし
ている。
特公昭63−2537号公報:
反応温度0〜110℃の範囲で温度を上昇させながらフ
ッ素ガスを導入し、原料へキサフルオロプロペン3量体
の反応率が少なくとも30モル%迄は10℃以下で反応
させ、最終温度160℃以上とする方法であり、反応の
初期段階では反応器を冷却するための装置が必要である
ばかりではなく1段階的に昇温を行うために木目細かい
操作を行う必要があり、そのように操作されない場合に
は、きわめて低い収率しか示さない。
ッ素ガスを導入し、原料へキサフルオロプロペン3量体
の反応率が少なくとも30モル%迄は10℃以下で反応
させ、最終温度160℃以上とする方法であり、反応の
初期段階では反応器を冷却するための装置が必要である
ばかりではなく1段階的に昇温を行うために木目細かい
操作を行う必要があり、そのように操作されない場合に
は、きわめて低い収率しか示さない。
本発明の目的は、従来技術にみられるこうした問題点を
克服し、ヘキサフルオロプロペン3量体をフッ素ガスで
フッ素化するに際し、希釈フッ素ガスを用いても反応速
度が速く、シかもフッ素化反応に操作上の煩雑さのみら
れない、枝分れしたパーフルオロノナンの製造法を提供
することにある。
克服し、ヘキサフルオロプロペン3量体をフッ素ガスで
フッ素化するに際し、希釈フッ素ガスを用いても反応速
度が速く、シかもフッ素化反応に操作上の煩雑さのみら
れない、枝分れしたパーフルオロノナンの製造法を提供
することにある。
かかる本発明の目的は、ヘキサフルオロプロペン3量体
をフッ素化して枝分れしたパーフルオロノナンを製造す
るに際し、ヘキサフルオロプロペン3量体を反応器−充
填塔−反応器と循環させると共に、フッ素化反応に用い
られた未反応のフッ素ガスを充填塔から排出させる方法
によって達成される。
をフッ素化して枝分れしたパーフルオロノナンを製造す
るに際し、ヘキサフルオロプロペン3量体を反応器−充
填塔−反応器と循環させると共に、フッ素化反応に用い
られた未反応のフッ素ガスを充填塔から排出させる方法
によって達成される。
この反応の実施に際しては、反応器の上方に充填塔を備
えた反応装置が用いられる。充填塔の材質としては、フ
ッ素ガスに対して十分なる耐性のあるもの1例えばSU
S 、モネル、ハステロイなどが好んで用いられるが、
系内に水分が少ない場合にはガラス、鉄なども用いられ
る。また、充填塔に充填される充填材としては、例えば
ラシヒリング、デイクソン・バッキング、ヘリパックな
どの一般的に使用されているものであって、フッ素ガス
に対して十分に耐えるものであれば任意のものを使用す
ることができる。
えた反応装置が用いられる。充填塔の材質としては、フ
ッ素ガスに対して十分なる耐性のあるもの1例えばSU
S 、モネル、ハステロイなどが好んで用いられるが、
系内に水分が少ない場合にはガラス、鉄なども用いられ
る。また、充填塔に充填される充填材としては、例えば
ラシヒリング、デイクソン・バッキング、ヘリパックな
どの一般的に使用されているものであって、フッ素ガス
に対して十分に耐えるものであれば任意のものを使用す
ることができる。
反応に際しては、まず反応器内に原料へキサフルオロプ
ロペン3量体が仕込まれ、窒素ガスなどによるバブリン
グが行われる。その後511環ポンプを用いて、原料3
量体を充填塔に送り込み1反応器へ戻すというように循
環させる。この間、反応器の温度を約10〜110℃、
好ましくは約20〜100℃に保ちながら、フッ素ガス
または窒素ガスなどで約5%以上の濃度に希釈されたフ
ッ素ガスが原料3量体中に吹き込まれる。
ロペン3量体が仕込まれ、窒素ガスなどによるバブリン
グが行われる。その後511環ポンプを用いて、原料3
量体を充填塔に送り込み1反応器へ戻すというように循
環させる。この間、反応器の温度を約10〜110℃、
好ましくは約20〜100℃に保ちながら、フッ素ガス
または窒素ガスなどで約5%以上の濃度に希釈されたフ
ッ素ガスが原料3量体中に吹き込まれる。
原料3量体は、反応器−充填塔−反応器と循環され、充
填塔ではフッ素化反応のためのフッ素ガスとの接触が行
われる。この接触は、並流でも行われるが、向流で行わ
れることが好ましく、フッ素化反応に用いられた未反応
のフッ素ガスは充填塔から排出させる。
填塔ではフッ素化反応のためのフッ素ガスとの接触が行
われる。この接触は、並流でも行われるが、向流で行わ
れることが好ましく、フッ素化反応に用いられた未反応
のフッ素ガスは充填塔から排出させる。
向流法の場合には、充填塔の上部から送り込まれた、一
部のフッ素ガスを同伴した原料3量体と反応器から充填
塔の下部に送り込まれた大部分のフッ素ガスとが充填材
を充填させた充填塔内において向流的に接触する。
部のフッ素ガスを同伴した原料3量体と反応器から充填
