JPS6153807A - 電流源回路 - Google Patents
電流源回路Info
- Publication number
- JPS6153807A JPS6153807A JP59175421A JP17542184A JPS6153807A JP S6153807 A JPS6153807 A JP S6153807A JP 59175421 A JP59175421 A JP 59175421A JP 17542184 A JP17542184 A JP 17542184A JP S6153807 A JPS6153807 A JP S6153807A
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- JP
- Japan
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- transistor
- emitter
- base
- current
- circuit
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は電流源回路に関する。
第２図は、増幅回路の入力バイアスを設定するエミッタ
ホロワトランジスタと上記増幅回路の出力を取シ出すエ
ミッタホロワトランジスタを備えた回路において、上記
２つのエミッタホロワトランジスタのエミッタ動作電流
を設定する電流源回路を示すものである。図において、
増幅回路１ノは例えばオペアンプから成り、その非反転
入、力端子には、信号源１２よりコンデンサＣ１ｌを介
して信号が与えられる。増幅回路１１の入力バイアスは
電源ｖｃｃよシエミッタホロワトランジスタＱ１１．抵
抗Ｒ１１Ｉ Ｒ１２を介して与えられる。増幅回路１１
の出力はエミッタホロワトランジスタＱ１２を介して出
力端子１３に取シ出される。
ホロワトランジスタと上記増幅回路の出力を取シ出すエ
ミッタホロワトランジスタを備えた回路において、上記
２つのエミッタホロワトランジスタのエミッタ動作電流
を設定する電流源回路を示すものである。図において、
増幅回路１ノは例えばオペアンプから成り、その非反転
入、力端子には、信号源１２よりコンデンサＣ１ｌを介
して信号が与えられる。増幅回路１１の入力バイアスは
電源ｖｃｃよシエミッタホロワトランジスタＱ１１．抵
抗Ｒ１１Ｉ Ｒ１２を介して与えられる。増幅回路１１
の出力はエミッタホロワトランジスタＱ１２を介して出
力端子１３に取シ出される。
トランジスタＱｌｔ ＋ Ｑ１２のエミッタ動作電流は
それぞれベース共通のトランジスタＱ１３゜Ｑ１４よシ
与えられる。これらトランジスタＱ１３゜Ｑ１４のベー
ス電位は、これらとベース共通の帰還用トランジスタＱ
１５で検出され、これがトランジスタＱ１６を介してト
ランジスタＱ１３ ＋ Ｑ１４のベースに帰還されるこ
とにより、これらトランジスタＱ１３ ｒ Ｑ１４のベ
ース電位が一定に保たれる。
それぞれベース共通のトランジスタＱ１３゜Ｑ１４よシ
与えられる。これらトランジスタＱ１３゜Ｑ１４のベー
ス電位は、これらとベース共通の帰還用トランジスタＱ
１５で検出され、これがトランジスタＱ１６を介してト
ランジスタＱ１３ ＋ Ｑ１４のベースに帰還されるこ
とにより、これらトランジスタＱ１３ ｒ Ｑ１４のベ
ース電位が一定に保たれる。
トランジスタＱ１６のエミッタ動作電流はダイオード接
続のトランジスタＱ１７によって設定される。
続のトランジスタＱ１７によって設定される。
今、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅを無限大とし、ベ
ース・エミッタ間電圧をＶ、とすると、トランジスタＱ
１５のコレクタ電流ＩＣｌ３は、と表わされる。そして
、トランジスタＱ１３のコレクタ電流ＩＣｌ３もこれと
一致する。また、トランジスタＱ１４のコレクタ電流Ｉ
Ｃ１４は、と表わされ、コレクタ電流ＩＣ１ｌ！にトラ
ンジスタＱ１４ ＊ Ｑｔｓのエミッタ抵抗Ｒ１１ｉ・
Ｔ’１７の比をかけたものとなる。
ース・エミッタ間電圧をＶ、とすると、トランジスタＱ
１５のコレクタ電流ＩＣｌ３は、と表わされる。そして
、トランジスタＱ１３のコレクタ電流ＩＣｌ３もこれと
一致する。また、トランジスタＱ１４のコレクタ電流Ｉ
Ｃ１４は、と表わされ、コレクタ電流ＩＣ１ｌ！にトラ
ンジスタＱ１４ ＊ Ｑｔｓのエミッタ抵抗Ｒ１１ｉ・
