JPS6025024B2 - フオトマスク用原板 - Google Patents
フオトマスク用原板Info
- Publication number
- JPS6025024B2 JPS6025024B2 JP52113840A JP11384077A JPS6025024B2 JP S6025024 B2 JPS6025024 B2 JP S6025024B2 JP 52113840 A JP52113840 A JP 52113840A JP 11384077 A JP11384077 A JP 11384077A JP S6025024 B2 JPS6025024 B2 JP S6025024B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask
- metal oxide
- original plate
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、写真食刻用フオトマスクの製作に用いられ
るフオトマスク用原板の改良に関するものである。
るフオトマスク用原板の改良に関するものである。
半導体素子の製造には、写真食刻用フオトマスクを用い
てウェハ上にパターンを転写する写真製版技術が広く使
われているが、そのフオトマスク用原板として、クロム
などによる金属膜を有するいわゆるハードサーフェイス
プレートがよく使用されている。
てウェハ上にパターンを転写する写真製版技術が広く使
われているが、そのフオトマスク用原板として、クロム
などによる金属膜を有するいわゆるハードサーフェイス
プレートがよく使用されている。
第１図、第２図および第３図はそれぞれは従来のハード
サーフェイスプレートの一例の縦断面図である。
サーフェイスプレートの一例の縦断面図である。
図において、１はウヱハ上に塗布されたフオトレジスト
の露光に用いられる光に対して光学的に透明な基板、２
，２ａ，２ｂはリアクティプ蒸着法、リアクティブスパ
ッタリング法などによって形成された金属酸化物膜、３
は蒸着法、スパッタリング法などによって形成されたク
ロム膜などの金属膜である。第１図は基板１上に直接に
彼着された金属酸化物膜２を有するハードサーフェィス
プレートを示しており、金属酸化物膜２としては、赤か
つ色の酸化第二鉄膜または黒かつ色の酸化クロム膜が代
表的なものである。
の露光に用いられる光に対して光学的に透明な基板、２
，２ａ，２ｂはリアクティプ蒸着法、リアクティブスパ
ッタリング法などによって形成された金属酸化物膜、３
は蒸着法、スパッタリング法などによって形成されたク
ロム膜などの金属膜である。第１図は基板１上に直接に
彼着された金属酸化物膜２を有するハードサーフェィス
プレートを示しており、金属酸化物膜２としては、赤か
つ色の酸化第二鉄膜または黒かつ色の酸化クロム膜が代
表的なものである。
第２図は基板１上に被着された金属膜３とこの上に被着
された金属酸化物膜２とからなる２層構造の被膜を有す
るハードサーフェィスプレートを示しており、２層構造
の被膜としては、クロム膜と酸化クロム膜とからなる被
膜が代表的なものである。
された金属酸化物膜２とからなる２層構造の被膜を有す
るハードサーフェィスプレートを示しており、２層構造
の被膜としては、クロム膜と酸化クロム膜とからなる被
膜が代表的なものである。
第３図は基板１上に被着された第１の金属酸化物膜２ａ
、金属酸化物膜２ａ上に被着された金属膜３および金属
膜３上に彼着された第２の金属酸化物膜２ｂとからなる
３層構造の被膜を有するハードサーフェィスプレートを
示しており、３層構造の被膜としては、クロム膜を２層
の酸化クロム膜で包んだ構造の被膜が代表的なものであ
る。
、金属酸化物膜２ａ上に被着された金属膜３および金属
膜３上に彼着された第２の金属酸化物膜２ｂとからなる
３層構造の被膜を有するハードサーフェィスプレートを
示しており、３層構造の被膜としては、クロム膜を２層
の酸化クロム膜で包んだ構造の被膜が代表的なものであ
る。
上記の各種のハードサーフェィスプレートの被膜は、膜
厚が１０００Ａ前後と非常に薄く、さらにフオトレジス
トの露光に用いられる光に対する表面反射率が１０％前
後と非常に低く、微細パターンの形成に有効であるとい
うことで広く使用されている。ハードサーフェィスプレ
ートを使用して半導体素子製造用フオトマスクを作製す
るには、まず、ハードサーフェイスプレート上にレジス
ト、例えばＰ（ＧＭＡ−ＣＯ−ＥＡ）ポリ（グリシデイ
ルメタクリレートーコーエチルアクリレ−ト）〔Ｐ（Ｇ
ＭＡ−ＣＯ−ＥＡ）ｐｏｌｙ（ｇｌｙｃｉｄｙｌｍｅｔ
ｈａｃｒｙｌａｔｅ−ｃｏ−ｅｔｈｙｌａｃひｌａに）
：ミードケミカル社の商品名コポリマー（ｃｏｐｏｌｙ
ｍｅｒ）〕を０．６ｒの厚さに塗布し、電子ビーム露光
装置を用いて電子ビームによってレジストを露光させる
が、その際、レジストに到達した電子はしジストを露光
させながら、レジスト層を透過してハードサーフヱィス
プレートの最上層の金属酸化物膜に達する。
厚が１０００Ａ前後と非常に薄く、さらにフオトレジス
トの露光に用いられる光に対する表面反射率が１０％前
後と非常に低く、微細パターンの形成に有効であるとい
うことで広く使用されている。ハードサーフェィスプレ
ートを使用して半導体素子製造用フオトマスクを作製す
るには、まず、ハードサーフェイスプレート上にレジス
ト、例えばＰ（ＧＭＡ−ＣＯ−ＥＡ）ポリ（グリシデイ
ルメタクリレートーコーエチルアクリレ−ト）〔Ｐ（Ｇ
ＭＡ−ＣＯ−ＥＡ）ｐｏｌｙ（ｇｌｙｃｉｄｙｌｍｅｔ
ｈａｃｒｙｌａｔｅ−ｃｏ−ｅｔｈｙｌａｃひｌａに）
