JPH0330854B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0330854B2 JPH0330854B2 JP58007381A JP738183A JPH0330854B2 JP H0330854 B2 JPH0330854 B2 JP H0330854B2 JP 58007381 A JP58007381 A JP 58007381A JP 738183 A JP738183 A JP 738183A JP H0330854 B2 JPH0330854 B2 JP H0330854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- charge generation
- generation layer
- thf
- bromine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は電子写真用感光体に関するものであ
り、特に800nｍ以上の長波長光に対し高感度で
あり、かつ物理的特性に優れた感光体を提供しよ
うとするものである。
り、特に800nｍ以上の長波長光に対し高感度で
あり、かつ物理的特性に優れた感光体を提供しよ
うとするものである。
（従来技術）
先ず従来の感光体の一例を第１図により説明す
る。アルミニウム等の導電性基板１１の上にセレ
ンSe膜１２を真空蒸着法により形成したもので
あり、かかるSe感光体はその分光感度が第４図
の曲線Ａで示されるように500nｍを超えると急
激に低下する。なお、この感度の値は初期電位を
２分の１にするのに要する露光量の逆数を使用し
た（以下同じ）。
る。アルミニウム等の導電性基板１１の上にセレ
ンSe膜１２を真空蒸着法により形成したもので
あり、かかるSe感光体はその分光感度が第４図
の曲線Ａで示されるように500nｍを超えると急
激に低下する。なお、この感度の値は初期電位を
２分の１にするのに要する露光量の逆数を使用し
た（以下同じ）。
他にSeにテルルTeを添加し分光感度を長波長
に伸ばしたSe−Te合金感光体もある。しかし、
このSe−Te感光体はTeの添加量が増加するにつ
れて表面電荷の保持特性が不良となり事実上感光
体として使用できない。そこで、更に他の例とし
て第２図のように導電性基板２１の上に50μｍ程
度のSe層２２を設けこの上にSe−Te合金層２３
を２〜3μｍ重層し上述した電荷保持特性を改善
した２層型式のものがある。この表面層が
Se85Te15の場合、その分光感度は第４図の曲線Ｂ
で示されるように650nｍ以上で急激に低下し
700nｍ以上では事実上使用不能なほどその感度
が低下してしまう。
に伸ばしたSe−Te合金感光体もある。しかし、
このSe−Te感光体はTeの添加量が増加するにつ
れて表面電荷の保持特性が不良となり事実上感光
体として使用できない。そこで、更に他の例とし
て第２図のように導電性基板２１の上に50μｍ程
度のSe層２２を設けこの上にSe−Te合金層２３
を２〜3μｍ重層し上述した電荷保持特性を改善
した２層型式のものがある。この表面層が
Se85Te15の場合、その分光感度は第４図の曲線Ｂ
で示されるように650nｍ以上で急激に低下し
700nｍ以上では事実上使用不能なほどその感度
が低下してしまう。
更に第３図は、アルミニウム基板３１上に、ク
ロロダイアンブルーまたはスクウアリリウム酸誘
導体のコーテイングによる電荷発生層３２を形成
し、この上に暗時の絶縁抵抗の高いポリビニルカ
ルバゾールまたはピラゾリン誘導体とポリカーポ
ネート樹脂との混合物のコーテイングによる電荷
輸送層３３を形成した２層型機能分離型感光体で
ある。かかる感光体は可視光に対しては十分高感
度であるが上記例と略同様に650nｍ以上の照射
光に対しては感光体として殆んど使用できない。
ロロダイアンブルーまたはスクウアリリウム酸誘
導体のコーテイングによる電荷発生層３２を形成
し、この上に暗時の絶縁抵抗の高いポリビニルカ
ルバゾールまたはピラゾリン誘導体とポリカーポ
ネート樹脂との混合物のコーテイングによる電荷
輸送層３３を形成した２層型機能分離型感光体で
ある。かかる感光体は可視光に対しては十分高感
度であるが上記例と略同様に650nｍ以上の照射
光に対しては感光体として殆んど使用できない。
ところでレーザー光を光源とした電子写真用感
光体を用いたレーザービームプリンタ等に対して
は、その機能向上の観点から半導体レーザーを光
源として用いる試みが盛んに行われており、かか
る半導体レーザー光源の発振波長は800〜850nｍ
が一般的である。
光体を用いたレーザービームプリンタ等に対して
は、その機能向上の観点から半導体レーザーを光
源として用いる試みが盛んに行われており、かか
る半導体レーザー光源の発振波長は800〜850nｍ
が一般的である。
（発明の目的）
現在上述した如く800nｍ以上の光に対し高感
度を示す感光体はほとんど見出されていないのが
実情であり、かかる800nｍ以上の長波長光に対
し高感度を示す感光体の出現が強く要求されてい
る。
度を示す感光体はほとんど見出されていないのが
実情であり、かかる800nｍ以上の長波長光に対
し高感度を示す感光体の出現が強く要求されてい
る。
ここに発明者等はかかる事情に鑑み鋭意研究を
行つた結果、導電性支持体上に、電荷発生層及び
電荷輸送層をこの順に設けた機能分離型感光体に
