JPH024238U - - Google Patents

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JPH024238U
JPH024238U JP8209088U JP8209088U JPH024238U JP H024238 U JPH024238 U JP H024238U JP 8209088 U JP8209088 U JP 8209088U JP 8209088 U JP8209088 U JP 8209088U JP H024238 U JPH024238 U JP H024238U
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JP
Japan
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frequency power
high frequency
matching unit
power switch
switching mechanism
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JP8209088U
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  • Drying Of Semiconductors (AREA)

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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案機構の第１実施例の構成を示す
説明図、第２図は本考案機構の第２の実施例の構
成を示す説明図、第３図は従来の一例の構成を示
す説明図である。 １……真空容器、２……試料基板、３……高周
波印加電極、４……対向電極、５ａ，５ｂ……絶
縁物、６……高周波電力切換え器、７ａ〜７ｃ…
…高周波電力供給線、７ｄ……制御信号ケーブル
、８……マツチングユニツト、９ａ……（エツチ
ング用）高周波電力供給源、９ｂ……（電極クリ
ーニング用）高周波電力供給源、１１ａ〜１１ｂ
……高周波電力供給ケーブル用コネクタ、１２…
…高周波シールド、１１ｃ……制御信号ケーブル
用コネクタ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 高周波印加電極３を収設した真空容器１内
    にプラズマ発生用ガスを導入すると共に高周波印
    加電極３に高周波電力を印加してプラズマを発生
    させる装置において、高周波電力と比較的周波数
    の低い電力のいずれか一方を選択して高周波印加
    電極３に印加する高周波電力切換え器６と、高周
    波電力の整合を行うマツチングユニツト８とを真
    空容器１の近傍に設置せしめてなる高周波電力切
    換え機構。 (2) 高周波電力切換え器６とマツチングユニツ
    ト８とを真空容器１の近傍に一体化して設置する
    と共に、高周波電力切換え器６とマツチングユニ
    ツト８とを高周波シールド１２で覆つた密閉構造
    とした実用新案登録請求の範囲第１項記載の高周
    波電力切換え機構。
JP8209088U 1988-06-20 1988-06-20 Pending JPH024238U (ja)

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JP8209088U JPH024238U (ja) 1988-06-20 1988-06-20

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JP8209088U JPH024238U (ja) 1988-06-20 1988-06-20

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JPH024238U true JPH024238U (ja) 1990-01-11

Family

ID=31306853

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JP8209088U Pending JPH024238U (ja) 1988-06-20 1988-06-20

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JP (1) JPH024238U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03171623A (ja) * 1989-10-03 1991-07-25 Applied Materials Inc 半導体ウェーハ製造用プラズマ処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03171623A (ja) * 1989-10-03 1991-07-25 Applied Materials Inc 半導体ウェーハ製造用プラズマ処理方法

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