JPH033213B2 - - Google Patents
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- JPH033213B2 JPH033213B2 JP56042293A JP4229381A JPH033213B2 JP H033213 B2 JPH033213 B2 JP H033213B2 JP 56042293 A JP56042293 A JP 56042293A JP 4229381 A JP4229381 A JP 4229381A JP H033213 B2 JPH033213 B2 JP H033213B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist film
- resist material
- pattern
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、Ｖ−LSI等の半導体デバイス、磁
気バブルデバイス、表面弾性波素子等の製造時の
リソグラフイにおけるドライ現像が可能なレジス
ト材料およびそのレジスト材料をドライ現像する
パターン形成方法に関するものである。
気バブルデバイス、表面弾性波素子等の製造時の
リソグラフイにおけるドライ現像が可能なレジス
ト材料およびそのレジスト材料をドライ現像する
パターン形成方法に関するものである。
微細パターン形成方法の従来例を第１図により
説明する。第１図ａにおいて、１は半導体基板、
２はその表面のシリコン熱酸化膜であり、まずこ
のような半導体基板１上にレジスト膜３を形成す
る。このレジスト膜３は、半導体基板１上にレジ
ストをスピン塗布法で0.3〜2μm程度塗布した後、
レジスト所定の温度（100℃程度）でプリベーク
して溶剤を除去することにより形成される。
説明する。第１図ａにおいて、１は半導体基板、
２はその表面のシリコン熱酸化膜であり、まずこ
のような半導体基板１上にレジスト膜３を形成す
る。このレジスト膜３は、半導体基板１上にレジ
ストをスピン塗布法で0.3〜2μm程度塗布した後、
レジスト所定の温度（100℃程度）でプリベーク
して溶剤を除去することにより形成される。
次に、所望のパターン形状に焼付けるために、
レジスト膜３に光または電離性放射線４を照射す
る（第１図ｂ参照）。
レジスト膜３に光または電離性放射線４を照射す
る（第１図ｂ参照）。
その後、半導体基板１を現像液５で洗浄して、
この半導体基板１上のレジスト膜３の可溶部分を
除去することにより、レジスト膜３をレジスト膜
パターン３′とする（第１図ｃ，ｄ参照）。
この半導体基板１上のレジスト膜３の可溶部分を
除去することにより、レジスト膜３をレジスト膜
パターン３′とする（第１図ｃ，ｄ参照）。
そして、しかる後は、上記洗浄により柔らかく
なつたレジスト膜パターン３′を乾燥硬化させて
半導体基板１との密着性をよくし、シリコン熱酸
化膜２のエツチングに耐えられるようにするた
め、約百数十度の乾燥雰囲気でベーキングを行う
ものである。
なつたレジスト膜パターン３′を乾燥硬化させて
半導体基板１との密着性をよくし、シリコン熱酸
化膜２のエツチングに耐えられるようにするた
め、約百数十度の乾燥雰囲気でベーキングを行う
ものである。
なお、ベーキング後は、レジスト膜パターン
３′を保護マスクとして化学エツチ液またはガス
プラズマにてシリコン熱酸化膜２の不要部分がエ
ツチング除去される。さらに、このエツチング後
に、残存するシリコン熱酸化膜２上のレジスト膜
パターン３′が溶剤または酸素プラズマアツシヤ
などの方法で除去される（第１図ｅ参照）。
３′を保護マスクとして化学エツチ液またはガス
プラズマにてシリコン熱酸化膜２の不要部分がエ
ツチング除去される。さらに、このエツチング後
に、残存するシリコン熱酸化膜２上のレジスト膜
パターン３′が溶剤または酸素プラズマアツシヤ
などの方法で除去される（第１図ｅ参照）。
このような方法において、レジストとしては、
「ネガ形」と「ポジ形」の両方を使用できる。ネ
ガ形は照射部が架橋結合を生じるものをいい、こ
れに対してポジ形は照射部が分子崩壊するものを
いう。
「ネガ形」と「ポジ形」の両方を使用できる。ネ
ガ形は照射部が架橋結合を生じるものをいい、こ
れに対してポジ形は照射部が分子崩壊するものを
いう。
ネガ形のうち、主い光に感度を有するレジスト
は市販品がいくつか知られており、これらは、分
子量200000程度のポリビニール桂皮酸エステル
（poly vinyl cinnamate）に小量の増感剤を添加
したものである。また、市販品のいくつかが主い
光に感度を有するネガ形の他のレジストとして知
られており、これらは、ポリイソプレンを主成分
