JPH0744024Y2 - 半導体セラミック・パッケージ用窓枠状ろう材付き封着板 - Google Patents
半導体セラミック・パッケージ用窓枠状ろう材付き封着板Info
- Publication number
- JPH0744024Y2 JPH0744024Y2 JP1987047978U JP4797887U JPH0744024Y2 JP H0744024 Y2 JPH0744024 Y2 JP H0744024Y2 JP 1987047978 U JP1987047978 U JP 1987047978U JP 4797887 U JP4797887 U JP 4797887U JP H0744024 Y2 JPH0744024 Y2 JP H0744024Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing plate
- window frame
- brazing material
- alloy
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、半導体セラミック・パッケージの組立てに
際して、ケース本体へのろう付けを、簡単な操作で確実
に、かつ高い信頼性をもって行なうことができる窓枠状
ろう材付き封着板に関するものである。
際して、ケース本体へのろう付けを、簡単な操作で確実
に、かつ高い信頼性をもって行なうことができる窓枠状
ろう材付き封着板に関するものである。
一般に、半導体パッケージとして、ICや、大容量メモリ
ー素子である64KDRAMおよび256KDRAMなどのメモリー、
さらに高い信頼性が要求される各種のLSIおよび超LSIな
どが知られ、このうちでICセラミック・パッケージが第
1図に概略縦断面図で示される構造をもつことが知られ
ている。
ー素子である64KDRAMおよび256KDRAMなどのメモリー、
さらに高い信頼性が要求される各種のLSIおよび超LSIな
どが知られ、このうちでICセラミック・パッケージが第
1図に概略縦断面図で示される構造をもつことが知られ
ている。
このICセラミック・パッケージは、主として所定のキャ
ビティをもったセラミックケース1と、このキャビティ
の底部にろう付けされたシリコンチップなどの半導体素
子2と、AuあるいはAlなどの極細線からなるボンディン
グワイヤ3と、セラミックケース1の上面にろう付けさ
れた封着板4と、セラミックケース1の側面にろう付け
されたリード材5で構成されている。
ビティをもったセラミックケース1と、このキャビティ
の底部にろう付けされたシリコンチップなどの半導体素
子2と、AuあるいはAlなどの極細線からなるボンディン
グワイヤ3と、セラミックケース1の上面にろう付けさ
れた封着板4と、セラミックケース1の側面にろう付け
されたリード材5で構成されている。
このような半導体セラミック・パッケージの組立てに際
しては、セラミックケースの上面に封着板がろう付けさ
れるが、この封着板4のセラミックケース上面へのろう
付けは、第2図に概略平面図で示されるように、例えば
Fe−42%Ni合金あるいはFe−29%Ni−7%Co合金などの
Fe−Ni合金あるいはFe−Ni−Co合金で製造された封着板
4の片面(ろう付け面)に、箔状Au−Sn合金(例えばAu
−20%Sn合金)の窓枠状打抜きろう材6をスポット溶接
7(図面では4隅の4ケ所)にて取付け、これを予め金
属蒸着層を形成したセラミックケースの上面に載置した
状態で加熱炉中で加熱して前記ろう材を溶融させること
により行なわれている。
しては、セラミックケースの上面に封着板がろう付けさ
れるが、この封着板4のセラミックケース上面へのろう
付けは、第2図に概略平面図で示されるように、例えば
Fe−42%Ni合金あるいはFe−29%Ni−7%Co合金などの
Fe−Ni合金あるいはFe−Ni−Co合金で製造された封着板
4の片面(ろう付け面)に、箔状Au−Sn合金(例えばAu
−20%Sn合金)の窓枠状打抜きろう材6をスポット溶接
7(図面では4隅の4ケ所)にて取付け、これを予め金
属蒸着層を形成したセラミックケースの上面に載置した
状態で加熱炉中で加熱して前記ろう材を溶融させること
により行なわれている。
しかし、上記の従来封着板においては、上記のようにろ
う材が封着板にスポット溶接にて取付けられているため
に、その取付けが不安定であり、この結果ろう材が剥離
したり、めくれて変形したりし易くかつ封着板とろう材
との間に異物の侵入も起り易く、封着板とろう材間のぬ
れ性があまり良くないために封止部に欠陥が生じること
があり、作業性および信頼性の点で問題があった。
う材が封着板にスポット溶接にて取付けられているため
に、その取付けが不安定であり、この結果ろう材が剥離
したり、めくれて変形したりし易くかつ封着板とろう材
との間に異物の侵入も起り易く、封着板とろう材間のぬ
れ性があまり良くないために封止部に欠陥が生じること
があり、作業性および信頼性の点で問題があった。
そこで、本考案者等は、上記の問題点を解決すべく研究
を行なった結果、上記のFe−Ni合金またはFe−Ni−Co合
金の封着板の片面に、メッキまたは真空蒸着にて形成し
た窓枠状の金属Sn層を介して、該金属Sn層の融点より高
い融点を有する上記の箔状Au−Sn合金の窓枠状打抜きろ
う材を融着せしめてなる窓枠状ろう材付き封着板を用い
てセラミック・パッケージの封止を行なえば、封止に対
