JPH0334862B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0334862B2 JPH0334862B2 JP60081092A JP8109285A JPH0334862B2 JP H0334862 B2 JPH0334862 B2 JP H0334862B2 JP 60081092 A JP60081092 A JP 60081092A JP 8109285 A JP8109285 A JP 8109285A JP H0334862 B2 JPH0334862 B2 JP H0334862B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clad
- alloy
- sealing plate
- plate
- brazing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ICは勿論のこと、大容量メモリ
ー素子である64KDRAMや256KDRAMなどのメ
モリー、さらに高い信頼性が要求される各種の
LSIや超LSIなどの半導体パツケージの組立てに
際して、ケース本体へのろう付けを、簡単な操作
で確実に、かつ高い信頼性をもつて行なうことが
できる窓枠状ろう材付封着板に関するものであ
る。
ー素子である64KDRAMや256KDRAMなどのメ
モリー、さらに高い信頼性が要求される各種の
LSIや超LSIなどの半導体パツケージの組立てに
際して、ケース本体へのろう付けを、簡単な操作
で確実に、かつ高い信頼性をもつて行なうことが
できる窓枠状ろう材付封着板に関するものであ
る。
一般に、半導体パツケージの1つとして、第1
図に概略縦断面図で示されるICセラミツク・パ
ツケージが知られている。
図に概略縦断面図で示されるICセラミツク・パ
ツケージが知られている。
このICセラミツク・パツケージは、主として
所定のキヤビテイをもつたセラミツクケース1
と、このキヤビテイの底部にろう付けされたシリ
コンチツプなどの半導体素子2と、Auあるいは
Alの極細線からなるボンデイングワイヤ3と、
セラミツクケース1の上面にろう付けされた封着
板4とセラミツクケース1の側部にろう付けされ
たリード材5で構成されている。
所定のキヤビテイをもつたセラミツクケース1
と、このキヤビテイの底部にろう付けされたシリ
コンチツプなどの半導体素子2と、Auあるいは
Alの極細線からなるボンデイングワイヤ3と、
セラミツクケース1の上面にろう付けされた封着
板4とセラミツクケース1の側部にろう付けされ
たリード材5で構成されている。
このように半導体パツケージの組立てに際して
は、セラミツクケースの上面に封着板がろう付け
されるが、この封着板のセラミツクケース上面へ
のろう付けは、第2図に概略平面図で示されるよ
うに、例えばFe−42%Ni合金あるいはFe−29%
Ni−7%Co合金などの板材本体4aの片面(ろ
う付け面)に、窓枠状のPb合金(例えばSnおよ
びInのうちの1種以上1〜65%を含有し、さらに
必要に応じてAg:1〜10%を含有し、残りがPb
と不可避不純物からなる組成を有するPb合金)
ろう材4bをスポツト溶接4c(図面では4ケ所)
にて取付けた封着板4を用い、この封着板をセラ
ミツクケースの上面に乗せた状態で加熱炉中で加
熱して前記Pb合金ろう材を溶融させることによ
り行なわれている。
は、セラミツクケースの上面に封着板がろう付け
されるが、この封着板のセラミツクケース上面へ
のろう付けは、第2図に概略平面図で示されるよ
うに、例えばFe−42%Ni合金あるいはFe−29%
Ni−7%Co合金などの板材本体4aの片面(ろ
う付け面)に、窓枠状のPb合金(例えばSnおよ
びInのうちの1種以上1〜65%を含有し、さらに
必要に応じてAg:1〜10%を含有し、残りがPb
と不可避不純物からなる組成を有するPb合金)
ろう材4bをスポツト溶接4c(図面では4ケ所)
にて取付けた封着板4を用い、この封着板をセラ
ミツクケースの上面に乗せた状態で加熱炉中で加
熱して前記Pb合金ろう材を溶融させることによ
り行なわれている。
しかし、上記の従来封着板においては、上記の
ようにろう材が板材本体にスポツト溶接にて取付
けられているために、その取付けが不安定であ
り、この結果ろう材が剥離したり、変形したりし
易く、かつ板材本体とろう材との間に異物の侵入
も起り易く、作業性および信頼性の点で問題があ
り、さらに上記のFe−Ni系合金またはFe−Ni−
Co系合金の板材本体は、上記のPb合金ろう材に
対する親和性が良好でないものの、完全にろう材
をはじく性質はなく、したがつて、封着板のセラ
