JPH033379B2 - - Google Patents

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JPH033379B2
JPH033379B2 JP55172677A JP17267780A JPH033379B2 JP H033379 B2 JPH033379 B2 JP H033379B2 JP 55172677 A JP55172677 A JP 55172677A JP 17267780 A JP17267780 A JP 17267780A JP H033379 B2 JPH033379 B2 JP H033379B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
photoconductive
charged beam
polyvinylcarbazole
molecular weight
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP55172677A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5796333A (en
Inventor
Nobuyuki Yasutake
Yasutaka Ban
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP55172677A priority Critical patent/JPS5796333A/ja
Publication of JPS5796333A publication Critical patent/JPS5796333A/ja
Publication of JPH033379B2 publication Critical patent/JPH033379B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は荷電ビーム露光用基板に関する。
一般に、荷電ビーム露光用基板に使用するレジ
ストは露光されたときに項導電性を示さない高分
子化合物である、そのため、荷電ビームを照射し
たときに、レジストに電荷が蓄積する。このよう
に、基板のレジストに電荷が蓄積すると、新たに
入射する荷電ビームは、この電荷によつて反発さ
れて、露光指定位置よりずれる。最近、レジスト
の膜厚は2μｍまたはそれ以上に厚い。たとえば、
ドーズ量3.5×10-5c／cm2で面積10mm2を露光した
後、これに近接するビームは4μｍもずれる。
本発明の目的は上記欠点を解消することであ
る。
本発明の上記目的は、ウエハに高分子ポリマー
を主成分とする光導電性レジストを下層とし、こ
れと同じ露光型の非光導電性レジストを上昇とす
ることを特徴とする。二重構造レジストを用いる
荷電ビーム露光用基板によつて達成することがで
きる。
光導電性レジストとしてポリビニルカルバゾー
ルが適当である。ポリビニルカルバゾールは溶剤
としてジクロルベンゼンを使用する。これと同じ
露光型の他の非光導電性レジストはジクロルベン
ゼンによつて溶解されるものがある。たとえばポ
リビニルカルバゾールと同じネガ型レジストであ
るポリジアリルオルソフタレートを基板に塗布し
た後に、ジクロルベンゼンに溶解したポリビニル
カルバゾールを塗布すると、ポリジアリルオルソ
フタレートが溶解されてしまう。従つてポリビニ
ルカルバゾールを先きに塗布することが必要であ
る。
ポリビニルカルバゾールは上記のように光導電
性であるので、荷電によるずれをほとんど生じな
いが、解像力が低い。他方ポリジアリルオルソフ
タレートはその帯電をなるべく少なくするため
に、その厚みをたとえば0.5μｍ程度とする。ポリ
ビニルカルバゾールはポリジアリルオルソフタレ
ートと合せて厚みを2μｍにすればよいので、膜
厚を1.5μｍ程度にできる、このように光導電性レ
ジストの膜厚を非光導電性レジスト膜厚より薄く
形成することによつて、レジスト全体の解像力の
低下も比較的軽減させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は露光ずみパターンの近傍に荷電ビーム
を照射したときの露光指定位置と、実際に露光さ
れる位置とを示す説明図である。 １……ウエハ、２……露光ずみ大面積パター
ン、３……露光指定位置、４……実際の露光位
置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 高分子ポリマーを主成分とする光導電性レジ
    ストを下層とし、これと同じ露光型の非光導電性
    レジストを上層とすることを特徴とする、二重構
    造レジストを用いる荷電ビーム露光用基板。 ２ 上層の非光導電性レジストを、下層の高分子
    ポリマーを主成分とする光導電性レジストより薄
    く形成する、特許請求の範囲第１項記載の荷電ビ
    ーム露光用基板。 ３ 高分子ポリマーを主成分とする光導電性レジ
    ストがポリビニルカルバゾールである、特許請求
    の範囲第１または第２項記載の荷電ビーム露光用
    基板。
JP55172677A 1980-12-09 1980-12-09 Production of substrate for exposure of charged beam Granted JPS5796333A (en)

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JPS5796333A JPS5796333A (en) 1982-06-15
JPH033379B2 true JPH033379B2 (ja) 1991-01-18

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