：ミードケミカル社の商品名コポリマー（ｃｏｐｏｌｙ
ｍｅｒ）〕を０．６ｒの厚さに塗布し、電子ビーム露光
装置を用いて電子ビームによってレジストを露光させる
が、その際、レジストに到達した電子はしジストを露光
させながら、レジスト層を透過してハードサーフヱィス
プレートの最上層の金属酸化物膜に達する。
この金属酸化物膜の電気抵抗は極めて大きいので、入射
した電子は伝導によって逃げ去ることはできなく、電位
降下を引き起こすと共に、引き続き入射する電子の到達
を妨げるようになり、レジスト膜に対する露光量の低下
・不安定化を招くようになり、レジスト膜に形成される
パターンに露光のむらが発生し、高精度の微細パターン
の形成が困難である。従って、このレジスト膜を現像し
て得られたマスクによりハードサーフエイスプレートを
エッチングして最終的に得られるフオトマスクにも高精
度の微細パターンの形成が困難である。
した電子は伝導によって逃げ去ることはできなく、電位
降下を引き起こすと共に、引き続き入射する電子の到達
を妨げるようになり、レジスト膜に対する露光量の低下
・不安定化を招くようになり、レジスト膜に形成される
パターンに露光のむらが発生し、高精度の微細パターン
の形成が困難である。従って、このレジスト膜を現像し
て得られたマスクによりハードサーフエイスプレートを
エッチングして最終的に得られるフオトマスクにも高精
度の微細パターンの形成が困難である。
このように、従来のハ−ドサーフェィスプレ−トは、露
子ビ−ムのような荷電粒子を用いた露光装置による露光
に際しては、電位降下による露光のむらのために、高精
度のレジストパターンを形成できないという欠点を持っ
ていた。
子ビ−ムのような荷電粒子を用いた露光装置による露光
に際しては、電位降下による露光のむらのために、高精
度のレジストパターンを形成できないという欠点を持っ
ていた。
この発明は、透明な基板上に透明導電性膜を形成し、こ
の膜上に少なくとも表面側が電気抵抗の大きい金属酸化
物膜からなるパターン形成用被膜を被着させ、さらにパ
ターン形成用被膜上に導電性膜を形成することによって
、表面上に形成されたレジスト膜の荷電粒子による露光
の際にパターン形成用被膜およびレジスト膜における電
荷蓄積を起こさず、露光の精度を向上させ、最終的に得
られるフオトマスクのパターン精度を向上させることが
・できるフオトマスク用原板を提供することを目的とし
たものである。
の膜上に少なくとも表面側が電気抵抗の大きい金属酸化
物膜からなるパターン形成用被膜を被着させ、さらにパ
ターン形成用被膜上に導電性膜を形成することによって
、表面上に形成されたレジスト膜の荷電粒子による露光
の際にパターン形成用被膜およびレジスト膜における電
荷蓄積を起こさず、露光の精度を向上させ、最終的に得
られるフオトマスクのパターン精度を向上させることが
・できるフオトマスク用原板を提供することを目的とし
たものである。
以下、実施例によってこの発明を説明する。
第４図はこの発明によるフオトマスク用原板（ハードサ
ーフェィスプレ−ト）の第１の実施例の縦断面図である
。第４図において、４ａは基板１上に形成された例えば
ネサ（Ｎｅｓａ）などからなる透明導電性膜、４ｂは透
明導電性膜４ａに被着された金属酸化物膜２上に形成さ
れた透明導電性膜である。この実施例のハードサーフェ
ィスプレートの製作法を簡単に説明する。
ーフェィスプレ−ト）の第１の実施例の縦断面図である
。第４図において、４ａは基板１上に形成された例えば
ネサ（Ｎｅｓａ）などからなる透明導電性膜、４ｂは透
明導電性膜４ａに被着された金属酸化物膜２上に形成さ
れた透明導電性膜である。この実施例のハードサーフェ
ィスプレートの製作法を簡単に説明する。
例えばガラスなどからなりフオトレジストの露光に用い
られる光に対して透明な基板１を子熱しておき、これに
塩化スズの溶液と塩化アンチモンの溶液を混合したもの
を吹きかけることによってネサからなる透明導電性膜４
ａを形成する。次に、透明導電性膜４ａ上に金属酸化物
膜２、例えば酸化クロム膜を蒸着法またはスパッタリン
グ法にて彼着させる。さらに、この金属酸化物膜２の上
に、例えば酸化スズ粉末を真空蒸着させることによって
酸化スズ膜からなる透明導電性膜４ｂを形成することに
よって、実施例のハードサーフェィスプレートが製作さ
れる。この実施例のハードサーフェィスブレートの上面
の透明導電性膜４ｂに接触端子をつけ電気的に伝導を得
ることにより、ハードサーフェィスプレート上に形成さ
れたレジスト膜の荷電粒子による露光に際してレジスト
膜および金属酸化物膜２の表面の電荷蓄積を防止するこ
とができ、レジスト膜に対する露光量の低下・不安定化
を引き起こすことがなく、レジスト膜に形成されるパタ
ーンに露光むらが発生することなく、最終的に得られる
フオトマスクに高精度の微細パターンの形成が可能にな
る。第５図はこの発明によるハ−ドサーフェィスプレ−
トの第２の実施例の縦断面図である。
られる光に対して透明な基板１を子熱しておき、これに
塩化スズの溶液と塩化アンチモンの溶液を混合したもの
を吹きかけることによってネサからなる透明導電性膜４
ａを形成する。次に、透明導電性膜４ａ上に金属酸化物
膜２、例えば酸化クロム膜を蒸着法またはスパッタリン
グ法にて彼着させる。さらに、この金属酸化物膜２の上
に、例えば酸化スズ粉末を真空蒸着させることによって
酸化スズ膜からなる透明導電性膜４ｂを形成することに
よって、実施例のハードサーフェィスプレートが製作さ
れる。この実施例のハードサーフェィスブレートの上面
の透明導電性膜４ｂに接触端子をつけ電気的に伝導を得