とする環化ゴムと、光架橋剤であるビスアジドか
らなる。
は市販品がいくつか知られており、これらは、分
子量200000程度のポリビニール桂皮酸エステル
（poly vinyl cinnamate）に小量の増感剤を添加
したものである。また、市販品のいくつかが主い
光に感度を有するネガ形の他のレジストとして知
られており、これらは、ポリイソプレンを主成分
とする環化ゴムと、光架橋剤であるビスアジドか
らなる。
一方、主に光に感度を有するポジ形のレジスト
として典形的なものは、石炭酸ホルマリン樹脂に
キノン・ジアザイド（quinon diazidide）類の分
子をスルホン基を介して結合したものである。
として典形的なものは、石炭酸ホルマリン樹脂に
キノン・ジアザイド（quinon diazidide）類の分
子をスルホン基を介して結合したものである。
また、電離性放射線に感度を有するレジストと
しては、ポリメチルメタクリレート（PMMA）
が最も著名なポジ形レジストであり、これに対し
てネガ形としてはポリグリシジルメタクリレート
がある。
しては、ポリメチルメタクリレート（PMMA）
が最も著名なポジ形レジストであり、これに対し
てネガ形としてはポリグリシジルメタクリレート
がある。
上記従来の方法は、レジスト膜３に対する焼付
け方法（露出方法）が光あるいは電離性放射線い
ずれの方法においても、ネガ形レジスト膜におい
ては、照射部が架橋反応により照射部分の分子量
を増大させて現像液５に不溶化させる方法か、ポ
ジ形レジスト膜においては、照射部分の分子量を
低下させて現像液５に溶かす方法、または感光剤
の光分解によつて感光部分を可溶化する方法であ
る。
け方法（露出方法）が光あるいは電離性放射線い
ずれの方法においても、ネガ形レジスト膜におい
ては、照射部が架橋反応により照射部分の分子量
を増大させて現像液５に不溶化させる方法か、ポ
ジ形レジスト膜においては、照射部分の分子量を
低下させて現像液５に溶かす方法、または感光剤
の光分解によつて感光部分を可溶化する方法であ
る。
したがつて、従来の方法では、現像は現像液５
によるウエツト方式によらざるを得ず、レジスト
膜３の現像液５への溶解性がパターンニング特性
に依存するため、レジストの製造ロツトあるいは
現像液５の製造ロツトによりパターンニング特性
のバラツキが大きい欠点がある。また、ネガ形レ
ジストにおいては、現像液５のレジスト膜３への
浸透によりレジスト膜パターン３′の膨潤が生じ
やすく、微細パターン形成が困難である場合が多
い。
によるウエツト方式によらざるを得ず、レジスト
膜３の現像液５への溶解性がパターンニング特性
に依存するため、レジストの製造ロツトあるいは
現像液５の製造ロツトによりパターンニング特性
のバラツキが大きい欠点がある。また、ネガ形レ
ジストにおいては、現像液５のレジスト膜３への
浸透によりレジスト膜パターン３′の膨潤が生じ
やすく、微細パターン形成が困難である場合が多
い。
一方、ポジ形レジストの場合は、半導体基板１
との密着性が一般に乏しく、現像液５のレジスト
膜３への浸透により微小パターンの剥離流出が生
じる場合も時に認められる。また、現像液５によ
り柔らかくなつたレジスト膜パターン３′を乾燥
硬化させるポストベーキング工程を要し、さら
に、現像液５に関する公害対策の必要性があると
同時に、現像液５の多量消費を要するという多く
の欠点があつた。
との密着性が一般に乏しく、現像液５のレジスト
膜３への浸透により微小パターンの剥離流出が生
じる場合も時に認められる。また、現像液５によ
り柔らかくなつたレジスト膜パターン３′を乾燥
硬化させるポストベーキング工程を要し、さら
に、現像液５に関する公害対策の必要性があると
同時に、現像液５の多量消費を要するという多く
の欠点があつた。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、ド
ライ現像が可能なレジスト材料、およびそのレジ
スト材料をドライ現像するパターン形成方法を提
供し、従来の欠点を解決することを目的とする。
ライ現像が可能なレジスト材料、およびそのレジ
スト材料をドライ現像するパターン形成方法を提
供し、従来の欠点を解決することを目的とする。
以下この発明の実施例を説明するが、その前に
この発明につき概述する。
この発明につき概述する。
この発明では、２×104〜200×104の分子量を
有するポリメチルメタクリレート（PMMA）と
ヘキサメチルジシラザン（HMDS）との10対１
近傍の容積比の混合体よりなるレジスト材料とす
る。
有するポリメチルメタクリレート（PMMA）と
ヘキサメチルジシラザン（HMDS）との10対１
近傍の容積比の混合体よりなるレジスト材料とす
る。
そして、このレジスト材料を、電子線、光線ま
