JPH0334615B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0334615B2 JPH0334615B2 JP18842082A JP18842082A JPH0334615B2 JP H0334615 B2 JPH0334615 B2 JP H0334615B2 JP 18842082 A JP18842082 A JP 18842082A JP 18842082 A JP18842082 A JP 18842082A JP H0334615 B2 JPH0334615 B2 JP H0334615B2
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- Japan
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- film
- composition
- substrate
- magnetic recording
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度記録性の優れた長尺の垂直磁気
記録媒体を、長手方向及び幅方向に一定組成で作
製するための製造方法に関する。
記録媒体を、長手方向及び幅方向に一定組成で作
製するための製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、
垂直磁気記録方式がある。この方式においては媒
体の膜面に略垂直方向が磁化容易軸である垂直磁
気記録媒体が必要となる。このような媒体に信号
を記録すると残留磁化は媒体の膜面に略垂直方向
を向き、従つて信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。垂直磁
気記録媒体は基板上に、CoとCrを主成分とし膜
面に略垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層（以
下この磁性層をCo−Cr垂直磁化膜と呼ぶ）を、
スパツタリング法あるいは真空蒸着法（イオンプ
レーテイング法のように蒸発原子の一部をイオン
化して蒸着する方法も含む）により形成したもの
である。スパツタリング法の真空蒸着法を比較す
ると、後者は前者に対して、２桁以上高い堆積速
度で、Co−Cr垂直磁化膜を作成することが可能
である。しかし、CoとCrの蒸気圧が大幅に異な
るために、真空蒸着法で長尺に一定組成のCo−
Cr垂直磁化膜を作製することは困難である。例
えばCoとCrを同一の蒸発源から蒸発させて、移
動しつつある長尺の基板上に連続的にCo−Cr膜
を蒸着すると、第１図に示すように蒸着初期にお
いてはCrを多く含んだCo−Cr膜が形成され、後
期にはCrをあまり含まないCo−Cr膜が形成され
る。Co−Cr垂直磁化膜において、膜の組成が異
なると磁気特性も変化するので、これは好ましい
ことではなく、何らかの解決手段が望まれてい
た。
垂直磁気記録方式がある。この方式においては媒
体の膜面に略垂直方向が磁化容易軸である垂直磁
気記録媒体が必要となる。このような媒体に信号
を記録すると残留磁化は媒体の膜面に略垂直方向
を向き、従つて信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。垂直磁
気記録媒体は基板上に、CoとCrを主成分とし膜
面に略垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層（以
下この磁性層をCo−Cr垂直磁化膜と呼ぶ）を、
スパツタリング法あるいは真空蒸着法（イオンプ
レーテイング法のように蒸発原子の一部をイオン
化して蒸着する方法も含む）により形成したもの
である。スパツタリング法の真空蒸着法を比較す
ると、後者は前者に対して、２桁以上高い堆積速
度で、Co−Cr垂直磁化膜を作成することが可能
である。しかし、CoとCrの蒸気圧が大幅に異な
るために、真空蒸着法で長尺に一定組成のCo−
Cr垂直磁化膜を作製することは困難である。例
