JPS6059355A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS6059355A JPS6059355A JP58167536A JP16753683A JPS6059355A JP S6059355 A JPS6059355 A JP S6059355A JP 58167536 A JP58167536 A JP 58167536A JP 16753683 A JP16753683 A JP 16753683A JP S6059355 A JPS6059355 A JP S6059355A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phthalocyanine
- photoreceptor
- electrophotographic photoreceptor
- charge generation
- charge generating
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は電子写真用感光体に関するものであり、特に８
００ ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であシ、かつ特
理的特性に優れた感光体を提供しようとするものである
。
００ ｎｍ以上の長波長光に対し高感度であシ、かつ特
理的特性に優れた感光体を提供しようとするものである
。
（従来技術）
従来の感光体は第１図に示すようにアルミニウム等の導
電性基板１ノの上にセレン（Ｓｅ）膜１２を真空蒸着法
により形成したものである。このＳｅ感光体は分光感度
が第２図の曲線２１のように５０゜ｎ＋７Ｚ以上で急激
に低下する。なお、感度の値は初期電位を２分の１にす
るのに要する露光量の逆数を使用した。感度の定義は以
下同じである。
電性基板１ノの上にセレン（Ｓｅ）膜１２を真空蒸着法
により形成したものである。このＳｅ感光体は分光感度
が第２図の曲線２１のように５０゜ｎ＋７Ｚ以上で急激
に低下する。なお、感度の値は初期電位を２分の１にす
るのに要する露光量の逆数を使用した。感度の定義は以
下同じである。
またＳｅにテルル（Ｔｅ ）を添加し分光感度を長波長
に伸ばした５ｅ−Ｔ”ｅ合金感光体もある。しかし、こ
の５ｅ−Ｔｅ感光体はＴｅの添加量が増加するにつれて
表面電荷の保持特性が不良となり事実上感光体として使
用できない。そこで、更に他の例として第３図のように
導電性基板３ノの上に５０μｍ程度のＳｅ層３２を設け
この上に５ｅ−Ｔｅ合金層３３ｆ：２〜３μ７ｎ形成し
て電荷保持特性を改善した２層型のものがある。表面層
が５ｅ８５Ｔｅ１５の場合第２図の曲線２２で示される
ように分光感度は６５０ｎｍ以上では急激に低下してし
捷う。
に伸ばした５ｅ−Ｔ”ｅ合金感光体もある。しかし、こ
の５ｅ−Ｔｅ感光体はＴｅの添加量が増加するにつれて
表面電荷の保持特性が不良となり事実上感光体として使
用できない。そこで、更に他の例として第３図のように
導電性基板３ノの上に５０μｍ程度のＳｅ層３２を設け
この上に５ｅ−Ｔｅ合金層３３ｆ：２〜３μ７ｎ形成し
て電荷保持特性を改善した２層型のものがある。表面層
が５ｅ８５Ｔｅ１５の場合第２図の曲線２２で示される
ように分光感度は６５０ｎｍ以上では急激に低下してし
捷う。
また、第４図のように導電性基板４１の土に４２のクロ
ログイアンプル−またはスクウアリリウム酸誘導体のコ
ーティングによる電荷発生層４２を形成し、この上に暗
時の絶縁抵抗の高いポリビニルカルバゾールまたはピラ
ゾリン誘導体とポリカーがネート樹脂との混合物をコー
ティングして電荷輸送層４３を形成した２層型機能分離
型感光体がある。これらの感光体は可視光に対しては十
分高感度であるが６５０ｎｍ以上の照射光に対しては感
光体として使用できない。
ログイアンプル−またはスクウアリリウム酸誘導体のコ
ーティングによる電荷発生層４２を形成し、この上に暗