する高い信頼性と作業性を得ることができるという研究
結果を得たのである。
を行なった結果、上記のFe−Ni合金またはFe−Ni−Co合
金の封着板の片面に、メッキまたは真空蒸着にて形成し
た窓枠状の金属Sn層を介して、該金属Sn層の融点より高
い融点を有する上記の箔状Au−Sn合金の窓枠状打抜きろ
う材を融着せしめてなる窓枠状ろう材付き封着板を用い
てセラミック・パッケージの封止を行なえば、封止に対
する高い信頼性と作業性を得ることができるという研究
結果を得たのである。
この考案は、かかる研究結果にもとづいてなされたもの
であって、Fe−Ni合金またはFe−Ni−Co合金の封着板の
片面に、窓枠状の金属Snメッキ層または金属Sn真空蒸着
層を介して、該金属Sn層の融点より高い融点を有する箔
状Au−Sn合金の窓枠状打抜きろう材を融着してなる半導
体セラミック・パッケージ用窓枠状ろう材付き封着板に
特徴を有するものである。
であって、Fe−Ni合金またはFe−Ni−Co合金の封着板の
片面に、窓枠状の金属Snメッキ層または金属Sn真空蒸着
層を介して、該金属Sn層の融点より高い融点を有する箔
状Au−Sn合金の窓枠状打抜きろう材を融着してなる半導
体セラミック・パッケージ用窓枠状ろう材付き封着板に
特徴を有するものである。
つぎに、この考案の窓枠状ろう材付き封着板を実施例に
より図面を参照しながら説明する。
より図面を参照しながら説明する。
第3図は、この考案の窓枠状ろう材付き封着板の概略平
面図、第4図は、第3図のX−X断面概略図である。
面図、第4図は、第3図のX−X断面概略図である。
上記第3図および第4図に示されるこの考案の窓枠状ろ
う材付き封着板は、次のようにして造られる。
う材付き封着板は、次のようにして造られる。
まず、縦:12.7mm×横:12.7mm×長さ:0.3mmの寸法をも
ち、かつFe−29%Ni−7%Co合金からなる封着板4を用
意し、この封着板4の片面に、厚さ:30μmのAu−20%S
n合金からなる箔状Au−Sn合金の窓枠状打抜きろう材と
ほぼ同形の大きさに封着板4の淵に沿って金属Snを電気
メッキし、厚さ:約3μmの金属Sn層8を形成する。
ち、かつFe−29%Ni−7%Co合金からなる封着板4を用
意し、この封着板4の片面に、厚さ:30μmのAu−20%S
n合金からなる箔状Au−Sn合金の窓枠状打抜きろう材と
ほぼ同形の大きさに封着板4の淵に沿って金属Snを電気
メッキし、厚さ:約3μmの金属Sn層8を形成する。
このように形成された封着板4の金属Sn層8の上に、上
記の窓枠状打抜きろう材6を載置し、それを不活性ガス
雰囲気中にて、温度:250℃にて加熱する。この加熱温度
は、Snの融点(232℃)より高く、上記Au−20%Sn合金
の融点よりは低いから、金属Sn層8のみが溶融し、上記
Au−20%Sn合金からなる窓枠状打抜きろう材6は金属Sn
層8を介して上記封着板4に融着することになる。
記の窓枠状打抜きろう材6を載置し、それを不活性ガス
雰囲気中にて、温度:250℃にて加熱する。この加熱温度
は、Snの融点(232℃)より高く、上記Au−20%Sn合金
の融点よりは低いから、金属Sn層8のみが溶融し、上記
Au−20%Sn合金からなる窓枠状打抜きろう材6は金属Sn
層8を介して上記封着板4に融着することになる。
このようにして得られたこの考案の窓枠状ろう材付き封
着板は、ろう材が金属Sn層を介して封着板に完全に密着
しているから、従来のろう材をスポット溶接により取付
けた封着板と較べて、ろう材が剥離したり、運搬時にろ
う材がめくれて変形したりする恐れがなく、また封着板
とろう材との間に異物の侵入もにいので、ろう接の作業
性および信頼性に優れた効果を奏するものである。
着板は、ろう材が金属Sn層を介して封着板に完全に密着
しているから、従来のろう材をスポット溶接により取付
けた封着板と較べて、ろう材が剥離したり、運搬時にろ
う材がめくれて変形したりする恐れがなく、また封着板
とろう材との間に異物の侵入もにいので、ろう接の作業
性および信頼性に優れた効果を奏するものである。
第1図は、ICセラミック・パッケージの概略断面図、 第2図は、ICセラミック・パッケージのセラミックケー
ス上面にろう付けされる、従来封着板の概略平面図、 第3図は、この考案の封着板の概略平面図、 第4図は、第3図のX−X断面概略図である。 1……セラミックケース、2……半導体素子、3……ボ
ンディングワイヤ、4……封着板、5……リード材、6
……窓枠状打抜きろう材、7……スポット溶接、8……
金属Sn層。
ス上面にろう付けされる、従来封着板の概略平面図、 第3図は、この考案の封着板の概略平面図、 第4図は、第3図のX−X断面概略図である。 1……セラミックケース、2……半導体素子、3……ボ
ンディングワイヤ、4……封着板、5……リード材、6
……窓枠状打抜きろう材、7……スポット溶接、8……
金属Sn層。
Claims (1)
- 【請求項1】Fe−Ni合金またはFe−Ni−Co合金の封着板
の片面に、窓枠状の金属Snメッキ層または金属Sn真空蒸
着層を介して、該金属Sn層の融点より高い融点を有する
箔状Au−Sn合金の窓枠状打抜きろう材を融着してなるこ
とを特徴とする半導体セラミック・パッケージ用窓枠状