えばCoとCrを同一の蒸発源から蒸発させて、移
動しつつある長尺の基板上に連続的にCo−Cr膜
を蒸着すると、第１図に示すように蒸着初期にお
いてはCrを多く含んだCo−Cr膜が形成され、後
期にはCrをあまり含まないCo−Cr膜が形成され
る。Co−Cr垂直磁化膜において、膜の組成が異
なると磁気特性も変化するので、これは好ましい
ことではなく、何らかの解決手段が望まれてい
た。
発明の目的
本発明はCoとCrを同一の蒸発源から蒸発させ
て、長手方向及び幅方向に一定組成の長尺のCo
−Cr垂直磁化膜を真空蒸発法により製造するた
めの方法を提供することを目的とする。
て、長手方向及び幅方向に一定組成の長尺のCo
−Cr垂直磁化膜を真空蒸発法により製造するた
めの方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は垂直磁気記録用のCo−Cr垂直磁化膜
を、真空蒸着法によりCoとCrを同一の蒸発源か
ら蒸発させて、移動しつつある基板上に連続的に
作製する際に、基板の幅方向の中心に対してほぼ
対称な位置に設けられた、複数本のCr供給路か
ら粒上Crを供給しつつ蒸着を行なうことを特徴
とする垂直磁気記録媒体の製造方法である。
を、真空蒸着法によりCoとCrを同一の蒸発源か
ら蒸発させて、移動しつつある基板上に連続的に
作製する際に、基板の幅方向の中心に対してほぼ
対称な位置に設けられた、複数本のCr供給路か
ら粒上Crを供給しつつ蒸着を行なうことを特徴
とする垂直磁気記録媒体の製造方法である。
本発明のかかる方法を用いることにより、長手
方向及び幅方向に一定組成の長尺のCo−Cr垂直
磁化膜を高速で作製することが可能である。
方向及び幅方向に一定組成の長尺のCo−Cr垂直
磁化膜を高速で作製することが可能である。
実施例の説明
第２図〜第７図を用いて本発明を説明する。真
空蒸着法においては、基板を円筒状キヤンの周側
面に沿わせて移動させつつ蒸着を行なうと、長尺
の垂直磁化膜を作製することが可能である。第２
図にこのような真空蒸着装置の概略を示す。図に
おいて、１は基板であり、円筒状キヤン２の周側
面に沿つて走行する。薄膜材料である。Co−Cr
合金７はるつぼ６の中に入つている。蒸発した
Co及びCr原子が移動しつつある基板１に付着し、
Co−Cr垂直磁化膜が形成される。３，４は基板
１を巻くロールである。５は不要な原子が基板に
付着するのを防ぐためのマスクである。８は粒状
Cr１０を供給するための装置であり、粒状Cr１
０は供給路９に添つてるつぼ６の中に入る。第２
図に示すような真空蒸着装置で、Crの供給を行
なわずにCo−Cr垂直磁化膜を作製すると、膜中
の組成は第１図に示したように、時間とともに、
Crが少なくなつてしまい、一定組成の長尺のCo
−Cr垂直磁化膜を作製することは不可能である。
以上に対し、Cr供給装置８により粒状Crの量を
制御してるつぼ６中に供給しつつ膜を作成する
と、長尺にわたり組成一定のCo−Cr垂直磁化膜
が得られる。第３図に粒状Crを供給しつつ蒸着
を行なつた場合の、膜組成の蒸着時間依存性を示
す。この図より、時間が経過しても、第１図のよ
うな組成変動はなく、組成がほぼ一定になつてい
ることがわかる。すなわち、粒状Crを量を制御
して供給しつつCo−Cr膜を蒸着することにより、
長手方向に組成の変化がない。Co−Cr垂直磁化
膜が得られる。しかし、粒状Crの供給路が１本
の場合には、幅方向に組成が変化することが実験
の結果明らかになつた。第４図はるつぼ６及び
Cr供給装置８を上方から見た図であり、長尺基
板の方向及び幅方向は図中に示してある。第４図
は１本のCr供給路からCrをるつぼの中に供給す
る場合の図であり、このような装置でCo−Cr膜
を蒸着すると組成が第５図に示すように幅方向に
変化してしまう。なお図中のｌはるつぼ中のCo
−Cr合金インゴツトの幅である。
空蒸着法においては、基板を円筒状キヤンの周側
面に沿わせて移動させつつ蒸着を行なうと、長尺
の垂直磁化膜を作製することが可能である。第２
図にこのような真空蒸着装置の概略を示す。図に
おいて、１は基板であり、円筒状キヤン２の周側