塔の下部に送り込まれた大部分のフッ素ガスとが充填材
を充填させた充填塔内において向流的に接触する。
フッ素化反応は1反応器内および充填塔内で行われるが
、反応器内に導入されるフッ素ガスの導入速度(流量)
は適当に選択でき、その導入速度を大きくすれば反応速
度を高めることができる9反応器度はまた、充填塔の高
さを高くしたり、あるいは原料3量体の循環量を大きく
することによっても高められる。
、反応器内に導入されるフッ素ガスの導入速度(流量)
は適当に選択でき、その導入速度を大きくすれば反応速
度を高めることができる9反応器度はまた、充填塔の高
さを高くしたり、あるいは原料3量体の循環量を大きく
することによっても高められる。
ヘキサフルオロプロペン3量体をフッ素化し、枝分れし
たパーフルオロノナンを製造するに際し、ヘキサフルオ
ロプロペン3量体を反応器−充填塔−反応器と循環させ
ることにより、希釈されたフッ素ガスを用いても反応速
度が速く、しかもフッ素化反応に際しては充填塔に循環
させるという工程が加わるだけで操作上に何ら煩雑さは
みられないパーフルオロノナンの製造が可能となる。
たパーフルオロノナンを製造するに際し、ヘキサフルオ
ロプロペン3量体を反応器−充填塔−反応器と循環させ
ることにより、希釈されたフッ素ガスを用いても反応速
度が速く、しかもフッ素化反応に際しては充填塔に循環
させるという工程が加わるだけで操作上に何ら煩雑さは
みられないパーフルオロノナンの製造が可能となる。
得られた枝分れしたパーフルオロノナンは、耐化学薬品
性および耐熱性にすぐれ、また高い電気絶縁性を有しし
かも熱伝導率も高いため、特に超高圧変圧器などの高電
圧電気部品の冷媒、絶縁剤などとして用いられる。更に
、高電圧電気部品の各種テスト用液体やvPS用不用柱
活性液体としても利用される。
性および耐熱性にすぐれ、また高い電気絶縁性を有しし
かも熱伝導率も高いため、特に超高圧変圧器などの高電
圧電気部品の冷媒、絶縁剤などとして用いられる。更に
、高電圧電気部品の各種テスト用液体やvPS用不用柱
活性液体としても利用される。
次に、実施例について本発明を説明する。
実施例
温度計、ガス導入管および循環ポンプ用排出口を備えた
反応器の上方に、ガラス製充填塔(SUS403製デイ
クソン・バッキング6M/M充填、直径50朧聰。
反応器の上方に、ガラス製充填塔(SUS403製デイ
クソン・バッキング6M/M充填、直径50朧聰。
高さ500mm)を取り付ける。この充填塔は、その上
方にY字管を備えており、その一方にはコンデンサを、
また他方には反応器からの循環液の導入管をそれぞれ備
えている。
方にY字管を備えており、その一方にはコンデンサを、
また他方には反応器からの循環液の導入管をそれぞれ備
えている。
このような反応器に、原料へキサフルオロプロペン3量
体2kg (4,44モル)を仕込み、窒素ガスバブリ
ングを行った後、原料3量体を毎分9Qの流量で、循環
ポンプを用いて、反応器の循環ポンプ用排出口から充填
塔の循環流導入管に送り込み、充填塔を経て反応器へと
循環させる。
体2kg (4,44モル)を仕込み、窒素ガスバブリ
ングを行った後、原料3量体を毎分9Qの流量で、循環
ポンプを用いて、反応器の循環ポンプ用排出口から充填
塔の循環流導入管に送り込み、充填塔を経て反応器へと
循環させる。
この間1反応器の温度を30℃に保ちながら、窒素ガス
で20%の濃度に希釈したフッ素ガスを毎分500m
Qの流量で原料3量体中に吹き込み、希釈フッ素ガスを
充填塔のコンデンサから排出させながら、33.5時間
反応させた1反応終了後、窒素ガスをバブリングしてフ
ッ素ガスを除去した。
で20%の濃度に希釈したフッ素ガスを毎分500m
Qの流量で原料3量体中に吹き込み、希釈フッ素ガスを
充填塔のコンデンサから排出させながら、33.5時間
反応させた1反応終了後、窒素ガスをバブリングしてフ
ッ素ガスを除去した。
2.17Kgの残留液をガスクロマトグラフィーで分析
すると、これは96.5%のパーフルオロノナンを含ん
でおり、収率として96.6%に相当した。また。
すると、これは96.5%のパーフルオロノナンを含ん
でおり、収率として96.6%に相当した。また。
パーフルオロノナン1モルを生成させるのに要する反応
時間は、7.8時間であった。
時間は、7.8時間であった。
比較例
実施例において、充填塔への循環を行わずに、反応器の
温度を30℃に保ちながら、窒素ガスで20%に希釈さ
れたフッ素ガスを毎分5oon (lの流量で原料3量
体中に吹き込み、希釈フッ素ガスを反応器に取り付けら
れたコンデンサから排出させながら、33.5時間反応
させると、残留液(2,18Kg)中のパーフルオロノ
ナン含有率は23.8%であり、収率としては23.9
