JPH0334321A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

第２図は従来の半導体装置の一例の断面図である。

半導体基板１の上に絶縁Ｍ２を設け、その上に１層目の
Ａ１配線３を設け、下層のプラズマ酸化膜４で覆うシリ
カフィルム層８を形成して段差部をなだらかにし、更に
その上に上層プラズマ酸化膜６を設け、１層目Ａ（配線
３に達する開口部を形成して２層目Ａ１配線７を形成す
る。

このような従来の方法では１層目Ａ支配線３による段差
が十分に平坦化されない。

なお、下層及び上層の絶縁膜としてプラズマ窒化膜ある
いはプラズマ酸化窒化膜を用いる場合もある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の技術では、平坦化のための塗布膜として
シリカフィルムを使用しているが、シリカフィルムは一
度の塗布で厚く塗布すると、ベーク時にクラックが生ず
るため、クラックが入ることなく塗布できる膜厚は０，
１μｍ程度が限度である。そのため厚さ０．８〜１μｍ
の金属配線による段差を十分に平坦にすることができな
いと−いう欠点がある。この欠点を補うためシリカフィ
ルムを二度に分けて塗布する方法もあるが、それでも十
分に段差を平坦化することはできない。平坦になるまで
塗布とベークを繰返すことは多大の工数を要するという
欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上の第１
絶縁股上に下層金属配線を形成する工程と、前記下層金
属層を含む全面に第２絶縁膜を形成し、その上に表面が
平坦になるまでの厚さのポリイミド膜を形成する工程と
、前記ポリイミド膜を除去するまで異方性エツチングし
て表面を平坦にする工程と、全面に第３絶縁膜を形成す
る工程と、前記下層金属配線に達する開口部を設ける工
程と、前記開口部を通して前記下層金属配線に接続する
上層金属配線を形成する工程とを含んで構成される。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図である。

まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板１の上に
絶縁１１ｇ２を設け、その上に厚さ０８μｍの１層目の
Ａ、＆配線３を設ける。下層膜としてプラズマ酸化膜’
Ａ　１３　ａを１．０７１ｒｎの厚さに形成する。

次に、第１図（ｂ）に示すように、ポリイミド膜５を塗
布して表面を平坦にする。

次に、第１図（ｃ）に示すように、プラズマ酸化膜とポ
リイミド膜との選択比が１：ｌとなる条件で反応性イオ
ンエツチング法にて全面を異方性エツチングする。

次に、第１図（ｄ）に示すように、上層のプラズマ酸化
膜を０．８μｍの厚さに形成し、通常のホトリソグラフ
ィ技術を用いて１層目Ａｕ配線３に達する開口部を設け
、２層目Ａ１配線７を形成する。

なお、下層ならびに上層の絶縁膜としてプラズマ酸化膜
の代りにプラズマ窒化膜あるいはプラズマ酸化窒化膜を
用いてもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、金属配線による
段差を簡単な方法と少ない工数とでなくして完全に平坦
化できるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための工程順に示
した断面図、第２図は従来の半導体装置の一例の断面図
である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・１層目
Ａ（配線、４・・・プラズマ酸化膜、５・・・ポリイミ
ド膜、６・・・プラズマ酸化膜、７・・・２層目ＡＩ！
配線、８・・・シリカフィルム層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上の第１絶縁膜上に下層金属配線を形成する
   工程と、前記下層金属層を含む全面に第２絶縁膜を形成
   し、その上に表面が平坦になるまでの厚さのポリイミド
   膜を形成する工程と、前記ポリイミド膜を除去するまで
   異方性エッチングして表面を平坦にする工程と、全面に
   第３絶縁膜を形成する工程と、前記下層金属配線に達す
   る開口部を設ける工程と、前記開口部を通して前記下層
   金属配線に接続する上層金属配線を形成する工程とを含
   むことを特徴とする半導体装置の製造方法。