面に沿つて走行する。薄膜材料である。Co−Cr
合金７はるつぼ６の中に入つている。蒸発した
Co及びCr原子が移動しつつある基板１に付着し、
Co−Cr垂直磁化膜が形成される。３，４は基板
１を巻くロールである。５は不要な原子が基板に
付着するのを防ぐためのマスクである。８は粒状
Cr１０を供給するための装置であり、粒状Cr１
０は供給路９に添つてるつぼ６の中に入る。第２
図に示すような真空蒸着装置で、Crの供給を行
なわずにCo−Cr垂直磁化膜を作製すると、膜中
の組成は第１図に示したように、時間とともに、
Crが少なくなつてしまい、一定組成の長尺のCo
−Cr垂直磁化膜を作製することは不可能である。
以上に対し、Cr供給装置８により粒状Crの量を
制御してるつぼ６中に供給しつつ膜を作成する
と、長尺にわたり組成一定のCo−Cr垂直磁化膜
が得られる。第３図に粒状Crを供給しつつ蒸着
を行なつた場合の、膜組成の蒸着時間依存性を示
す。この図より、時間が経過しても、第１図のよ
うな組成変動はなく、組成がほぼ一定になつてい
ることがわかる。すなわち、粒状Crを量を制御
して供給しつつCo−Cr膜を蒸着することにより、
長手方向に組成の変化がない。Co−Cr垂直磁化
膜が得られる。しかし、粒状Crの供給路が１本
の場合には、幅方向に組成が変化することが実験
の結果明らかになつた。第４図はるつぼ６及び
Cr供給装置８を上方から見た図であり、長尺基
板の方向及び幅方向は図中に示してある。第４図
は１本のCr供給路からCrをるつぼの中に供給す
る場合の図であり、このような装置でCo−Cr膜
を蒸着すると組成が第５図に示すように幅方向に
変化してしまう。なお図中のｌはるつぼ中のCo
−Cr合金インゴツトの幅である。
以上のような組成変化の問題は、Cr供給路を
幅方向の中心に対してほぼ対称な位置に複数本設
けることにより解決できることが実験の結果明ら
かになつた。第６図にこのようなCr供給装置の
１例を示す。この例のCr供給装置は３本のCr供
給路を有する。第７図はこのような装置でCrを
供給しつつ蒸着を行なつた場合に得られた、Co
−Cr膜の幅方向の組成変化を示す。第７図から
幅方向の組成変動は大幅に小さくなつており、実
用可能な範囲内に入つていることがわかる。
幅方向の中心に対してほぼ対称な位置に複数本設
けることにより解決できることが実験の結果明ら
かになつた。第６図にこのようなCr供給装置の
１例を示す。この例のCr供給装置は３本のCr供
給路を有する。第７図はこのような装置でCrを
供給しつつ蒸着を行なつた場合に得られた、Co
−Cr膜の幅方向の組成変化を示す。第７図から
幅方向の組成変動は大幅に小さくなつており、実
用可能な範囲内に入つていることがわかる。
なお、Cr供給路の数が多い程、幅方向の変動
が少なくなるが、装置は複雑になる。50cm程度ほ
幅の基板に蒸着を行なう場合には、Cr供給路は
３本あれば充分である。
が少なくなるが、装置は複雑になる。50cm程度ほ
幅の基板に蒸着を行なう場合には、Cr供給路は
３本あれば充分である。
次に第２図の真空蒸着装置を用いて、幅50cmの
高分子材料より成る基板に、実際に粒状Crを供
給しつつCo−Cr膜を蒸着した場合の例について
述べる。Cr供給路は幅方向に中心に対してほぼ
対称な位置に３本配置した。なお、Cr供給路間
の距離を18cmとした。また蒸発源としては電子ビ
ーム蒸発源を用いた。このような装置で、基板の
移動速度50ｍ／分として膜厚1000〓のCo−Cr垂
直磁化膜を1000ｍ作成した。出来たCo−Cr垂直
磁化膜の組成は長手方向及び幅方向に、Crが24
±0.5重量％となつており、長尺にわたり安定し
充分実用可能な膜が得られた。
高分子材料より成る基板に、実際に粒状Crを供
給しつつCo−Cr膜を蒸着した場合の例について
述べる。Cr供給路は幅方向に中心に対してほぼ
対称な位置に３本配置した。なお、Cr供給路間
の距離を18cmとした。また蒸発源としては電子ビ
ーム蒸発源を用いた。このような装置で、基板の
移動速度50ｍ／分として膜厚1000〓のCo−Cr垂