ミツクケース上面へのろう付け時に、ろう材が封
着板の上面に流れる場合がしばしば発生し、この
場合には封着板の表面がこの流出ろう材によつて
汚染されて美観が損なわれるようになるばかりで
なく、これへの印刷、例えば製造番号、製造年月
日、さらに社名などの印刷が困難になり、かつ変
色の原因にもなるなどの点でも問題のあるもので
ある。
ようにろう材が板材本体にスポツト溶接にて取付
けられているために、その取付けが不安定であ
り、この結果ろう材が剥離したり、変形したりし
易く、かつ板材本体とろう材との間に異物の侵入
も起り易く、作業性および信頼性の点で問題があ
り、さらに上記のFe−Ni系合金またはFe−Ni−
Co系合金の板材本体は、上記のPb合金ろう材に
対する親和性が良好でないものの、完全にろう材
をはじく性質はなく、したがつて、封着板のセラ
ミツクケース上面へのろう付け時に、ろう材が封
着板の上面に流れる場合がしばしば発生し、この
場合には封着板の表面がこの流出ろう材によつて
汚染されて美観が損なわれるようになるばかりで
なく、これへの印刷、例えば製造番号、製造年月
日、さらに社名などの印刷が困難になり、かつ変
色の原因にもなるなどの点でも問題のあるもので
ある。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から
従来半導体パツケージ用封着板のもつ問題点を解
決すべく研究を行なつた結果、封着板を、第3図
に概略縦断面図で示されるように、Fe−Ni系合
金またはFe−Ni−Co系合金の心材4″の上面に
ステンレス鋼やハステロイ、さらにインコネルな
どの高Cr含有の耐食性金属4′をクラツドし、一
方その下面にはNi4をクラツドまたはメツキ
したものからなるクラツド板材本体4Aの下面
に、前記のNiクラツド材またはNiメツキ層4
を介して窓枠状のPb合金ろう材4bを全面融着
したもので構成すると、前記Pb合金ろう材4b
は、Niクラツド材またはNiメツキ層4によつ
てクラツド板材本体4Aに強固に全面融着してい
るので、Pb合金ろう材bが剥離したり、変形し
たりすることがなく、ゴミなどの異物の侵入も皆
無となり、さらに上記の高Cr含有の耐食性金属
のクラツド材4′は耐食性にすぐれ、かつPb合金
ろう材に対する親和性の著しく低いもの、いいか
えれば、Pb合金ろう材に対してぬれない性質を
もつものなので、ろう付け時に流出したPb合金
ろう材で封着板の表面が汚染されたり、これによ
つて変色が生じたりすることがないことから、半
導体パツケージの組立てに際しての封着板のセラ
ミツクケース上面へのろう付け作業性が著しく向
上し、美麗にして信頼性の高い半導体パツケージ
を得ることができるようになるという知見を得た
のである。
従来半導体パツケージ用封着板のもつ問題点を解
決すべく研究を行なつた結果、封着板を、第3図
に概略縦断面図で示されるように、Fe−Ni系合
金またはFe−Ni−Co系合金の心材4″の上面に
ステンレス鋼やハステロイ、さらにインコネルな
どの高Cr含有の耐食性金属4′をクラツドし、一
方その下面にはNi4をクラツドまたはメツキ
したものからなるクラツド板材本体4Aの下面
に、前記のNiクラツド材またはNiメツキ層4
を介して窓枠状のPb合金ろう材4bを全面融着
したもので構成すると、前記Pb合金ろう材4b
は、Niクラツド材またはNiメツキ層4によつ
てクラツド板材本体4Aに強固に全面融着してい
るので、Pb合金ろう材bが剥離したり、変形し
たりすることがなく、ゴミなどの異物の侵入も皆
無となり、さらに上記の高Cr含有の耐食性金属
のクラツド材4′は耐食性にすぐれ、かつPb合金
ろう材に対する親和性の著しく低いもの、いいか
えれば、Pb合金ろう材に対してぬれない性質を
もつものなので、ろう付け時に流出したPb合金
ろう材で封着板の表面が汚染されたり、これによ
つて変色が生じたりすることがないことから、半
導体パツケージの組立てに際しての封着板のセラ
ミツクケース上面へのろう付け作業性が著しく向
上し、美麗にして信頼性の高い半導体パツケージ
を得ることができるようになるという知見を得た
のである。
したがつて、この発明は、上記知見にもとづい
てなされたものであつて、Fe−Ni系合金または
Fe−Ni−Co系合金の心材の上面に高Cr含有の耐
食性帰属をクラツドし、一方その下面にNiをク
ラツドまたはメツキしたものからなるクラツド板
材本体の下面に、前記Niクラツド材またはNiメ
ツキ層を介しして窓枠状のPb合金ろう材を全面
融着してなる半導体パツケージ用窓枠状ろう材付
封着板に特徴を有するものである。
てなされたものであつて、Fe−Ni系合金または