時の絶縁抵抗の高いポリビニルカルバゾールまたはピラ
ゾリン誘導体とポリカーがネート樹脂との混合物をコー
ティングして電荷輸送層４３を形成した２層型機能分離
型感光体がある。これらの感光体は可視光に対しては十
分高感度であるが６５０ｎｍ以上の照射光に対しては感
光体として使用できない。
一方レーザー光を光源とし、電子写真用感光体を用いた
レーザービームプリンタ等では半導体レーザーを光源に
用いることが試みられており、この光源の発振波長は８
００〜８５０ｎｍが一般的である。しかし、現在８００
ｎｍ以上の光に対し高感度を示す感光体はほとんど見い
出されていない。
レーザービームプリンタ等では半導体レーザーを光源に
用いることが試みられており、この光源の発振波長は８
００〜８５０ｎｍが一般的である。しかし、現在８００
ｎｍ以上の光に対し高感度を示す感光体はほとんど見い
出されていない。
そこで８００ ｎｍ以上の長波長光に対し感度が高い感
光体が要求されている。
光体が要求されている。
そこで、第５図に示した、導電性基板５１の上に高分子
材料とＸ型無金属フタロシアニンとを重量比６：１で混
合し、１０〜３０μｍ厚さにコーティングした分散型の
感光体は第６図に示すように８００ｎｍにおいて感度を
有している。しかし、Ｘ型フタロシアニンはＸ型結晶構
造を有しており、広く市販されているα型やβ型フタロ
シアニン系顔料に比べて製法が複雑であり、且つ良好な
電子写真特性を発現させるためにはその処理に特別の配
慮を要すると言う欠点があった・ （発明の目的） 本発明の目的は８００ｎｍ以上の波長に感光し、しかも
容易に作成することができる電子写真用感光体を提供す
ることにある。
材料とＸ型無金属フタロシアニンとを重量比６：１で混
合し、１０〜３０μｍ厚さにコーティングした分散型の
感光体は第６図に示すように８００ｎｍにおいて感度を
有している。しかし、Ｘ型フタロシアニンはＸ型結晶構
造を有しており、広く市販されているα型やβ型フタロ
シアニン系顔料に比べて製法が複雑であり、且つ良好な
電子写真特性を発現させるためにはその処理に特別の配
慮を要すると言う欠点があった・ （発明の目的） 本発明の目的は８００ｎｍ以上の波長に感光し、しかも
容易に作成することができる電子写真用感光体を提供す
ることにある。
（発明の構成）
本発明は導電体支持体上に有機光導電性物質による電荷
発生層を形成した電子写真用感光体または導電体支持体
上に有機光導電性物質による電荷発生層及び電荷輸送層
をこの順に形成した機能分離型電子写真用感光体におい
て、前記電荷発生層として一般式、 にて表わされるクロロインジウムフタロシアニン・アル
いはこのクロロインジウムフタロシアニンのベンゼン環
のＨがＣｔと１個以上置換した構造の物質を用いたこと
を特徴とする電子写真用感光体に関するものであシ、以
下詳細に説明する・（実施例） 本発明の第１の実施例では寸ず、オルトフタロジニトリ
ル１２８ｇと塩化インジウム（Ｉ ｎ ＣＺ ３ ）５
．６．９を３０ （１’Ｃのマントルヒーター中のビー
カー中でかくはん混合しながら３０分間反応させ、（１
）式に示した一般式で表わされるＩｎを中心金属とし、
このＩｎにＣｔが結合しているフタロシアニンで、フタ
ロシアニン環の周囲のベンゼン環の水素の一部分全Ｃ４
で置換した構造のフタロシアニンを合成しこのあと昇華
精製した。この生成物の元素分析を行った結果元素の比
はＣ３２Ｈ１６，７ＮＢ、０ｃｔ１．８Ｉｎ１．０であ
りＣｔのうち１ケは中心金属と結合しており、残りの１
ケはフタロシアニン環の周囲のベンゼン環に結合してい
るほぼＣ５２Ｈ１６ＮＢＣＬ２．Ｉ ｎ １の元素比の
インジウムフタロシアニンであることがわかった。この
ようにして合成し、精製したフタロシアニン（以下Ｉｎ
ＣＡＰｃＣｔと略す）を真空蒸着装置中のアルミするつ
ぼに入れ、４００℃ｒ １０−’ Ｐａでガラス基板上
に０．０５１１ｍの薄膜を形成した。この薄膜の６００
〜９００ ｎｍに対する光吸収スペクトルを測定した結
果を第６図に示す。このようにＩｎＣ４ＰｃＣ４の光吸
