JPH0330133A - 読み出し専用光ディスク - Google Patents
読み出し専用光ディスクInfo
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- JPH0330133A JPH0330133A JP1166080A JP16608089A JPH0330133A JP H0330133 A JPH0330133 A JP H0330133A JP 1166080 A JP1166080 A JP 1166080A JP 16608089 A JP16608089 A JP 16608089A JP H0330133 A JPH0330133 A JP H0330133A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザーを用いて情報の読み出しを行う光ディ
スクに関し、特に信頼性、耐候性に優れた読み出し専用
の光ディスクに関するものである。
スクに関し、特に信頼性、耐候性に優れた読み出し専用
の光ディスクに関するものである。
（従来の技術）
読み出し専用の光ディスクとしてコンパクトディスク（
以下、ＣＤと呼ぶ。）が広く知られている。ＣＤはボリ
カーボネート基板（以下、ＰＣ基板と呼ぶ。）上にアル
ミニウムがらなる反射膜及びＵＶ硬化樹脂からなる保護
膜を設けた構或になっており、予めＰＣ基板上に形威さ
れた微小な凹凸（以下、ビットと呼ぶ。）による光の変
調を利用して、音声の再生を可能にするものである。
以下、ＣＤと呼ぶ。）が広く知られている。ＣＤはボリ
カーボネート基板（以下、ＰＣ基板と呼ぶ。）上にアル
ミニウムがらなる反射膜及びＵＶ硬化樹脂からなる保護
膜を設けた構或になっており、予めＰＣ基板上に形威さ
れた微小な凹凸（以下、ビットと呼ぶ。）による光の変
調を利用して、音声の再生を可能にするものである。
また、近年、上述した音声再生用のみならず、ＣＤ−Ｒ
ＯＭと呼ばれる各種データの読み出し専用光ディスクも
いろいろな分野に用いられつつある。
ＯＭと呼ばれる各種データの読み出し専用光ディスクも
いろいろな分野に用いられつつある。
例えば、パーソナルコンピュータ用のデータ媒体、電子
出版媒体などへ展開している。
出版媒体などへ展開している。
（発明が解決しようとする課題）
ＣＤ−ＲＯＭは従来のＣＤ作製技術によりＰＣ基板を用
いて容易に作製できるが、読み出しの信頼性、データの
保存性（ＣＤ−ＲＯＭの耐候性）を強く要求される場合
はＰＣ基板では問題となる。即ち、ＰＣ基板が持つ吸水
性、透湿性のために反りあるいは反射膜の腐食、剥離な
どの劣化を生じ易い。更に、ＣＤにおいても、例えば車
両搭載などを考えると、その環境条件は苛酷なものであ
り、より高品質のものが求められる。
いて容易に作製できるが、読み出しの信頼性、データの
保存性（ＣＤ−ＲＯＭの耐候性）を強く要求される場合
はＰＣ基板では問題となる。即ち、ＰＣ基板が持つ吸水
性、透湿性のために反りあるいは反射膜の腐食、剥離な
どの劣化を生じ易い。更に、ＣＤにおいても、例えば車
両搭載などを考えると、その環境条件は苛酷なものであ
り、より高品質のものが求められる。
本発明の目的は高信頼性、高耐候性を有する読み出し専
用光ディスクを提供することにある。
用光ディスクを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
以下、第１図を用いて本発明を説明する。第１図は、本
発明の概略断面図である。
発明の概略断面図である。
本発明によれば、吸湿性、透湿性のないガラス基板１を
用い、まず、拡散防止層２を形成する。次に、その拡散
防止層２を付けた面と反対側のガラス基板面にいわゆる
ゾルゲル法と呼ばれる手法を用いて、有機金属化合物を
焼或することにより得られるガラス状のピットパターン
をもった焼成層３を形威し、次いで高耐食性の反射膜４
、保護膜５を順次積層することにより、高信頼性の読み
出し専用光ディスクが得られる。
用い、まず、拡散防止層２を形成する。次に、その拡散
防止層２を付けた面と反対側のガラス基板面にいわゆる
ゾルゲル法と呼ばれる手法を用いて、有機金属化合物を
焼或することにより得られるガラス状のピットパターン
をもった焼成層３を形威し、次いで高耐食性の反射膜４
、保護膜５を順次積層することにより、高信頼性の読み
出し専用光ディスクが得られる。
ガラス基板１としては通常のソーダライムガラス、アル
ミノケイ酸ガラスなどが用いられるが、光ディスクとし
ての信頼性の賎点からみると、化学強化を施されたもの
が好ましい。
ミノケイ酸ガラスなどが用いられるが、光ディスクとし
ての信頼性の賎点からみると、化学強化を施されたもの
が好ましい。
しかしながら、通常の化学強化を行うためにはガラスが
Ｌｉ，Ｎａなとのアルカリ金属を含むことが必要になる
。このアルカリ金属は、ガラスを高温高湿下に置いた場
合、ガラス表面に拡散し、例えばＮａ２ＣＯ３のような
塩にすることが良く知られている。このような変化はレ
ーザ光を照射して読み出しを行う際の障害となり、光デ
ィスクとしての特性上好ましくない。そこで、拡散防止
層２が必要になる。この拡散防止層２の材料は各種無機
酸化物を用いることが出来るが、光ディスクとしての特
