JPH0332202B2 - - Google Patents
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- JPH0332202B2 JPH0332202B2 JP60161660A JP16166085A JPH0332202B2 JP H0332202 B2 JPH0332202 B2 JP H0332202B2 JP 60161660 A JP60161660 A JP 60161660A JP 16166085 A JP16166085 A JP 16166085A JP H0332202 B2 JPH0332202 B2 JP H0332202B2
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- Japan
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- magnetic
- cao
- film
- mno
- mol
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
- G11B5/105—Mounting of head within housing or assembling of head and housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/11—Magnetic recording head
- Y10T428/1157—Substrate composition
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非磁性基板及び磁気ヘツドに関する
ものである。
ものである。
コンピユータ記録再生用磁気ヘツド、VTRテ
ープの位置決め用磁気センサ、PCM録音テープ
用ヘツド、電子カメラ用ヘツドなどの高密度記録
用磁気ヘツドとして従来のフエライト及びセンダ
ストを使用したヘツドに変わつて薄膜磁気ヘツド
が注目されている。薄膜磁気ヘツド用基板に要求
される特性として下記の項目が挙げられる。
ープの位置決め用磁気センサ、PCM録音テープ
用ヘツド、電子カメラ用ヘツドなどの高密度記録
用磁気ヘツドとして従来のフエライト及びセンダ
ストを使用したヘツドに変わつて薄膜磁気ヘツド
が注目されている。薄膜磁気ヘツド用基板に要求
される特性として下記の項目が挙げられる。
(イ) 熱膨張係数が、基板上に真空蒸着法、スパツ
タリング法、イオンプレーテイング法等の公知
の物理蒸着法技術を用いて付けられる金属磁性
膜の熱膨張係数と同等である。
タリング法、イオンプレーテイング法等の公知
の物理蒸着法技術を用いて付けられる金属磁性
膜の熱膨張係数と同等である。
(ロ) 表面が平坦で気孔が少ない。
(ハ) 精密機械加工が容易でしかも加工中にクラツ
ク、チツピングが生じない。
ク、チツピングが生じない。
(ニ) 化学的に安定である。
ところで、従来、例えば薄膜磁気ヘツド、集積
回路素子等を製造するに際しては、チタン酸バリ
ウム、チタン酸カルシウム、アルミナ、亜鉛フエ
ライト、ガラス等を非磁性基板材料として用い、
該基板材料上に金属磁性膜を形成したものが用い
られている。
回路素子等を製造するに際しては、チタン酸バリ
ウム、チタン酸カルシウム、アルミナ、亜鉛フエ
ライト、ガラス等を非磁性基板材料として用い、
該基板材料上に金属磁性膜を形成したものが用い
られている。
また、本出願人より、改良された非磁性材料が
特公昭56−21732及び特開昭59−908にて、公知と
されている。これらの非磁性基板材料は、基板材
料として鏡面仕上げ加工が施された後、トリクロ
ールエチレン、アセトン等の有機溶媒中で洗浄さ
れる。次いで、この基板上に公知の物理蒸着技術
を用いて数μ〜数十μｍの膜厚に、Fe−Ni系、
Fe−Al−Si系、またはCo−Nb−Zr系などの合金
磁性膜を形成し、その後、磁気特性改善のため熱
処理を実施している。
特公昭56−21732及び特開昭59−908にて、公知と
されている。これらの非磁性基板材料は、基板材
料として鏡面仕上げ加工が施された後、トリクロ
ールエチレン、アセトン等の有機溶媒中で洗浄さ
れる。次いで、この基板上に公知の物理蒸着技術
を用いて数μ〜数十μｍの膜厚に、Fe−Ni系、
Fe−Al−Si系、またはCo−Nb−Zr系などの合金
磁性膜を形成し、その後、磁気特性改善のため熱
処理を実施している。
上記従来の基板材料の多くは（本出願人の提案
した上記のものを除いて）、その熱膨張係数が金
属磁性膜の熱膨張係数と大きく異なつているた
