JPH0334062U - - Google Patents
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- JPH0334062U JPH0334062U JP9363189U JP9363189U JPH0334062U JP H0334062 U JPH0334062 U JP H0334062U JP 9363189 U JP9363189 U JP 9363189U JP 9363189 U JP9363189 U JP 9363189U JP H0334062 U JPH0334062 U JP H0334062U
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- JP
- Japan
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- discharge plasma
- frequency discharge
- supplied
- counter electrode
- bias voltage
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- Pending
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は、本考案に係る高周波放電プラズマＣ
ＶＤ装置の構成図、第２図は、従来の高周波放電
プラズマＣＶＤ装置の構成図である。 尚、図中１……真空容器、２……基板電極、３
……対向電極、５……ＲＦ電源、６……原料ガス
供給口、７……流量制御ユニツト、８……排気ユ
ニツト、９……排気制御ユニツト、１０……基板
温度制御ユニツト、１１……基板、１２……可変
コンデンサ（分割用）である。
ＶＤ装置の構成図、第２図は、従来の高周波放電
プラズマＣＶＤ装置の構成図である。 尚、図中１……真空容器、２……基板電極、３
……対向電極、５……ＲＦ電源、６……原料ガス
供給口、７……流量制御ユニツト、８……排気ユ
ニツト、９……排気制御ユニツト、１０……基板
温度制御ユニツト、１１……基板、１２……可変
コンデンサ（分割用）である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 平行平板電極を有する高周波放電プラズマＣＶ
Ｄ装置において、 対向電極に供給するＲＦ電力の一部を基板電極
に分割供給し、ＲＦバイアス電圧を印加するよう
構成したことを特徴とする高周波放電プラズマＣ
ＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9363189U JPH0334062U (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9363189U JPH0334062U (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334062U true JPH0334062U (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=31642999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9363189U Pending JPH0334062U (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334062U (ja) |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP9363189U patent/JPH0334062U/ja active Pending