性を勘案すると、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ， Ｚｒ， ＡＩ，
Ｓｎ， Ｃｒの酸化物を単独もしくは組み合わせて使
用することが好ましい。また、Ｓｉ３Ｎ４も良好な特性
を示す。これらの酸化物あるいは窒化物はスパッタ法な
どにより容易に形戒することが出来る。
Ｌｉ，Ｎａなとのアルカリ金属を含むことが必要になる
。このアルカリ金属は、ガラスを高温高湿下に置いた場
合、ガラス表面に拡散し、例えばＮａ２ＣＯ３のような
塩にすることが良く知られている。このような変化はレ
ーザ光を照射して読み出しを行う際の障害となり、光デ
ィスクとしての特性上好ましくない。そこで、拡散防止
層２が必要になる。この拡散防止層２の材料は各種無機
酸化物を用いることが出来るが、光ディスクとしての特
性を勘案すると、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ， Ｚｒ， ＡＩ，
Ｓｎ， Ｃｒの酸化物を単独もしくは組み合わせて使
用することが好ましい。また、Ｓｉ３Ｎ４も良好な特性
を示す。これらの酸化物あるいは窒化物はスパッタ法な
どにより容易に形戒することが出来る。
所望のビットパターンをガラス基板の上に形成するには
、以下に示すようにゾルゲル法を用いて容易に行うこと
が出来る。
、以下に示すようにゾルゲル法を用いて容易に行うこと
が出来る。
まず、金属アルコレート、水、塩酸、アルコールなどか
ら或る塗布溶液を調製し、ガラス基板上に所定の厚さに
なるようにスピンコートする。次いで、所望のピットパ
ターンになるように設計された樹脂製の型を押し当て、
６０〜１２０８Ｃ程度の温度で一次焼或を行う。その後
、ガラス基板を離型し、２５０〜４００°Ｃで二次焼或
を行い、溶剤、添加剤などの有機成分を除去することに
より所望のピットパターンを有する非晶質、の金属酸化
物層３を形成できる。
ら或る塗布溶液を調製し、ガラス基板上に所定の厚さに
なるようにスピンコートする。次いで、所望のピットパ
ターンになるように設計された樹脂製の型を押し当て、
６０〜１２０８Ｃ程度の温度で一次焼或を行う。その後
、ガラス基板を離型し、２５０〜４００°Ｃで二次焼或
を行い、溶剤、添加剤などの有機成分を除去することに
より所望のピットパターンを有する非晶質、の金属酸化
物層３を形成できる。
ここで用いられる金属アルコレートとしては各種の金属
アルコーレト、例えばＳｉ， Ｔｉ， Ｚｒ， ＡＩ，
Ｂなどのアルコレート、が使用できるが、光ディスク
としての特性、製造上の取り扱いやすさなどから、Ｓｉ
系アルコレートあるいはＳｉ系アルコレートとＴｉ系ア
ルコレートの混合系が好ましい。
アルコーレト、例えばＳｉ， Ｔｉ， Ｚｒ， ＡＩ，
Ｂなどのアルコレート、が使用できるが、光ディスク
としての特性、製造上の取り扱いやすさなどから、Ｓｉ
系アルコレートあるいはＳｉ系アルコレートとＴｉ系ア
ルコレートの混合系が好ましい。
このようにして所望のピットパターンを有する透明なガ
ラス基板を得ることが出来る。
ラス基板を得ることが出来る。
次に、得られたピットパターンを持った焼成層の上に、
反射膜４をスパッタ法などにより付け、更に、保護膜５
をその上に被覆することにより読み出し専用光ディスク
が得られる。
反射膜４をスパッタ法などにより付け、更に、保護膜５
をその上に被覆することにより読み出し専用光ディスク
が得られる。
反射膜４の材料としては、各種の金属、金属窒化物など
を用いることが出来るが、光ディスクとしての特性を満
足すると共に、高耐食性を示すものが好ましく、Ａｕ，
Ａｕ系合金、ＴｉＮを用いることが出来る。
を用いることが出来るが、光ディスクとしての特性を満
足すると共に、高耐食性を示すものが好ましく、Ａｕ，
Ａｕ系合金、ＴｉＮを用いることが出来る。
保護膜５としては、Ｓｉ０２などの無機酸化物、Ｓｉ３
Ｎ４などの無機窒化物のような無機系のものあるいはＵ
Ｖ硬化樹脂などのような有機系のものが単独もしくは組
み合わせて使用できる。
Ｎ４などの無機窒化物のような無機系のものあるいはＵ
Ｖ硬化樹脂などのような有機系のものが単独もしくは組
み合わせて使用できる。
（作用）
本発明による読み出し専用光ディスクは、耐湿性に優れ
る拡散防止層付きのガラス基板及び耐食性に優れる反射
膜を有しているために、高い信頼性を実現できる。
る拡散防止層付きのガラス基板及び耐食性に優れる反射
膜を有しているために、高い信頼性を実現できる。
（実施例）
以下、実施例に基づき詳細に説明する。
実施例１
化学強化されたガラス基板上に、拡散防止層としてスパ
ッタ法によりＳｉ０２膜をＩＯＯＯＡ形威した。次いで
、このＳｉ０２膜面と反対側のガラス基板面の上に、テ
トラエトキシシラン、塩酸、水、ポリエチレングリコー
ルを含むエチルアルコール溶液をスピンコートし、有機
金属化合物層を２０００〜３０００人形威した。次いで
、表面に所定のビットパターンを有する樹脂製の型を有
機金属化合物層に押し当て、ビットパターンを転写する
と共に１２０°Ｃで一次焼戊を行った。その後、ガラス
基板を離型し、３５０’Ｃで二次焼或を行った。
ッタ法によりＳｉ０２膜をＩＯＯＯＡ形威した。次いで
、このＳｉ０２膜面と反対側のガラス基板面の上に、テ
トラエトキシシラン、塩酸、水、ポリエチレングリコー