たはＸ線で所定のパターンに焼付ける（露光す
る）。このようにして露光すると、上記レジスト
材料は、露光部の構成分子の側鎖が切断されるネ
ガ形の挙動をとる。
たはＸ線で所定のパターンに焼付ける（露光す
る）。このようにして露光すると、上記レジスト
材料は、露光部の構成分子の側鎖が切断されるネ
ガ形の挙動をとる。
したがつて、上記露光後、ブラズマ照射を行う
と、レジスト材料の未露光部がエツチング除去さ
れるようになり、ドライ現像法で微細なレジスト
パターンを形成することができる。
と、レジスト材料の未露光部がエツチング除去さ
れるようになり、ドライ現像法で微細なレジスト
パターンを形成することができる。
ここで、ドライ現像法としては、上記のように
プラズマ現像法（高周波誘導により発生するプラ
ズマを利用する）を用い、通常、減圧した酸素雰
囲気中でのプラズマにより現像するものである
が、フレオンガスあるいは四塩化炭素ガスなどの
ガスプラズマで行うことも可能である。また、酸
素、フレオンガス、四塩化炭素ガスのうち適当な
複数種の混合ガスプラズマで行うこともできる。
プラズマ現像法（高周波誘導により発生するプラ
ズマを利用する）を用い、通常、減圧した酸素雰
囲気中でのプラズマにより現像するものである
が、フレオンガスあるいは四塩化炭素ガスなどの
ガスプラズマで行うことも可能である。また、酸
素、フレオンガス、四塩化炭素ガスのうち適当な
複数種の混合ガスプラズマで行うこともできる。
第２図はこの発明の第１の実施例を説明するた
めの図である。この図により、第１の実施例につ
いて述べる。第２図ａにおいて、１１は半導体基
板、１２はその表面のシリコン熱酸化膜であり、
まず、このような半導体基板１１上にレジスト膜
１３を形成する。このレジスト膜１３は、半導体
基板１１上にレジスト溶液をスピン塗布法で0.5
〜2μmの厚さに塗布した後、80℃で30分間ベーク
することにより形成される。ここで、上記レジス
ト溶液は、ポリメチルメタクリレート（平均重量
分子量600000、数平均分子量290000、分散2.07）
溶液にヘキサメチルジシラザン溶液を10対１の容
積比に混合してなる。
めの図である。この図により、第１の実施例につ
いて述べる。第２図ａにおいて、１１は半導体基
板、１２はその表面のシリコン熱酸化膜であり、
まず、このような半導体基板１１上にレジスト膜
１３を形成する。このレジスト膜１３は、半導体
基板１１上にレジスト溶液をスピン塗布法で0.5
〜2μmの厚さに塗布した後、80℃で30分間ベーク
することにより形成される。ここで、上記レジス
ト溶液は、ポリメチルメタクリレート（平均重量
分子量600000、数平均分子量290000、分散2.07）
溶液にヘキサメチルジシラザン溶液を10対１の容
積比に混合してなる。
次に、電子線１４をレジスト膜１３に所定パタ
ーンに照射する（第２図ｂ参照）。この場合、電
子線照射量は、レジスト膜１３の感度曲線から決
定するものであり、感度曲線は、加速電圧20KV
による電子線照射量に対するプラズマ現像後の残
存膜厚特性（第３図に示す）から得ている。
ーンに照射する（第２図ｂ参照）。この場合、電
子線照射量は、レジスト膜１３の感度曲線から決
定するものであり、感度曲線は、加速電圧20KV
による電子線照射量に対するプラズマ現像後の残
存膜厚特性（第３図に示す）から得ている。
しかる後、半導体基板１１をO2プラズマ中に
放置することにより、半導体基板１１上のレジス
ト膜１３の上記電子線１４が照射されていない部
分をエツチング除去する。
放置することにより、半導体基板１１上のレジス
ト膜１３の上記電子線１４が照射されていない部
分をエツチング除去する。
この現像工程が第２図ｃに図示されている。第
２図ｃにおいて、１５は高周波電源、１６は多数
の小孔をもつ金属製円筒からなるシールドチユー
ブ（通常エツチトンネルと称され、以下そのよう
に記す）、１７はO2ガス導入口、１８はロータリ
ーポンプによる排気口である。このような装置に
おけるエツチトンネル１６内に半導体基板１１を
設置することにより、半導体基板１１上のレジス
ト膜１３の上記電子線１４が照射されていない部
分がエツチング除去される。この場合、上記エツ
チトンネル１６によれば、現像に必要なラジカル
は小孔を通して半導体基板１１の位置まで拡散し
てくるが、プラズマ自体は半導体基板１１に直接
触れない。したがつて、現像の均一性が大きく向
上する。また、このような現像法の条件の典形例
としてはRF出力100W、圧力8Torrであり、この
条件においては、およそ30分程度のエツチング時
間で約1.8μmのレジスト膜が現像される。このよ
うにしてレジスト膜１３の不要部分を除去するこ
とにより、レジスト膜１３がレジスト膜パターン
