JPS5952824B2 - 感光性組成物処理方法 - Google Patents
感光性組成物処理方法Info
- Publication number
- JPS5952824B2 JPS5952824B2 JP4995177A JP4995177A JPS5952824B2 JP S5952824 B2 JPS5952824 B2 JP S5952824B2 JP 4995177 A JP4995177 A JP 4995177A JP 4995177 A JP4995177 A JP 4995177A JP S5952824 B2 JPS5952824 B2 JP S5952824B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive type
- photosensitive composition
- added
- processing method
- softening point
- Prior art date
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- Expired
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高い軟化点をもつポジタイプの感光性（ＣＨ３
Ｏ）３Ｓ１ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ−ＣＨ２Ｃ゛ ＣＨ２
Ｃ組成物に関するものである。
Ｏ）３Ｓ１ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ−ＣＨ２Ｃ゛ ＣＨ２
Ｃ組成物に関するものである。
半導体工業においては、たとえばＩＣ、、ＬＳＩなどの
製造工程においてはメタルマスクの製作およびアルミニ
ウム配線工程のフォトエッチングの際、ポジタイプの感
光性組成物（以下、ポジタイプホトレジスト）を使用す
る。
製造工程においてはメタルマスクの製作およびアルミニ
ウム配線工程のフォトエッチングの際、ポジタイプの感
光性組成物（以下、ポジタイプホトレジスト）を使用す
る。
従来のポジタイプホトレジストは、たとえばフェノール
樹脂またはノボラック系樹脂とジアジドとの２成分から
構成されている。
樹脂またはノボラック系樹脂とジアジドとの２成分から
構成されている。
しかしながら、このようなポジタイプホトレジストにお
いては、これを構成するフェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌ
ｒｅｓｌｎ）またはノボラック系樹脂のもつ化学構造か
ら、軟化点が１２０℃程度と低いために、たとえばプラ
ズマエッチングやスパッタエッチングのマスク材として
使用した場合、処理条件によつて多少差がでるが１２０
℃以上になることが多く、したがつて基板処理用のマス
ク材として充分に働きができなかつた。本発明はこのよ
うな従来のポジタイプホトレジストの不都合を解消し、
処理温度に対応できる程度の高い軟化点をもつようなポ
ジタイプホトレジストを提供するにある。
いては、これを構成するフェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌ
ｒｅｓｌｎ）またはノボラック系樹脂のもつ化学構造か
ら、軟化点が１２０℃程度と低いために、たとえばプラ
ズマエッチングやスパッタエッチングのマスク材として
使用した場合、処理条件によつて多少差がでるが１２０
℃以上になることが多く、したがつて基板処理用のマス
ク材として充分に働きができなかつた。本発明はこのよ
うな従来のポジタイプホトレジストの不都合を解消し、
処理温度に対応できる程度の高い軟化点をもつようなポ
ジタイプホトレジストを提供するにある。
このような目的を達成するための本発明の要旨は、ポジ
タイプホトレジストの１構成物であるフェノールまたは
ノボラックと反応する第３物質としての有機シリコン化
合物をポジタイプホトレジストに添加したことを特徴と
する。
タイプホトレジストの１構成物であるフェノールまたは
ノボラックと反応する第３物質としての有機シリコン化
合物をポジタイプホトレジストに添加したことを特徴と
する。
以下、本発明の一実施例を説明する。
まず、フェノール樹脂またはノボラック系樹脂から構成
されるポジタイプホトレジスト材料に添加する第３物質
すなわち有機シリコン化合物は、アミノシランＮ（ＣＨ
２ＣＨＣＨ２０ＣＨ２ Ｓｌ（ＯＣＨ３）３）２ 、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｌ（ＯＣＨ３）３を１９％含
んだトルエン溶液としている。
されるポジタイプホトレジスト材料に添加する第３物質
すなわち有機シリコン化合物は、アミノシランＮ（ＣＨ
２ＣＨＣＨ２０ＣＨ２ Ｓｌ（ＯＣＨ３）３）２ 、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｌ（ＯＣＨ３）３を１９％含
んだトルエン溶液としている。
また、このアミノシランのホトレジスト材料への添加量
は、ベースとなるホトレジスト材料の固形物含有量（た
だし乾燥状態で）の３％（重量）〜１５％（重量）とす
る。
は、ベースとなるホトレジスト材料の固形物含有量（た
だし乾燥状態で）の３％（重量）〜１５％（重量）とす
る。
ところで、該ポジタイプホトレジスト材料は、樹脂固形
物含有率が、たとえば３３％のホトレジスト材料である
。
物含有率が、たとえば３３％のホトレジスト材料である
。
つぎに、アミノシラン（ＡｍｉｎＯｓｉｌａｎ′Ｘ）：
）添加量と軟化点との関係を示せば、だいたい次の通り
となる。
）添加量と軟化点との関係を示せば、だいたい次の通り
となる。
この変化状態をグラフで表せば図のようになる。
ただし、グラフの縦軸には軟化点ＣＯを、横軸にはアミ
ノシラン添加量（４）をとつている。さらに、４は急激
に加熱した場合の曲線で、８は１００℃より徐々に加熱
した場合の曲線である。
ノシラン添加量（４）をとつている。さらに、４は急激
に加熱した場合の曲線で、８は１００℃より徐々に加熱
した場合の曲線である。
前述したことからも分るように、低温（１００℃）より
徐々に温度をあげて行けば、急激に温度をあげた場合よ
りもさらに軟化点ＣＯは向上する。なお、前記実施例に
おいては、第３物質としての有機シリコン化合物をアミ
ノシランをつかつているが、これにかえてアミノシラン
Ｈ，ＮＣ，Ｈ６Ｓｉ（０Ｃ，Ｈ，），またはＨ，ＮＣ，
Ｈ４ＮＨＣ，Ｈ，Ｓｉ（０ＣＨ３）２をつかつて幽もよ
い。
徐々に温度をあげて行けば、急激に温度をあげた場合よ
りもさらに軟化点ＣＯは向上する。なお、前記実施例に
おいては、第３物質としての有機シリコン化合物をアミ
ノシランをつかつているが、これにかえてアミノシラン
Ｈ，ＮＣ，Ｈ６Ｓｉ（０Ｃ，Ｈ，），またはＨ，ＮＣ，
Ｈ４ＮＨＣ，Ｈ，Ｓｉ（０ＣＨ３）２をつかつて幽もよ
い。
さらに、該アミノシランに代るエポキシシラン（ＥｐＯ
