JPH0334952A - シス―3―ヘキセナールジアルキルアセタール及びシス―3―ヘキセナールの製造法 - Google Patents
シス―3―ヘキセナールジアルキルアセタール及びシス―3―ヘキセナールの製造法Info
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- JPH0334952A JPH0334952A JP1169126A JP16912689A JPH0334952A JP H0334952 A JPH0334952 A JP H0334952A JP 1169126 A JP1169126 A JP 1169126A JP 16912689 A JP16912689 A JP 16912689A JP H0334952 A JPH0334952 A JP H0334952A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はシス−3−ヘキセナールジアルキルアセクール
及びシス−3−ヘキセナールの製造法に関する。
及びシス−3−ヘキセナールの製造法に関する。
(従来の技術)
従来、シス−3−ヘキセナールは強い青葉様の香気を有
するため香料物質として有用な化合物であることが知ら
れており、その合成法が盛んに研究されている。
するため香料物質として有用な化合物であることが知ら
れており、その合成法が盛んに研究されている。
例えば、シス−3−ヘキセノールを三酸化クロム−ピリ
ジン−ジクロルメタン系又はジメチルスルホキシド−ジ
シクロへキシル力ルホジイミド五酸化りん系で酸化して
シス−3−ヘキセナールを好収率で得る方法が知られて
いる(へgriculturaland旧o1ogic
al Chemistry、、 39 (])+
243〜247.1975)。しかし、前者の反応系で
は、多量のクロム廃棄物を生しるほか、多量の溶媒など
の使用と分離操作上から工業的に実施するのは困難であ
る。また、後者の反応系では、高価な反応試剤の使用と
多量のジメチルスルホキシドの回収の問題があり、さら
にはジメチルスルホキシドの使用は臭気の点で香料物質
の製造に使用することは好ましくない。
ジン−ジクロルメタン系又はジメチルスルホキシド−ジ
シクロへキシル力ルホジイミド五酸化りん系で酸化して
シス−3−ヘキセナールを好収率で得る方法が知られて
いる(へgriculturaland旧o1ogic
al Chemistry、、 39 (])+
243〜247.1975)。しかし、前者の反応系で
は、多量のクロム廃棄物を生しるほか、多量の溶媒など
の使用と分離操作上から工業的に実施するのは困難であ
る。また、後者の反応系では、高価な反応試剤の使用と
多量のジメチルスルホキシドの回収の問題があり、さら
にはジメチルスルホキシドの使用は臭気の点で香料物質
の製造に使用することは好ましくない。
また、アクロレインを出発物質としてWi tti(H
反応を経てシス−3−ヘキセナールに誘導する方法(特
開昭56−75448号公報)が知られているが、高価
なトリフェニルフォスフインと高価な塩基の使用から考
えると経済的な製造方法とは言いがたい。
反応を経てシス−3−ヘキセナールに誘導する方法(特
開昭56−75448号公報)が知られているが、高価
なトリフェニルフォスフインと高価な塩基の使用から考
えると経済的な製造方法とは言いがたい。
一方、1−(5−メチル−2−フリル)−2,4へキサ
ジエンや2,4−へキサジエン酸ブチルエステルのよう
な共役ジエンを後記一般式(II)で表わされる金属カ
ルボニルもしくはそのアレーン錯体触媒の存在下に接触
水素化反応〜巳しめて3位にシスニ重結合を構築する方
法が知られている(特公昭61−2377号公報、第2
4回香料テルペンおよび精油化学に関する削論会講演要
旨集第135〜137頁など)。
ジエンや2,4−へキサジエン酸ブチルエステルのよう
な共役ジエンを後記一般式(II)で表わされる金属カ
ルボニルもしくはそのアレーン錯体触媒の存在下に接触
水素化反応〜巳しめて3位にシスニ重結合を構築する方
法が知られている(特公昭61−2377号公報、第2
4回香料テルペンおよび精油化学に関する削論会講演要
旨集第135〜137頁など)。
そこで本発明者はこの知見に基づいて、容易に人手し得
る2、4−ヘキサジエナールを該触媒の存在下に接触水
素化せしめシス−3−ヘキセナールを簡便かつ経済的に
得ることを試みたが、副反応が起こり目的物を収率良く
得られなかった。
る2、4−ヘキサジエナールを該触媒の存在下に接触水
素化せしめシス−3−ヘキセナールを簡便かつ経済的に
得ることを試みたが、副反応が起こり目的物を収率良く
得られなかった。
(発明が解決しようとする課題)
本発明者らは前記欠点を解決すべく鋭意研究の結果、2
.4−ヘキサジエナールを2.4−ヘキサジエナールジ
アルキルアセクールに変換せしめたものを用いれば前記
触媒の存在下に高選択率に接触水素化が起こりシス−3
