JPH03296217A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03296217A JPH03296217A JP9825990A JP9825990A JPH03296217A JP H03296217 A JPH03296217 A JP H03296217A JP 9825990 A JP9825990 A JP 9825990A JP 9825990 A JP9825990 A JP 9825990A JP H03296217 A JPH03296217 A JP H03296217A
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- film
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- nitride film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置（以下ＩＣと記す）におけるパッシ
ベーション膜や層間絶縁膜に用いるプラズマナイトライ
ド膜とＰＳＧ膜との積層膜のドライエツチング方法に関
する。
ベーション膜や層間絶縁膜に用いるプラズマナイトライ
ド膜とＰＳＧ膜との積層膜のドライエツチング方法に関
する。
ＩＣのパッシベーション膜や層間絶縁膜の構造としては
、プラズマナイトライド膜とＰＳＧ膜との積層膜構造が
広く用いられている。しかし、プラズマナイトライド膜
とＰＳＧ膜とでは異種類の膜であることからエツチング
を行なうことは難しい。そこで、従来この積層膜のエツ
チングを行なうためには初めプラズマナイトライド膜を
四フッ化炭素と酸素との混合ガスにてエツチングし、次
にＰＳＧ膜を三フッ化メタンと六フッ化エタンとの混合
ガスでエツチングを行なう二段階エツチング法を行なっ
てきた。この方法ではエツチングガスを切り替えてエツ
チングを行なうため生産性において好ましい方法でない
ばかりでな（、第２図に示す様に、感光性樹脂１７をエ
ツチングマスクにしてプラズマナイトライド１漠１５を
エツチング後、三フッ化メタンと六フッ化エタンとの混
合ガスでＰＳＧ膜１膜化６ツチングするとき、この三フ
ン化メタンと六フッ化エタンの混合ガスからなるエツチ
ングガスがプラズマナイトライド膜１５をエツチングす
るためにプラズマナイトライド膜１５にアンダーカット
が生じる。
、プラズマナイトライド膜とＰＳＧ膜との積層膜構造が
広く用いられている。しかし、プラズマナイトライド膜
とＰＳＧ膜とでは異種類の膜であることからエツチング
を行なうことは難しい。そこで、従来この積層膜のエツ
チングを行なうためには初めプラズマナイトライド膜を
四フッ化炭素と酸素との混合ガスにてエツチングし、次
にＰＳＧ膜を三フッ化メタンと六フッ化エタンとの混合
ガスでエツチングを行なう二段階エツチング法を行なっ
てきた。この方法ではエツチングガスを切り替えてエツ
チングを行なうため生産性において好ましい方法でない
ばかりでな（、第２図に示す様に、感光性樹脂１７をエ
ツチングマスクにしてプラズマナイトライド１漠１５を
エツチング後、三フッ化メタンと六フッ化エタンとの混
合ガスでＰＳＧ膜１膜化６ツチングするとき、この三フ
ン化メタンと六フッ化エタンの混合ガスからなるエツチ
ングガスがプラズマナイトライド膜１５をエツチングす
るためにプラズマナイトライド膜１５にアンダーカット
が生じる。
アンダーカットが生じると半導体基板１１上のデバイス
の寸法が設計通りに行かなくなり、ＩＣの歩留り低下な
ど各種の問題が生じる。
の寸法が設計通りに行かなくなり、ＩＣの歩留り低下な
ど各種の問題が生じる。
上記課題を解決して、プラズマナイトライド膜とＰＳＧ
膜との積層構造膜をプラズマナイトライド膜にアンダー
カットを生じさせることのないドライエツチング方法を
提供することが本発明の目的である。
膜との積層構造膜をプラズマナイトライド膜にアンダー
カットを生じさせることのないドライエツチング方法を
提供することが本発明の目的である。
上記目的を達成するため本発明におけるプラズマナイト
ライド膜とＰＳＧ膜との積層構造膜のドライエツチング
は、四フッ化炭素と三フッ化メタンと酸素との混合ガス
を用いてプラズマナイトライド膜どＰＳＧ膜との積層構
造膜をエツチングする。
ライド膜とＰＳＧ膜との積層構造膜のドライエツチング
は、四フッ化炭素と三フッ化メタンと酸素との混合ガス
を用いてプラズマナイトライド膜どＰＳＧ膜との積層構
造膜をエツチングする。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明におけるプラズマナイト
ライド膜とＰＳＧ膜との積層構造膜のドライエ。
ライド膜とＰＳＧ膜との積層構造膜のドライエ。
チング方法を工程順に示す断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板１１上に
化学的気相成長法によりモノシラン（ＳｉＨ４）と、ホ
スフィン（ＰＨ１）と、酸素（０２）とを原料ガスとし
膜厚］ ００〜１． ＯＯＯｎ ｍのＰＳＧ膜１６を形
成する。その後、プラズマナイトライド膜１５をモノシ
ラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＴ−Ｉ３）とを反町
ガスとするプラズマ化学気相成長法により膜厚］、 ０
０〜１１０００ｒ１形成する。その後、感光性樹脂１７
を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現
像処理を行いパターニングした感光性樹脂１７を形成す
る。
化学的気相成長法によりモノシラン（ＳｉＨ４）と、ホ
スフィン（ＰＨ１）と、酸素（０２）とを原料ガスとし
膜厚］ ００〜１． ＯＯＯｎ ｍのＰＳＧ膜１６を形
成する。その後、プラズマナイトライド膜１５をモノシ
ラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＴ−Ｉ３）とを反町
ガスとするプラズマ化学気相成長法により膜厚］、 ０
０〜１１０００ｒ１形成する。その後、感光性樹脂１７
を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現
像処理を行いパターニングした感光性樹脂１７を形成す
る。
次に、第１図（ｂ）に示すように、パターニングした感
光性樹脂１７をエツチングマスクとしてプラズマナイト
ライド膜１５とＰＳＧ膜１３とをエツチングする。エツ
チング装置としては、反応性エツチング装置として例え
ば、平行平板電極の試料電極側を接地し対向電極側を高
周波としたアノードカップル方式の反応性イオンエツチ