収は、６００〜９００ ｎｍにおいて高い。
発生層を形成した電子写真用感光体または導電体支持体
上に有機光導電性物質による電荷発生層及び電荷輸送層
をこの順に形成した機能分離型電子写真用感光体におい
て、前記電荷発生層として一般式、 にて表わされるクロロインジウムフタロシアニン・アル
いはこのクロロインジウムフタロシアニンのベンゼン環
のＨがＣｔと１個以上置換した構造の物質を用いたこと
を特徴とする電子写真用感光体に関するものであシ、以
下詳細に説明する・（実施例） 本発明の第１の実施例では寸ず、オルトフタロジニトリ
ル１２８ｇと塩化インジウム（Ｉ ｎ ＣＺ ３ ）５
．６．９を３０ （１’Ｃのマントルヒーター中のビー
カー中でかくはん混合しながら３０分間反応させ、（１
）式に示した一般式で表わされるＩｎを中心金属とし、
このＩｎにＣｔが結合しているフタロシアニンで、フタ
ロシアニン環の周囲のベンゼン環の水素の一部分全Ｃ４
で置換した構造のフタロシアニンを合成しこのあと昇華
精製した。この生成物の元素分析を行った結果元素の比
はＣ３２Ｈ１６，７ＮＢ、０ｃｔ１．８Ｉｎ１．０であ
りＣｔのうち１ケは中心金属と結合しており、残りの１
ケはフタロシアニン環の周囲のベンゼン環に結合してい
るほぼＣ５２Ｈ１６ＮＢＣＬ２．Ｉ ｎ １の元素比の
インジウムフタロシアニンであることがわかった。この
ようにして合成し、精製したフタロシアニン（以下Ｉｎ
ＣＡＰｃＣｔと略す）を真空蒸着装置中のアルミするつ
ぼに入れ、４００℃ｒ １０−’ Ｐａでガラス基板上
に０．０５１１ｍの薄膜を形成した。この薄膜の６００
〜９００ ｎｍに対する光吸収スペクトルを測定した結
果を第６図に示す。このようにＩｎＣ４ＰｃＣ４の光吸
収は、６００〜９００ ｎｍにおいて高い。
以上のＩｎＣＬＰｃＣｌ−１０、ｊ９とパイロン２００
ポリエステル樹脂４ｇとメチルエチルケトン（以下ＭＥ
Ｋと略す）６０ｍｌとをガラス製が−ルミルに入れ９６
時間粉砕混合した。この混合物を溶液コーティング法を
用いて、アルミニウム基材上にコーティングし第８図の
構造の乾燥膜厚１２μｍの感光体を作成した。との第］
の実施例の分光感度を第９図に示す。このように、６０
０〜８５０ ｎｍにおいてほぼフラットな特性で、８５
０ ｎｍにおける感度、半減露光量の逆数は１．２α２
／／ｌＪであった。この時の初期帯電電位は８００Ｖで
あった。また、第１０図は合成後の粉末Ｘ線回折の結果
であり、第１１図は、ポリエステル樹脂とＩｎＣＬＰｃ
Ｃｌとメチルエチルケトンを混合しボールミルで９６時
間粉砕混合したものからポリエステル樹脂を分離し除き
、ＭＦ、にも蒸発させ除いたＩｎＣｔＰｃＣＬ粉末のＸ
線回折の結果である。このように合成後もボールミルで
粉砕混合後もほとんど同一であった。この結果第１の実
施例の感光体のＩｎＣｔＰｃＣＡは合成後と結晶構造が
同一であるといえる。このように、ＩｎＣＬＰｃＣＬを
用いた感光体は溶剤とボールミルを用いた製作工程にお
いて、その結晶構造が別の構造に変化することなく安定
であり再現性良く、容易に８００ ｎｍ以上の長波長光
に対し高感度を示した。
ポリエステル樹脂４ｇとメチルエチルケトン（以下ＭＥ
Ｋと略す）６０ｍｌとをガラス製が−ルミルに入れ９６
時間粉砕混合した。この混合物を溶液コーティング法を
用いて、アルミニウム基材上にコーティングし第８図の
構造の乾燥膜厚１２μｍの感光体を作成した。との第］
の実施例の分光感度を第９図に示す。このように、６０
０〜８５０ ｎｍにおいてほぼフラットな特性で、８５
０ ｎｍにおける感度、半減露光量の逆数は１．２α２
／／ｌＪであった。この時の初期帯電電位は８００Ｖで
あった。また、第１０図は合成後の粉末Ｘ線回折の結果
であり、第１１図は、ポリエステル樹脂とＩｎＣＬＰｃ
Ｃｌとメチルエチルケトンを混合しボールミルで９６時
間粉砕混合したものからポリエステル樹脂を分離し除き
、ＭＦ、にも蒸発させ除いたＩｎＣｔＰｃＣＬ粉末のＸ
線回折の結果である。このように合成後もボールミルで