Ｔ’１７の比をかけたものとなる。
なお、図中、Ｒ１６＋ Ｒ１１１はそれぞれトランジス
タＱ１ｓ ＋ Ｑ１７のエミッタ抵抗である。
タＱ１ｓ ＋ Ｑ１７のエミッタ抵抗である。
上記構成においては、増幅回路１ノのゲインが高いとき
には、発振してしまうことがある。
には、発振してしまうことがある。
以下、これを説明すると、増幅回路１１の出力はトラン
ジスタＱ１４のコレクタ・ベース間容量ＣｃＢを介して
トランジスタＱ１４ ＋ Ｑ１３ ＋ Ｑｔｓ ＋Ｑ１
７のベースラインに伝わる。この漏れが比較的低周波の
ときは、ベースラインの変動を抑えるようにトランジス
タＱ】ｓ ＋ Ｑｔａの帰還作用が働き、漏れが伝わシ
にくい。すなわち、ベースラインのインピーダンスが非
常に小さくなるわけである。しかし、高周波のときは、
トランジスタＱ１ｓ ＋ Ｑｔｓの帰還が完全な負帰還
にならず、ベースライン自身のインピーダンスが大きく
なるとともに、トランジスタＱ１ｓのベース電位のアス
雷、圧を決めるトランジスタＱｌｌのエミッタに伝えら
れる。このトランジスタＱ１１のエミッタ電位の変動は
増幅回路１１に伝えられるが、ここで、信号の入力端子
である非反転入力端子は低インピーダンスであるので、
ここには上記変動分が伝わらず一定電位となる。したが
って、上記変動分は反転入力端子だけに伝わり、これが
増幅されることで、この−巡ループのダインがＯｄＢ以
上のとき発振してしまう。
ジスタＱ１４のコレクタ・ベース間容量ＣｃＢを介して
トランジスタＱ１４ ＋ Ｑ１３ ＋ Ｑｔｓ ＋Ｑ１
７のベースラインに伝わる。この漏れが比較的低周波の
ときは、ベースラインの変動を抑えるようにトランジス
タＱ】ｓ ＋ Ｑｔａの帰還作用が働き、漏れが伝わシ
にくい。すなわち、ベースラインのインピーダンスが非
常に小さくなるわけである。しかし、高周波のときは、
トランジスタＱ１ｓ ＋ Ｑｔｓの帰還が完全な負帰還
にならず、ベースライン自身のインピーダンスが大きく
なるとともに、トランジスタＱ１ｓのベース電位のアス
雷、圧を決めるトランジスタＱｌｌのエミッタに伝えら
れる。このトランジスタＱ１１のエミッタ電位の変動は
増幅回路１１に伝えられるが、ここで、信号の入力端子
である非反転入力端子は低インピーダンスであるので、
ここには上記変動分が伝わらず一定電位となる。したが
って、上記変動分は反転入力端子だけに伝わり、これが
増幅されることで、この−巡ループのダインがＯｄＢ以
上のとき発振してしまう。
この発明は上記の事情に対処すべくなされたもので、増
幅回路のゲインが大きくても発振する虞れのない電流源
回路を提供することを目的とする。
幅回路のゲインが大きくても発振する虞れのない電流源
回路を提供することを目的とする。
この発明は、例えば第１図に示す一実施例を用いて説明
するならば、出力側のエミッタホロワトランジスタＱ１
２の電流精度が低くてもよいことに着目し、入力側のエ
ミッタホロワトランジスタＱｌ＋のエミッタ動作電流を
設定するトランジスタＱ１３に関しては帰還回路を形成
するものの、出力側のエミッタホロワトランジスタＱ１
２のエミッタ動作電流を設定するトランジスタＱ２２に
関しては、これをカレントミラー構成で駆動するように
したものである。
するならば、出力側のエミッタホロワトランジスタＱ１
２の電流精度が低くてもよいことに着目し、入力側のエ
ミッタホロワトランジスタＱｌ＋のエミッタ動作電流を
設定するトランジスタＱ１３に関しては帰還回路を形成
するものの、出力側のエミッタホロワトランジスタＱ１
２のエミッタ動作電流を設定するトランジスタＱ２２に
関しては、これをカレントミラー構成で駆動するように
したものである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図である
。図において、先の第２図と同一部に同一符号を付す。
。図において、先の第２図と同一部に同一符号を付す。
まず、エミッタホロワトランジスタＱｌｌのエミッタ動
作電流を決定するトランジスタ（第１のトランジスタ）
Ｑ１３のコレクタはトランジスタＱｌｌのエミッタに接
続され、エミッタは抵抗’Ｒ＋ｓを介して接地されてい
る。トランジスタＱ１３のベース電位の変動は帰還用ト
ランジスタ（第３のトランジスタ）Ｑｔｓで検出され、
トランジスタ（第４のトランジスタ）Ｑ１６を介しでト
ランジスタＱ１３のベースに帰還される。これによシ、