直磁化膜を1000ｍ作成した。出来たCo−Cr垂直
磁化膜の組成は長手方向及び幅方向に、Crが24
±0.5重量％となつており、長尺にわたり安定し
充分実用可能な膜が得られた。
発明の効果
本発明の製造方法を用いることにより、長手方
向及び幅方向に組成の一定の長尺のCo−Cr垂直
磁気記録媒体を、真空蒸着法により高速で生産出
来る。
向及び幅方向に組成の一定の長尺のCo−Cr垂直
磁気記録媒体を、真空蒸着法により高速で生産出
来る。
第１図は従来の製造方法により長尺のCo−Cr
膜を作製した場合の、蒸着時間と膜の組成との関
係を示す図、第２図は連続真空蒸着装置の内部の
概略を示す図、第３図は粒状Crを供給しつつCo
−Cr膜を蒸着した場合の、蒸着時間と膜の組成
との関係を示す図、第４図はCr供給路が１本の
場合のCr供給装置を示す図、第５図は１本のCr
供給路から粒状Crを供給しつつCo−Cr膜を蒸着
した場合の、基板の幅方向における膜の組成分布
を示す図、第６図はCr供給路が３本の場合のCr
供給装置を示す図、第７図は幅方向の中心に対し
てほぼ対称な位置に配置された３本のCr供給路
から、粒状Crを供給しつつCo−Cr膜を蒸着した
場合の、基板の幅方向における膜の組成分布を示
す図である。 ６……るつぼ、７……Co−Cr合金、８……Cr
供給装置、９……Cr供給路、１０……粒状Cr。
膜を作製した場合の、蒸着時間と膜の組成との関
係を示す図、第２図は連続真空蒸着装置の内部の
概略を示す図、第３図は粒状Crを供給しつつCo
−Cr膜を蒸着した場合の、蒸着時間と膜の組成
との関係を示す図、第４図はCr供給路が１本の
場合のCr供給装置を示す図、第５図は１本のCr
供給路から粒状Crを供給しつつCo−Cr膜を蒸着
した場合の、基板の幅方向における膜の組成分布
を示す図、第６図はCr供給路が３本の場合のCr
供給装置を示す図、第７図は幅方向の中心に対し
てほぼ対称な位置に配置された３本のCr供給路
から、粒状Crを供給しつつCo−Cr膜を蒸着した
場合の、基板の幅方向における膜の組成分布を示
す図である。 ６……るつぼ、７……Co−Cr合金、８……Cr
供給装置、９……Cr供給路、１０……粒状Cr。
Claims (1)
- １ 垂直磁気記録用のCo−Cr垂直磁化膜を、真
空蒸着法によりCoとCrを同一の蒸発源から蒸発
させて、移動しつつある基板上に連続的に作成す
る際に、基板の幅方向の中心に対してほぼ対称な
位置に設けられた複数のCr供給路から粒状Crを
供給しつつ蒸着を行なうことを特徴とする垂直磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188420A JPS5977632A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188420A JPS5977632A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5977632A JPS5977632A (ja) | 1984-05-04 |
| JPH0334615B2 true JPH0334615B2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=16223347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57188420A Granted JPS5977632A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5977632A (ja) |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP57188420A patent/JPS5977632A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5977632A (ja) | 1984-05-04 |
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