粉砕混合後もほとんど同一であった。この結果第１の実
施例の感光体のＩｎＣｔＰｃＣＡは合成後と結晶構造が
同一であるといえる。このように、ＩｎＣＬＰｃＣＬを
用いた感光体は溶剤とボールミルを用いた製作工程にお
いて、その結晶構造が別の構造に変化することなく安定
であり再現性良く、容易に８００ ｎｍ以上の長波長光
に対し高感度を示した。
本発明の第２の実施例では、第８図と同じ構猾であり第
１の実施例における月？リエステル樹脂の代わりに＋［
荷輸送性樹脂であるポリビニルカルバゾール（■）■Ｋ
）、ＭＥＫの代わりにテトラヒドロフラ、／ （ＴＩＩ
Ｆ）溶媒を用いて、第１の実施例と同様にして’ＪＧ時
間時間ルールミル砕混合した。この混合物を溶液コーテ
ィング法を用いて、アルミニウム基月土に、乾燥膜厚８
μ７ｎの膜を形成し、感光体を作成した。この感光体の
初期帯電電位は、５００■であり、８５０ ｎ７ｎにお
ける感度は１．６ ｃｍ２／μＪと高かった。このよう
に、ポリエステル樹脂の代わシに、電荷輸送性月料であ
るＰＶＫを用いても、第１の実Ｍ＋ｉ例と同様に高感度
な感光体を得ることができた。壕だ、ＴＨＦとＩｎＣ４
ＰｃＣ／、とＰＶＫとを９６時間混合粉砕したあとのＩ
ｎＣＬＰｃＣｌの粉末Ｘ線回折の結果は第１の実施例の
結果と同じく、合成後のＩｎＣ４ＰｃＣ／とほぼ同じで
あシ、粉砕混合操作による結晶形の変化は認められなか
った。
１の実施例における月？リエステル樹脂の代わりに＋［
荷輸送性樹脂であるポリビニルカルバゾール（■）■Ｋ
）、ＭＥＫの代わりにテトラヒドロフラ、／ （ＴＩＩ
Ｆ）溶媒を用いて、第１の実施例と同様にして’ＪＧ時
間時間ルールミル砕混合した。この混合物を溶液コーテ
ィング法を用いて、アルミニウム基月土に、乾燥膜厚８
μ７ｎの膜を形成し、感光体を作成した。この感光体の
初期帯電電位は、５００■であり、８５０ ｎ７ｎにお
ける感度は１．６ ｃｍ２／μＪと高かった。このよう
に、ポリエステル樹脂の代わシに、電荷輸送性月料であ
るＰＶＫを用いても、第１の実Ｍ＋ｉ例と同様に高感度
な感光体を得ることができた。壕だ、ＴＨＦとＩｎＣ４
ＰｃＣ／、とＰＶＫとを９６時間混合粉砕したあとのＩ
ｎＣＬＰｃＣｌの粉末Ｘ線回折の結果は第１の実施例の
結果と同じく、合成後のＩｎＣ４ＰｃＣ／とほぼ同じで
あシ、粉砕混合操作による結晶形の変化は認められなか
った。
この第１及び第２の実施例では、ベンゼン環に結合して
いるＣｔが１個の場合について詳述しであるが、合成方
法によっては２個以上の場合が可能であり、更にこれら
２個以上の水素がＣｔにて置換されたものの使用が、同
様にこの発明の目的を達成し得る。
いるＣｔが１個の場合について詳述しであるが、合成方
法によっては２個以上の場合が可能であり、更にこれら
２個以上の水素がＣｔにて置換されたものの使用が、同
様にこの発明の目的を達成し得る。
本発明の第３の実施例では、まずオルトフタロジニトリ
ル１２８Ｉと塩化インジウム（Ｉ ｎ ＣＺ ｓ ）５
．６ｇとをフラスコ中のキノリン１００ｍ１中に入れ、
かくはん混合しながらマントルヒーターで加熱し遺留さ
せながら６０分間反応させ、請求の範囲に示した一般式
で表わされるＩｎ’、Ｈ中心金属とした構造のフタロシ
アニンを合成したのち、昇華精製した。この生成物の元
素分析を行った結果元素の比はＣ３２Ｈ１６，５Ｎ７．
９Ｃ４ｉ、ｌＩｎ０．９であり１ケＯｃｔが中心金属と
結合しているほぼＣ３２Ｈ４６Ｎａ ＣＬ 、 Ｉ ｎ
１の元素比のインジウムフタロンアニンであることが
わかった。このようにして、合成し精製したフタロシア
ニン（以下１ｎＣｊＰｃと略ず）を真空蒸着装置中のア
ルミするつぼに入れ、４００℃＋１０’Ｐａでガラス基
板」二に０．０４μｍｎの薄膜を形成した。この薄膜の
６００〜９００ ｎｍに対する光吸収スペクトルを測定
した結果を第１２図に示す。
ル１２８Ｉと塩化インジウム（Ｉ ｎ ＣＺ ｓ ）５
．６ｇとをフラスコ中のキノリン１００ｍ１中に入れ、
かくはん混合しながらマントルヒーターで加熱し遺留さ