め、蒸着した金属磁性膜が剥離し易いという欠点
を有していた。また、例えば熱膨張係数が金属磁
性膜の熱膨張係数と合つたガラスの場合には、蒸
着膜の剥離の問題点はないが、薄膜ヘツドを構成
した場合には、ガラスの硬度が低いため磁気記録
媒体との摺動により摩耗し易いという欠点があつ
た。
した上記のものを除いて）、その熱膨張係数が金
属磁性膜の熱膨張係数と大きく異なつているた
め、蒸着した金属磁性膜が剥離し易いという欠点
を有していた。また、例えば熱膨張係数が金属磁
性膜の熱膨張係数と合つたガラスの場合には、蒸
着膜の剥離の問題点はないが、薄膜ヘツドを構成
した場合には、ガラスの硬度が低いため磁気記録
媒体との摺動により摩耗し易いという欠点があつ
た。
しかして、本出願人より提案された上記の材料
によれば、かかる問題点は解決されるのである
が、本発明者がさらに研究を重ねたところ、硬度
が高いため精密機械加工時に、ブレード摩耗が激
しく、加工中にクラツク、チツピングが生じ易く
なるおそれの存在することが知見された。
によれば、かかる問題点は解決されるのである
が、本発明者がさらに研究を重ねたところ、硬度
が高いため精密機械加工時に、ブレード摩耗が激
しく、加工中にクラツク、チツピングが生じ易く
なるおそれの存在することが知見された。
このため、金属磁性膜の熱膨張係数（120〜150
×10-7／℃）に近い熱膨張係数を有し、しかも精
密機械加工時にブレード摩耗が少なく、加工中に
クラツク、チツピングが生じにくい、非磁性基板
材料が望まれている。
×10-7／℃）に近い熱膨張係数を有し、しかも精
密機械加工時にブレード摩耗が少なく、加工中に
クラツク、チツピングが生じにくい、非磁性基板
材料が望まれている。
本発明は上記要望に答えるものであり、金属磁
性膜を物理蒸着法により形成するに極めて好適な
非磁性基板及びそれを用いた磁気ヘツドを提供す
ることを目的とする。
性膜を物理蒸着法により形成するに極めて好適な
非磁性基板及びそれを用いた磁気ヘツドを提供す
ることを目的とする。
本発明の非磁性基板材料はMnO67〜90モル％、
NiO10〜33モル％、10モル％以下のCaO、ZrO2、
V2O5、Y2O3及びCuOの１種又は２種以上を含
み、岩塩型結晶構造を有することを特徴とする非
磁性基板材料である。
NiO10〜33モル％、10モル％以下のCaO、ZrO2、
V2O5、Y2O3及びCuOの１種又は２種以上を含
み、岩塩型結晶構造を有することを特徴とする非
磁性基板材料である。
また、本発明の磁気ヘツドは、かかる材質の非
磁性基板を有し、その上に磁性合金薄膜を形成し
たものである。
磁性基板を有し、その上に磁性合金薄膜を形成し
たものである。
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
本発明の非磁性材料は、MnOを67〜90モル％
（以下、％は特にことわらぬ限りモル％を示す。）、
NiOを10〜33％含み、さらにCaO、ZrO2、V2O5、
Y2O3及びCuOの１種又は２種以上を10％以下含
む。
（以下、％は特にことわらぬ限りモル％を示す。）、
NiOを10〜33％含み、さらにCaO、ZrO2、V2O5、
Y2O3及びCuOの１種又は２種以上を10％以下含
む。
本発明において、主成分たるMnOの含有率を
67％以上とした理由は、この範囲において材料の
硬度が十分に低くなり、研削性、切削性が優れた
ものになるからである。（具体的には、後述のよ
うに、研削用ブレードの摩耗や、研削抵抗が相当
に小さくなる。）また、MnO含有率を90％以下と
した理由は、MnO含有量が90％を超えると、材
料の焼結性が低下し、気孔量が増加するからであ
る。
67％以上とした理由は、この範囲において材料の
硬度が十分に低くなり、研削性、切削性が優れた
ものになるからである。（具体的には、後述のよ
うに、研削用ブレードの摩耗や、研削抵抗が相当
に小さくなる。）また、MnO含有率を90％以下と
した理由は、MnO含有量が90％を超えると、材
料の焼結性が低下し、気孔量が増加するからであ
る。
CaO、ZrO2、V2O5、Y2O3、CuO（以下、CaO
等ということがある。）は、いずれも材料の焼結
性を高め、気孔量を減少させる作用を有する。
等ということがある。）は、いずれも材料の焼結
性を高め、気孔量を減少させる作用を有する。
しかして、CaO等の含有量が10％よりも多くな
ると、材料の硬度を高め、研削性、切削性を低下
させるので、CaO等を添加する場合は10％以下、
とりわけ６％以下とするのが好ましい。CaO等は
１種類だけ加えても、２種類以上加えても良い。