Fe−Ni−Co系合金の心材の上面に高Cr含有の耐
食性帰属をクラツドし、一方その下面にNiをク
ラツドまたはメツキしたものからなるクラツド板
材本体の下面に、前記Niクラツド材またはNiメ
ツキ層を介しして窓枠状のPb合金ろう材を全面
融着してなる半導体パツケージ用窓枠状ろう材付
封着板に特徴を有するものである。
なお、この発明の封着板は、第4図に要部概略
縦断面図で示されるように、例えば上面に封着板
とほぼ同じ平面形状をもつた複数の凹み6を有す
るステンレス鋼製保持具7を用意し、この保持具
7の前記凹み6に、まず窓枠状のPb合金ろう材
4bを入れ、その上にクラツド板材本体4Aを
Niクラツド材またはNiメツキ層4が下側とな
る状態で重ね合わせ、さらにその上に押え板を置
いた状態で、Arまたは窒素などの不活性ガス雰
囲気、あるいは水素または水素と窒素の混合ガス
などの還元性ガス雰囲気中において、Pb合金ろ
う材の固相線以上にして液相線+10℃以下の範囲
内の所定温度に加熱し、前記Pb合金ろう材を半
溶融あるいは全溶融状態とし、もつて、このPb
合金ろう材4bをNiクラツド材またはNiメツキ
層4を介してクラツド板材本体4Aに全面融着
することにより製造することができる。
縦断面図で示されるように、例えば上面に封着板
とほぼ同じ平面形状をもつた複数の凹み6を有す
るステンレス鋼製保持具7を用意し、この保持具
7の前記凹み6に、まず窓枠状のPb合金ろう材
4bを入れ、その上にクラツド板材本体4Aを
Niクラツド材またはNiメツキ層4が下側とな
る状態で重ね合わせ、さらにその上に押え板を置
いた状態で、Arまたは窒素などの不活性ガス雰
囲気、あるいは水素または水素と窒素の混合ガス
などの還元性ガス雰囲気中において、Pb合金ろ
う材の固相線以上にして液相線+10℃以下の範囲
内の所定温度に加熱し、前記Pb合金ろう材を半
溶融あるいは全溶融状態とし、もつて、このPb
合金ろう材4bをNiクラツド材またはNiメツキ
層4を介してクラツド板材本体4Aに全面融着
することにより製造することができる。
つぎに、この発明の封着板を実施例により説明
する。
する。
外側平面:12.7mm□
×内側平面:10.3mm□
×
幅:2.4mm×厚さ:0.07mmの寸法を有し、かつPb
−10%Snの組成をもつた窓枠状Pb合金ろう材と、
平面:12.7mm□ ×厚さ:0.3mmの寸法をもち、厚
さ:0.02mmのSUS316Lのステンレス鋼クラツド材
と、Fe−29%Ni−7%Co合金からなる厚さ:
0.26mmの心材と、厚さ:0.02mmの純NiからなるNi
クラツド材の3層クラツド材からなるクラツド板
材本体を用意し、第4図に示される保持具7を用
い、まず、前記保持具の凹み6内に、上記窓枠状
Pb合金ろう材4bを置き、ついで、その上に上
記クラツド板材本体4Aを、前記Niクラツド材
4を下向きにして重ね合わせ、これに押え板8
を乗せた状態で、窒素雰囲気中で、前記Pb合金
ろう材のもつ固相線である270℃より高い290℃に
加熱して、前記Pb合金ろう材4bをクラツド板
材本体うAにNiクラツド材4を介して全面融
着することによつて本発明封着板を1000個製造し
た。
幅:2.4mm×厚さ:0.07mmの寸法を有し、かつPb
−10%Snの組成をもつた窓枠状Pb合金ろう材と、
平面:12.7mm□ ×厚さ:0.3mmの寸法をもち、厚
さ:0.02mmのSUS316Lのステンレス鋼クラツド材
と、Fe−29%Ni−7%Co合金からなる厚さ:
0.26mmの心材と、厚さ:0.02mmの純NiからなるNi
クラツド材の3層クラツド材からなるクラツド板
材本体を用意し、第4図に示される保持具7を用
い、まず、前記保持具の凹み6内に、上記窓枠状
Pb合金ろう材4bを置き、ついで、その上に上
記クラツド板材本体4Aを、前記Niクラツド材
4を下向きにして重ね合わせ、これに押え板8
を乗せた状態で、窒素雰囲気中で、前記Pb合金
ろう材のもつ固相線である270℃より高い290℃に
加熱して、前記Pb合金ろう材4bをクラツド板
材本体うAにNiクラツド材4を介して全面融
着することによつて本発明封着板を1000個製造し
た。
この結果得られた1000個の本発明封着板につい
て、Pb合金ろう材のクラツド板材本体への融着
状態を観察したところ、全数がPb合金ろう材の
平面原形である窓枠形状を保持した状態で全面に
亘つて融着しており、きわめて強固な接着強度を
もつものであつた。また、この本発明封着板を半
導体パツケージの組立てに用い、組立て後、He
リークテストを行なつたが、リークは皆無であ
り、軟X線透過による検査でもボイドの発生はほ
とんど見られなかつた。このように本発明封着板