せながら６０分間反応させ、請求の範囲に示した一般式
で表わされるＩｎ’、Ｈ中心金属とした構造のフタロシ
アニンを合成したのち、昇華精製した。この生成物の元
素分析を行った結果元素の比はＣ３２Ｈ１６，５Ｎ７．
９Ｃ４ｉ、ｌＩｎ０．９であり１ケＯｃｔが中心金属と
結合しているほぼＣ３２Ｈ４６Ｎａ ＣＬ 、 Ｉ ｎ
１の元素比のインジウムフタロンアニンであることが
わかった。このようにして、合成し精製したフタロシア
ニン（以下１ｎＣｊＰｃと略ず）を真空蒸着装置中のア
ルミするつぼに入れ、４００℃＋１０’Ｐａでガラス基
板」二に０．０４μｍｎの薄膜を形成した。この薄膜の
６００〜９００ ｎｍに対する光吸収スペクトルを測定
した結果を第１２図に示す。
このＩｎＣＡＰＣ、１０ｐとバイロン２００ポリエステ
ル樹脂２ｇとメチルエチルケトン１００ｍ１とをガラス
製＋ｌ？−ルミルに入れ９６時間粉砕混合した。
ル樹脂２ｇとメチルエチルケトン１００ｍ１とをガラス
製＋ｌ？−ルミルに入れ９６時間粉砕混合した。
この混合物を溶液コーティング法を用いてアルミ基４Ｊ
上にコーティングし、乾燥膜厚０８μ？ｎの電荷発生層
を作製した。この上に１０ｇのＰＶＫを１００ｍ１のＴ
ＨＦに溶解したものを溶液コーティングし乾燥膜厚１２
μｍの電荷輸送層を形成し、第１３図に示す２層構造の
感光体を作製した。この感光体の初期帯電電位が９００
ｖのとき、８５０ ｎｍにおける感度は］、 ９ ＣＴ
ｎ２／μＪと高く、残留電位も３０Ｖ以下と小さかった
。この第３の実施例のように、機能分離型感光体の電荷
発生層の絶縁性高分子材料中にＩｎＣＡＰｃを分散した
ものを使用したものも、感光体として優れている。また
、ＩｎＣＡＰｃも、合成後とボールミルで混合粉砕後の
Ｘ線回折結果が第１０図とほぼ同じであシ、ＩｎＣ１Ｐ
ｃＣ４と同様に結晶構造の変化は生じていなかった。
上にコーティングし、乾燥膜厚０８μ？ｎの電荷発生層
を作製した。この上に１０ｇのＰＶＫを１００ｍ１のＴ
ＨＦに溶解したものを溶液コーティングし乾燥膜厚１２
μｍの電荷輸送層を形成し、第１３図に示す２層構造の
感光体を作製した。この感光体の初期帯電電位が９００
ｖのとき、８５０ ｎｍにおける感度は］、 ９ ＣＴ
ｎ２／μＪと高く、残留電位も３０Ｖ以下と小さかった
。この第３の実施例のように、機能分離型感光体の電荷
発生層の絶縁性高分子材料中にＩｎＣＡＰｃを分散した
ものを使用したものも、感光体として優れている。また
、ＩｎＣＡＰｃも、合成後とボールミルで混合粉砕後の
Ｘ線回折結果が第１０図とほぼ同じであシ、ＩｎＣ１Ｐ
ｃＣ４と同様に結晶構造の変化は生じていなかった。
第４の実施例は、ＩｎＣｔＰｃ １０ ｇとポリエステ
ル樹脂２ｇとヒドラゾン（ＡＢＰＨ、皿内香料製）２Ｉ
とトルエン５０ｍ１とＭＥＫ ２０ ｍｌとをガラス製
ボールミルに入れ、９６時間粉砕混合した。この混合’
Ｊｆｙｔ ’ｆ： 溶液コーティング法を用いてアルミ
基村上にコーティングし、乾燥膜厚０３μｍの電荷発生
層を作製した。この上に１０ｇのヒドラゾン’ｉｌｏＯ
ｍ（、のＭＥＫに溶解したものを溶液コーティングし乾
燥膜厚１０μｍの電荷発生層を形成し第１３図と同じ構
造の２層構造感光体を作製した。この感光体は初期帯電
電位が７００■のとき８５０ ｎｍにおける感度は１．
５ｃｍ／ｌｔＪと高く、残留電位も４０Ｖ以下と小さか
った。この実施例における、ボールミルで混合粉砕後の
ＩｎＣ６ＰｃもＸ線回折の測定の結果第１〜第３の実施
例と同じく結晶構造の変化は生じていなかった。
ル樹脂２ｇとヒドラゾン（ＡＢＰＨ、皿内香料製）２Ｉ
とトルエン５０ｍ１とＭＥＫ ２０ ｍｌとをガラス製
ボールミルに入れ、９６時間粉砕混合した。この混合’
Ｊｆｙｔ ’ｆ： 溶液コーティング法を用いてアルミ
基村上にコーティングし、乾燥膜厚０３μｍの電荷発生
層を作製した。この上に１０ｇのヒドラゾン’ｉｌｏＯ
ｍ（、のＭＥＫに溶解したものを溶液コーティングし乾
燥膜厚１０μｍの電荷発生層を形成し第１３図と同じ構
造の２層構造感光体を作製した。この感光体は初期帯電
