JPH0630134B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0630134B2 JPH0630134B2 JP59129156A JP12915684A JPH0630134B2 JP H0630134 B2 JPH0630134 B2 JP H0630134B2 JP 59129156 A JP59129156 A JP 59129156A JP 12915684 A JP12915684 A JP 12915684A JP H0630134 B2 JPH0630134 B2 JP H0630134B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は短波長記録に適した強磁性薄膜を磁気記録層と
する磁気記録媒体に関するものである。
する磁気記録媒体に関するものである。
（従来例の構成とその問題点） 近年、短波長記録特性の優れた媒体として、基板の垂直
方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を磁気記録層とし
た磁気記録媒体が注目されている。
方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を磁気記録層とし
た磁気記録媒体が注目されている。
現在最も有望視されている垂直磁化膜としては、CoとCr
の合金をスパッタリング技術により基板上に0.1μｍか
ら0.3μｍ程度の厚みの薄膜として形成したものが知ら
れている。
の合金をスパッタリング技術により基板上に0.1μｍか
ら0.3μｍ程度の厚みの薄膜として形成したものが知ら
れている。
しかし周知のように、スパッタリング技術による薄膜形
成速度は極めて小さく、磁気テープとして用いようとす
ると、薄膜形成速度の大きい真空蒸着技術によることが
生産面からみると好ましい。しかし現状では、CoとCrは
蒸気圧曲線が大きく異なるため、単一の蒸発源を用いて
Co-Cr合金組成比を一定に保持して長尺の媒体を得るこ
とができないので、CoとCrの別々の蒸発源を配して蒸着
しているためと、膜形成速度を大きくとっているため
に、六方稠密構造の結晶の主軸であるＣ軸が基板面に垂
直に配向する度合いの目安であるＸ線回折像から調べた
(002)面のロッキング曲線の半値幅のΔθSOが、スパッ
タリング技術により形成したCo-Cr膜の値の倍以上と大
きな値になり、デイジタル記録を実際に短波長域で行う
と十分な信号対雑音比（以下S/Nで表す。）が得られ
ず、狭トラック化、短波長化による記録密度の向上は満
足し得ないのが現状である。
成速度は極めて小さく、磁気テープとして用いようとす
ると、薄膜形成速度の大きい真空蒸着技術によることが
生産面からみると好ましい。しかし現状では、CoとCrは
蒸気圧曲線が大きく異なるため、単一の蒸発源を用いて
Co-Cr合金組成比を一定に保持して長尺の媒体を得るこ
とができないので、CoとCrの別々の蒸発源を配して蒸着
しているためと、膜形成速度を大きくとっているため
に、六方稠密構造の結晶の主軸であるＣ軸が基板面に垂
直に配向する度合いの目安であるＸ線回折像から調べた
(002)面のロッキング曲線の半値幅のΔθSOが、スパッ
タリング技術により形成したCo-Cr膜の値の倍以上と大
きな値になり、デイジタル記録を実際に短波長域で行う
と十分な信号対雑音比（以下S/Nで表す。）が得られ
ず、狭トラック化、短波長化による記録密度の向上は満
足し得ないのが現状である。
（発明の目的） 本発明は十分なS/Nの得られる垂直記録用の磁気記録媒
体を提供することを目的とするものである。
体を提供することを目的とするものである。
（発明の構成） 本発明の磁気記録媒体は、Co系合金のバルクの比重に対
する薄膜の比重の割合で定義される原子の充てん率が、
0.6以下の部分酸化されたCo系合金垂直磁化膜からなる
磁気記録層を特徴とし、100 KBPIでも十分なS/Nを確保
できるものである。
する薄膜の比重の割合で定義される原子の充てん率が、
0.6以下の部分酸化されたCo系合金垂直磁化膜からなる
磁気記録層を特徴とし、100 KBPIでも十分なS/Nを確保
できるものである。
（実施例の説明） 以下図面を参照しながら本発明を説明する。
第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図であり、１
は高分子基板、２は垂直磁化膜、３は保護膜である。
は高分子基板、２は垂直磁化膜、３は保護膜である。
第２図は本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置
の要部構成図であり、４は円筒状キャン、５は蒸発源容
器、６は蒸着材料、７は基板、８は送り出し軸、９は巻
取り軸、10はマスク、11はスリット、12,13はガス導入
ノズル、14,15はガス導入調節弁、16は真空容器、17は
排気系である。
