JPS5814326A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5814326A JPS5814326A JP56111852A JP11185281A JPS5814326A JP S5814326 A JPS5814326 A JP S5814326A JP 56111852 A JP56111852 A JP 56111852A JP 11185281 A JP11185281 A JP 11185281A JP S5814326 A JPS5814326 A JP S5814326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- magnetic layer
- recording medium
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このよ
うな媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂
直方向を向き、従りて信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このよ
うな媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂
直方向を向き、従りて信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は非磁性基板上に直接
に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、ＣＯ
とＣｒを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する磁性
層をスパッタリング法により形成したものである。Ｃｏ
とＯｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約３０
重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であシ、そ
のＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向させることかで９
き、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも大きくな
るまで飽和磁化を低下させることが可能なので垂直磁化
膜を実現できる。
に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、ＣＯ
とＣｒを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する磁性
層をスパッタリング法により形成したものである。Ｃｏ
とＯｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約３０
重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であシ、そ
のＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向させることかで９
き、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よりも大きくな
るまで飽和磁化を低下させることが可能なので垂直磁化
膜を実現できる。
ところでかかる垂直磁化膜を形成する場合、スパッタリ
ング法は磁性薄膜の形成速度が遅いので低コストで垂直
磁化膜を生産することが困難である。スパッタリング法
に対し、真空蒸着法（イオンブレーティング法のように
蒸発原子の一部をイオン化する方法も含む）によれば、
数１０００λ／秒という速い形成速度で例えばＣｏ−Ｃ
ｒの垂直磁化膜が得られることが本発明者によシ見出さ
れた。
ング法は磁性薄膜の形成速度が遅いので低コストで垂直
磁化膜を生産することが困難である。スパッタリング法
に対し、真空蒸着法（イオンブレーティング法のように
蒸発原子の一部をイオン化する方法も含む）によれば、
数１０００λ／秒という速い形成速度で例えばＣｏ−Ｃ
ｒの垂直磁化膜が得られることが本発明者によシ見出さ
れた。
真空蒸着法においては基板を円筒状キャンの周側面に沿
って移動させつつ、薄膜の形成を行なうとテープ状の垂
直記録媒体が非常に生産性良く得られる。ここで蒸着法
により垂直磁化膜を形成する方法を第１図を用い説明す
る。
って移動させつつ、薄膜の形成を行なうとテープ状の垂
直記録媒体が非常に生産性良く得られる。ここで蒸着法
により垂直磁化膜を形成する方法を第１図を用い説明す
る。
図にか―−示すように高分子材料よシ成る基板１は円筒
状キャン２に沿って矢印Ａの向きに走行する。蒸発源６
と円筒状キャン２との間にはマスク６が配置されており
、蒸発原子はスリットＳを通って基板１に付着する。３
，４はそれぞれ基板１の供給ロールと巻取りロールであ
る。
状キャン２に沿って矢印Ａの向きに走行する。蒸発源６
と円筒状キャン２との間にはマスク６が配置されており
、蒸発原子はスリットＳを通って基板１に付着する。３
，４はそれぞれ基板１の供給ロールと巻取りロールであ
る。
例えばＣｏ−Ｃｒ蒸着膜が垂直磁化膜になるためには、
稠密六方構造のＣ軸が膜面に垂直方向に配向することが
必要であり、そのためにはスリットＳの幅を狭くし、蒸
発原子中の垂直入射に近い成分のみが基板１に付着する
ようにしなければならない。しかしスリン）Ｓの幅を狭
くすると蒸発原子の付着効率Ｖが小さくなってしまう。
稠密六方構造のＣ軸が膜面に垂直方向に配向することが
必要であり、そのためにはスリットＳの幅を狭くし、蒸
発原子中の垂直入射に近い成分のみが基板１に付着する
ようにしなければならない。しかしスリン）Ｓの幅を狭
くすると蒸発原子の付着効率Ｖが小さくなってしまう。
ただし、ηは
基板に付着した原子数
で定義される。
本発明はＣ軸の配向性を劣化させずに付着効率ηを大き
くする垂直磁化膜の製造方法を提供するものである。
くする垂直磁化膜の製造方法を提供するものである。
以下に図面を用い本発明を説明する。
第１図において、ψ１は膜形成初期における蒸発原子の
入射角（膜の法線方向と蒸発原子の基板への入射方向と
のなす鋭角を入射角と呼ぶ）、ψ２は膜形成後期におけ