トランジスタＱ１３のベース電位が一定に保たれ、トラ
ンジスタＱ１１のエミッタ電流の安定化が図られる。こ
こで、トランジスタＱ１５のベースはトランジスタ（ｈ
３のベースと共通とされ、エミッタは抵抗Ｒ１７を介し
て接地され、コレクタはトランジスタＱ１ｇのベースに
接続されるとともに、抵抗Ｒ１４＋ Ｒ１３の直列回路
を介して電源ｖｃｃに接続されている。
作電流を決定するトランジスタ（第１のトランジスタ）
Ｑ１３のコレクタはトランジスタＱｌｌのエミッタに接
続され、エミッタは抵抗’Ｒ＋ｓを介して接地されてい
る。トランジスタＱ１３のベース電位の変動は帰還用ト
ランジスタ（第３のトランジスタ）Ｑｔｓで検出され、
トランジスタ（第４のトランジスタ）Ｑ１６を介しでト
ランジスタＱ１３のベースに帰還される。これによシ、
トランジスタＱ１３のベース電位が一定に保たれ、トラ
ンジスタＱ１１のエミッタ電流の安定化が図られる。こ
こで、トランジスタＱ１５のベースはトランジスタ（ｈ
３のベースと共通とされ、エミッタは抵抗Ｒ１７を介し
て接地され、コレクタはトランジスタＱ１ｇのベースに
接続されるとともに、抵抗Ｒ１４＋ Ｒ１３の直列回路
を介して電源ｖｃｃに接続されている。
トランジスタＱ１６のコレクタは電源Ｖ。Ｃに接続され
、エミッタはトランジスタＱ１ｓ ＋ Ｑｔｓの共通ベ
ースに接続されている。この共通ベースにハ、トランジ
スタＱ１６のエミッタ電流を決定するダイオード接続の
トランジスタ（ｈｔのベース、コレクタの共通接続点が
抵抗Ｒ２１を介して接続され、このトランジスタＱ２１
のエミッタは接地されている。ここで、トランジスタＱ
１ｓのベースバイアスは電源ｖｃｃよシ抵抗Ｒ１３ｒ
Ｒ１４＋トランジスタＱ１６を介して与えられ、また、
トランジスタＱｌｌのベースバイアスは電源”ｃｃよシ
抵抗Ｒ１３を介して与えられる。
、エミッタはトランジスタＱ１ｓ ＋ Ｑｔｓの共通ベ
ースに接続されている。この共通ベースにハ、トランジ
スタＱ１６のエミッタ電流を決定するダイオード接続の
トランジスタ（ｈｔのベース、コレクタの共通接続点が
抵抗Ｒ２１を介して接続され、このトランジスタＱ２１
のエミッタは接地されている。ここで、トランジスタＱ
１ｓのベースバイアスは電源ｖｃｃよシ抵抗Ｒ１３ｒ
Ｒ１４＋トランジスタＱ１６を介して与えられ、また、
トランジスタＱｌｌのベースバイアスは電源”ｃｃよシ
抵抗Ｒ１３を介して与えられる。
エミッタホロワトランジスタＱ１２のエミッタ電流を決
定するトランジスタ（第２のトラン・ゾスタ）Ｑ２２の
コレクタはトランジスタＱ！２のエミッタに接続され、
エミッタは接地され、ベースはトランジスタＱ２１０ベ
ース、コレクタの共通接続点に接続され、このトランジ
スタＱ２１とカレントミラー回路を成す。
定するトランジスタ（第２のトラン・ゾスタ）Ｑ２２の
コレクタはトランジスタＱ！２のエミッタに接続され、
エミッタは接地され、ベースはトランジスタＱ２１０ベ
ース、コレクタの共通接続点に接続され、このトランジ
スタＱ２１とカレントミラー回路を成す。
第１図の構成においては、トランジスタＱ、５゜Ｑ１３
のコレクタ電流工。１５ ” Ｃ１３は先の第２図と同
様に式（１）で与えられる。また、トランジスタＱ２２
のコレクタ電流工、２２は、トランジスタＱ２１゜Ｑ２
２のエミツタ面積比をにＮとすると、で与えられる。こ
とで、”” ＝ Ｒ１６とすれば、トランジスタＱ２２
のコレクタ電流Ｉ。２□は先のトランジスタＱ１４のコ
レクタ電流工Ｃ１４と等しくなる。 ′ことで、
第１図の回路をさらに説明すると、入力側のエミッタホ
ロワトランジスタＱｌｌのエミッタ動作電流を決定する
トランジスタＱ１３に関しては、従来通り帰還形のベー
スバイアス回路が形成されるが、出力側のエミッタホロ
ワトランジスタＱ１２のエミッタ動作電流を決定するト
ランジスタＱ２２に関して帰還回路を形成せず、これを
トランジスタＱ２１にカレントミラー接続することによ
ってトランジスタＱ１２のエミッタ電流を得ている。
のコレクタ電流工。１５ ” Ｃ１３は先の第２図と同
様に式（１）で与えられる。また、トランジスタＱ２２
のコレクタ電流工、２２は、トランジスタＱ２１゜Ｑ２
２のエミツタ面積比をにＮとすると、で与えられる。こ
とで、”” ＝ Ｒ１６とすれば、トランジスタＱ２２
のコレクタ電流Ｉ。２□は先のトランジスタＱ１４のコ
レクタ電流工Ｃ１４と等しくなる。 ′ことで、