−ヘキセナールジアルキルアセクールが収率良く得られ
、更にこのものを加水分解することによりシス−3−ヘ
キセナールを収率良く得られることを見い出し、この知
見に基づいて本発明を完成するに到った。
.4−ヘキサジエナールを2.4−ヘキサジエナールジ
アルキルアセクールに変換せしめたものを用いれば前記
触媒の存在下に高選択率に接触水素化が起こりシス−3
−ヘキセナールジアルキルアセクールが収率良く得られ
、更にこのものを加水分解することによりシス−3−ヘ
キセナールを収率良く得られることを見い出し、この知
見に基づいて本発明を完成するに到った。
(課題を解決するための手段)
かくして本発明によれば、第一の発明として一般式(1
) (式中、R’及びR2は低級アルキル基又は互いに結合
した低級アルキレン基を表わす)で表わされる24−ヘ
キサジエナールジアル二);ルーアセクルを、 一般式(IT) 門、(Co)y(arene)、
(II )(式中、M4;t: Cr 、 Moおよ
びWよりなる2iYからえらばれた金属原子を表わし、
areneはアレーン配位子軽表わず。そしてXは1ま
たは2であり、yは3〜6の整数を、ZばOまたは1〜
3の整数を表わす)で表わされる金属カルボニルもしく
はそのアレーン1−ji体触媒の在花下に接触水素化皮
j芯せしめることを特徴とする一般式(III )(式
中、R1及びR2は前記と同しである)で表わされるシ
ス−3−ヘキセナールジアルキルアセクールの製造法が
提供される。
) (式中、R’及びR2は低級アルキル基又は互いに結合
した低級アルキレン基を表わす)で表わされる24−ヘ
キサジエナールジアル二);ルーアセクルを、 一般式(IT) 門、(Co)y(arene)、
(II )(式中、M4;t: Cr 、 Moおよ
びWよりなる2iYからえらばれた金属原子を表わし、
areneはアレーン配位子軽表わず。そしてXは1ま
たは2であり、yは3〜6の整数を、ZばOまたは1〜
3の整数を表わす)で表わされる金属カルボニルもしく
はそのアレーン1−ji体触媒の在花下に接触水素化皮
j芯せしめることを特徴とする一般式(III )(式
中、R1及びR2は前記と同しである)で表わされるシ
ス−3−ヘキセナールジアルキルアセクールの製造法が
提供される。
また、第二の発明としては前記方法により得られたシス
−3−ヘキセナールジアルキルアセクールを加水分解せ
しめることを特徴とするシス−3ヘキセナールの製造法
が提供される。
−3−ヘキセナールジアルキルアセクールを加水分解せ
しめることを特徴とするシス−3ヘキセナールの製造法
が提供される。
本発明において出発原料として用いられる2、4ヘキサ
ジエナールジアルキルアセクールは前記−C式(1)で
表わされるものである。アセタール部分を構成するR1
及びR2の具体例としてはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などのごとき低級アルキル基、R1とR
2が結合したエチレン基、トリメチレン基、プロピレン
基などのごとき低級アルキレン基などが挙げられる。2
゜4−へキサジェナールジアルキルアセクールの具体例
としては2,4−ヘキサジエナールジメチルアセクール
、2,4−へキサジエナールシェチルアセクール、2,
4−ヘキサジエナールジプロピルアセクール、2,4−
へキサジェナールジブチルアセタル、2−(L3−ペン
タジェニル) −1,3−ジオキソラン、2−(1,3
−ペンタジェニル)−4メチル−1,3−ジオキソラン
、2−(L3−ペンタジェニル) −1,3−ジオキサ
ンなどが挙げられる。
ジエナールジアルキルアセクールは前記−C式(1)で
表わされるものである。アセタール部分を構成するR1
及びR2の具体例としてはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などのごとき低級アルキル基、R1とR
2が結合したエチレン基、トリメチレン基、プロピレン
基などのごとき低級アルキレン基などが挙げられる。2
゜4−へキサジェナールジアルキルアセクールの具体例
としては2,4−ヘキサジエナールジメチルアセクール
、2,4−へキサジエナールシェチルアセクール、2,
4−ヘキサジエナールジプロピルアセクール、2,4−
へキサジェナールジブチルアセタル、2−(L3−ペン
タジェニル) −1,3−ジオキソラン、2−(1,3
−ペンタジェニル)−4メチル−1,3−ジオキソラン
、2−(L3−ペンタジェニル) −1,3−ジオキサ
ンなどが挙げられる。
かかる2、4−へキーIJジエ・ノ〜−ルシアルキルア
セクールは例えば2−ブチナールとアセトアルデヒドを
反応せしめて得られる2、4−へキサジェナールを低級
アルコール、あるいはオルトギ酸エステルと反応せしめ
ることにより容易に台底することができる。
セクールは例えば2−ブチナールとアセトアルデヒドを
反応せしめて得られる2、4−へキサジェナールを低級