ろう材付き封着板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987047978U JPH0744024Y2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体セラミック・パッケージ用窓枠状ろう材付き封着板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987047978U JPH0744024Y2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体セラミック・パッケージ用窓枠状ろう材付き封着板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155642U JPS63155642U (ja) | 1988-10-12 |
| JPH0744024Y2 true JPH0744024Y2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=30869085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987047978U Expired - Lifetime JPH0744024Y2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体セラミック・パッケージ用窓枠状ろう材付き封着板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744024Y2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626693Y2 (ja) * | 1981-06-23 | 1987-02-16 | ||
| JPS61191480A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-26 | 本田技研工業株式会社 | 動力起立スタンド |
| JPS61239648A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体パッケ−ジ用窓枠状ろう材付封着板 |
| JPS61183471U (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-15 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP1987047978U patent/JPH0744024Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63155642U (ja) | 1988-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5185613A (en) | Hybrid structures | |
| US20220278026A1 (en) | Method for Fabricating a Substrate with a Solder Stop Structure, Substrate with a Solder Stop Structure and Electronic Device | |
| US4558346A (en) | Highly reliable hermetically sealed package for a semiconductor device | |
| JPS60167454A (ja) | 半導体装置 | |
| CN114078716B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JPH0228351A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2536033B2 (ja) | 半導体パッケ―ジ用ろう材付ケ―ス本体 | |
| JPS61181136A (ja) | ダイボンデイング方法 | |
| JP2000180283A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH03108361A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3972488B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0342681Y2 (ja) | ||
| JPS6366062B2 (ja) | ||
| JPH043501Y2 (ja) | ||
| JPS6244545Y2 (ja) | ||
| JPS61242049A (ja) | 半導体パツケ−ジ用窓枠状ろう材付封着板の製造法 | |
| JPS634350B2 (ja) | ||
| JPS63164326A (ja) | 半導体装置容器 | |
| JPH0410543A (ja) | 半導体装置の突起電極の形成方法 | |
| JPS63155735A (ja) | 半導体装置用配線基板 | |
| JPS61242048A (ja) | 半導体パツケ−ジ用窓枠状ろう材付封着板 | |
| JPH0513608A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6155778B2 (ja) | ||
| JPS6243337B2 (ja) | ||
| JPS5856428A (ja) | 半導体装置 |