の要部構成図であり、４は円筒状キャン、５は蒸発源容
器、６は蒸着材料、７は基板、８は送り出し軸、９は巻
取り軸、10はマスク、11はスリット、12,13はガス導入
ノズル、14,15はガス導入調節弁、16は真空容器、17は
排気系である。
本発明に用いられる高分子基板は、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリ
オレフイン類、セルローストリアセテート、ニトロセル
ロース等のセルロース誘導体、ポリアミド、ポリアミド
イミド、ポリパラバニック酸、ポリイミド等が挙げられ
る。
タレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリ
オレフイン類、セルローストリアセテート、ニトロセル
ロース等のセルロース誘導体、ポリアミド、ポリアミド
イミド、ポリパラバニック酸、ポリイミド等が挙げられ
る。
本発明に用いる磁気記録層は、原子の充てん率が0.6以
下の部分酸化されたCo系合金垂直磁化膜で、Co-0,Co-Ni
-0,Co-Ti-0,Co-Cr-0,Co-Mo-0,Co-W-0,Co-Ru-0,Co-Rh-0
等であり、ここで原子の充てん率は、厚さを測定し、酸
素以外の原子で構成されたバルクの金属又は合金の比重
を適用し、その重量に対する実際の薄膜の重量の比率で
定義する。
下の部分酸化されたCo系合金垂直磁化膜で、Co-0,Co-Ni
-0,Co-Ti-0,Co-Cr-0,Co-Mo-0,Co-W-0,Co-Ru-0,Co-Rh-0
等であり、ここで原子の充てん率は、厚さを測定し、酸
素以外の原子で構成されたバルクの金属又は合金の比重
を適用し、その重量に対する実際の薄膜の重量の比率で
定義する。
本発明の磁気記録層は、Co-Cr蒸着膜に比してΔθSOが
必ずしも大幅に改良されてはいないが、十分なS/Nを確
保できるのは雑音が改良されていることによるもので、
従来の垂直磁化膜は、原子の充てん率が本発明の定義に
よれば、0.8近い値かそれ以上であったため、粒子間の
磁気的分離が完全に行われなかったため、磁気的に不均
一性が微視的に無視できなかったのに対し、本発明品で
は原子の充てん率が抑制されているので、磁気的分離が
極めて良好なためと判断される。
必ずしも大幅に改良されてはいないが、十分なS/Nを確
保できるのは雑音が改良されていることによるもので、
従来の垂直磁化膜は、原子の充てん率が本発明の定義に
よれば、0.8近い値かそれ以上であったため、粒子間の
磁気的分離が完全に行われなかったため、磁気的に不均
一性が微視的に無視できなかったのに対し、本発明品で
は原子の充てん率が抑制されているので、磁気的分離が
極めて良好なためと判断される。
尚、0.6の値の臨界的意義は、100ＫＢＰＩ（キロビット
パーインチで、線記録密度を表わす。）のS/Nを機器の
設計側からみて40dB必要であるとの判断からきているも
ので、記録密度が低くなれば0.6より大きくても良い傾
向をもつものである。
パーインチで、線記録密度を表わす。）のS/Nを機器の
設計側からみて40dB必要であるとの判断からきているも
ので、記録密度が低くなれば0.6より大きくても良い傾
向をもつものである。
原子の充てん率の調整は、第２図の装置で、ノズルから
導入するガスを酸素と、アルゴン又は酸素と（アルゴン
＋水素）等に組み合わせ、膜形成後、真空中で加熱する
ことで行うことができる。
導入するガスを酸素と、アルゴン又は酸素と（アルゴン
＋水素）等に組み合わせ、膜形成後、真空中で加熱する
ことで行うことができる。
この調整は、我々の実験では蒸着の開始側から酸素を導
入する方が行い易かったが、その理由は明らかでない。
入する方が行い易かったが、その理由は明らかでない。
保護層は適宜必要に応じて設けられる。軟磁性層につい
ても同様である。
ても同様である。
以下、さらに具体的に本発明の一実施例を説明する。
第２図の蒸着装置で円筒状キャン４の直径を50cmとし、
蒸発源との距離は25cm、マスク10のスリット11の幅は７
cmとし、蒸発源の加熱は電子ビームで行った。
蒸発源との距離は25cm、マスク10のスリット11の幅は７
cmとし、蒸発源の加熱は電子ビームで行った。
高分子基板として、厚み15μｍのポリイミドを用い、円
筒状キャン４の表面温度は150℃一定とし、蒸着後の真
空加熱は、180℃から250℃の範囲で調節し、時間は20分
一定とした。
筒状キャン４の表面温度は150℃一定とし、蒸着後の真
空加熱は、180℃から250℃の範囲で調節し、時間は20分
一定とした。
得られた磁気テープのS/Nを100ＫＢＰＩと150ＫＢＰＩ
で比較した。
で比較した。
比較例はCo-Cr蒸着膜とCo-O膜（原子の充てん率0.68）
とである。尚、磁気記録層の厚みは0.17μｍ一定とし
た。
とである。尚、磁気記録層の厚みは0.17μｍ一定とし
た。
次表において、テープＮｏ．１はノズル13から酸素を0.