ルを含むエチルアルコール溶液をスピンコートし、有機
金属化合物層を２０００〜３０００人形威した。次いで
、表面に所定のビットパターンを有する樹脂製の型を有
機金属化合物層に押し当て、ビットパターンを転写する
と共に１２０°Ｃで一次焼戊を行った。その後、ガラス
基板を離型し、３５０’Ｃで二次焼或を行った。
このようにして作製したビットパターンを有する焼成層
の上に、反射膜としてスバ？タ法でＡｕ−Ｔａ合金膜を
約１００ＯＡ、保護膜としてＳｉ０２膜を１０００人順
次或膜した。
の上に、反射膜としてスバ？タ法でＡｕ−Ｔａ合金膜を
約１００ＯＡ、保護膜としてＳｉ０２膜を１０００人順
次或膜した。
得られた光ディスクを８０００、９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．４Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．９Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．４Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．９Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ、９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例２
化学強化されたガラス基板上に、拡散防止層としてスパ
ッタ法によりＳｉ０２−Ｔａ２０５膜を１ｏｏｏＡ形成
した。次いで、もう一方のガラス基板面の上に、テトラ
エトキシシラン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを
含むエチルアルコール溶液をスビンコートし、有機金属
化合物層を２０００〜ａｏｏｏＡ形威した。次いで、表
面に所定のビットパターンを有する樹脂製の型を有機金
属化合物層に押し当て、ピットパターンを転写すると共
に１２０°Ｃで一次焼或を行った。その後、ガラス基板
を離型し、３５０８Ｃで二次焼戒を行った。
ッタ法によりＳｉ０２−Ｔａ２０５膜を１ｏｏｏＡ形成
した。次いで、もう一方のガラス基板面の上に、テトラ
エトキシシラン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを
含むエチルアルコール溶液をスビンコートし、有機金属
化合物層を２０００〜ａｏｏｏＡ形威した。次いで、表
面に所定のビットパターンを有する樹脂製の型を有機金
属化合物層に押し当て、ピットパターンを転写すると共
に１２０°Ｃで一次焼或を行った。その後、ガラス基板
を離型し、３５０８Ｃで二次焼戒を行った。
このようにして作製したピットパターンを有する焼戒層
の上に、スバツタ法でＡｕ−Ｔａ合金膜を約１００ＯＡ
， Ｓｉ０２膜をＩＯＯＯＡ順次戒膜した。
の上に、スバツタ法でＡｕ−Ｔａ合金膜を約１００ＯＡ
， Ｓｉ０２膜をＩＯＯＯＡ順次戒膜した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ，９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．４Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレート．が、５００時間後には２．９Ｘ
１０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変
化は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．４Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレート．が、５００時間後には２．９Ｘ
１０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変
化は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ、９０％ＲＨの条件下に１時間はと放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例３
化学強化されたガラス基板上に、スバツタ法によりＳｉ
０２−Ｔｉ０２膜を１０００人形威した。次に、実施例
２と同様に、ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、
反射膜層、保護膜層を形威した。
０２−Ｔｉ０２膜を１０００人形威した。次に、実施例
２と同様に、ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、
反射膜層、保護膜層を形威した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ、９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．３Ｘ１０＝であったブ
ロックエラーレートが、５００時間後には２．５Ｘ１０
−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．３Ｘ１０＝であったブ