る蒸発原子の入射角を示す。
入射角（膜の法線方向と蒸発原子の基板への入射方向と
のなす鋭角を入射角と呼ぶ）、ψ２は膜形成後期におけ
る蒸発原子の入射角を示す。
スリットの幅を狭くすることによりψ 及びψ２を小さ
くするとＣ軸の配向性は良くなるが、付着効率ダは小さ
くなる。第２図はψ、＝ψ２ミψとした場合の、Ｇｏ−
Ｃｒ蒸着膜のψとＣ軸の配向性及び付着率ηとの関係を
示す図である。ただしＣ軸の配向性は（００２）面に関
するロッキングカーブの半値幅Δθ６゜で表現している
。Δθ６゜が小さい程Ｃ軸の配向性が良く、Δθ５゜が
約１００以下ならＧｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁化膜になシ
得るが、そ６、− 。
くするとＣ軸の配向性は良くなるが、付着効率ダは小さ
くなる。第２図はψ、＝ψ２ミψとした場合の、Ｇｏ−
Ｃｒ蒸着膜のψとＣ軸の配向性及び付着率ηとの関係を
示す図である。ただしＣ軸の配向性は（００２）面に関
するロッキングカーブの半値幅Δθ６゜で表現している
。Δθ６゜が小さい程Ｃ軸の配向性が良く、Δθ５゜が
約１００以下ならＧｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁化膜になシ
得るが、そ６、− 。
れ以上だと垂直磁化膜にならずに面内方向が磁化容易軸
になってしまう。第２図の曲線７，８はそれぞれΔθ６
゜と９との関係及びηとψとの関係を示す。この図より
ψ°が１３°以下の場合にはΔθ６゜は１０°以下であ
り、Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁化膜になるが、ψが１３
°以上では垂直磁化膜にならない。従ってψ１＝ψ２と
した場合にはこの実験に使用した真空蒸着装置で垂直磁
化膜を作成する際の付着効率ηの最大値は第′２図より
約０．３となる。
になってしまう。第２図の曲線７，８はそれぞれΔθ６
゜と９との関係及びηとψとの関係を示す。この図より
ψ°が１３°以下の場合にはΔθ６゜は１０°以下であ
り、Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜は垂直磁化膜になるが、ψが１３
°以上では垂直磁化膜にならない。従ってψ１＝ψ２と
した場合にはこの実験に使用した真空蒸着装置で垂直磁
化膜を作成する際の付着効率ηの最大値は第′２図より
約０．３となる。
なお膜の組成はＣｏ８０ｗｔ％、Ｃｒ２０ｗｔ ％であ
る。これに対し、ψ、を１０″、一定として、ψ２を変
化させた場合のΔθ５゜及び号を第３図に示す。
る。これに対し、ψ、を１０″、一定として、ψ２を変
化させた場合のΔθ５゜及び号を第３図に示す。
曲線９，１０はそれぞれΔθ６ｏとψ２との関係及びη
とψ２との関係を示す。この場合には第２図の場合と異
なり、ψ２が３°−３６°の範囲で変化してもΔθ６゜
は殆ど変わらない。一方ψ２を大きくするとηは大きく
なり、例えばψ２＝３０ＯＫ設定するとηはＯ，Ｓであ
り、かつ垂直磁化膜となっている。膜の組成は第２図の
場合と同じ（Ｃｒ２０ｗｔチ、Ｃｒ２０ｗｔチであるら
ψ１が１３°以下の場合、すなわち第３図においてΔθ
６ｏが１０°以下になるようなψ１の場合には、上記と
同様にψ２を３°〜３６°の範囲で変化させてもΔθ６
゜は殆ど変化せずＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られる。一
方ψ２を１０゜一定として、ψ、を変化させた場合の第
２図と同じ組成の膜のΔ０６゜及びηを第４図に示す。
とψ２との関係を示す。この場合には第２図の場合と異
なり、ψ２が３°−３６°の範囲で変化してもΔθ６゜
は殆ど変わらない。一方ψ２を大きくするとηは大きく
なり、例えばψ２＝３０ＯＫ設定するとηはＯ，Ｓであ
り、かつ垂直磁化膜となっている。膜の組成は第２図の
場合と同じ（Ｃｒ２０ｗｔチ、Ｃｒ２０ｗｔチであるら
ψ１が１３°以下の場合、すなわち第３図においてΔθ
６ｏが１０°以下になるようなψ１の場合には、上記と
同様にψ２を３°〜３６°の範囲で変化させてもΔθ６
゜は殆ど変化せずＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られる。一
方ψ２を１０゜一定として、ψ、を変化させた場合の第
２図と同じ組成の膜のΔ０６゜及びηを第４図に示す。
曲線１１．１２はそれぞれΔθ６ｏとψ、との関係及び
Ｖとψ、との関係を示す。この場合のΔθ６゜とψ１と
の関係は第２図の場合と同様にψ、を大きくすると４０
６゜も大きくなってしまうために高い付着効率でＣｏ−
０ｒ垂直磁化膜を得ることは困難である。従ってψ１を
第２図においてΔθ６゜が１０°以下になるような角度
に設定しくただし、この角度は蒸着装置や蒸着条件によ
って変化する）、ψ２をψ１ よりも大なるように設定
することにょシ、高い付着効率でＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜
が得られる。
Ｖとψ、との関係を示す。この場合のΔθ６゜とψ１と
の関係は第２図の場合と同様にψ、を大きくすると４０
６゜も大きくなってしまうために高い付着効率でＣｏ−
０ｒ垂直磁化膜を得ることは困難である。従ってψ１を
第２図においてΔθ６゜が１０°以下になるような角度
に設定しくただし、この角度は蒸着装置や蒸着条件によ
って変化する）、ψ２をψ１ よりも大なるように設定
することにょシ、高い付着効率でＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜
が得られる。
以上のように本発明の方法によればＣ軸の配向性を、劣
化させずに付着効率を高めることが可能である。
化させずに付着効率を高めることが可能である。
以上では基板を円筒状キャンの周側面に沿って７ −
移動させつつ薄膜の形成を行なう場合について述べたが
、第６図に示す様に基板１を平板１３に沿って移動させ
つつ薄膜の形成を行なう場合についても同様のことが言
える。すなわちこの場合もψ。
、第６図に示す様に基板１を平板１３に沿って移動させ
つつ薄膜の形成を行なう場合についても同様のことが言
える。すなわちこの場合もψ。
よりもψ２を大にすることにより高い付着効率で垂直磁
化膜を得ることができる。
化膜を得ることができる。
これまでの効果を更に大きくするためにとられるもうひ