ることにより、ハードサーフェィスプレート上に形成さ
れたレジスト膜の荷電粒子による露光に際してレジスト
膜および金属酸化物膜２の表面の電荷蓄積を防止するこ
とができ、レジスト膜に対する露光量の低下・不安定化
を引き起こすことがなく、レジスト膜に形成されるパタ
ーンに露光むらが発生することなく、最終的に得られる
フオトマスクに高精度の微細パターンの形成が可能にな
る。第５図はこの発明によるハ−ドサーフェィスプレ−
トの第２の実施例の縦断面図である。
この実施例は第２図に示した従来のハードサーフェィス
プレートに透明導電性膜４ａ，４ｂを形成したものであ
る。第６図はこの発明によるハードサーフェィスプレー
トの第３の実施例の縦断面図である。
プレートに透明導電性膜４ａ，４ｂを形成したものであ
る。第６図はこの発明によるハードサーフェィスプレー
トの第３の実施例の縦断面図である。
この実施例において、金属酸化物膜２ａが透明導電性層
４ａ，４ｂによって完全に包み込まれており、全ての層
の電位を同一電位に保つことにより、電荷蓄積防止効果
を一層完全にし、最終的に得られるフオトマスクのパタ
ーン精度を著しく向上させることができる。上記の各実
施例において、透明導電性膜４ａ，４ｂとして厚さ２０
０△程度のクロム膜またはアルミニウム膜などの薄い導
電性膜を用いてもよい。
４ａ，４ｂによって完全に包み込まれており、全ての層
の電位を同一電位に保つことにより、電荷蓄積防止効果
を一層完全にし、最終的に得られるフオトマスクのパタ
ーン精度を著しく向上させることができる。上記の各実
施例において、透明導電性膜４ａ，４ｂとして厚さ２０
０△程度のクロム膜またはアルミニウム膜などの薄い導
電性膜を用いてもよい。
また、第２の実施例における金属膜は単一の金属からな
る金属膜でなく金属合金からなる金属膜であってもよい
ことはいうまでもない。以上詳述したように、この発明
によるフオトマスク用原板は、透明な基板、この基板上
に形成された透明な第１の導電性膜、この透明導電性膜
上に形成され少なくとも表面側が電気抵抗の大きい金属
酸化物膜からなるパターン形成用被膜、およびこのパタ
ーン形成用被膜上に形成された透明な第２の導電性膜を
備えているので、この原板上にレジスト膜を塗布し、荷
電粒子にてこのレジスト膜を露光する際に、上記導電性
腰に接触端子をつけ電気的に伝導を得ることによって、
パターン形成用被膜およびレジスト膜における電荷蓄積
を防止することができ、レジスト膜に形成されるパター
ンに露光むらが発生することなく、最終的に得られるフ
オトマスクに高精度の微細パターンの形成が可能になる
。
る金属膜でなく金属合金からなる金属膜であってもよい
ことはいうまでもない。以上詳述したように、この発明
によるフオトマスク用原板は、透明な基板、この基板上
に形成された透明な第１の導電性膜、この透明導電性膜
上に形成され少なくとも表面側が電気抵抗の大きい金属
酸化物膜からなるパターン形成用被膜、およびこのパタ
ーン形成用被膜上に形成された透明な第２の導電性膜を
備えているので、この原板上にレジスト膜を塗布し、荷
電粒子にてこのレジスト膜を露光する際に、上記導電性
腰に接触端子をつけ電気的に伝導を得ることによって、
パターン形成用被膜およびレジスト膜における電荷蓄積
を防止することができ、レジスト膜に形成されるパター
ンに露光むらが発生することなく、最終的に得られるフ
オトマスクに高精度の微細パターンの形成が可能になる
。
第１図、第２図および第３図はそれぞれ従釆のフオトマ
スク用原板の一例の縦断面図、第４図、第５図および第
６図はそれぞれこの発明によるフオトマスク用原板の一
実施例の縦断面図である。 図において、１は基板、２，２ａ，２ｂは金属酸化物膜
、３は金属膜、４ａ，４ｂは透明導電性膜である。なお
、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示す。
第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
スク用原板の一例の縦断面図、第４図、第５図および第
６図はそれぞれこの発明によるフオトマスク用原板の一
実施例の縦断面図である。 図において、１は基板、２，２ａ，２ｂは金属酸化物膜
、３は金属膜、４ａ，４ｂは透明導電性膜である。なお
、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示す。
第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フオトレジストの露光に用いられる光に対して透明
な基板、この基板上に形成され上記光に対して透明な第
１の導電性膜、この第１の導電性膜上に形成され少なく
とも表面側が電気抵抗の大きい金属酸化物膜からなり上
記光に対して不透明なパターン形成用被膜、および上記
パターン形成用被膜上に形成され上記光に対して透明な
第２の導電性膜を備え、上記第２の導電性膜上に形成さ
れるレジスト膜の露光を荷電粒子線で行なうフオトマス
ク用原板。 ２ パターン形成用被膜が第１の導電性膜と第２の導電
性膜とにより包み込まれていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のフオトマスク用原板。 ３ パターン形成用被膜が金属酸化物膜であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載のフオ
トマスク用原板。 ４ パターン形成用被膜が金属膜および金属酸化物膜か