ロックエラーレートが、５００時間後には２．５Ｘ１０
−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例４
化学強化されたガラス基板上に、スパツタ法によりＳｉ
０２−Ｚｒ０２膜を８００人形威した。次に、実施例２
と同様に、ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、反
射膜層、保護膜層を形戒した。
０２−Ｚｒ０２膜を８００人形威した。次に、実施例２
と同様に、ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、反
射膜層、保護膜層を形戒した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ、９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．７ Ｘ １０ であ
ったブロックエラーレートが、５００時間後には３．５
Ｘ１０＝にやや増加した。しかしながら、この程度の変
化は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．７ Ｘ １０ であ
ったブロックエラーレートが、５００時間後には３．５
Ｘ１０＝にやや増加した。しかしながら、この程度の変
化は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ、９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例５
化学強化されたガラス基板上に、スパツタ法によりＳｉ
０２−Ａ１２０２膜をｓｏｏＡ形成した。次に、実施例
２と同様に、ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、
反射膜層、保護膜層を形成した。
０２−Ａ１２０２膜をｓｏｏＡ形成した。次に、実施例
２と同様に、ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、
反射膜層、保護膜層を形成した。
得られた光ディスクを８０’Ｃ、９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．ＩＸ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．６Ｘ１
０ −３にやや増加した。しかしながら、この程度の変
化は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．ＩＸ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．６Ｘ１
０ −３にやや増加した。しかしながら、この程度の変
化は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ、９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例６
化学強化されたガラス基板上に、スパツタ法によりＳｉ
０２−Ｓｎ０２膜をｔｏｏｏＡ形成した。次に、実施例
２と同様に、ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、
反射膜層、保護膜層を形成した。
０２−Ｓｎ０２膜をｔｏｏｏＡ形成した。次に、実施例
２と同様に、ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、
反射膜層、保護膜層を形成した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ１９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が２．４Ｘ１０−３であった
ブ白ツクエラーレートが、５００時間後には３．ＩＸ１
０ −３にやや増加した。しかしながら、この程度の変
化は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が２．４Ｘ１０−３であった
ブ白ツクエラーレートが、５００時間後には３．ＩＸ１
０ −３にやや増加した。しかしながら、この程度の変
化は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ、９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例７
化学強化されたガラス基板上に、スパツタ法によりＳｉ
０２−Ｔａ２０５膜をＩＯＯＯＡ形威した。次いで、テ
トラエトキシシラン、テトラブトキシチタン、塩得られ
た光ディスクを８０’Ｃ， ９０％ＲＨ下で耐候性を評
価したところ、初期値が２．６×１０−３であったブロ
ックエラーレートが、５００時間後には３．ＩＸ１０
’にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は再
生特性上、何ら問題となるレベルではない。
０２−Ｔａ２０５膜をＩＯＯＯＡ形威した。次いで、テ
トラエトキシシラン、テトラブトキシチタン、塩得られ
た光ディスクを８０’Ｃ， ９０％ＲＨ下で耐候性を評