ると、材料の硬度を高め、研削性、切削性を低下
させるので、CaO等を添加する場合は10％以下、
とりわけ６％以下とするのが好ましい。CaO等は
１種類だけ加えても、２種類以上加えても良い。
１種類だけ用いる場合は、硬度増大作用がそ
れ程大きくない、焼結促進作用が高い、水に
不溶性である。切削時に粒子脱落のおそれが極
めて小さい、等の理由からCaOが最も好ましい。
れ程大きくない、焼結促進作用が高い、水に
不溶性である。切削時に粒子脱落のおそれが極
めて小さい、等の理由からCaOが最も好ましい。
２種類用いる場合でも、CaOとZrO2とを加え
るのが、CaO単独、ZrO2単独で加える場合より
も、材料の硬度を増大させる度合が小さく、さら
に焼結性が高まり気孔量が減少するので好まし
い。
るのが、CaO単独、ZrO2単独で加える場合より
も、材料の硬度を増大させる度合が小さく、さら
に焼結性が高まり気孔量が減少するので好まし
い。
これらの組成範囲にある本発明の材料は、Fe
−Ni系またはFe−Al−Si系合金磁性薄膜の熱膨
張係数（120〜150×10-7）とほぼ近似した熱膨張
係数を有する。また、実質的に非磁性である。
−Ni系またはFe−Al−Si系合金磁性薄膜の熱膨
張係数（120〜150×10-7）とほぼ近似した熱膨張
係数を有する。また、実質的に非磁性である。
なお、本発明において、結晶構造を岩塩型とし
たのは、次の理由による。即ち、本発明の組成に
係る材料はスピネル型結晶構造をもとりうるので
あるが、岩塩型とすることにより、 熱膨張係数が磁性合金薄膜に近似する。
たのは、次の理由による。即ち、本発明の組成に
係る材料はスピネル型結晶構造をもとりうるので
あるが、岩塩型とすることにより、 熱膨張係数が磁性合金薄膜に近似する。
気孔が減少する。
ようになるからである。
本発明の非磁性材料は、通常の方法によつて製
造し得る。例えば、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水
酸化物、アルコラート等の原料を所定比で秤量し
た後、水、アルコール、アセトン等の適宜の溶媒
を添加してボールミル等を用いてよく混合した
後、乾燥、仮焼する。次いで、粉砕した後、成形
し、焼結させるものである。焼成は、真空、窒
素、アルゴン等の非酸化性雰囲気とするのが好ま
しい。また、十分に緻密な焼結体とするために、
熱間静水圧プレス（HIP）処理するのが好まし
い。
造し得る。例えば、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水
酸化物、アルコラート等の原料を所定比で秤量し
た後、水、アルコール、アセトン等の適宜の溶媒
を添加してボールミル等を用いてよく混合した
後、乾燥、仮焼する。次いで、粉砕した後、成形
し、焼結させるものである。焼成は、真空、窒
素、アルゴン等の非酸化性雰囲気とするのが好ま
しい。また、十分に緻密な焼結体とするために、
熱間静水圧プレス（HIP）処理するのが好まし
い。
次に本発明に係る磁気ヘツドの構成について説
明する。
明する。
第１図は本発明の磁気ヘツドの一実施例の概略
図である。磁気ヘツド１は非磁性スライダー２と
チツプ３とからなり、チツプ３はスライダー２の
２本の空気ベアリング面４，５の一方の面４に形
成されたスリツト６中に、ガラス等でモールド固
定されている。
図である。磁気ヘツド１は非磁性スライダー２と
チツプ３とからなり、チツプ３はスライダー２の
２本の空気ベアリング面４，５の一方の面４に形
成されたスリツト６中に、ガラス等でモールド固
定されている。
チツプ３の一例の詳細な構造を第２図に示す。
第２図において、非磁性基板１０上にスパツタ膜
が形成されており、このスパツタ膜は、磁性合金
層１１〜１３，１４〜１６と絶縁層１７〜１８，
１９〜２０とが交互に積層した構造となつてい
る。一対のチツプ部材は、ギラツプ２１を有する
ように、磁性合金層１３と１６との面でガラス接
合されている。２２はガラス接合部を示す。巻線
窓２３に所定の巻線が施される。
第２図において、非磁性基板１０上にスパツタ膜
が形成されており、このスパツタ膜は、磁性合金
層１１〜１３，１４〜１６と絶縁層１７〜１８，
１９〜２０とが交互に積層した構造となつてい
る。一対のチツプ部材は、ギラツプ２１を有する
ように、磁性合金層１３と１６との面でガラス接
合されている。２２はガラス接合部を示す。巻線
窓２３に所定の巻線が施される。
なお、非磁性基板１０は、本発明に係る非磁性
材料製のものであり、その組成等は前記した通り
である。
材料製のものであり、その組成等は前記した通り
である。