とつの条件は、蒸発原子を加速電子の利用により得るこ
とと、そのいわゆる電子ビーム（第１図のＢ）の加速方
向が、基板の移動方向Ａと、対向するよう（第１図に示
した関係）な条件を選ぶことである。更に好ましくは、
蒸発源容器のプールの断面形状をψ、〉ψ２にすること
である。
とつの条件は、蒸発原子を加速電子の利用により得るこ
とと、そのいわゆる電子ビーム（第１図のＢ）の加速方
向が、基板の移動方向Ａと、対向するよう（第１図に示
した関係）な条件を選ぶことである。更に好ましくは、
蒸発源容器のプールの断面形状をψ、〉ψ２にすること
である。
これにより、おそらく蒸発原子の蒸気分布に指向性が現
れるためと見られる効果が付加される゛。その−例を第
６図に示した。
れるためと見られる効果が付加される゛。その−例を第
６図に示した。
即ち、第３図と同じ条件で比較した時、付着効率ηが極
めて大きくとれるものである。したがっなお垂直磁化膜
はＣｏ−Ｃｒ膜膜外外、Ｃ６−Ｖ。
めて大きくとれるものである。したがっなお垂直磁化膜
はＣｏ−Ｃｒ膜膜外外、Ｃ６−Ｖ。
Ｃｏ−Ｍｏ 、Ｇｏ−Ｗ、バリウムフェライト膜等にお
いても得られるが、本発明の方法はいずれの膜に対ｔて
も有効である。
いても得られるが、本発明の方法はいずれの膜に対ｔて
も有効である。
又本発萌により両面ディスクを作ることも可能で媒体の
形態、構成について限定を受けるものではない。
形態、構成について限定を受けるものではない。
以上のように本発明によれば真空蒸着法により高い付着
効率で垂直磁化膜を得ることができる。
効率で垂直磁化膜を得ることができる。
第１図は本発明による磁気記録媒体の製造方法において
基板を円筒状キャンの周側面に沿って移動させつつ磁性
薄膜の形成を行なう場合を示す図、第２図、第３図、第
４図および第６図はそれぞれ同じく本発明による磁気記
録媒体の製造方法における蒸発原子の入射角と、磁性薄
膜の配向性および付着効率との関係を示す図、第６図は
同じ、〈本発明による磁気記録媒体の製造方法において
基板を平板に沿って移動させつつ磁性薄膜の形成を行−
Ｉｋ唱う場合を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、５
・・・・・・マスク、６・・・・・蒸発源、１３・・・
・・・平板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図 ｔ／慎） 第３図 Ｌｐｌ、＜度）
基板を円筒状キャンの周側面に沿って移動させつつ磁性
薄膜の形成を行なう場合を示す図、第２図、第３図、第
４図および第６図はそれぞれ同じく本発明による磁気記
録媒体の製造方法における蒸発原子の入射角と、磁性薄
膜の配向性および付着効率との関係を示す図、第６図は
同じ、〈本発明による磁気記録媒体の製造方法において
基板を平板に沿って移動させつつ磁性薄膜の形成を行−
Ｉｋ唱う場合を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、５
・・・・・・マスク、６・・・・・蒸発源、１３・・・
・・・平板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図 ｔ／慎） 第３図 Ｌｐｌ、＜度）
Claims (1)
- 磁化容易軸が膜面に垂直方向にある磁性層を、移動しつ
つある基板上に真空蒸着法によ多形成する際に、磁性層
形成初期における蒸発原子の入射角が磁性層形成後期に
おける入射角よりも小なるようにし、かつ、蒸発原子を
得るためのエネルギー源として加速電子を用い、上記電
子の加速方向と上記基板の移動方向が対向するようにす
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11185281A JPH0239019B2 (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | Jikikirokubaitainoseizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11185281A JPH0239019B2 (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | Jikikirokubaitainoseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814326A true JPS5814326A (ja) | 1983-01-27 |
| JPH0239019B2 JPH0239019B2 (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=14571769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11185281A Expired - Lifetime JPH0239019B2 (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | Jikikirokubaitainoseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0239019B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6076024A (ja) * | 1983-10-01 | 1985-04-30 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造装置 |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP11185281A patent/JPH0239019B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6076024A (ja) * | 1983-10-01 | 1985-04-30 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0239019B2 (ja) | 1990-09-03 |
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