価したところ、初期値が２．６×１０−３であったブロ
ックエラーレートが、５００時間後には３．ＩＸ１０
’にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は再
生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ、９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。酸、水、ポリエチレングリコールを含むエ
チルアルコール溶液をスビンコートし、有機金属化合物
層を２０００〜ａｏｏｏＡ形威した。次いで、表面に所
定のビットパターンを有する樹脂製の型を有機金属化合
物層に押し当て、ビットパターンを転写すると共に１０
０°Ｃで一次焼戒を行つた。その後、ガラス基板を離型
し、３５０°Ｃで二次焼戒を行った。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。酸、水、ポリエチレングリコールを含むエ
チルアルコール溶液をスビンコートし、有機金属化合物
層を２０００〜ａｏｏｏＡ形威した。次いで、表面に所
定のビットパターンを有する樹脂製の型を有機金属化合
物層に押し当て、ビットパターンを転写すると共に１０
０°Ｃで一次焼戒を行つた。その後、ガラス基板を離型
し、３５０°Ｃで二次焼戒を行った。
このようにして作製したビットパターンを有する焼成層
の上に、反射膜としてスバツタ法でＡｕ−Ｇｅ合金膜を
約１ｏｏｏＡ， Ｓｉ０２膜をＩＯＯＯＡ順次戒膜した
。
の上に、反射膜としてスバツタ法でＡｕ−Ｇｅ合金膜を
約１ｏｏｏＡ， Ｓｉ０２膜をＩＯＯＯＡ順次戒膜した
。
更にその上をＵＶ硬化樹脂層で被覆した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ、９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が１．３Ｘ１０＝であったブ
ロックエラーレートが、５００時間後には１．６Ｘ１０
−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が１．３Ｘ１０＝であったブ
ロックエラーレートが、５００時間後には１．６Ｘ１０
−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化は
再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ、９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例８
化学強化されたガラス基板上に、スパツタ法によりＳｉ
０２−Ｃｒ０２膜をｔｏｏｏＡ形成した。次いで、もう
一方のガラス基板面の上にテトラエトキシシラン、テト
ラブトキシチタン、塩酸、水、ポリエチレングリコール
を含むエチルアルコール溶液をスピンコートし、有機金
属化合物層を２０００〜ａｏｏｏＡ形威した。次いで、
表面に所定のピットパターンを有する樹脂製の型を有機
金属化合物層に押し当て、ピットパターンを転写すると
共に１００°Ｃで一次焼戒を行った。その後、ガラス基
板を離型し、３５０６Ｃで二次焼或を行った。
０２−Ｃｒ０２膜をｔｏｏｏＡ形成した。次いで、もう
一方のガラス基板面の上にテトラエトキシシラン、テト
ラブトキシチタン、塩酸、水、ポリエチレングリコール
を含むエチルアルコール溶液をスピンコートし、有機金
属化合物層を２０００〜ａｏｏｏＡ形威した。次いで、
表面に所定のピットパターンを有する樹脂製の型を有機
金属化合物層に押し当て、ピットパターンを転写すると
共に１００°Ｃで一次焼戒を行った。その後、ガラス基
板を離型し、３５０６Ｃで二次焼或を行った。
このようにして作製したピットパターンを有する焼戒層
の上に、スパッタ法でＡｕ−Ｇｅ合金膜を約１００ＯＡ
， Ｓｉ０２膜をｘｏｏｏＡ＞＋＋ｉ次戒膜した。更に
その上をＵＶ硬化樹脂層で被覆した。
の上に、スパッタ法でＡｕ−Ｇｅ合金膜を約１００ＯＡ
， Ｓｉ０２膜をｘｏｏｏＡ＞＋＋ｉ次戒膜した。更に
その上をＵＶ硬化樹脂層で被覆した。
得られた光ディスクをｓｏ’ｃ、９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が１．８Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．ＩＸ１
０ ’にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が１．８Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．ＩＸ１
０ ’にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ、９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例９
化学強化されたガラス基板に、スバッタ法によりＳｉ３
Ｎ４膜を８００Ａ形威した。次いで、一方のガラス基板
面の上にテトラエトキシシラン、テトラブトキシチタン
、塩酸、水、ポリエチレングリコールを含むエチルアル