スパツタ薄膜の組成は、特に限定されるもので
はなく、従来から用いられている各種組成のもの
を採用し得る。好ましい組成の一例として、特願
昭60〜40876号で本出願人より提案されている、
重量％でAl3〜７％、Si7〜11％及びFe82〜90％
のもの、あるいは、高透磁率を得る目的でAl4.5
〜6.5％、Si9.8〜10.5％、Fe883〜87％の組成のも
のが挙げられる。
はなく、従来から用いられている各種組成のもの
を採用し得る。好ましい組成の一例として、特願
昭60〜40876号で本出願人より提案されている、
重量％でAl3〜７％、Si7〜11％及びFe82〜90％
のもの、あるいは、高透磁率を得る目的でAl4.5
〜6.5％、Si9.8〜10.5％、Fe883〜87％の組成のも
のが挙げられる。
スパツタ薄膜の電気抵抗は数μ〜数百μΩ・cm
程度の小さな値であるため、膜の厚さをある程度
薄くしておかないと渦電流損により透磁率が低下
する。従つて表皮深さよりも薄くするのが好まし
い。しかし逆に余り薄くなり過ぎると、金属膜の
体積と層間絶縁の中間層の体積のが小さくなり、
全体としての透磁率が低下し好ましくない。以上
の観点から、スパツタ薄膜の好ましい厚さは0.5
〜30μｍ、とりわけ３〜15μｍである。
程度の小さな値であるため、膜の厚さをある程度
薄くしておかないと渦電流損により透磁率が低下
する。従つて表皮深さよりも薄くするのが好まし
い。しかし逆に余り薄くなり過ぎると、金属膜の
体積と層間絶縁の中間層の体積のが小さくなり、
全体としての透磁率が低下し好ましくない。以上
の観点から、スパツタ薄膜の好ましい厚さは0.5
〜30μｍ、とりわけ３〜15μｍである。
透磁率の周波数特性を向上するために、スパツ
タ薄膜は多層とするのが望ましい。この場合、各
磁性合金層間に酸化珪素等の絶縁層を介在させ
る。また、磁性合金層の厚さは0.5〜10μｍ、好ま
しくは３〜10μｍである。絶縁層が磁性合金層の
１／２０以下であれば磁気抵抗は十分に小さく、また
0.02μｍ以上であれば十分な絶縁が得られる。一
般に絶縁層の厚さは0.02〜1.0μｍ、好ましくは0.2
〜0.7μｍである。第２図は３層の磁性合金層を有
するスパツタ薄膜を示しているが、２層、４層又
はそそれ以上のものも必要に応じ使用するこがで
きる。
タ薄膜は多層とするのが望ましい。この場合、各
磁性合金層間に酸化珪素等の絶縁層を介在させ
る。また、磁性合金層の厚さは0.5〜10μｍ、好ま
しくは３〜10μｍである。絶縁層が磁性合金層の
１／２０以下であれば磁気抵抗は十分に小さく、また
0.02μｍ以上であれば十分な絶縁が得られる。一
般に絶縁層の厚さは0.02〜1.0μｍ、好ましくは0.2
〜0.7μｍである。第２図は３層の磁性合金層を有
するスパツタ薄膜を示しているが、２層、４層又
はそそれ以上のものも必要に応じ使用するこがで
きる。
なお、スパツタ薄膜は通常のスパツタ条件で形
成することができる。
成することができる。
ターゲツト材とスパツタ膜とでは、組成が僅か
に異なるが、この組成の差はアルゴン圧や電極間
の距離等のスパツタ条件によつても変化する。従
つて所望の組成のスパツタ膜はグーゲツトの組成
やスパツタ条件を変えることで容易に得ることが
できる。
に異なるが、この組成の差はアルゴン圧や電極間
の距離等のスパツタ条件によつても変化する。従
つて所望の組成のスパツタ膜はグーゲツトの組成
やスパツタ条件を変えることで容易に得ることが
できる。
スパツタにより磁性合金薄膜を形成した磁気ヘ
ツドに、透磁率を向上させるために、熱処理を施
こすのが好ましい。熱処理は真空中または不活性
ガス中で好ましくは400〜900℃、特に好ましくは
500〜700℃の温度で0.3時間〜２時間、好ましく
は0.5〜１時間行う。熱処理をガラス接合と同時
に行つてもよい。かかる熱処理により、磁性合金
薄膜の結晶粒は成長する。結晶粒は0.3μｍ以上で
あると透磁率は向上するが、1.0μｍより大きくな
ると透磁率は向上するものの加工時に膜の剥離や
クラツクを生じ、精密加工に耐えないという欠点
が生ずる。従つて、結晶粒の大きさは0.3〜1.0μ
ｍが適切である。
ツドに、透磁率を向上させるために、熱処理を施
こすのが好ましい。熱処理は真空中または不活性
ガス中で好ましくは400〜900℃、特に好ましくは
500〜700℃の温度で0.3時間〜２時間、好ましく
は0.5〜１時間行う。熱処理をガラス接合と同時
に行つてもよい。かかる熱処理により、磁性合金
薄膜の結晶粒は成長する。結晶粒は0.3μｍ以上で
あると透磁率は向上するが、1.0μｍより大きくな
