JPH0333227B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0333227B2 JPH0333227B2 JP58129158A JP12915883A JPH0333227B2 JP H0333227 B2 JPH0333227 B2 JP H0333227B2 JP 58129158 A JP58129158 A JP 58129158A JP 12915883 A JP12915883 A JP 12915883A JP H0333227 B2 JPH0333227 B2 JP H0333227B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- isfet
- chip
- resin
- substrate
- isfet chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
Landscapes
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- Molecular Biology (AREA)
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- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用性＞
本発明は、ISFET（イオン選択性FET）センサ
ーの構造の改良に関し、製作が容易で量産性に適
したものを提供することを目的としている。
ーの構造の改良に関し、製作が容易で量産性に適
したものを提供することを目的としている。
＜従来技術＞
ISFETセンサーの心臓部ともいうべきISFET
チツプは非常に小さいため、外部との接続を容易
にするためISFETチツプから端子を取出す必要
がある。従来は、端子の取出しにISFETチツプ
上の電極に直接リード線を半田付けして行なう方
法、或いは第１図に示すようにリード線１…を固
定用基板２に固定し、ISFETチツプ３上の電極
４とリード線１…端部とをワイヤボンデイングで
結線５…する方法を取つている。
チツプは非常に小さいため、外部との接続を容易
にするためISFETチツプから端子を取出す必要
がある。従来は、端子の取出しにISFETチツプ
上の電極に直接リード線を半田付けして行なう方
法、或いは第１図に示すようにリード線１…を固
定用基板２に固定し、ISFETチツプ３上の電極
４とリード線１…端部とをワイヤボンデイングで
結線５…する方法を取つている。
しかしながらISFETチツプの電極に直接リー
ド線を半田付けする方法であると、半田付けする
際の熱によつてISFETチツプが焼損するおそれ
があるし、またワイヤボンデイングによりリード
線と結線する方法にあつても固定基板上のリード
線同士の間隔を十分狭くせねばならないために、
極めて作業性が悪く量産性に欠けるものであつ
た。
ド線を半田付けする方法であると、半田付けする
際の熱によつてISFETチツプが焼損するおそれ
があるし、またワイヤボンデイングによりリード
線と結線する方法にあつても固定基板上のリード
線同士の間隔を十分狭くせねばならないために、
極めて作業性が悪く量産性に欠けるものであつ
た。
＜発明の目的及び構成＞
そこで本発明は、主にこのような従来の欠点を
解消することを目的として提案されたものであ
り、要旨とするところは、微細加工技術により配
線電極が形成された基板の上にISFETチツプが
ダイボンデイングされ、その状態で配線電極と
ISFETチツプの電極とがワイヤボンデイングに
より結線され、又ISFETチツプを含む基板の一
部がISFETチツプのゲート部を除き樹脂封止さ
れ、更に樹脂封止にかからない基板上であつて外
部端子との結線部の電極間隔が拡大されている点
に存する。
解消することを目的として提案されたものであ
り、要旨とするところは、微細加工技術により配
線電極が形成された基板の上にISFETチツプが
ダイボンデイングされ、その状態で配線電極と
ISFETチツプの電極とがワイヤボンデイングに
より結線され、又ISFETチツプを含む基板の一
部がISFETチツプのゲート部を除き樹脂封止さ
れ、更に樹脂封止にかからない基板上であつて外
部端子との結線部の電極間隔が拡大されている点
に存する。
＜実施例＞
以下、図面に基づき本発明の一実施例を説明す
る。第２図Ａは本発明の一実施例としての
ISFETセンサーの正面断面図、同図Ｂは平面透
視図を示し、図中１０は基板、１１はISFETチ
ツプである。基板１０上には微細加工技術により
0.08〜0.1mmの幅で配線電極１２…が形成されて