コール溶液をスビンコートし、有機金属化合物層を２０
００〜ａｏｏｏＡ形戊した。次いで、表面に所定のピッ
トパターンを有する樹脂製の型を有機金属化合物層に押
し当て、ビットパターンを転写すると共に１００°Ｃで
一次焼戒を行った。その後、ガラス基板を離型し、３５
０°Ｃで二次焼或を行った。
Ｎ４膜を８００Ａ形威した。次いで、一方のガラス基板
面の上にテトラエトキシシラン、テトラブトキシチタン
、塩酸、水、ポリエチレングリコールを含むエチルアル
コール溶液をスビンコートし、有機金属化合物層を２０
００〜ａｏｏｏＡ形戊した。次いで、表面に所定のピッ
トパターンを有する樹脂製の型を有機金属化合物層に押
し当て、ビットパターンを転写すると共に１００°Ｃで
一次焼戒を行った。その後、ガラス基板を離型し、３５
０°Ｃで二次焼或を行った。
このようにして作製したビットパターンを有する焼成層
の上に、スパッタ法でＡｕ−Ｇｅ合金膜を約１００ＯＡ
、Ｓｉ０２膜をｔｏｏｏＡｉ頂次戊膜した。更にその上
をＵＶ硬化樹脂層で被覆した。
の上に、スパッタ法でＡｕ−Ｇｅ合金膜を約１００ＯＡ
、Ｓｉ０２膜をｔｏｏｏＡｉ頂次戊膜した。更にその上
をＵＶ硬化樹脂層で被覆した。
得られた光ディスクを８０８Ｃ、９０％団下で耐候性を
評価したところ、初期値が２．９Ｘ１『３であったブロ
ックエラーレートが、５００時間後には３．ＩＸ１０−
３にやや増加した。しかしながら、こめ程度の変化は再
生特性上、何ら問題となるレベルではない。
評価したところ、初期値が２．９Ｘ１『３であったブロ
ックエラーレートが、５００時間後には３．ＩＸ１０−
３にやや増加した。しかしながら、こめ程度の変化は再
生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ、９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
実施例１０
実施例２と同様にして作製したガラス基板のピットパタ
ーンを有する焼成層の上に、クラスターイオンビーム法
でＴｉＮ膜を約１００ＯＡ，スパッタ法でＳｉ３Ｎ４膜
を８００〜１０００人順次戒膜した。更にその上をＵＶ
硬化樹脂層で被覆した。
ーンを有する焼成層の上に、クラスターイオンビーム法
でＴｉＮ膜を約１００ＯＡ，スパッタ法でＳｉ３Ｎ４膜
を８００〜１０００人順次戒膜した。更にその上をＵＶ
硬化樹脂層で被覆した。
得られた光ディスクを８０°Ｃ， ９０％ＲＨ下で耐候
性を評価したところ、初期値が１．７Ｘ１０−３であっ
たブロックエラーレートが、５００時間後には２．ＩＸ
１０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変
化は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
性を評価したところ、初期値が１．７Ｘ１０−３であっ
たブロックエラーレートが、５００時間後には２．ＩＸ
１０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変
化は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ， ９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放
置した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常な
く再生できた。
置した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常な
く再生できた。
実施例１１
実施例２と同様にして作製したガラス基板のピットパタ
ーンを有する焼成層の上に、スパッタ法を用いてＡｕ膜
を約１００ＯＡ， Ｓｉ３Ｎ４膜をｇｏｏ〜ｘｏｏｏＡ
ｊｌｉ次或膜した。更にその上をＵＶ硬化樹脂層で被覆
した。
ーンを有する焼成層の上に、スパッタ法を用いてＡｕ膜
を約１００ＯＡ， Ｓｉ３Ｎ４膜をｇｏｏ〜ｘｏｏｏＡ
ｊｌｉ次或膜した。更にその上をＵＶ硬化樹脂層で被覆
した。
得られた光ディスクを８０°０１９０％ＲＨ下で耐候性
を評価したところ、初期値が１．５Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．２Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
を評価したところ、初期値が１．５Ｘ１０−３であった
ブロックエラーレートが、５００時間後には２．２Ｘ１
０−３にやや増加した。しかしながら、この程度の変化
は再生特性上、何ら問題となるレベルではない。
また、８０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に１時間ほど放置
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
した後、取り出して再生を行ったところ、何ら異常なく
再生できた。
比較例
市販されている音楽用のＣＤディスクについて同様に耐
候性の評価を行ったところ、ブロックエラーレートは５
Ｘ １０−４（初期値）から著しく変化し、５００時
間後には測定不能になっていた。また、８０Ｃ， ９０