ると透磁率は向上するものの加工時に膜の剥離や
クラツクを生じ、精密加工に耐えないという欠点
が生ずる。従つて、結晶粒の大きさは0.3〜1.0μ
ｍが適切である。
実施例 １
市販の試薬特級のMnCO3、NiO及びCaCO3を、
MnO：NiO：CaO（モル比）が100：０：１、
90：10：１、80：20：１、70：30：１及び60：
40：１となるように秤量し、純水を加えボールミ
ル中で24時間粉砕した後、N2雰囲気中にて900℃
×4Hrの仮焼を行つた。これを33mm×40mm×14mm
のブロツク形状に３ton/cm2の圧力で成形し、１次
焼成（N2雰囲気中、1330℃×6Hr）を行つた後、
1000atmにて1200℃×1HrのHIP処理を行つた
（雰囲気Ar）。
MnO：NiO：CaO（モル比）が100：０：１、
90：10：１、80：20：１、70：30：１及び60：
40：１となるように秤量し、純水を加えボールミ
ル中で24時間粉砕した後、N2雰囲気中にて900℃
×4Hrの仮焼を行つた。これを33mm×40mm×14mm
のブロツク形状に３ton/cm2の圧力で成形し、１次
焼成（N2雰囲気中、1330℃×6Hr）を行つた後、
1000atmにて1200℃×1HrのHIP処理を行つた
（雰囲気Ar）。
得られた焼結体のＸ線回折結果より、いずれも
岩塩型結晶構造を有していることが認められた。
岩塩型結晶構造を有していることが認められた。
また、気孔率及び熱膨張係数の測定結果をそれ
ぞれ第３図及び第４図に示す。なお、気孔率は、
焼結体表面を鏡面仕上げし、走査型電子顕微鏡
（倍率2000倍）にて写真撮影し、気孔の直径と数
とを測定することにより求めた。
ぞれ第３図及び第４図に示す。なお、気孔率は、
焼結体表面を鏡面仕上げし、走査型電子顕微鏡
（倍率2000倍）にて写真撮影し、気孔の直径と数
とを測定することにより求めた。
第３図より、MnOが90％を超えると、気孔含
有率が顕著に増大し、MnO66〜90％では緻密な
焼結体となつていることが認められる。
有率が顕著に増大し、MnO66〜90％では緻密な
焼結体となつていることが認められる。
また、第４図より、熱膨張係数は130〜140×
10-7の間にあり、磁性合金膜とほぼ一致した値で
あることが認められる。
10-7の間にあり、磁性合金膜とほぼ一致した値で
あることが認められる。
なお、第４図には、後述するMnO−NiO−
CaO系の材料（CaO2％添加）の熱膨張係数の測
定結果をも示してある。
CaO系の材料（CaO2％添加）の熱膨張係数の測
定結果をも示してある。
実施例 ２
MnO：NiO：CaOのモル比が70：30：（２、４
又は６）となるように、市販の試薬特級CaCO3
をさらに原料に加えたこと以外は実施例１と同様
にして焼結体を得た。第５図に、この焼結体の気
孔率の測定結果を示す。
又は６）となるように、市販の試薬特級CaCO3
をさらに原料に加えたこと以外は実施例１と同様
にして焼結体を得た。第５図に、この焼結体の気
孔率の測定結果を示す。
実施例 ３
CaCO3の代わりに、Zr、Ｖ、Ｙ及びCuの酸化
物を用いたこと以外は実施例２と同様にして焼結
体を得た。その気孔率の測定結果を第５図に示
す。
物を用いたこと以外は実施例２と同様にして焼結
体を得た。その気孔率の測定結果を第５図に示
す。
第５図より、CaO、ZrO2、Y2O3、V2O5及び
CuOは、MnO−NiO系酸化物の焼結を促進させ
ることが認められる。
CuOは、MnO−NiO系酸化物の焼結を促進させ
ることが認められる。
実施例 ４
CaCO3の代わりにCaCO3とZrO2の等モル混合
物を用いたこと以外は実施例２同様にして焼結体
を得た。その気孔率を測定したところ、CaCO3
だけを添加した実施例２より気孔率が減少してい
ることが認められた。
物を用いたこと以外は実施例２同様にして焼結体
を得た。その気孔率を測定したところ、CaCO3
だけを添加した実施例２より気孔率が減少してい
ることが認められた。
また、CaCO3を添加して得た焼結体（実施例
２）及びCaCO3とZrO2の等モル混合物を添加し
て得た焼結体（実施例４）について、ビツカース
硬度を測定した。その結果を第６図に示す。
２）及びCaCO3とZrO2の等モル混合物を添加し
て得た焼結体（実施例４）について、ビツカース
硬度を測定した。その結果を第６図に示す。
第６図より、CaO又はCaO＋ZrO2の含有率が
増大するとビツカース硬度が増大し、切削加工し
にくくなり、とりわけ10モル％を超えると、ビツ
カース硬度がかなり顕著に増大することが認めら
れる。また、CaO＋ZrO2は、CaO単独のものに
