JPH0332103A - 移相型rc発振装置 - Google Patents

移相型rc発振装置

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Publication number
JPH0332103A
JPH0332103A JP1165891A JP16589189A JPH0332103A JP H0332103 A JPH0332103 A JP H0332103A JP 1165891 A JP1165891 A JP 1165891A JP 16589189 A JP16589189 A JP 16589189A JP H0332103 A JPH0332103 A JP H0332103A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phase
circuit
amplifier circuit
oscillator
shifted
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Pending
Application number
JP1165891A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Omori
哲郎 大森
Tatsuo Itomitsu
辰夫 糸満
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、移相型RC発振装置において所望の発振周波
数に対する発振装置の内部素子における定数の設定に関
するものである。
従来の技術 従来の移相型RC発振装置は例として第2図のように、
RC積分回路の遅相型位相シフターを3個縦続接続した
ものが知られている。
第2図の回路は、回路ブロックIと抑路ブロック■とで
構成されており、回路ブロック■は位相反転増幅回路で
あり、回路ブロック■は18o。
位相シフターを備えた遅相型位相シフト回路である。
第2図中で、1,2.3は抵抗であり、その抵抗値はR
1、R2,R3,4,5,6はコンデンサであり、その
容値量はC+ * C2+ C3,7は位相反転増幅回
路、8は出力端子を示す。
第3図は第2図の移相型RC発振装置のブロック構成図
である。第3図で19は位相反転増幅回路で、第2図の
回路ブロックIと同じものであり、20は18o°遅相
型位相シフターで、第2図の回路ブロック■と同じ4も
のである。18は入力端子で、その電位はvIである。
また、21は出力端子である。そして互いの結合点Aで
の電位を■とする。第3図の移相型RC発振装置が発振
するための条件は、 条件(1)  第3図の位相反転増幅回路19と位相シ
フター20、つまり第2図の回路ブロックIと回路ブロ
ック■とのトータルゲインが1以上であること。
条件(2)V+ とVが同相であること。
である。
第4図は、第2図の回路ブロックIより求めた伝達関数
のベクトル軌跡図である。第2図の回路ブロックIは位
相反転増幅回路であり、条件(2)を満足するには第2
図の回路ブロック■が180゜遅相型位相シフターとな
ることである。第4図のCでの周波数が発振周波数とな
り、大きなりが第2図の回路ブロック■のゲインとなる
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような構成では、第2図の移相型
RC発振装置が発振するために、発振装置のトータルゲ
インを1以上にするには、第2図の回路ブロックIのゲ
インを大きくしなくてはならない。所望の発振周波数が
高い場合、必要なゲインを得ることが難しいという課題
がある。
課題を解決するための手段 本発明は、移相型RC発振装置において最大位相シフト
量90°をもつRC積分回路の遅相型位相シフターの接
続にあたり、増幅回路を介して接続したものである。
作用 本発明によると、移相型RC発振装置の構成中に複数の
増幅回路を持っているので、トータルゲインを1以上に
するにも、1つの増幅回路で増幅する場合に比べ、前記
複数の増幅回路のそれぞれのゲインを低くすることがで
き、高い周波数での発振が容易にできる。
実施例 第1図は、本発明における移相型RC発振装置の一実施
例回路図である。9,10は増幅回路であり、11,1
2.13.14は抵抗である。1から8までの各回路要
素は従来例の第2図の各要素と同じであり、説明は省略
する。
次に、このように構成された本実施例の移相型RC発振
装置についてその動作を説明する。抵抗1とコンデンサ
4とで構成されたRC積分回路は増幅回路9、抵抗11
.12で構成された正位相増幅回路と接続して初段の遅
相型位相シフターを構成して、最大位相シフト量90”
を持っている。
また、抵抗2およびコンデンサ5で構成されたRC積分
回路は増幅回路10、抵抗13.14で構成された正位
相増幅回路と接続して次段の遅相型位相シフターを構成
して、これも最大位相シフトff190”を持っている
。また、抵抗3およびコンデンサ6でなるRC積分回路
は位相反転増幅回路7と接続して遅相型移相シフターを
構成して最大位相シフト量270”を持つものである。
第1図の移相型RC発振装置の発振条件は、すでに記述
している従来例の場合の条件(1) 、 C2)と同じ
である。すなわち、条件(2)で示されるV]とVとの
位相を合わせること〈同相化〉は前記2段の遅相型位相
シフターと、遅相型位相シフターとにより、位相遅れを
360°にできるので、十分に満足できる。また、条件
(1)で示されるゲイン1以上の実現は、2つの正位相
増幅回路の縦続および位相反転増幅回路7により、その
トータルゲインを1以上にすることは実吊であり、十分
満足できる。これらの増幅回路は3段に縦続接続してい
るため、ゲインを分担でき、各増幅回路のゲインを第2
図の従来の例に比べて低くすることができる。
以上のように本実施例によれば、各RC積分回路に増幅
回路を設けたことにより、増幅回路の一回路当りのゲイ
ンを低くすることができる。
なお、本実施例では増幅回路にオペアンプを用いて達成
したが他の増幅回路を用いても良い。
発明の詳細 な説明したように、本発明によれば各RC積分回路に増
幅回路を設けることにより、増幅回路の一回路当りのゲ
インを低くすることができ、増幅回路のゲインを大きく
することの難しい高い周波数での発振が容易にできると
いう優れた移相型RC発振装置を実現できるものである
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における移相型RC発振装置
の回路図、第2図は従来の移相型RC発振装置の回路図
、第3図は第2図の移相型RC発振装置のブロック構成
図、第4図は伝達関数より求めたペルトル軌跡図である
。 1.2.3・・・・・・抵抗、4,5.6・・・・・・
コンデンサ、7・・・・・・位相反転増幅回路、8・・
・・・・出力端子、9.10・・・・・・増幅回路、1
1,12.13.14・・・・・・抵抗、15.16.
17・・・・・・バッファ、18・・・・・・入力端子
、19・・・・・・位相反転増幅回路、20・・・・・
・180°遅相型位相シフター、21・・・・・・出力
端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1のRC積分回路の出力側に高入力インピーダンスの
    正位相増幅回路を結合して構成される遅相型位相シフタ
    ーを2段縦続接続し、これに第2のRC積分回路に位相
    反転増幅回路を結合して構成される位相反転型の遅相型
    位相シフターをさらに縦続接続し、前記位相反転型の遅
    相型位相シフターの出力を前記2段縦続の遅相型位相シ
    フターの初段入力に帰還させる構成の移相型RC発振装
    置。
JP1165891A 1989-06-28 1989-06-28 移相型rc発振装置 Pending JPH0332103A (ja)

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