電位が７００■のとき８５０ ｎｍにおける感度は１．
５ｃｍ／ｌｔＪと高く、残留電位も４０Ｖ以下と小さか
った。この実施例における、ボールミルで混合粉砕後の
ＩｎＣ６ＰｃもＸ線回折の測定の結果第１〜第３の実施
例と同じく結晶構造の変化は生じていなかった。
（発明の効果）
本発明の電子写真用感光体は８００ ｎｍ以上の波長で
感光し、蒸着装置などの真空装置をまったく使用せずに
すべて溶液コーティング法で作製することが可能で、安
価に、安定した製品を量産可能である。さらに本発明の
感光体はレーザープリンタのみでなく、ファクシミリま
たはＬＥＤを光源としたプリンタ特に半導体レーデ−を
光源としたその他の記録デバイスおよび光センサにも応
用できる。
感光し、蒸着装置などの真空装置をまったく使用せずに
すべて溶液コーティング法で作製することが可能で、安
価に、安定した製品を量産可能である。さらに本発明の
感光体はレーザープリンタのみでなく、ファクシミリま
たはＬＥＤを光源としたプリンタ特に半導体レーデ−を
光源としたその他の記録デバイスおよび光センサにも応
用できる。
第１図は従来のＳｅ感光体の断面図、第２図は従来の電
子写真用感光体の分光感度曲線図、第３図は従来のＳｅ
、 ５ｅ−Ｔｅ合金２層型感光体の断面図、第４図は
従来の機能分離型電子写真用感光体の断面図、第５図は
従来のＸ型無金属フタロシアニンを用いた電子写真用感
光体の断面図、第６図は従来例であるＸ型無金属フタロ
シアニンを用いた電子写真用感光体の分光感度曲線図、
第７図は合成したＩｎＣ４ＰｃＣ４蒸着膜の光吸収スぜ
クトル、第８図は第１の実施例による電子写真用感光体
の断面図、第９図は第１の実施例による電子写真用感光
体の分光感度曲線、第１０図は合成したＩｎＣＡＰｃＣ
６粉末のＸ線回折スにクトル、第１１図は第１の実施例
においてコーティングしたＩｎ（’ｔｐｃｃｔ粉末のＸ
線回折ス被りトル、第１２図は合成したＩｎＣ／ＬＰｃ
蒸着膜の光透過ス被りトル、第１３図は第３の実施例に
よる電子写真用感光体の断面図である。 ２１・・・Ｓｅ感光体の分光感度曲線、２２・・・Ｓｅ
、５ｅ−Ｔｅ合金２層型感光体、８１，１３１・・アル
ミニウム基材、８２・・・ＩｎＣ４ｐｃＣ６とポリエス
テル樹脂の混合物層、１３２・・・ＩｎＣ２Ｐｃとポリ
エステル樹脂の混合物層、１３３・・・ＰＶＫ層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第５図 第６図 九浪＋＋ｎｍｌ 第７凶 入ｌｎｍ１ 第８図 １ 事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１６７５３６号２ 発明の名
称 電子写真用感光体 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号６ 補正の内容 別紙のとおシ１４、 、／６、補正
の内容 （１） 明細書第８頁第３行目にｒｉｏｇＪとあるのを
「４ｇ」と補正する。 （２）同書第８頁第４行目に「４ｇ」とあるのをｒｌＯ
＆Ｊと補正する。 （３）同書第１１貞第８行目に「ＩｎＣＡＰＣＪとある
のをｒ ＩｎＣ／−Ｐｃ Ｊと補正する。
子写真用感光体の分光感度曲線図、第３図は従来のＳｅ
、 ５ｅ−Ｔｅ合金２層型感光体の断面図、第４図は
従来の機能分離型電子写真用感光体の断面図、第５図は
従来のＸ型無金属フタロシアニンを用いた電子写真用感
光体の断面図、第６図は従来例であるＸ型無金属フタロ
シアニンを用いた電子写真用感光体の分光感度曲線図、
第７図は合成したＩｎＣ４ＰｃＣ４蒸着膜の光吸収スぜ
クトル、第８図は第１の実施例による電子写真用感光体
の断面図、第９図は第１の実施例による電子写真用感光
体の分光感度曲線、第１０図は合成したＩｎＣＡＰｃＣ
６粉末のＸ線回折スにクトル、第１１図は第１の実施例
においてコーティングしたＩｎ（’ｔｐｃｃｔ粉末のＸ
線回折ス被りトル、第１２図は合成したＩｎＣ／ＬＰｃ
蒸着膜の光透過ス被りトル、第１３図は第３の実施例に