比べ、ビツカース硬度を増大させる作用は、少な
いことが認められる。さらに、CaO単独添加の場
合は、６％以ならばそれ程ビツカース硬度は、増
大しないことも認められる。
増大するとビツカース硬度が増大し、切削加工し
にくくなり、とりわけ10モル％を超えると、ビツ
カース硬度がかなり顕著に増大することが認めら
れる。また、CaO＋ZrO2は、CaO単独のものに
比べ、ビツカース硬度を増大させる作用は、少な
いことが認められる。さらに、CaO単独添加の場
合は、６％以ならばそれ程ビツカース硬度は、増
大しないことも認められる。
実施例 ５
実施例１〜４において、寸法を10mm×20mm×２
mmとしたこと以外は同様にして焼結体を得た。次
に、この焼結体の片面を鏡面仕上げし、これらの
鏡面仕上げ面上にスパツタリング法にてFe−Ni
系金属磁性膜（パーマロイ膜）又はFe−Al−Si
系金属性膜（センダスト膜）を約5μｍ厚みに形
成した。こうして得られたものを、真空中600℃
10分間保持後、炉冷する条件で熱処理を施した。
mmとしたこと以外は同様にして焼結体を得た。次
に、この焼結体の片面を鏡面仕上げし、これらの
鏡面仕上げ面上にスパツタリング法にてFe−Ni
系金属磁性膜（パーマロイ膜）又はFe−Al−Si
系金属性膜（センダスト膜）を約5μｍ厚みに形
成した。こうして得られたものを、真空中600℃
10分間保持後、炉冷する条件で熱処理を施した。
また、比較のために、従来材としてチタン酸バ
リウム系の基板も上記と同様にして作製処理し
た。その結果、従来材ではパーマロイ膜及びセン
ダスト膜のいずれも熱処理時に剥離が生じたが、
本発明の材料では、剥離は全く生じなかつた。
リウム系の基板も上記と同様にして作製処理し
た。その結果、従来材ではパーマロイ膜及びセン
ダスト膜のいずれも熱処理時に剥離が生じたが、
本発明の材料では、剥離は全く生じなかつた。
実施例 ６
MnO：NiO：CaOがモルで60：40：２（比較
例）、70：30：２、80：20：２、90：10：２、
100：０：２（比較例）である焼結体を上記各実施
例と同様にして得、ダイヤモンド砥石を用いてこ
れらの焼結体を研削したときの研削抵抗及びブレ
ード摩耗量を第７図に示す。なお、研削条件は次
の通りである。
例）、70：30：２、80：20：２、90：10：２、
100：０：２（比較例）である焼結体を上記各実施
例と同様にして得、ダイヤモンド砥石を用いてこ
れらの焼結体を研削したときの研削抵抗及びブレ
ード摩耗量を第７図に示す。なお、研削条件は次
の通りである。
ブレード：レジンボンドのダイヤモンド砥石
（粒度＃1000、厚さ0.2mm、直径50mm） ブレード回転速度：2500rpm 切込深さ：0.3mm 切込長さ：合計600mm（20mmを30回） 第７図にはビツカース硬度の測定結果を併せて
示す。
（粒度＃1000、厚さ0.2mm、直径50mm） ブレード回転速度：2500rpm 切込深さ：0.3mm 切込長さ：合計600mm（20mmを30回） 第７図にはビツカース硬度の測定結果を併せて
示す。
第７図より、MnO含有量の増加に伴つてビツ
カース硬度が低くなり、研削抵抗及びブレード研
磨量のいずれもが小さくなることが認められる。
カース硬度が低くなり、研削抵抗及びブレード研
磨量のいずれもが小さくなることが認められる。
なお、上記各実施例に係る本発明材料の磁場
100Oeでの飽和磁化を測定したところ、いずれも
実質的に非磁性であることが認められた。下記の
〜の材料の飽和磁化の測定結果を次に示す。
（単位Ｇ、比率はモル比を示す。） MnO：NiO＝70：30の材料 MnO：NiO：CaO＝70：30：２の材料 MnO：NiO：CaO：ZrO2 ＝70：30：２：２の材料 飽和磁化の測定結果： 0.8G 2.5G 0.5G 〔効果〕 以上より明らかな通り、本発明に係る非磁性基
板は、熱膨張係数が合金磁性薄膜と近似してお
り、かつ気孔のない均質な焼結体であつて、切
削、研削加工性も優れている。
100Oeでの飽和磁化を測定したところ、いずれも
実質的に非磁性であることが認められた。下記の
〜の材料の飽和磁化の測定結果を次に示す。
（単位Ｇ、比率はモル比を示す。） MnO：NiO＝70：30の材料 MnO：NiO：CaO＝70：30：２の材料 MnO：NiO：CaO：ZrO2 ＝70：30：２：２の材料 飽和磁化の測定結果： 0.8G 2.5G 0.5G 〔効果〕 以上より明らかな通り、本発明に係る非磁性基
板は、熱膨張係数が合金磁性薄膜と近似してお
り、かつ気孔のない均質な焼結体であつて、切
削、研削加工性も優れている。
また、本発明の磁気ヘツドは、製造工程の切
