JPH0247853A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0247853A JPH0247853A JP19921388A JP19921388A JPH0247853A JP H0247853 A JPH0247853 A JP H0247853A JP 19921388 A JP19921388 A JP 19921388A JP 19921388 A JP19921388 A JP 19921388A JP H0247853 A JPH0247853 A JP H0247853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- applied insulating
- silicon oxide
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に層間絶縁膜
をエツチングバックして平坦化を図るようにした製造方
法に関する。
をエツチングバックして平坦化を図るようにした製造方
法に関する。
従来、半導体装置において上下の導体膜を絶縁膜するた
めの層間絶縁膜を形成する方法として、第３図に示す方
法が提案されている。
めの層間絶縁膜を形成する方法として、第３図に示す方
法が提案されている。
先ず、第３図（ａ）のように、シリコンウェハ１の絶縁
膜上に下層配線２を形成後、ウェハ全面にシリコン酸化
膜３を堆積する。次に、第３図（ｂ）のようにシリコン
酸化膜３の上に塗布絶縁膜５をコーティングする。次に
、第３図（Ｃ）のように後工程でスルーホールとなると
ころに塗布絶縁膜５が残らないようにエツチングバック
を行う。このエツチングバックに際しては、光学顕微鏡
で表面を観察し、塗布絶縁膜５が大部分の領域で除去さ
れた時点をエツチングの終了として判断している。
膜上に下層配線２を形成後、ウェハ全面にシリコン酸化
膜３を堆積する。次に、第３図（ｂ）のようにシリコン
酸化膜３の上に塗布絶縁膜５をコーティングする。次に
、第３図（Ｃ）のように後工程でスルーホールとなると
ころに塗布絶縁膜５が残らないようにエツチングバック
を行う。このエツチングバックに際しては、光学顕微鏡
で表面を観察し、塗布絶縁膜５が大部分の領域で除去さ
れた時点をエツチングの終了として判断している。
更に、第２のシリコン酸化膜６を堆積し、フォトリソグ
ラフィ技術によってスルーホール７を開孔していた。
ラフィ技術によってスルーホール７を開孔していた。
上述した従来の層間絶縁膜の形成方法では、塗布絶縁膜
５とシリコン酸化膜３の透過率がほぼ同じであるため、
単に塗布絶縁膜５を光学顕微鏡で観察するのでは、観察
されたものが塗布絶縁膜５なのかシリコン酸化膜３なの
かの判断が行い難く、塗布絶縁膜５のエツチングバック
を適正に行うことが難しい。このため、エツチングバッ
クが足りなくてスルーホール部に塗布絶縁膜５が残り、
スルーホール７の開孔を好適に行うことができなくなる
という問題がある。逆に、エツチングバックが過度であ
ると、シリコン酸化膜３もエツチングされてしまい層間
絶縁膜の膜厚が減少してしまうという問題がある。
５とシリコン酸化膜３の透過率がほぼ同じであるため、
単に塗布絶縁膜５を光学顕微鏡で観察するのでは、観察
されたものが塗布絶縁膜５なのかシリコン酸化膜３なの
かの判断が行い難く、塗布絶縁膜５のエツチングバック
を適正に行うことが難しい。このため、エツチングバッ
クが足りなくてスルーホール部に塗布絶縁膜５が残り、
スルーホール７の開孔を好適に行うことができなくなる
という問題がある。逆に、エツチングバックが過度であ
ると、シリコン酸化膜３もエツチングされてしまい層間
絶縁膜の膜厚が減少してしまうという問題がある。
本発明は塗布絶縁膜５のエツチングバックを適正に行っ
て上述した問題を解消することを可能とした半導体装置
の製造方法を提供することを目的としている。
て上述した問題を解消することを可能とした半導体装置
の製造方法を提供することを目的としている。
本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に形成した下
層配線を絶縁膜で被覆し、この絶縁膜上に塗布絶縁膜を
塗布した後に、この塗布絶縁膜をエツチングバックする
ことにより絶縁膜表面の平坦化を行うに際し、塗布絶縁
膜の塗布前に、絶縁膜上に塗布絶縁膜と透過率の異なる
膜を形成し、表面を光学顕微鏡で観察しながら塗布絶縁
膜のエツチングバックを行うようにしている。
層配線を絶縁膜で被覆し、この絶縁膜上に塗布絶縁膜を
塗布した後に、この塗布絶縁膜をエツチングバックする
ことにより絶縁膜表面の平坦化を行うに際し、塗布絶縁
膜の塗布前に、絶縁膜上に塗布絶縁膜と透過率の異なる
膜を形成し、表面を光学顕微鏡で観察しながら塗布絶縁
膜のエツチングバックを行うようにしている。
上述した製造方法では、透過率の異なる膜を形成するこ
とにより、光学顕微鏡による表面観察で塗布絶縁膜のエ
ツチングバック終点を容易に判定でき、塗布絶縁膜のエ
ツチングバックを好適に実現できる。
とにより、光学顕微鏡による表面観察で塗布絶縁膜のエ
ツチングバック終点を容易に判定でき、塗布絶縁膜のエ
ツチングバックを好適に実現できる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の第１実施例を工程順