第１図の回路をさらに説明すると、入力側のエミッタホ
ロワトランジスタＱｌｌのエミッタ動作電流を決定する
トランジスタＱ１３に関しては、従来通り帰還形のベー
スバイアス回路が形成されるが、出力側のエミッタホロ
ワトランジスタＱ１２のエミッタ動作電流を決定するト
ランジスタＱ２２に関して帰還回路を形成せず、これを
トランジスタＱ２１にカレントミラー接続することによ
ってトランジスタＱ１２のエミッタ電流を得ている。
このような構成によれば、トランジスタＱ２２のベース
ラインはダイオード接続のトランジスタＱ２１のインピ
ーダンスを持つことになり、このトランジスタＱ鵞１の
コレクタ・サブストレート間容量により、ベースライン
のインピーダンスは高周波程小さくなる。したがって、
増幅回路１１の出力はトランジスタＱ２２のベースライ
ンに現れに＜＜、仮に現れたとしても、その変動がトラ
ンジスタＱ１５のベースに伝わるまでには、ｒｅ／ｒｅ
＋Ｒ２１（但し、ｒＱはトランジスタＱ３の等価エミ
ッタ抵抗）に分圧されるので非常に小さなものとなり、
トランジスタＱｌｌのエミッ夕電位に影響を与えること
はほとんどない。その結果、第１図の回路では、増幅回
路１１０ケ゛インが大きくても、発振することが力い。
ラインはダイオード接続のトランジスタＱ２１のインピ
ーダンスを持つことになり、このトランジスタＱ鵞１の
コレクタ・サブストレート間容量により、ベースライン
のインピーダンスは高周波程小さくなる。したがって、
増幅回路１１の出力はトランジスタＱ２２のベースライ
ンに現れに＜＜、仮に現れたとしても、その変動がトラ
ンジスタＱ１５のベースに伝わるまでには、ｒｅ／ｒｅ
＋Ｒ２１（但し、ｒＱはトランジスタＱ３の等価エミ
ッタ抵抗）に分圧されるので非常に小さなものとなり、
トランジスタＱｌｌのエミッ夕電位に影響を与えること
はほとんどない。その結果、第１図の回路では、増幅回
路１１０ケ゛インが大きくても、発振することが力い。
しかも第１図の回路は第２図の回路に比べ素子数が少な
く、構成上でも有利と力っている。
く、構成上でも有利と力っている。
なお、一般に、トランジスタのエミッタ面積の比Ｎは抵
抗比に比べ精度が悪いので、＠１図の構成では、トラン
ジスタＱ２２のコレクタ電流工Ｃ２□の精度が悪くなる
虞れがあるが、出力側］のエミッタホロワトランジスタ
Ｑ＋２のエミッタ電流はさほど精度を必要としないので
問題はない。
抗比に比べ精度が悪いので、＠１図の構成では、トラン
ジスタＱ２２のコレクタ電流工Ｃ２□の精度が悪くなる
虞れがあるが、出力側］のエミッタホロワトランジスタ
Ｑ＋２のエミッタ電流はさほど精度を必要としないので
問題はない。
以上の説明では、増幅回路１１が１つである場合を代表
として説明したが、これが複数ある場合は、その数に応
じてトランジスタＱ１３やＱ２２を複数設ければよく、
トランジスタＱ＋５゜Ｑｓａ ＋ Ｑ２１等に関しては
、複数設ける必要はなく、全ての回路に兼用できるもの
である。
として説明したが、これが複数ある場合は、その数に応
じてトランジスタＱ１３やＱ２２を複数設ければよく、
トランジスタＱ＋５゜Ｑｓａ ＋ Ｑ２１等に関しては
、複数設ける必要はなく、全ての回路に兼用できるもの
である。
また、ダイオード特性素子としてはダイオード接続のト
ランジスタＱ２１０代シにダイオードを用いてもよいこ
とは勿論である。
ランジスタＱ２１０代シにダイオードを用いてもよいこ
とは勿論である。
＝１０−
また、以上の説明では、増幅回路１１０入力バイアスを
設定するエミッタホロワトランジスタＱｌｌと増幅回路
１１の出力を取シ出すエミッタホロワトランジスタを備
えた回路における上記２つのエミッタホロワトランジス
タのエミッタ動作電流を設定する電流源回路にこの発明
を適用した場合を代表として説明したが、これ以外の電
流源回路にも適用できることは勿論である。
設定するエミッタホロワトランジスタＱｌｌと増幅回路
１１の出力を取シ出すエミッタホロワトランジスタを備
えた回路における上記２つのエミッタホロワトランジス
タのエミッタ動作電流を設定する電流源回路にこの発明
を適用した場合を代表として説明したが、これ以外の電
流源回路にも適用できることは勿論である。
このようにこの発明によれば、増幅回路のｒインが大き
くても発振する虞れのない電流源回路を提供することが
できる。
くても発振する虞れのない電流源回路を提供することが