gであった。また、パーフルオロノナン1モルを生成さ
せるのに要する反応時間は。
温度を30℃に保ちながら、窒素ガスで20%に希釈さ
れたフッ素ガスを毎分5oon (lの流量で原料3量
体中に吹き込み、希釈フッ素ガスを反応器に取り付けら
れたコンデンサから排出させながら、33.5時間反応
させると、残留液(2,18Kg)中のパーフルオロノ
ナン含有率は23.8%であり、収率としては23.9
gであった。また、パーフルオロノナン1モルを生成さ
せるのに要する反応時間は。
31.5時間であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ヘキサフルオロプロペン3量体をフッ素化して枝分
れしたパーフルオロノナンを製造するに際し、ヘキサフ
ルオロプロペン3量体を反応器−充填塔−反応器と循環
させると共に、フッ素化反応に用いられた未反応のフッ
素ガスを充填塔から排出させることを特徴とする枝分れ
したパーフルオロノナンの製造法。 2、ヘキサフルオロプロペン3量体とフッ素ガスとの充
填塔における接触が向流法によって行われる請求項1記
載の枝分れしたパーフルオロノナンの製造法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9468890A JPH03294236A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 枝分れしたパーフルオロノナンの製造法 |
| JP03103446A JP3038973B2 (ja) | 1990-04-10 | 1991-04-09 | 枝分れしたパーフルオロアルカンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9468890A JPH03294236A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 枝分れしたパーフルオロノナンの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03294236A true JPH03294236A (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=14117137
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9468890A Pending JPH03294236A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 枝分れしたパーフルオロノナンの製造法 |
| JP03103446A Expired - Fee Related JP3038973B2 (ja) | 1990-04-10 | 1991-04-09 | 枝分れしたパーフルオロアルカンの製造法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03103446A Expired - Fee Related JP3038973B2 (ja) | 1990-04-10 | 1991-04-09 | 枝分れしたパーフルオロアルカンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPH03294236A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015072230A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の発熱解析方法及び発熱解析装置 |
| US9416073B2 (en) * | 2014-10-06 | 2016-08-16 | Honeywell International Inc. | Method to improve halogenation reactions |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP9468890A patent/JPH03294236A/ja active Pending
-
1991
- 1991-04-09 JP JP03103446A patent/JP3038973B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06100474A (ja) | 1994-04-12 |
| JP3038973B2 (ja) | 2000-05-08 |
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