１３′となる（第２図ｄ参照）。
２図ｃにおいて、１５は高周波電源、１６は多数
の小孔をもつ金属製円筒からなるシールドチユー
ブ（通常エツチトンネルと称され、以下そのよう
に記す）、１７はO2ガス導入口、１８はロータリ
ーポンプによる排気口である。このような装置に
おけるエツチトンネル１６内に半導体基板１１を
設置することにより、半導体基板１１上のレジス
ト膜１３の上記電子線１４が照射されていない部
分がエツチング除去される。この場合、上記エツ
チトンネル１６によれば、現像に必要なラジカル
は小孔を通して半導体基板１１の位置まで拡散し
てくるが、プラズマ自体は半導体基板１１に直接
触れない。したがつて、現像の均一性が大きく向
上する。また、このような現像法の条件の典形例
としてはRF出力100W、圧力8Torrであり、この
条件においては、およそ30分程度のエツチング時
間で約1.8μmのレジスト膜が現像される。このよ
うにしてレジスト膜１３の不要部分を除去するこ
とにより、レジスト膜１３がレジスト膜パターン
１３′となる（第２図ｄ参照）。
そして、その後は、レジスト膜パターン１３′
を保護膜としてイオンエツチまたはプラズマエツ
チングにてシリコン熱酸化膜１２の不要部分を除
去し、さらにその後に、残存するレジスト膜パタ
ーン１３′を酸素プラズマまたは熱硫酸にて除去
することにより、シリコン熱酸化膜１２のパター
ンニング形成がなされる（第２図ｅ参照）。
を保護膜としてイオンエツチまたはプラズマエツ
チングにてシリコン熱酸化膜１２の不要部分を除
去し、さらにその後に、残存するレジスト膜パタ
ーン１３′を酸素プラズマまたは熱硫酸にて除去
することにより、シリコン熱酸化膜１２のパター
ンニング形成がなされる（第２図ｅ参照）。
以上のように、第１の実施例では、ポリメチル
メタクリレートとヘキサメチルジシラザンとの上
記容積比の混合物からなるレジスト膜１３の表面
に電子線１４を照射して、レジスト膜１３に所定
のパターン形状を焼付けた後、このレジスト膜１
３を有する半導体基板１１をO2プラズマ中に放
置することにより、レジスト膜１３の電子線照射
の有無によるO2プラズマエツチング速度の違い
を利用して、レジスト膜１３をドライパターンニ
ング（ドライ現像）することができる。したがつ
て、従来の湿式現像液を必要とするレジストのパ
ターンニング特性のバラツキおよび現像液による
膨潤や、微小パターンの剥離流出さらには公害対
策の必要性など、現像液を用いた従来方式の欠点
を解決し得る。
メタクリレートとヘキサメチルジシラザンとの上
記容積比の混合物からなるレジスト膜１３の表面
に電子線１４を照射して、レジスト膜１３に所定
のパターン形状を焼付けた後、このレジスト膜１
３を有する半導体基板１１をO2プラズマ中に放
置することにより、レジスト膜１３の電子線照射
の有無によるO2プラズマエツチング速度の違い
を利用して、レジスト膜１３をドライパターンニ
ング（ドライ現像）することができる。したがつ
て、従来の湿式現像液を必要とするレジストのパ
ターンニング特性のバラツキおよび現像液による
膨潤や、微小パターンの剥離流出さらには公害対
策の必要性など、現像液を用いた従来方式の欠点
を解決し得る。
第１の実施例では、パターンニング形成のため
の露光に電子線を用いた。これに対して、第２の
実施例では、電子線に代えて遠紫外線を用いた。
この場合の遠紫外線は、λ＝253.7nmに強い輝線
を有するXe−Hgランプを光源として発生させ
た。そして、第２の実施例では、上記遠紫外線に
よる露光後、第１の実施例と同様にしてドライ現
像を行つた。その結果は、第１の実施例の場合と
ほぼ同様であつた。
の露光に電子線を用いた。これに対して、第２の
実施例では、電子線に代えて遠紫外線を用いた。
この場合の遠紫外線は、λ＝253.7nmに強い輝線
を有するXe−Hgランプを光源として発生させ
た。そして、第２の実施例では、上記遠紫外線に
よる露光後、第１の実施例と同様にしてドライ現
像を行つた。その結果は、第１の実施例の場合と
ほぼ同様であつた。
第３の実施例では、軟Ｘ線を用いて露光を行つ
た。この露光によつても、以後、上述実施例と同
様のドライ現像を行うことにより、上述実施例と
同様の結果を得ることができた。
た。この露光によつても、以後、上述実施例と同
様のドライ現像を行うことにより、上述実施例と
同様の結果を得ることができた。
上記ポリメチルメタクリレートとヘキサメチル
ジシラザンとの容積比は、10対１近傍であれば上
記の好ましい結果を与えるが、仮りにHMDS比
が小さくなると、上述したO2プラズマ中での
PMMAのエツチングレートが大きくなり過ぎ、
好ましくない。又逆の場合は該エツチングレート
が限りなく０に近づくことになりその必要がな
い。
