JPH0333070Y2 - - Google Patents

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JPH0333070Y2
JPH0333070Y2 JP1734385U JP1734385U JPH0333070Y2 JP H0333070 Y2 JPH0333070 Y2 JP H0333070Y2 JP 1734385 U JP1734385 U JP 1734385U JP 1734385 U JP1734385 U JP 1734385U JP H0333070 Y2 JPH0333070 Y2 JP H0333070Y2
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JP
Japan
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fins
cut
ventilation passage
base
air
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JP1734385U
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JPS61134042U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案は、トランジスタ、サイリスタ、IC
等の半導体素子を冷却するための半導体素子冷却
器に関する。
従来技術の説明 第5図および第6図は従来における半導体素子
冷却器を示している。この冷却器1では、半導体
素子取付用ベース2上に多数のアルミニウム押出
型材製の放熱体3が並列状に取り付けられてい
る。ベース2の下面には、トランジスタ等の半導
体素子(第6図に鎖線Tで示す)が固定されてい
る。各放熱体3は、上下の水平壁4と、両水平壁
4を連結する垂直壁5と、垂直壁5の両側面に上
下方向に等間隔おきに形成された複数の水平状の
フイン6とから構成されている。隣り合う放熱体
3の上下の水平壁4およびフイン6の対応する縁
部が互いに突き合わされた状態で、各放熱体3の
下がわの水平壁4がブレージング・シート7を介
してベース2上面に接合されている。ベース2に
は、すべての放熱体3を被う横断面逆U形のアル
ミニウム製カバー8が取り付けられている。カバ
ー8の内面には板状のアルミニウムろうが貼り合
わされている。各放熱体3の上がわの水平部4の
上面はカバー8の内面に接合されている。ベース
2、ブレージング・シート7、放熱体3およびカ
バー8は、相互に組み合わされたのち、真空ブレ
ージング法によつて接合される。
この冷却器1では、複数の放熱体3によつて、
カバー8内の空間部に複数の通風路9が形成され
ている。半導体素子Tに発生した熱は、ベース
2、放熱体3およびカバー8に順次伝わつてい
く。これらの各部2,3,8に伝わつた熱は、通
風路9内にたとえばフアン(図示略)によつて強
制的に送り込まれた空気(この流れを第6図に矢
印で示す)によつて外部に放出される。
上記冷却器1では、隣り合う放熱体3の間の空
間部が、フイン6によつて仕切られているので、
放熱体3間の各通風路9相互間で空気の移動が行
なわれない。このため、ベース2に比較的近い位
置にある通風路9内を流れる空気が、通風路9を
通過している途中でベース2の温度とほぼ等しい
温度まで上昇してしまい、その通風路9の出口付
近では熱交換が行なわれなくなり、放熱効率が低
下するという問題があつた。
考案の目的 この考案は、上記問題を解消して放熱効率の向
上を図ることができる半導体素子冷却器を提供す
ることを目的とする。
問題を解決するための手段 この考案による半導体素子冷却器は、半導体素
子取付用ベース上に並列状に取り付けられる複数
のアルミニウム押出型材製放熱体を備えかつ各放
熱体が垂直壁と垂直壁の少なくとも片面に形成さ
れたフインとを有している半導体素子冷却器にお
いて、フインに切り起し部が形成されていること
を特徴とする。
実施例の説明 第1図および第2図は、この考案の第1実施例
を示している。第1図において第5図と同じもの
には同じ符号を付してその説明を省略する。以
下、前とは、第2図の左側を、後とは同図右側を
それぞれ指すものとする。
この半導体素子冷却器10の放熱体13は、ア
ルミニウム押出型材製であり、上下水平壁14、
両水平壁14を連結する垂直壁15および垂直壁
15に上下方向に所定間隔ごとに形成された水平
状のフイン16とからなる。各フイン16には、
2個ずつ湾曲状の切り起し部17が形成されてい
る。各切り起し部17は、垂直壁15に前後方向
に形成されたフイン16に所定間隔をおいて前後
一対の切込みを入れ、両切込みの間部分を上方に
折り曲げかつ湾曲させることにより作られる。各
フイン16に形成される切り起し部17の数は任
意に定めることができる。切り起し部17は上向
きに形成されているが下向きに形成してもよい。
隣り合う放熱体13の切り起し部17を除くフイ
ン16および水平壁14の側縁同志は突き合わさ
れている。切り起し部17によつて通風路9の連
通部18が形成されている。
フアン等(図示略)によつて冷却器10の前方
から通風路9に空気が送り込まれると、各通風路
9内に送り込まれた空気の一部は、第2図に矢印
で示すように、切り起し部17によつて形成され
た連通部18を通つて、その通風路9の上方、下
方または上下両方の通風路9に流れる。したがつ
て、ベース2から比較的離れたところにある通風
路9内の比較的低温の空気が、ベース2に比較的
近いところにある通風路9内に流れるとともに、
ベース2に比較的近いところにある通風路9内の
比較的高温の空気が、ベース2から比較的離れた
ところにある通風路9内に流れる。このため、ベ
ース2に比較的近い位置にある通風路9内の空気
の温度がベース2の温度とほぼ等しい温度まで上
昇するのを防止することができる。また切り起し
部17によつてフイン16の表面積が増加すると
ともに、通風路9内に乱流が生じる。この結果、
冷却器10の放熱効率が向上する。
第3図および第4図は、この考案の第2実施例
を示している。第3図において第1図と同じもの
には同じ符号を付してその説明を省略する。この
半導体素子冷却器10Aと、第1実施例のものと
は、放熱体が異なつている。この冷却器10Aの
放熱体13Aでは、各フイン16Aの両端部間に