削、研削を迅速に行え、製造が容易であると共
に、熱処理時に、合金磁性膜の剥離のおそれがな
いから、適切な熱処理を経た磁気特性の優れたも
のとなし得る。
削、研削を迅速に行え、製造が容易であると共
に、熱処理時に、合金磁性膜の剥離のおそれがな
いから、適切な熱処理を経た磁気特性の優れたも
のとなし得る。
第１図は実施例に係る磁気ヘツドの斜視図、第
２図は第１図の部分拡大図、第３図〜第７図の各
図は実施例における測定結果を示すグラフであ
る。
２図は第１図の部分拡大図、第３図〜第７図の各
図は実施例における測定結果を示すグラフであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ MnO67〜90モル％、NiO10〜33モル％、10
モル％以下のCaO、ZrO2、V2O5、Y2O3及びCuO
の１種又は２種以上を含み、岩塩型結晶構造を有
することを特徴とする非磁性基板材料。 ２ 磁性合金薄膜を非磁性基板上に有する磁気ヘ
ツドにおいて、該非磁性基板はMnO67〜90モル
％、NiO10〜33モル％、10モル％以下のCaO、
ZrO2、V2O5、Y2O3及びCuOの１種又は２種以上
を含み、岩塩型結晶構造を有することを特徴とす
る磁気ヘツド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161660A JPS6222411A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 非磁性基板材料及び磁気ヘツド |
| US06/887,184 US4805059A (en) | 1985-07-22 | 1986-07-21 | Magnetic head having MnO/NiO-based nonmagnetic substrate |
| US07/244,292 US5057374A (en) | 1985-07-22 | 1988-09-15 | Mno/nio-based nonmagnetic substrate material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161660A JPS6222411A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 非磁性基板材料及び磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6222411A JPS6222411A (ja) | 1987-01-30 |
| JPH0332202B2 true JPH0332202B2 (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=15739407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60161660A Granted JPS6222411A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 非磁性基板材料及び磁気ヘツド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4805059A (ja) |
| JP (1) | JPS6222411A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189020A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Hitachi Metals Ltd | 浮上型複合磁気ヘッド |
| US5060098A (en) * | 1988-04-18 | 1991-10-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recorder provided with a magnetic head slider having a non-magnetic oxide of spinel structure |
| US4870521A (en) * | 1988-06-23 | 1989-09-26 | Kyocera Corporation | Floating magnetic head |
| JP3106210B2 (ja) * | 1991-03-29 | 2000-11-06 | ミネベア株式会社 | 浮動型磁気ヘッドスライダ |