おいて、該電荷発生層として後記詳述する有機導
電性物質による蒸着膜を溶媒蒸気処理してなる電
荷発生体を有する感光体が800nｍ以上の波長光
で驚くほどの高感度を示すことを見出しこの発明
を完成したのである。
行つた結果、導電性支持体上に、電荷発生層及び
電荷輸送層をこの順に設けた機能分離型感光体に
おいて、該電荷発生層として後記詳述する有機導
電性物質による蒸着膜を溶媒蒸気処理してなる電
荷発生体を有する感光体が800nｍ以上の波長光
で驚くほどの高感度を示すことを見出しこの発明
を完成したのである。
（発明の構成）
即ちこの発明は、導電性支持体上に、有機光導
電性物質による電荷発生層及び電荷輸送層をこの
順に形成した機能分離型電子写真用感光体におい
て、上記電荷発生層として、一般式、 （式中、MeはガリウムGa、Ｘは臭素Brである） にて表わされるガリウムフタロシアニンで該ガリ
ウムフタロシアニンのベンゼン環の水素の一部が
臭素で置換されたフタロシアニンであり、その蒸
着膜を溶媒蒸気処理したものを用いたことを特徴
とする電子写真用感光体である。
電性物質による電荷発生層及び電荷輸送層をこの
順に形成した機能分離型電子写真用感光体におい
て、上記電荷発生層として、一般式、 （式中、MeはガリウムGa、Ｘは臭素Brである） にて表わされるガリウムフタロシアニンで該ガリ
ウムフタロシアニンのベンゼン環の水素の一部が
臭素で置換されたフタロシアニンであり、その蒸
着膜を溶媒蒸気処理したものを用いたことを特徴
とする電子写真用感光体である。
この発明において、上述したガリウムフタロシ
アニンのベンゼン環の水素の一部を臭素置換と
は、これら水素の１個以上の臭素による置換を意
味するものである。
アニンのベンゼン環の水素の一部を臭素置換と
は、これら水素の１個以上の臭素による置換を意
味するものである。
後記する実施例では、これが一個の場合につい
て詳述してあるが合成方法によつては２個以上の
場合が可能であり、更にこれら２個以上の水素が
臭素にて置換されたものの使用が略同様にこの発
明の目的を達成し得るのである。
て詳述してあるが合成方法によつては２個以上の
場合が可能であり、更にこれら２個以上の水素が
臭素にて置換されたものの使用が略同様にこの発
明の目的を達成し得るのである。
以下、この発明を具体的な実施例により詳細に
説明する。
説明する。
実施例
オルトフタロジニトリル12.8ｇと純度99.999％
の臭化ガリウムGaBr37.7ｇを300℃のマントルヒ
ーター中のビーカー中で撹拌混合しながら反応さ
せた。得られた生成物はテトラヒドロフラン
（THF）にて可溶部と不溶部に分離することがで
き、この不溶部を更にTHFにて洗滌し昇華精製
した。このようにして得たTHF不溶部の構造は
上記一般式にて表わされるフタロシアニンである
こと、及びその元素分析を行つた結果、元素の比
はC32H14.8N7.8Br2.0Ga1.2であり、その中のBrの
うち１個が上記一般式の中心金属と結合しており
残りの１個はフタロシアニン環の周囲のベンゼン
環に結合したほぼC32H15N8Br2Ga1の元素比から
なる上記一般式で示されるフタロシアニン（以下
GaBrPc（Br）と云う）であることを確認した。
次にこのGaBrPc（Br）を真空蒸着装置中のアル
ミナるつぼに0.01ｇ入れ、該るつぼ温度500℃で
抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に薄膜を形成し
た（膜厚0.02μｍ）。この薄膜試料の600〜900nｍ
に対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用
いて測定した。結果を第５図に示す。同図中曲線
Ｃは上記薄膜試料そのもののスペクトルであり、
740nｍにて最大ピークを示した。次にこの薄膜
試料をテトラヒドロフラン（THF）の蒸気中に
て20時間曝露処理したもののスペクトルは曲線Ｄ
にて示したように吸収ピークが長波長側へシフト
した。すなわち曲線Ｄのように最大ピークが
785nｍにシフトしていた。
の臭化ガリウムGaBr37.7ｇを300℃のマントルヒ
ーター中のビーカー中で撹拌混合しながら反応さ
せた。得られた生成物はテトラヒドロフラン
（THF）にて可溶部と不溶部に分離することがで
き、この不溶部を更にTHFにて洗滌し昇華精製
した。このようにして得たTHF不溶部の構造は
上記一般式にて表わされるフタロシアニンである
こと、及びその元素分析を行つた結果、元素の比
はC32H14.8N7.8Br2.0Ga1.2であり、その中のBrの
うち１個が上記一般式の中心金属と結合しており
残りの１個はフタロシアニン環の周囲のベンゼン
環に結合したほぼC32H15N8Br2Ga1の元素比から
なる上記一般式で示されるフタロシアニン（以下
GaBrPc（Br）と云う）であることを確認した。
次にこのGaBrPc（Br）を真空蒸着装置中のアル
ミナるつぼに0.01ｇ入れ、該るつぼ温度500℃で
抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に薄膜を形成し
た（膜厚0.02μｍ）。この薄膜試料の600〜900nｍ
に対する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用
いて測定した。結果を第５図に示す。同図中曲線
Ｃは上記薄膜試料そのもののスペクトルであり、