ング装置を用いる。エツチング装置内の圧力は６０パス
カルから８０パスカルとし、高周波電力は］、、 ５
ｋＷ〜２、ＯｋＷとする。エツチングガスとしては三フ
ン化メタン（ＣＩ−■Ｆ、） と、四フッ化炭素（ＣＦ
４）と、酸素（０２）との混合ガスを用いる。
光性樹脂１７をエツチングマスクとしてプラズマナイト
ライド膜１５とＰＳＧ膜１３とをエツチングする。エツ
チング装置としては、反応性エツチング装置として例え
ば、平行平板電極の試料電極側を接地し対向電極側を高
周波としたアノードカップル方式の反応性イオンエツチ
ング装置を用いる。エツチング装置内の圧力は６０パス
カルから８０パスカルとし、高周波電力は］、、 ５
ｋＷ〜２、ＯｋＷとする。エツチングガスとしては三フ
ン化メタン（ＣＩ−■Ｆ、） と、四フッ化炭素（ＣＦ
４）と、酸素（０２）との混合ガスを用いる。
それぞれのガス流量は三フッ化メタンを１０〜５０ Ｓ
ＣＣＭ（Ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍ
ｅｔｅｒｓ ｐｅｒｍｉｎｕｔｅ ）、四７７化炭素を
１００〜２００ＳＣＣＭ。
ＣＣＭ（Ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍ
ｅｔｅｒｓ ｐｅｒｍｉｎｕｔｅ ）、四７７化炭素を
１００〜２００ＳＣＣＭ。
酸素を］０〜５０ ＳＣＣＭとする。
その後、感光性樹脂１７を除去する。
以上の条件においてエツチングを行なうと、プラズマナ
イトライド膜１５とＰＳＧ膜１６との積層構造膜をアン
ダーカットなくエツチングできる。
イトライド膜１５とＰＳＧ膜１６との積層構造膜をアン
ダーカットなくエツチングできる。
これは、三フッ化メタンと、四フッ化炭素と、酸素との
混合ガスを用いるとプラズマナイトライド膜１５をエツ
チングする際にエツチングと同時にプラズマナイトライ
ド膜１５のエツチングした側面に保護膜を形成し、プラ
ズマナイトライド膜１５の側面部のエツチング速度を極
端に低下させる効果をもたらす。このため、プラズマナ
イトライド膜１５とＰＳＧ膜１６とのエツチングの選択
比が大きくなりアンダーカットなくエノチン、・グ′が
可能になる。
混合ガスを用いるとプラズマナイトライド膜１５をエツ
チングする際にエツチングと同時にプラズマナイトライ
ド膜１５のエツチングした側面に保護膜を形成し、プラ
ズマナイトライド膜１５の側面部のエツチング速度を極
端に低下させる効果をもたらす。このため、プラズマナ
イトライド膜１５とＰＳＧ膜１６とのエツチングの選択
比が大きくなりアンダーカットなくエノチン、・グ′が
可能になる。
さらにこの保護膜はプラズマナイトライド膜１５の側面
だけでなく、ＰＳＧ膜１３の側面にも形成されるため、
エツチングしたＰＳＧ膜１ろの側面もエツチング速度が
低下し、感光性樹脂１７パターン寸法と同一のＰＳＧ膜
１３およびプラズマナイトライド膜１５が得られる。
だけでなく、ＰＳＧ膜１３の側面にも形成されるため、
エツチングしたＰＳＧ膜１ろの側面もエツチング速度が
低下し、感光性樹脂１７パターン寸法と同一のＰＳＧ膜
１３およびプラズマナイトライド膜１５が得られる。
以上の説明で明らかなように本発明のプラズマナイトラ
イド膜どＰＳＧ膜との積層膜のドライエツチングにおい
ては、感光性樹脂パターン寸法でプラズマナイトライド
膜とＰＳＧ膜との積層構造をアンダーカットなくエツチ
ングできる。
イド膜どＰＳＧ膜との積層膜のドライエツチングにおい
ては、感光性樹脂パターン寸法でプラズマナイトライド
膜とＰＳＧ膜との積層構造をアンダーカットなくエツチ
ングできる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の半導体装置の製造方法
を工程順に示す断面図、第２図は従来の半導体装置の製
造方法を示す断面図である。 １６・・・・・・ＰＳＧ膜、 １５・・・・・・プラズマナイトライド膜。
を工程順に示す断面図、第２図は従来の半導体装置の製
造方法を示す断面図である。 １６・・・・・・ＰＳＧ膜、 １５・・・・・・プラズマナイトライド膜。
Claims (1)
- プラズマナイトライド膜とＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ−
ｓｉｌｉｃａｔｅ−ｇｌａｓｓ）膜との積層膜のドライ
エッチングにおいて、四フッ化炭素と三フッ化メタンと
酸素との混合ガスを用いて前記プラズマナイトライド膜
とＰＳＧ膜との積層膜をエッチングすることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9825990A JPH03296217A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9825990A JPH03296217A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03296217A true JPH03296217A (ja) | 1991-12-26 |
Family
ID=14214957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9825990A Pending JPH03296217A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03296217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5549786A (en) * | 1995-08-29 | 1996-08-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Highly selective, highly uniform plasma etch process for spin-on glass |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP9825990A patent/JPH03296217A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5549786A (en) * | 1995-08-29 | 1996-08-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Highly selective, highly uniform plasma etch process for spin-on glass |
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