ジシラザンとの容積比は、10対１近傍であれば上
記の好ましい結果を与えるが、仮りにHMDS比
が小さくなると、上述したO2プラズマ中での
PMMAのエツチングレートが大きくなり過ぎ、
好ましくない。又逆の場合は該エツチングレート
が限りなく０に近づくことになりその必要がな
い。
この発明において、上述したヘキサメチルジシ
ラザンの驚くべき効果を確認するために以下の比
較試験を行つた。
ラザンの驚くべき効果を確認するために以下の比
較試験を行つた。
レジスト基材として、フエノール系樹脂である
商品名MP−1400−27及び同AZ−4110を用い、
シリコン化合物としてトリメチルシリルジアゾメ
タンMe3SiCHN2を用いた（含有率は夫々22.4
％）。これらレジスト材料を基板に塗布し、夫々
60℃及び80℃で30分プリベークを行い、O2RIEエ
ツチングを10分間行つた（O2RIE装置：AMT社
PLASMA−１）。その結果はエツチング量が多
く、本発明の目的には全く適合し得なかつた。
商品名MP−1400−27及び同AZ−4110を用い、
シリコン化合物としてトリメチルシリルジアゾメ
タンMe3SiCHN2を用いた（含有率は夫々22.4
％）。これらレジスト材料を基板に塗布し、夫々
60℃及び80℃で30分プリベークを行い、O2RIEエ
ツチングを10分間行つた（O2RIE装置：AMT社
PLASMA−１）。その結果はエツチング量が多
く、本発明の目的には全く適合し得なかつた。
以上詳述したように、この発明のレジスト材料
は、ポリメチルメタクリレートとヘキサメチルジ
シラザンとの10対１近傍の容積比の混合体からな
る。また、この発明のパターン形成方法は、上記
レジスト材料を基板に塗布した後、電子線、Ｘ線
または光線により所定のパターンにレジスト材料
を焼付け、以後、プラズマ中に放置することによ
り上記レジスト材料の焼きつけられていない部分
をエツチング除去するものである。本発明におい
て、上記レジスト材料中の特定量のヘキサメチル
ジシラザンの存在が、上記実施例の如く驚くほど
の優れたドライパターニング特性を示すのであ
り、その結果上述の問題点を解消し、即ちパター
ン特性の向上のみならず公害の除去および製造コ
ストの低減を図ることができる。
は、ポリメチルメタクリレートとヘキサメチルジ
シラザンとの10対１近傍の容積比の混合体からな
る。また、この発明のパターン形成方法は、上記
レジスト材料を基板に塗布した後、電子線、Ｘ線
または光線により所定のパターンにレジスト材料
を焼付け、以後、プラズマ中に放置することによ
り上記レジスト材料の焼きつけられていない部分
をエツチング除去するものである。本発明におい
て、上記レジスト材料中の特定量のヘキサメチル
ジシラザンの存在が、上記実施例の如く驚くほど
の優れたドライパターニング特性を示すのであ
り、その結果上述の問題点を解消し、即ちパター
ン特性の向上のみならず公害の除去および製造コ
ストの低減を図ることができる。
第１図は従来の微細パターン形成方法を説明す
るための図、第２図はこの発明のレジスト材料お
よびそのパターン形成方法の第１の実施例を説明
するための図、第３図は電子線照射量に対するレ
ジストの残存膜厚特性の実験結果を示す図であ
る。 １１……半導体基板、１３……レジスト膜、１
４……電子線、１３′……レジスト膜パターン。
るための図、第２図はこの発明のレジスト材料お
よびそのパターン形成方法の第１の実施例を説明
するための図、第３図は電子線照射量に対するレ
ジストの残存膜厚特性の実験結果を示す図であ
る。 １１……半導体基板、１３……レジスト膜、１
４……電子線、１３′……レジスト膜パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポリメチルメタクリレート（PMMA）とヘ
キサメチルジシラザンとの容積比10対１近傍の混
合物からなるレジスト材料。 ２ ポリメチルメタクリレート（PMMA）とヘ
キサメチルジシラザンとの容積比10対１近傍の混
合物からなるレジスト材料を基板に塗布する工程
と、電子線またはｘ線または光線を所定のパター
ンによつて照射して上記レジスト材料を焼付ける
工程と、プラズマ中に放置することにより上記レ
ジスト材料の焼きつけられていない所定のパター
ンの部分をエツチング除去する工程とからなるレ
ジスト材料のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56042293A JPS57157241A (en) | 1981-03-25 | 1981-03-25 | Formation of resist material and its pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56042293A JPS57157241A (en) | 1981-03-25 | 1981-03-25 | Formation of resist material and its pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57157241A JPS57157241A (en) | 1982-09-28 |