740nｍにて最大ピークを示した。次にこの薄膜
試料をテトラヒドロフラン（THF）の蒸気中に
て20時間曝露処理したもののスペクトルは曲線Ｄ
にて示したように吸収ピークが長波長側へシフト
した。すなわち曲線Ｄのように最大ピークが
785nｍにシフトしていた。
次に上記のGaBrPc（Br）を第６図に示した如
く抵抗加熱蒸着法により、アルミニウム基板６１
上に電荷発生層６２として0.2μｍ膜厚で形成し、
これをTHF蒸気中に20時間曝露後、その上に
THFに溶解した電子写真用ポリビニルカルバゾ
ール樹脂をコーテイングし該THFを充分乾燥さ
せることにより電荷輸送層６３（10μｍ厚）を形
成し感光体を作成した。
く抵抗加熱蒸着法により、アルミニウム基板６１
上に電荷発生層６２として0.2μｍ膜厚で形成し、
これをTHF蒸気中に20時間曝露後、その上に
THFに溶解した電子写真用ポリビニルカルバゾ
ール樹脂をコーテイングし該THFを充分乾燥さ
せることにより電荷輸送層６３（10μｍ厚）を形
成し感光体を作成した。
得られた感光体の電子写真的特性である分光感
度を測定した結果を第７図の曲線Ｅで示した。
度を測定した結果を第７図の曲線Ｅで示した。
同図によれば本実施例による感光体は波長
900nｍにおいても1.5cm2／μJ以上の非常に高い感
度が認められ、上述した一般的な半導体レーザー
光の波長である800〜850nｍにおいては約２cm2／
μJ以上（特に800nｍにおいて約2.3cm2／μJ）と云
う非常に高い感度を示した。
900nｍにおいても1.5cm2／μJ以上の非常に高い感
度が認められ、上述した一般的な半導体レーザー
光の波長である800〜850nｍにおいては約２cm2／
μJ以上（特に800nｍにおいて約2.3cm2／μJ）と云
う非常に高い感度を示した。
比較例
実施例に準じアルミニウム基板上に同様の
GaBrPc（Br）を真空蒸着法により0.2μｍ形成し、
その後実施例におけるTHF溶媒蒸気処理を行わ
ずにポリビニルカルバゾールのTHF溶液をコー
テイングし乾燥厚さ10μｍの電荷輸送層を形成し
感光体を得た。
GaBrPc（Br）を真空蒸着法により0.2μｍ形成し、
その後実施例におけるTHF溶媒蒸気処理を行わ
ずにポリビニルカルバゾールのTHF溶液をコー
テイングし乾燥厚さ10μｍの電荷輸送層を形成し
感光体を得た。
この比較例の感光体の分光感度を同様に測定
し、第７図の曲線Ｆで示した。曲線Ｆによれば、
上記実施例の電荷発生層をTHF溶媒蒸気処理し
て作成した感光体に比し、波長800〜850nｍにお
いて1.3cm2／μJ、900nｍにおいて１cm2／μJであつ
た。
し、第７図の曲線Ｆで示した。曲線Ｆによれば、
上記実施例の電荷発生層をTHF溶媒蒸気処理し
て作成した感光体に比し、波長800〜850nｍにお
いて1.3cm2／μJ、900nｍにおいて１cm2／μJであつ
た。
（発明の効果）
本発明による感光体は以上の説明、及び特に第
７図のスペクトルＥ及びＦの比較で明らかなよう
に、特定の600〜900nｍの波長域において、蒸着
膜の溶媒蒸気処理したものが未処理のものに比し
1.5〜1.8倍もの感度上昇を示す効果を奏する。
７図のスペクトルＥ及びＦの比較で明らかなよう
に、特定の600〜900nｍの波長域において、蒸着
膜の溶媒蒸気処理したものが未処理のものに比し
1.5〜1.8倍もの感度上昇を示す効果を奏する。
そして又、本発明の感光体は、使用する電荷発
生層が例えば0.2μｍ程度のごく薄い膜で十分であ
るので、真空装置を使用する時間が短時間で済
み、感光体の製造が容易で安価に量産が可能とな
りまた使用材料が有機物であることからその廃棄
に際しての問題が少ない。更に、上記感度上昇の
著しい本発明感光体はレーザービームプリンタの
みでなく、フアツクスまたはLEDを光源とした
プリンタ特に半導体レーザーを光源としたその他
の記録デバイスおよび光センサにも適用できる効
果がある。
生層が例えば0.2μｍ程度のごく薄い膜で十分であ
るので、真空装置を使用する時間が短時間で済
み、感光体の製造が容易で安価に量産が可能とな
りまた使用材料が有機物であることからその廃棄
に際しての問題が少ない。更に、上記感度上昇の
著しい本発明感光体はレーザービームプリンタの
みでなく、フアツクスまたはLEDを光源とした
プリンタ特に半導体レーザーを光源としたその他
の記録デバイスおよび光センサにも適用できる効
果がある。
第１図は従来のSe感光体の断面図、第２図は
従来のSe、Se−Te合金２層型感光体の断面図、
第３図は従来の機能分離型の電子写真用感光体の
断面図、第４図は該電子写真用感光体の分光感度
曲線図、第５図は本発明にて用いられるフタロシ
アニン顔料の光吸収スペクトル図、第６図は本発
明感光体の断面図、第７図は本発明の感光体の分
光感度曲線図である。 ３１，６１……導電性支持体、３２，６２……
電荷発生層、３３，６３……電荷輸送層。
従来のSe、Se−Te合金２層型感光体の断面図、
第３図は従来の機能分離型の電子写真用感光体の
断面図、第４図は該電子写真用感光体の分光感度
曲線図、第５図は本発明にて用いられるフタロシ
アニン顔料の光吸収スペクトル図、第６図は本発
明感光体の断面図、第７図は本発明の感光体の分
光感度曲線図である。 ３１，６１……導電性支持体、３２，６２……