％ＲＨ条件下に１時間ほど放置した後、取り出して再生
を行ったところ、反りが大きいため再生不能であった。
候性の評価を行ったところ、ブロックエラーレートは５
Ｘ １０−４（初期値）から著しく変化し、５００時
間後には測定不能になっていた。また、８０Ｃ， ９０
％ＲＨ条件下に１時間ほど放置した後、取り出して再生
を行ったところ、反りが大きいため再生不能であった。
（発明の効果）
以上述べてきたように、本発明による読み出し専用光デ
ィスークは信頼性、耐候性に優れており、従来使用でき
なかった応用分野への展開を可能にするものである。
ィスークは信頼性、耐候性に優れており、従来使用でき
なかった応用分野への展開を可能にするものである。
第１図は本発明による読み出し専用光ディスクの概略断
面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・拡散防止層、３・．・金
属アルコレートの焼戒層、４・・・反射膜、５・・・保
護膜
面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・拡散防止層、３・．・金
属アルコレートの焼戒層、４・・・反射膜、５・・・保
護膜
Claims (3)
- （１）透明なガラス基板上に拡散防止層を形成し、この
拡散防止層を形成した面と対向するもう一方のガラス基
板上に、微小な凹凸を有する金属アルコレートの焼成層
、Ａｕ、Ａｕ合金もしくはＴｉＮからなる反射膜及び保
護膜とを順次積層したことを特徴とする読み出し専用光
ディスク。 - （２）拡散防止層がＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｓ
ｎ、Ｃｒの中から選ばれた少なくとも一種類以上の元素
からなる酸化物であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の読み出し専用光ディスク。 - （３）拡散防止層がＳｉ＿３Ｎ＿４であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の読み出し専用光ディス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166080A JPH0762918B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 読み出し専用光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166080A JPH0762918B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 読み出し専用光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330133A true JPH0330133A (ja) | 1991-02-08 |
| JPH0762918B2 JPH0762918B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=15824609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1166080A Expired - Lifetime JPH0762918B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 読み出し専用光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762918B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1324326A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6858278B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| KR200447415Y1 (ko) * | 2009-07-28 | 2010-01-25 | 웅진코웨이주식회사 | 위생장갑용 홀더 |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP1166080A patent/JPH0762918B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1324326A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| US6858278B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| KR200447415Y1 (ko) * | 2009-07-28 | 2010-01-25 | 웅진코웨이주식회사 | 위생장갑용 홀더 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0762918B2 (ja) | 1995-07-05 |
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