上向きの切り起し部19uと下向きの切り起し部
19dとが交互に3つずつ形成されている。上向
きの切り起し部19uは前方(空気の流入口が
わ)に向つて斜めに上方に傾斜している。下向き
の切り起し部19dは後方に向つて斜め下方に傾
斜している。各切り起し部19u,19dによつ
て通風路9の連通部20が形成されている。上向
きの切り起し部19uと下向きの切り起し部19
dのうち一方のみを形成するようにしてもよい。
各フイン16Aに形成される切り起し部19u,
19dの数は任意に定めることができる。
この冷却器10Aでは、フアン等によつて前方
から各通風路9に空気が送り込まれると、各通風
路9に送り込まれた空気の一部は、第4図に矢印
で示すように連通部20を通つて、その通風路9
よりも下側の通風路9に流れる。このため、ベー
ス2から比較的離れた位置にある通風路9内の比
較的低温の空気が、ベース2に比較的近い位置に
ある通風路9内に流れるので、ベース2に比較的
近い位置にある通風路9内の空気の温度がベース
2の温度にほぼ等しい高温になるのを防止でき
る。また、切り起し部19u,19dによつてフ
イン16Aの表面積が増加するとともに、通風路
9内に乱流が生じる。このため、冷却器10Aの
放熱効果が向上する。
上記第1および第2実施例では、フイン16,
16Aは、垂直壁15の両側面に形成されている
が、一側面にのみフイン16,16Aを形成する
ようにしてもよい。また、フイン16,16Aは
水平状に形成されているが傾斜していてもよい。
垂直壁15に形成されるフイン16,16Aの数
は任意に定めることができる。ベース2上に設け
られる放熱体13,13Aの数は、2以上であれ
ば任意に定めることができる。隣り合う放熱体1
3,13Aの切り起し部17,19u,19dを
除くフイン16,16Aおよび水平壁14の側縁
同志は互いに突き合わされているが、これらの側
縁部同志が互いに離れるように放熱体13を配置
してもよい。また隣り合う放熱体13,13Aの
フイン16,16Aが差し違い状になるように、
フイン16,16Aを形成してもよい。
なお、上記実施例では、通風路9に強制的に空
気が送り込まれているが、通風路9に強制的に空
気を送り込まなくてもよい。この場合には、自然
対流により、通風路9内を空気が流れる。
考案の効果 この考案による半導体素子冷却器では、フイン
に切り起し部が形成されているから、隣り合う放
熱体間に形成される通風路の半導体素子取付用ベ
ースに比較的近いところにある部分を流れる空気
と、半導体素子取付用ベースから比較的離れたと
ころにある部分を流れる空気とが、切り起し部に
よつて形成される連通部より混合される。このた
め、隣り合う放熱体間の通風路の半導体取付用ベ
ースに比較的近い部分を通る空気の温度が、ベー
スの温度とほぼ等しい温度まで上昇してしまうの
を防止することができる。また、切り起し部によ
つて通風路内に乱流を生じることが可能となる。
さらに切り起し部によつてフインの表面積が従来
のものよりも増加する。このようなことから、半
導体素子冷却器の放熱効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はこの考案の第1実施例を
示し、第1図は一部切欠斜視図、第2図は第1図
の−線に沿う断面図、第3図および第4図は
この考案の第2実施例を示し、第3図は一部切欠
斜視図、第4図は第3図の−線に沿う断面
図、第5図および第6図は従来例を示し、第5図
は一部切欠斜視図、第6図は第5図の−線に
沿う断面図である。 2……半導体素子取付用ベース、13,13A
……放熱体、14……水平壁、15……垂直壁、
16,16A……フイン、17,19A,19d
……切り起し部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子取付用ベース2上に並列状に取り付
    けられる複数のアルミニウム押出型材製放熱体1
    3,13Aを備えかつ各放熱体13,13Aが垂
    直壁15と垂直壁15の少なくとも片面に形成さ
    れたフイン16,16Aとを有している半導体素
    子冷却器において、フイン16,16Aに切り起
    し部17,19u,19dが形成されていること
    を特徴とする半導体素子冷却器。
JP1734385U 1985-02-08 1985-02-08 Expired JPH0333070Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1734385U JPH0333070Y2 (ja) 1985-02-08 1985-02-08

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1734385U JPH0333070Y2 (ja) 1985-02-08 1985-02-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61134042U JPS61134042U (ja) 1986-08-21
JPH0333070Y2 true JPH0333070Y2 (ja) 1991-07-12

Family

ID=30504959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1734385U Expired JPH0333070Y2 (ja) 1985-02-08 1985-02-08

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JPH10145065A (ja) * 1996-11-13 1998-05-29 Pro Saido Kk 冷却部材
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EP4199077B1 (en) * 2021-12-14 2024-02-07 Hitachi Energy Ltd Flow inverter and power semiconductor component

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JPS61134042U (ja) 1986-08-21

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