電荷発生層、３３，６３……電荷輸送層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性支持体上に、有機光導電性物質による
電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に形成した機
能分離型電子写真用感光体において、上記電荷発
生層として、一般式、 （式中MeはガリウムGa、Ｘは臭素Brである） にて表わされるガリウムフタロシアニンで該ガリ
ウムフタロシアニンのベンゼン環の水素の一部が
臭素で置換されたフタロシアニンであり、その蒸
着膜を溶媒蒸気処理したものであることを特徴と
する電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP738183A JPS59133551A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 電子写真用感光体 |
| US06/528,122 US4587188A (en) | 1982-09-06 | 1983-08-31 | Phthalocyanine photoconductor for electrophotography |
| DE3332005A DE3332005C2 (de) | 1982-09-06 | 1983-09-05 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP738183A JPS59133551A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59133551A JPS59133551A (ja) | 1984-07-31 |
| JPH0330854B2 true JPH0330854B2 (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=11664357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP738183A Granted JPS59133551A (ja) | 1982-09-06 | 1983-01-21 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59133551A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393881A (en) * | 1992-08-26 | 1995-02-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Crystalline forms of hydroxygallium phthalocyanine |
| JPH06122833A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Fuji Xerox Co Ltd | ヒドロキシメタルフタロシアニン顔料の顔料化方法 |
| JP2814872B2 (ja) * | 1993-03-25 | 1998-10-27 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 |
| JP3072689B2 (ja) * | 1993-04-02 | 2000-07-31 | 富士ゼロックス株式会社 | メトキシガリウムフタロシアニン化合物およびそれを用いた電子写真感光体 |
| JP2882977B2 (ja) * | 1993-08-12 | 1999-04-19 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 |
| JP3216426B2 (ja) * | 1994-06-06 | 2001-10-09 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
| JP3060199B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2000-07-10 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
| US8815073B2 (en) | 2007-03-28 | 2014-08-26 | Toray Industries, Inc. | Web pressure welding method, pressure welding device, power supply method, power supply device, continuous electrolytic plating apparatus and method for manufacturing web with plated coating film |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
-
1983
- 1983-01-21 JP JP738183A patent/JPS59133551A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59133551A (ja) | 1984-07-31 |
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