よる電子写真用感光体の断面図である。 ２１・・・Ｓｅ感光体の分光感度曲線、２２・・・Ｓｅ
、５ｅ−Ｔｅ合金２層型感光体、８１，１３１・・アル
ミニウム基材、８２・・・ＩｎＣ４ｐｃＣ６とポリエス
テル樹脂の混合物層、１３２・・・ＩｎＣ２Ｐｃとポリ
エステル樹脂の混合物層、１３３・・・ＰＶＫ層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第５図 第６図 九浪＋＋ｎｍｌ 第７凶 入ｌｎｍ１ 第８図 １ 事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１６７５３６号２ 発明の名
称 電子写真用感光体 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号６ 補正の内容 別紙のとおシ１４、 、／６、補正
の内容 （１） 明細書第８頁第３行目にｒｉｏｇＪとあるのを
「４ｇ」と補正する。 （２）同書第８頁第４行目に「４ｇ」とあるのをｒｌＯ
＆Ｊと補正する。 （３）同書第１１貞第８行目に「ＩｎＣＡＰＣＪとある
のをｒ ＩｎＣ／−Ｐｃ Ｊと補正する。
Claims (2)
- （１）導電性支持体上に有機光導電性物質による電荷発
生層を形成した電子写真用感光体において、前記電荷発
生層として一般式、 にて表わされるクロロインジウムフタロシアニン、ある
いはこのクロロインジウムフタロシアニンのベンゼン環
のＨがＣｔと１個以上置換した構造の物質を用いたこと
を特徴とする電子写真用感光体。 - （２）導電体支持体上に有機光導電性物質による電荷発
生層及び電荷輸送層をこの順に形成した機能分離型電子
写真用感光体において、前記電荷発生層として一般式、 にて表わされるクロロインジウムフタロシアニン、ある
いはこのクロロインジウムフタロシアニンのベンゼン環
のＨがＣｔと１個以上置換した構造の物質を用いたこと
を特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58167536A JPS6059355A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58167536A JPS6059355A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059355A true JPS6059355A (ja) | 1985-04-05 |
Family
ID=15851513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58167536A Pending JPS6059355A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059355A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6356564A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-11 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 新規なクロロインジウムクロロフタロシアニン、その製造方法およびそれを含有する電子写真感光体 |
| US5292604A (en) * | 1991-06-21 | 1994-03-08 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Phthalocyanine crystal of mixed pigments and electrophotographic photoreceptor using the same |
| US5302710A (en) * | 1991-08-16 | 1994-04-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Phthalocyanine mixed crystal and electrophotographic photoreceptor containing the same |