ｘｙｓｉｌａｎ）をつかつてもよい。
ｘｙｓｉｌａｎ）をつかつてもよい。
以上の説明から明らかなよりに本発明によれば、フエノ
ール樹脂またはノポラツク樹脂とジアジドで構成される
感光性組成物（ポジタイプホトレジスト）に、第３物質
として該樹脂よりも高い軟化点をもちかつ該樹脂と反応
するような有機シリコン化合物を添加していることから
、これによつて得られる生成物は該有機シリコン化合物
に近い軟化点をもつことになる。
ール樹脂またはノポラツク樹脂とジアジドで構成される
感光性組成物（ポジタイプホトレジスト）に、第３物質
として該樹脂よりも高い軟化点をもちかつ該樹脂と反応
するような有機シリコン化合物を添加していることから
、これによつて得られる生成物は該有機シリコン化合物
に近い軟化点をもつことになる。
したがつて、この有機シリコン化合物を添加した感光性
組成物（ポジタイプホトレジスト）は当然、その軟化点
が、添加していない従来の感光性組成物（ポジタイプホ
トレジスト）よりも高い軟化点をもつようになる。
組成物（ポジタイプホトレジスト）は当然、その軟化点
が、添加していない従来の感光性組成物（ポジタイプホ
トレジスト）よりも高い軟化点をもつようになる。
だからブラズマエツチングやスパツタエツチングのマス
ク材として使用したような場合でも、たとえば基板処理
用のマスク材として充分な働きをする。
ク材として使用したような場合でも、たとえば基板処理
用のマスク材として充分な働きをする。
図は本発明の一実施例を示したアミノシラン添加量と軟
化点の関係を示すグラフである。 Ａ・・・・・・急熱した場合に表れる曲線、Ｂ・・・・
・・１００℃より徐々に加熱した場合に表れる曲線。
化点の関係を示すグラフである。 Ａ・・・・・・急熱した場合に表れる曲線、Ｂ・・・・
・・１００℃より徐々に加熱した場合に表れる曲線。
Claims (1)
- １ （ａ）フェノール樹脂とジアジドの２成分からなる
ポジ型フォトレジストにアミノシラン又はエポキシシラ
ンを添加する工程（ｂ）上記工程の後、半導体ウェーハ
上に上記フォトレジストを塗布する工程（ｃ）上記工程
の後、上記フォトレジストを所望のパターンに形成する
工程（ｄ）上記工程の後、上記フォトレジストをマスク
として、上記ウェーハを１２０℃以上の温度において蝕
刻処理する工程よりなる感光性組成物処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4995177A JPS5952824B2 (ja) | 1977-05-02 | 1977-05-02 | 感光性組成物処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4995177A JPS5952824B2 (ja) | 1977-05-02 | 1977-05-02 | 感光性組成物処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53135621A JPS53135621A (en) | 1978-11-27 |
| JPS5952824B2 true JPS5952824B2 (ja) | 1984-12-21 |
Family
ID=12845334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4995177A Expired JPS5952824B2 (ja) | 1977-05-02 | 1977-05-02 | 感光性組成物処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952824B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741636A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-08 | Toshiba Corp | Photoresist composition |
| JPS57157241A (en) * | 1981-03-25 | 1982-09-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of resist material and its pattern |
| JPS57211143A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of micropattern |
| JPS5891632A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS59152A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 画像形成性樹脂組成物 |
| EP0130599B1 (en) * | 1983-06-29 | 1988-08-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photosolubilizable composition |
| JPS6043651A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐プラズマ性レジスト |
| JPS61144644A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線樹脂組成物 |
| JPH0650393B2 (ja) * | 1985-07-30 | 1994-06-29 | 日本合成ゴム株式会社 | ポジ型放射線感応性組成物 |
| DE3810247A1 (de) * | 1987-03-26 | 1988-10-06 | Toshiba Kawasaki Kk | Lichtempfindliche beschichtungsmasse |
| US6506921B1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-14 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Amine compounds and curable compositions derived therefrom |
| KR101505720B1 (ko) * | 2012-03-30 | 2015-03-25 | 주식회사 엘지화학 | 실록산계 화합물, 이를 포함하는 감광성 조성물 및 감광재 |
-
1977
- 1977-05-02 JP JP4995177A patent/JPS5952824B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53135621A (en) | 1978-11-27 |
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