5／min、テープＮｏ．２はノズル13から酸素を0.4
／min，ノズル12からＡｒを0.13／min、テープＮｏ．
３はノズル13から酸素を0.35／min，ノズル12からＡ
ｒを0.07／min、テープＮｏ．４はノズル13から酸素
を0.3／min、テープＮｏ．５はノズル13から酸素を0.
15／min，ノズル12からＡｒを0.05／min、テープＮ
ｏ．７はノズル13から酸素を0.15／minそれぞれ導入
し、テープＮｏ．６は酸素もＡｒも導入せずに蒸着した
もので、蒸着後の真空加熱温度は、テープＮｏ．１〜Ｎ
ｏ．７について、それぞれ200℃，220℃，180℃，250
℃，230℃，240℃，220℃，とした。
5／min、テープＮｏ．２はノズル13から酸素を0.4
／min，ノズル12からＡｒを0.13／min、テープＮｏ．
３はノズル13から酸素を0.35／min，ノズル12からＡ
ｒを0.07／min、テープＮｏ．４はノズル13から酸素
を0.3／min、テープＮｏ．５はノズル13から酸素を0.
15／min，ノズル12からＡｒを0.05／min、テープＮ
ｏ．７はノズル13から酸素を0.15／minそれぞれ導入
し、テープＮｏ．６は酸素もＡｒも導入せずに蒸着した
もので、蒸着後の真空加熱温度は、テープＮｏ．１〜Ｎ
ｏ．７について、それぞれ200℃，220℃，180℃，250
℃，230℃，240℃，220℃，とした。
本発明の磁気記録媒体は、上表より明らかなように、高
密度記録でのS/Nが優れており、かつ、蒸着法により得
られるものであるから、生産性にも優れており、高密度
記録用の磁気テープとして期待が大きいものであるが、
他に磁気ディスク、磁気シートの形態でも本発明の効果
は勿論発揮されるし、他の材料の組み合わせでも類似の
効果を確認した。
密度記録でのS/Nが優れており、かつ、蒸着法により得
られるものであるから、生産性にも優れており、高密度
記録用の磁気テープとして期待が大きいものであるが、
他に磁気ディスク、磁気シートの形態でも本発明の効果
は勿論発揮されるし、他の材料の組み合わせでも類似の
効果を確認した。
（本発明の効果） 以上説明したように、本発明の磁気記録媒体は、原子の
充てん率を制御することにより、Co系合金部分酸化垂直
磁化膜を用いても、優れたS/Nで高密度記録再生を行う
ことができるものでその実用的効果は大きい。
充てん率を制御することにより、Co系合金部分酸化垂直
磁化膜を用いても、優れたS/Nで高密度記録再生を行う
ことができるものでその実用的効果は大きい。
第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図、第２図は
本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置の要部構
成図である。 １……高分子基板、２……垂直磁化膜。
本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置の要部構
成図である。 １……高分子基板、２……垂直磁化膜。
Claims (1)
- 【請求項１】Co系合金のバルクの比重に対する薄膜の比
重の割合で定義される原子の充てん率が0.6以下の部分
酸化されたCo系合金垂直酸化膜を磁気記録層としたこと
を特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129156A JPH0630134B2 (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129156A JPH0630134B2 (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619823A JPS619823A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0630134B2 true JPH0630134B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=15002523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59129156A Expired - Lifetime JPH0630134B2 (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630134B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0753288A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-02-28 | Daihatsu Diesel Mfg Co Ltd | 生ごみ処理容器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57105414U (ja) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | ||
| JPS58119612U (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-15 | フジタ特殊ナツト工業株式会社 | ナツト |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP59129156A patent/JPH0630134B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0753288A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-02-28 | Daihatsu Diesel Mfg Co Ltd | 生ごみ処理容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS619823A (ja) | 1986-01-17 |
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