| US5393629A (en) * | 1991-04-26 | 1995-02-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
| US5464717A (en) * | 1993-06-04 | 1995-11-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor with subbing layer and charge generating layer |
| EP2259143A1 (en) | 2009-06-05 | 2010-12-08 | Ricoh Company, Ltd | Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
-
1983
- 1983-09-13 JP JP58167536A patent/JPS6059355A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6356564A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-11 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 新規なクロロインジウムクロロフタロシアニン、その製造方法およびそれを含有する電子写真感光体 |
| US5393629A (en) * | 1991-04-26 | 1995-02-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
| US5292604A (en) * | 1991-06-21 | 1994-03-08 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Phthalocyanine crystal of mixed pigments and electrophotographic photoreceptor using the same |
| US5302710A (en) * | 1991-08-16 | 1994-04-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Phthalocyanine mixed crystal and electrophotographic photoreceptor containing the same |
| US5362589A (en) * | 1991-08-16 | 1994-11-08 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor containing phthalocyanine mixed crystals |
| US5464717A (en) * | 1993-06-04 | 1995-11-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor with subbing layer and charge generating layer |
| EP2259143A1 (en) | 2009-06-05 | 2010-12-08 | Ricoh Company, Ltd | Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
| US8206880B2 (en) | 2009-06-05 | 2012-06-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
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