はセラミツクケースに対して良好なろう付け性を
示すばかりでなく、封着板の表面がろう材で汚染
されることが皆無であつた。
て、Pb合金ろう材のクラツド板材本体への融着
状態を観察したところ、全数がPb合金ろう材の
平面原形である窓枠形状を保持した状態で全面に
亘つて融着しており、きわめて強固な接着強度を
もつものであつた。また、この本発明封着板を半
導体パツケージの組立てに用い、組立て後、He
リークテストを行なつたが、リークは皆無であ
り、軟X線透過による検査でもボイドの発生はほ
とんど見られなかつた。このように本発明封着板
はセラミツクケースに対して良好なろう付け性を
示すばかりでなく、封着板の表面がろう材で汚染
されることが皆無であつた。
上述のように、この発明の封着板によれば、
Pb合金ろう材がクラツド板材本体に強固に全面
溶融しているので、これが剥離することや、変形
することがなく、またこれら両部材間にゴミなど
の異物が侵入することもないことから、すぐれた
作業性と信頼性が確保され、さらに半導体パツケ
ージの組立てに際しては、封着板がろう材で汚染
されることがないので、美麗な状態が保たれ、か
つこれへの印刷に支障がないなどの工業上有用な
効果がもたらされるのである。
Pb合金ろう材がクラツド板材本体に強固に全面
溶融しているので、これが剥離することや、変形
することがなく、またこれら両部材間にゴミなど
の異物が侵入することもないことから、すぐれた
作業性と信頼性が確保され、さらに半導体パツケ
ージの組立てに際しては、封着板がろう材で汚染
されることがないので、美麗な状態が保たれ、か
つこれへの印刷に支障がないなどの工業上有用な
効果がもたらされるのである。
第1図はICセラミツク・パツケージを示す概
略縦断面図、第2図は従来の封着板を示す概略平
面図、第3図はこの発明の封着板を示す概略縦断
面図、第4図はこの発明の封着板の製造態様を示
す要部概略縦断面図である。 1……セラミツクケース、2……半導体素子、
3……ボンデイングワイヤ、4……封着板、4a
……板材本体、4A……クラツド板材本体、4′
……ステンレス鋼クラツド材、4″……心材、4
……Niクラツド材またはNiメツキ層、4b…
…Pb合金ろう材、5……リード材、6……凹み、
7……保持具、8……押え板。
略縦断面図、第2図は従来の封着板を示す概略平
面図、第3図はこの発明の封着板を示す概略縦断
面図、第4図はこの発明の封着板の製造態様を示
す要部概略縦断面図である。 1……セラミツクケース、2……半導体素子、
3……ボンデイングワイヤ、4……封着板、4a
……板材本体、4A……クラツド板材本体、4′
……ステンレス鋼クラツド材、4″……心材、4
……Niクラツド材またはNiメツキ層、4b…
…Pb合金ろう材、5……リード材、6……凹み、
7……保持具、8……押え板。
Claims (1)
- 1 Fe−Ni系合金またはFe−Ni−Co系合金の心
材の上面に高Cr含有の耐食性金属をクラツドし、
一方その下面にNiをクラツドまたはメツキした
ものからなるクラツド板材本体の下面に、前記の
Niクラツド材またはNiメツキ層を介して窓枠状
のPb合金ろう材を全面融着してなる半導体パツ
ケージ用窓枠状ろう材付封着板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60081092A JPS61239648A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 半導体パッケ−ジ用窓枠状ろう材付封着板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60081092A JPS61239648A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 半導体パッケ−ジ用窓枠状ろう材付封着板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61239648A JPS61239648A (ja) | 1986-10-24 |