いる。配線電極の本数は使用するISFETチツプ
の電極数に応じて決定すればよい。
る。第２図Ａは本発明の一実施例としての
ISFETセンサーの正面断面図、同図Ｂは平面透
視図を示し、図中１０は基板、１１はISFETチ
ツプである。基板１０上には微細加工技術により
0.08〜0.1mmの幅で配線電極１２…が形成されて
いる。配線電極の本数は使用するISFETチツプ
の電極数に応じて決定すればよい。
ISFETチツプ１１はシングルISFET、デユア
ルISFET若しくはこれらのISFETと補償用
MOSFET、温度補償用サーミスタ或いはダイオ
ードと組合せたものが含まれる。而して該
ISFETチツプ１１は絶縁接着剤１３によつて基
板１０上にダイボンデイングされ、その状態で
ISFETチツプ１１の電極と配線電極１２…とが
ワイヤボンデイング１４…によつて結線されてい
る。ボンデイング線１４…は衝撃、湿気等から保
護するため保護層１５にて覆われている。又
IISFETチツプ１１のゲート部１６を除く周辺は
耐水、耐湿性に優れたパツシヨベーシヨン膜１７
として例えばシリコーン、ポリイミド等で保護さ
れている。
ルISFET若しくはこれらのISFETと補償用
MOSFET、温度補償用サーミスタ或いはダイオ
ードと組合せたものが含まれる。而して該
ISFETチツプ１１は絶縁接着剤１３によつて基
板１０上にダイボンデイングされ、その状態で
ISFETチツプ１１の電極と配線電極１２…とが
ワイヤボンデイング１４…によつて結線されてい
る。ボンデイング線１４…は衝撃、湿気等から保
護するため保護層１５にて覆われている。又
IISFETチツプ１１のゲート部１６を除く周辺は
耐水、耐湿性に優れたパツシヨベーシヨン膜１７
として例えばシリコーン、ポリイミド等で保護さ
れている。
１８は、ISFETチツプ１１を含む基板１０の
一部を封止したモールド樹脂で、樹脂封入時にゲ
ート部１６を樹脂の侵入から保護することによつ
て、ゲート部１６を外部に露出した状態で封止し
ている。この場合、ゲート開口部１９は図示の如
く外側程幅広な斜面となすのがよい。溶液の置換
及び気泡を逃すことを容易にするためである。
一部を封止したモールド樹脂で、樹脂封入時にゲ
ート部１６を樹脂の侵入から保護することによつ
て、ゲート部１６を外部に露出した状態で封止し
ている。この場合、ゲート開口部１９は図示の如
く外側程幅広な斜面となすのがよい。溶液の置換
及び気泡を逃すことを容易にするためである。
前記ISFETチツプのゲート部１６を除き樹脂
封止するには例えば第４図に示すように、キヤビ
テイ２０の中に樹脂封入空間Ａを形成し、その間
に第５図に示す如き形状のゴム弾性体２１を組込
み、ISFETチツプのゲート部１６を該弾性体２
１で押圧し樹脂がゲート部に侵入しないようにし
た状態で樹脂を封入空間Ａに封入し、硬化後ゴム
弾性体２１を取り外すことにより行なうことがで
きる。
封止するには例えば第４図に示すように、キヤビ
テイ２０の中に樹脂封入空間Ａを形成し、その間
に第５図に示す如き形状のゴム弾性体２１を組込
み、ISFETチツプのゲート部１６を該弾性体２
１で押圧し樹脂がゲート部に侵入しないようにし
た状態で樹脂を封入空間Ａに封入し、硬化後ゴム
弾性体２１を取り外すことにより行なうことがで
きる。
次に、樹脂封止にかからない基板１０上であつ
て外部端子との結線部２２は第２図に示すように
電極間隔が拡大され、外部端子との結線が容易に
行なえるようにしてある。
て外部端子との結線部２２は第２図に示すように
電極間隔が拡大され、外部端子との結線が容易に
行なえるようにしてある。
尚、基板１０としては、第３図に示すようにフ
レキシブルプリント板を用いることもできる。
又、図示はしないがフイルムキヤリアのキヤリヤ
テープを用いることもできる。フレキシブルプリ
ント板を用いた場合、ISFETチツプ１１のボン
デイングされた先端部のみ樹脂封止するようにす
れば、フレキシブルプリント板の特性を活かして
狭少な箇所でもISFETセンサーを挿入すること
ができるという使用上の利点がある。図中２３…
はリード線である。
レキシブルプリント板を用いることもできる。
又、図示はしないがフイルムキヤリアのキヤリヤ
テープを用いることもできる。フレキシブルプリ
ント板を用いた場合、ISFETチツプ１１のボン
デイングされた先端部のみ樹脂封止するようにす
れば、フレキシブルプリント板の特性を活かして
狭少な箇所でもISFETセンサーを挿入すること
ができるという使用上の利点がある。図中２３…
はリード線である。
＜発明の効果＞
以上述べたように本発明に係るISFETセンサ
ーによれば、基板にISFETチツプをダイボンデ