らなる２層構造被膜であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項記載のフオトマスク用原板。 ５ パターン形成用被膜が第１の金属酸化物膜、金属膜
および第２の金属酸化物膜からなる３層構造被膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載のフオトマスク用原板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52113840A JPS6025024B2 (ja) | 1977-09-20 | 1977-09-20 | フオトマスク用原板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52113840A JPS6025024B2 (ja) | 1977-09-20 | 1977-09-20 | フオトマスク用原板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5446479A JPS5446479A (en) | 1979-04-12 |
| JPS6025024B2 true JPS6025024B2 (ja) | 1985-06-15 |
Family
ID=14622360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52113840A Expired JPS6025024B2 (ja) | 1977-09-20 | 1977-09-20 | フオトマスク用原板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025024B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55120137A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-16 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Masking material for manufacturing semiconductor device and manufacture of mask |
| JPS6018870Y2 (ja) * | 1980-08-18 | 1985-06-07 | 株式会社東芝 | プラグインユニツト収納装置 |
| JPS5741638A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-08 | Fujitsu Ltd | Photomask for electron beam |
| JPS57144549A (en) * | 1981-02-28 | 1982-09-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask |
| JPS57144550A (en) * | 1981-02-28 | 1982-09-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Blank plate for photomask |
| JPS5796333A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-15 | Fujitsu Ltd | Production of substrate for exposure of charged beam |
| JPS59146954A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-08-23 | Seiko Epson Corp | シ−スル−マスク |
| JPH02103046A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-16 | Toshiba Corp | 半導体製造用マスクの製作方法及びハードマスクブランク載置台 |
| JP2500526B2 (ja) * | 1990-12-25 | 1996-05-29 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスク |
| JP6486163B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2019-03-20 | アルプスアルパイン株式会社 | 加飾積層構造体、筐体および電子機器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492626A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-10 | ||
| US3949131A (en) * | 1974-06-19 | 1976-04-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Photomasks with antistatic control |
-
1977
- 1977-09-20 JP JP52113840A patent/JPS6025024B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5446479A (en) | 1979-04-12 |
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