に示した縦断面図である。
に示した縦断面図である。
先ず、第１図（ａ）のように、シリコンウェハ１の絶縁
膜（図示せず）上に下層配線２を形成した後、下層配線
２を覆うようにシリコン酸化膜３を堆積する。
膜（図示せず）上に下層配線２を形成した後、下層配線
２を覆うようにシリコン酸化膜３を堆積する。
次いで、第１図（ｂ）のように、前記シリコン酸化膜３
上に、後述する塗布絶縁膜より透過率の低い絶縁膜とし
てアルミナ４を薄く堆積する。
上に、後述する塗布絶縁膜より透過率の低い絶縁膜とし
てアルミナ４を薄く堆積する。
そして、第１図（Ｃ）のように、前記アルミナ４の上に
塗布絶縁膜５をコーティングし、前記シリコン酸化膜３
の凹部を埋めて表面を平坦化する。
塗布絶縁膜５をコーティングし、前記シリコン酸化膜３
の凹部を埋めて表面を平坦化する。
しかる上で、第１図（ｄ）のように、シリコンウェハ１
の全面にわたって塗布絶縁膜５のエツチングバックを行
い、シリコン酸化膜３及びアルミナ４の凹部箇所以外の
塗布絶縁膜５を除去する。
の全面にわたって塗布絶縁膜５のエツチングバックを行
い、シリコン酸化膜３及びアルミナ４の凹部箇所以外の
塗布絶縁膜５を除去する。
このとき、除去すべき塗布絶縁膜５が残存しているか否
かの判定は、アルミナ４と塗布絶縁膜５の透過率の違い
から光学顕微鏡を用いた表面観察によって容易に行うこ
とができる。
かの判定は、アルミナ４と塗布絶縁膜５の透過率の違い
から光学顕微鏡を用いた表面観察によって容易に行うこ
とができる。
その後、第１図（ｅ）のように、全面に第２のシリコン
酸化膜６を堆積し、かつフォトリソグラフィ技術により
スルーホール７を開孔することにより、表面の平坦化さ
れた層間絶縁膜を完成できる。
酸化膜６を堆積し、かつフォトリソグラフィ技術により
スルーホール７を開孔することにより、表面の平坦化さ
れた層間絶縁膜を完成できる。
したがって、この製造方法では、塗布絶縁膜５のエツチ
ングバックの終点判断を、塗布絶縁膜５とアルミナ４と
の透過率の相違を利用することにより容易にかつ正確に
行うことができ、必要箇所以外における塗布絶縁膜５の
残りを防止できる。
ングバックの終点判断を、塗布絶縁膜５とアルミナ４と
の透過率の相違を利用することにより容易にかつ正確に
行うことができ、必要箇所以外における塗布絶縁膜５の
残りを防止できる。
第２図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の第２実施例を工程順
に示す断面図である。なお、第１図と同一部分には同一
符号を付しである。
に示す断面図である。なお、第１図と同一部分には同一
符号を付しである。
この実施例では、第２図（ａ）乃至（Ｃ）の工程は、第
１図（ａ）乃至（ｃ）の工程と同じである。
１図（ａ）乃至（ｃ）の工程と同じである。
その後、第２図（ｄ）のように、ここでは塗布絶縁膜５
のエツチングバックに際し、塗布絶縁膜５をエツチング
バックした後に、アルミナ４も続いてエツチングしてい
る。このとき、アルミナ４のエツチングレートを小さく
しておけば、アルミナ４の下のシリコン酸化膜２がエツ
チングされることが防ぐことができる。なお、実際には
顕微鏡で表面観察しながら塗布絶縁膜５をエツチングし
、更に表面観察を続けながらアルミナ４をエツチングす
ることになる。
のエツチングバックに際し、塗布絶縁膜５をエツチング
バックした後に、アルミナ４も続いてエツチングしてい
る。このとき、アルミナ４のエツチングレートを小さく
しておけば、アルミナ４の下のシリコン酸化膜２がエツ
チングされることが防ぐことができる。なお、実際には
顕微鏡で表面観察しながら塗布絶縁膜５をエツチングし
、更に表面観察を続けながらアルミナ４をエツチングす
ることになる。
この実施例によれば、アルミナ４の膜厚骨だけ第１実施
例よりも平坦化を向上させることができる。
例よりも平坦化を向上させることができる。
以上説明したように本発明は、塗布絶縁膜の塗布前に、
絶縁膜上に塗布絶縁膜と透過率の異なる膜を形成してい
るので、塗布絶縁膜のエツチングバックの際に、光学顕
微鏡により表面観察を行うことで塗布絶縁膜のエツチン
グバック終点を容易に判定でき、塗布絶縁膜のエツチン
グバックを好適に実現できる。これにより、平坦化され
かつ所要の厚さを確保した層間絶縁膜を再現性よく形成
することができる効果がある。
絶縁膜上に塗布絶縁膜と透過率の異なる膜を形成してい
るので、塗布絶縁膜のエツチングバックの際に、光学顕
微鏡により表面観察を行うことで塗布絶縁膜のエツチン
グバック終点を容易に判定でき、塗布絶縁膜のエツチン
グバックを好適に実現できる。これにより、平坦化され
かつ所要の厚さを確保した層間絶縁膜を再現性よく形成
することができる効果がある。
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の第１実施例を工程順
に示す縦断面図、第２図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の第
２実施例を工程順に示す縦断面図、第３図（ａ）乃至（
（ｆ）は従来の層間絶縁膜の製造方法を工程順に示す縦
断面図である。 １・・・シリコンウェハ、２・・・下層配線、３・・・
シリコン酸化膜、４・・・アルミナ、５・・・塗布絶縁
