JPH0334912Y2 - - Google Patents

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JPH0334912Y2
JPH0334912Y2 JP1984035771U JP3577184U JPH0334912Y2 JP H0334912 Y2 JPH0334912 Y2 JP H0334912Y2 JP 1984035771 U JP1984035771 U JP 1984035771U JP 3577184 U JP3577184 U JP 3577184U JP H0334912 Y2 JPH0334912 Y2 JP H0334912Y2
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JP
Japan
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bed
resin
back surface
conductive layer
lead
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JP1984035771U
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JPS60149137U (ja
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 本考案は、メモリーチツプ等の半導体チツプを
マウントしたリードフレームを、樹脂モールド部
材で封止した樹脂封止型半導体装置に係り、特に
熱変化に伴う樹脂モールド部材の亀裂を防止しう
る樹脂封止型半導体装置に関する。
〔考案の技術的背景とその問題点〕
従来、DIP（dual inline package）の樹脂封止
型半導体装置として、例えば第１図ａ，ｂのよう
なものがある。この半導体装置は、板状のベツド
１ａとこのベツド１ａの周囲に離間して配置され
たリード１ｂとを有するリードフレーム１と、ボ
ンデイングパツド（チツプ電極端子）を有しベツ
ド１ａの表面にマウントされる大型の半導体チツ
プ２と、この半導体チツプ２のボンデイングパツ
ドとリード１ｂの内方後との間を接続するボンデ
イングワイヤ３と、ベツド１ａ、半導体チツプ
２、ボンデイングワイヤ３及びリード１ｂの内方
部を封止するエポキシ樹脂等の樹脂モールド部材
４とより構成されている。
ここで、リードフレーム１は銅系の材料か、ま
たはNi−Fe合金（例えば、Ni；42％、Fe；57％
等からなる商品名「42Alloy」）等の材料が使用
されている。
42Alloyは電気的特性や機械的特性等が優れて
いるためリードフレーム１として多く用いられて
いる。しかし42Alloyのリードフレーム１を使用
して大型の半導体チツプ２を小型のDIP内に高分
子材であるエポキシ樹脂を用いて封止すると、
42Alloyとエポキシ樹脂の熱膨張係数αの相異に
より、高温−低温の熱衝撃を与えた場合、モール
ドしたエポキシ樹脂の裏面に、例えば第１図ｂに
示すような亀裂Ａが生じていた。これは42Alloy
の熱膨張係数α42Allpy（＝0.5×10-5）とエポキシ樹
脂の熱膨張係数αモ哀襯票

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 板状のベツドと、 このベツドの周囲に離間して配置されたリード
    とを有するリードフレームと、 ボンデイングパツドを有し、前記ベツドの表面
    上にマウントされる半導体チツプと、 この半導体チツプのボンデイングパツドと前記
    リードの内方部との間を接続するボンデイングワ
    イヤと、 前記ベツドと半導体チツプとボンデイングワイ
    ヤとリードの内方部とを封止する樹脂モールド部
    材と、 を具えた樹脂封止型半導体装置において、 前記樹脂モールド部材と前記ベツドのそれぞれ
    の熱膨張係数の中間の値の熱膨張係数を有し、前
    記封止時に前記樹脂モールド部材によつて一体的
    に封止される導電性層が、前記樹脂モールド部材
    でおおわれる前記ベツドの裏面と、その裏面とそ
    の裏面に対してほぼ直角をなす側面とによつて形
    成される外縁綾線部分と、を被うものとして形成
    されており、 前記導電性層を前記ベツドの裏面に、前記導電
    性層と前記樹脂モールド部材との間のせん断応力
    よりも大きい接着力をもつて接着させたことを特
    徴とする、樹脂封止型半導体装置。
JP3577184U 1984-03-13 1984-03-13 樹脂封止型半導体装置 Granted JPS60149137U (ja)

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JP3577184U JPS60149137U (ja) 1984-03-13 1984-03-13 樹脂封止型半導体装置

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JPS60149137U JPS60149137U (ja) 1985-10-03
JPH0334912Y2 true JPH0334912Y2 (ja) 1991-07-24

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ID=30540352

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JP3577184U Granted JPS60149137U (ja) 1984-03-13 1984-03-13 樹脂封止型半導体装置

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2552158Y2 (ja) * 1992-05-08 1997-10-27 株式会社三井ハイテック リードフレーム
JPH06295970A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Seiko Epson Corp 半導体装置及び半導体装置製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5040549Y2 (ja) * 1971-12-07 1975-11-19
JPS563966Y2 (ja) * 1976-07-12 1981-01-28

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JPS60149137U (ja) 1985-10-03

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