| JPH0334862B2 true JPH0334862B2 (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=13736743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60081092A Granted JPS61239648A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 半導体パッケ−ジ用窓枠状ろう材付封着板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61239648A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746705B2 (ja) * | 1985-08-02 | 1995-05-17 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0744024Y2 (ja) * | 1987-03-31 | 1995-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体セラミック・パッケージ用窓枠状ろう材付き封着板 |
-
1985
- 1985-04-16 JP JP60081092A patent/JPS61239648A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61239648A (ja) | 1986-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4418857A (en) | High melting point process for Au:Sn:80:20 brazing alloy for chip carriers | |
| US4632806A (en) | Copper alloy having high resistance to oxidation for use in leads on semiconductor devices | |
| EP0194475A2 (en) | Semiconductor die attach system | |
| AU8276887A (en) | Semiconductor die attach system | |
| US20040023487A1 (en) | Electronic component package and method of manufacturing same | |
| US4634638A (en) | High melting point copper-gold-tin brazing alloy for chip carriers | |
| CN102017107B (zh) | 接合结构以及电子器件 | |
| EP0067993A1 (en) | Die attachment exhibiting enhanced quality and reliability | |
| US4465223A (en) | Process for brazing | |
| JPH0334862B2 (ja) | ||
| US4504849A (en) | Semiconductor devices and a solder for use in such devices | |
| US4563541A (en) | Package providing high heat dissipation, in particular for microelectronics | |
| CA1201211A (en) | Hermetically sealed semiconductor casing | |
| EP0055368A1 (en) | Process for brazing | |
| JPS6149450A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPH0570252A (ja) | ろう接用合金 | |
| EP0178481A2 (en) | Hermetically sealed semiconductor package | |
| JP2000068396A (ja) | ハーメチックシール用カバー | |
| JPS61242048A (ja) | 半導体パツケ−ジ用窓枠状ろう材付封着板 | |
| JPS61242049A (ja) | 半導体パツケ−ジ用窓枠状ろう材付封着板の製造法 | |
| JPS62141747A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
| JPS6244817B2 (ja) | ||
| JP2003094194A (ja) | はんだ材及び電子部品における部材の固定方法 | |
| JP5025471B2 (ja) | 電子部品パッケージ、その製造方法及び電子部品パッケージ用蓋材 | |
| JPH02248372A (ja) | ろう材の濡れ性が異なる部材の接合方法、該接合体および該接合用ろう材 |