| JPH033213B2 true JPH033213B2 (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=12631988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56042293A Granted JPS57157241A (en) | 1981-03-25 | 1981-03-25 | Formation of resist material and its pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57157241A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211143A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of micropattern |
| JPS5891632A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS60211939A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタン形成法 |
| JPS61268028A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-11-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ホトレジスト中にマスク像を現像する方法 |
| JPS61248035A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Nippon Zeon Co Ltd | 密着性の改良されたホトレジスト組成物 |
| JPS62137830A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
| US5981143A (en) * | 1997-11-26 | 1999-11-09 | Trw Inc. | Chemically treated photoresist for withstanding ion bombarded processing |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494851A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-01-17 | ||
| JPS5339115A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photosensitive recording medium |
| JPS5952824B2 (ja) * | 1977-05-02 | 1984-12-21 | 株式会社日立製作所 | 感光性組成物処理方法 |
| JPS5824937B2 (ja) * | 1977-11-18 | 1983-05-24 | 超エル・エス・アイ技術研究組合 | 電子線レジストの現像法 |
| JPS59128B2 (ja) * | 1977-11-18 | 1984-01-05 | 超エル・エス・アイ技術研究組合 | 電子線レジストの現像法 |
| JPS59129B2 (ja) * | 1977-11-22 | 1984-01-05 | 超エル・エス・アイ技術研究組合 | 電子線レジストの現像法 |
| JPS5472681A (en) * | 1977-11-22 | 1979-06-11 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of forming pattern |
-
1981
- 1981-03-25 JP JP56042293A patent/JPS57157241A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57157241A (en) | 1982-09-28 |
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