| US5508863A (en) * | 1991-04-10 | 1996-04-16 | Hitachi Metals, Ltd. | Flying-type magnetic head comprising a slider/gimbal connection which suppresses slider height differences |
| JPH0814884B2 (ja) * | 1991-04-25 | 1996-02-14 | 日本電気株式会社 | 磁気ヘッド |
| JP2760921B2 (ja) * | 1992-04-06 | 1998-06-04 | 日立金属株式会社 | 非磁性基板材及び磁気ヘッド |
| US5536585A (en) * | 1993-03-10 | 1996-07-16 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and fabrication method therefor |
| JP3089530B2 (ja) | 1994-06-28 | 2000-09-18 | ソニー株式会社 | 磁気ヘッド用非磁性材料及びそれを用いた磁気ヘッド |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4264939A (en) * | 1978-05-30 | 1981-04-28 | Victor Company Of Japan, Limited | Magnetic erasing head |
| US4402787A (en) * | 1979-05-31 | 1983-09-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing a single crystal |
| JPS5860423A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-09 | Hitachi Metals Ltd | 磁気ヘツド装置 |
| JPS59908A (ja) * | 1982-05-31 | 1984-01-06 | Hitachi Metals Ltd | 基板材料 |
| JPS5921732A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-03 | ユニチカ株式会社 | 強撚糸調特殊複合糸の製造方法 |
| JPS59172703A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Hitachi Metals Ltd | 基板材料 |
| JPS60200853A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気ヘツド用セラミツク基板材料 |
| JPS60200854A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気ヘツド用セラミツク基板材料 |
| JPS60231308A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | アルミナ系磁気ヘッド用基板材料及びその製造方法 |
| US4521323A (en) * | 1984-06-27 | 1985-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polycrystalline ferrite and a magnetic head using the same |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP60161660A patent/JPS6222411A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-21 US US06/887,184 patent/US4805059A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-09-15 US US07/244,292 patent/US5057374A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4805059A (en) | 1989-02-14 |
| US5057374A (en) | 1991-10-15 |
| JPS6222411A (ja) | 1987-01-30 |
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