膜、６・・・第２シリコン酸化膜、７・・・スルーホー
ル。 第２ 図 第３
に示す縦断面図、第２図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の第
２実施例を工程順に示す縦断面図、第３図（ａ）乃至（
（ｆ）は従来の層間絶縁膜の製造方法を工程順に示す縦
断面図である。 １・・・シリコンウェハ、２・・・下層配線、３・・・
シリコン酸化膜、４・・・アルミナ、５・・・塗布絶縁
膜、６・・・第２シリコン酸化膜、７・・・スルーホー
ル。 第２ 図 第３
Claims (1)
- １、基板上に形成した下層配線を絶縁膜で被覆し、この
絶縁膜上に塗布絶縁膜を塗布した後に、この塗布絶縁膜
をエッチングバックすることにより絶縁膜表面の平坦化
を行う層間絶縁膜の製造方法において、前記塗布絶縁膜
の塗布前に、前記絶縁膜上に塗布絶縁膜と透過率の異な
る膜を形成し、表面を光学顕微鏡で観察しながら塗布絶
縁膜のエッチングバックを行うようにしたことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19921388A JPH0247853A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19921388A JPH0247853A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247853A true JPH0247853A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16404014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19921388A Pending JPH0247853A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247853A (ja) |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP19921388A patent/JPH0247853A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5071792A (en) | Process for forming extremely thin integrated circuit dice | |
| JPH0645327A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0669351A (ja) | 多層金属配線構造のコンタクトの製造方法 | |
| JPH0247853A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61187236A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0212827A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0590203A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03225922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07147225A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0334675B2 (ja) | ||
| JPH05109719A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61137345A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02180017A (ja) | 層間絶縁膜の平坦化方法 | |
| JPH0220141B2 (ja) | ||
| JPH06333818A (ja) | 半導体装置の製造方法及びこれに用いられる装置 | |
| JPH09172075A (ja) | 半導体装置の多層配線における層間接続孔の製造方法 | |
| JPH0334321A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5895839A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05235175A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH088341A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH038338A (ja) | 多層配線構造の製造方法 | |
| JPS61276324A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5893330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63265447A (ja) | 半導体装置の多層配線の製造方法 | |
| JPH05326504A (ja) | 半導体装置の製造方法 |