できる。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図、第２
図は従来の電流源回路の構成を示す回路図である。 １１・・・増幅回路、１２・・・信号源、１３・・・出
力端子、Ｑ１１〜Ｑ１３ ＋ Ｑｔｓ ＋ Ｑ１６ ＋
Ｑ２１ ＋ Ｑ２２・・・トランジスタ、Ｒｆｌ ”
” １Ｒｔｓ ＋ Ｒ１７ｐ ＲＨ・・・抵抗、Ｃ１ｌ
・・・コンデンサ、ｖｃｏ・・・電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
図は従来の電流源回路の構成を示す回路図である。 １１・・・増幅回路、１２・・・信号源、１３・・・出
力端子、Ｑ１１〜Ｑ１３ ＋ Ｑｔｓ ＋ Ｑ１６ ＋
Ｑ２１ ＋ Ｑ２２・・・トランジスタ、Ｒｆｌ ”
” １Ｒｔｓ ＋ Ｒ１７ｐ ＲＨ・・・抵抗、Ｃ１ｌ
・・・コンデンサ、ｖｃｏ・・・電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の電流源を成す第１のトランジスタと、第２の電流
源を成す第２のトランジスタと、ベースが上記第１のト
ランジスタのベースに接続され、このトランジスタのベ
ース電位の変動を検出する第３のトランジスタと、 ベースがこの第３のトランジスタのコレクタに接続され
、エミッタが上記第１、第３のトランジスタのベースの
共通接続点に接続され、上記第３のトランジスタのコレ
クタ出力を上記共通ベースに帰還する第４のトランジス
タと、ダイオードのアノードに相当する部分が抵抗を介
して上記第１、第３のトランジスタの共通ベースに接続
されるとともに、上記第２のトランジスタとカレントミ
ラー接続されるダイオード特性素子とを具備した電流源
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175421A JPS6153807A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電流源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175421A JPS6153807A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電流源回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153807A true JPS6153807A (ja) | 1986-03-17 |
| JPH0331281B2 JPH0331281B2 (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=15995800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59175421A Granted JPS6153807A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電流源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8487323B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-07-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED housing system |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP59175421A patent/JPS6153807A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8487323B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-07-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED housing system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0331281B2 (ja) | 1991-05-02 |
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