イングした状態でチツプの電極と基板上の配線電
極とがワイヤボンデイングされ、また樹脂封止に
かからない基板上であつて外部端子との結線部の
電極間隔が拡大されているので、ISFETチツプ
からの端子の取出しに従来の如くISFETチツプ
を焼損したり、作業上の困難性を伴なつたりする
ことがなく、非常に簡単に行なうことができる。
従つてまた、量産性がきき、それによるコストダ
ウンも可能である。
ーによれば、基板にISFETチツプをダイボンデ
イングした状態でチツプの電極と基板上の配線電
極とがワイヤボンデイングされ、また樹脂封止に
かからない基板上であつて外部端子との結線部の
電極間隔が拡大されているので、ISFETチツプ
からの端子の取出しに従来の如くISFETチツプ
を焼損したり、作業上の困難性を伴なつたりする
ことがなく、非常に簡単に行なうことができる。
従つてまた、量産性がきき、それによるコストダ
ウンも可能である。
第１図は従来のISFETセンサーを示す図、第
２図Ａは本発明の一実施例としてのISFETセン
サーを示す側面断面図、同図Ｂは平面図、第３図
Ａは基板としてフレキシブルプリント板を用いた
場合の側面図、同図Ｂは平面図、第４図は
ISFETチツプを含む基板の一部を樹脂封止を行
なうための器具を示す図、第５図は該器具に用い
るゴム弾性体を示す図である。 １０…基板、１１…ISFETチツプ、１２…配
線電極、１４…ワイヤボンデイング、１６…ゲー
ト部。
２図Ａは本発明の一実施例としてのISFETセン
サーを示す側面断面図、同図Ｂは平面図、第３図
Ａは基板としてフレキシブルプリント板を用いた
場合の側面図、同図Ｂは平面図、第４図は
ISFETチツプを含む基板の一部を樹脂封止を行
なうための器具を示す図、第５図は該器具に用い
るゴム弾性体を示す図である。 １０…基板、１１…ISFETチツプ、１２…配
線電極、１４…ワイヤボンデイング、１６…ゲー
ト部。
Claims (1)
- １ 微細加工技術により配線電極が形成された基
板の上にISFETチツプがダイボンデイングされ、
その状態で配線電極とISFETチツプの電極とが
ワイヤボンデイングにより結線され、又ISFET
チツプを含む基板の一部がISFETチツプのゲー
ト部を除き樹脂封止され、更に樹脂封止にかから
ない基板上であつて外部端子との結線部の電極間
隔が拡大されていることを特徴とするISFETセ
ンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129158A JPS6020143A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Ｉｓｆｅｔセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129158A JPS6020143A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Ｉｓｆｅｔセンサ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020143A JPS6020143A (ja) | 1985-02-01 |
| JPH0333227B2 true JPH0333227B2 (ja) | 1991-05-16 |
Family
ID=15002573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58129158A Granted JPS6020143A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Ｉｓｆｅｔセンサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020143A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0799361B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1995-10-25 | フイガロ技研株式会社 | ガスセンサ |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP58129158A patent/JPS6020143A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6020143A (ja) | 1985-02-01 |
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