アルコール、あるいはオルトギ酸エステルと反応せしめ
ることにより容易に台底することができる。
本発明では2.4−ヘキサジエナールジアルキルアセク
ールを前記式(II)で表わされる金属カルボニルまた
はそのアレーン錯体を触媒として接触水素化反応を行な
う。かかる触媒は前述したようにジエン化合物の接触水
素化触媒として従来より用いられていたものであり、例
えばヘキサ力ルポニルクロム、ベンゼントリカルボニル
クロム、チオフェンI・リカルボニルクロム、ビリジン
トリカルホニルクロム、アニソールトリカルホニルクロ
ム、クロルヘンゼントリ力ルポニルクロム、メチルヘン
ヅエートトリカルボニルクロム、ハイドl、1ドーπ−
ンク■コベンタジエニルI・リカルホニルクロム、π−
シクロベンタジエニルメメチI・リカルウ ボニルクロム、シクロへブタントリエントリカルボニル
クロム、シクロオクタトリエントリカルボニルクロム、
メシチレントリカルボニルクロム、スチルベンヘキサカ
ルボニルクロム、アセトフェノントリカルボニルクロム
、ベンゼントリカルボニルモリブデン、メシチレントリ
カルボニルモリブデン、ピリジントリカルボニルモリブ
デン、アズレンヘキサカルボニルモリブデン、シクロへ
ブタンI・リカルボニルモリブデン、シクロオクタトリ
エントリカルボニルモリブデン、ジ−π−シクロペンタ
ジェニルヘキサカルボニルジモリブデン、ハイドリド−
π−シクロペンタジェニルトリカルボニルモリブデン、
ヘンゼントリ力ルボニルタングステン、l−リエントリ
力ルボニルタングステン、ピリジンペンタカルボニルタ
ングステン、シクロオクタジエンテトラカルボニルタン
グステン、メシチレントリカルボニルタングステンなど
が例示され、なかでもクロム化合物が収率の点で好まし
い。
ールを前記式(II)で表わされる金属カルボニルまた
はそのアレーン錯体を触媒として接触水素化反応を行な
う。かかる触媒は前述したようにジエン化合物の接触水
素化触媒として従来より用いられていたものであり、例
えばヘキサ力ルポニルクロム、ベンゼントリカルボニル
クロム、チオフェンI・リカルボニルクロム、ビリジン
トリカルホニルクロム、アニソールトリカルホニルクロ
ム、クロルヘンゼントリ力ルポニルクロム、メチルヘン
ヅエートトリカルボニルクロム、ハイドl、1ドーπ−
ンク■コベンタジエニルI・リカルホニルクロム、π−
シクロベンタジエニルメメチI・リカルウ ボニルクロム、シクロへブタントリエントリカルボニル
クロム、シクロオクタトリエントリカルボニルクロム、
メシチレントリカルボニルクロム、スチルベンヘキサカ
ルボニルクロム、アセトフェノントリカルボニルクロム
、ベンゼントリカルボニルモリブデン、メシチレントリ
カルボニルモリブデン、ピリジントリカルボニルモリブ
デン、アズレンヘキサカルボニルモリブデン、シクロへ
ブタンI・リカルボニルモリブデン、シクロオクタトリ
エントリカルボニルモリブデン、ジ−π−シクロペンタ
ジェニルヘキサカルボニルジモリブデン、ハイドリド−
π−シクロペンタジェニルトリカルボニルモリブデン、
ヘンゼントリ力ルボニルタングステン、l−リエントリ
力ルボニルタングステン、ピリジンペンタカルボニルタ
ングステン、シクロオクタジエンテトラカルボニルタン
グステン、メシチレントリカルボニルタングステンなど
が例示され、なかでもクロム化合物が収率の点で好まし
い。
かかる触媒の使用量は、一般式(、l )の原料化0
合物に対して通常、10〜10−5モル%、好ましくは
5〜10−2モル%である。
5〜10−2モル%である。
本発明の接触水素化反応は無溶媒でも行なうことができ
るが、一般式(1)の原料化合物を溶解しうる任意の不
活性有機媒体の存在下に行なうことが好ましい。不活性
有機媒体としては、例えばメタノール、エタノール、プ
ロパノール、ブタノル、エチレングリコール、プロピレ
ングリコール、−\ンジルアルコールなどのコトキアル
コール類、ジエチルエーテル、テ1へラヒトロフラン、
ジオキサンなどのごときエーテル類、酢酸エチル、酢酸
メチルなどのごときエステル類、ペンタン、ヘキサジ、
ヘプタノ、シクロペンクン、シクロ−・キサン、メチル
シクロへ−1・“すンなどのごとき脂肪族あるいは脂環
式炭化水素類、ヘンゼン、トルエン、キシレンなどのご
とき芳香族炭化水素類を単独もしくは併用で使用するこ
とができる。
るが、一般式(1)の原料化合物を溶解しうる任意の不
活性有機媒体の存在下に行なうことが好ましい。不活性
有機媒体としては、例えばメタノール、エタノール、プ
ロパノール、ブタノル、エチレングリコール、プロピレ
ングリコール、−\ンジルアルコールなどのコトキアル
コール類、ジエチルエーテル、テ1へラヒトロフラン、
ジオキサンなどのごときエーテル類、酢酸エチル、酢酸
メチルなどのごときエステル類、ペンタン、ヘキサジ、
ヘプタノ、シクロペンクン、シクロ−・キサン、メチル
シクロへ−1・“すンなどのごとき脂肪族あるいは脂環
式炭化水素類、ヘンゼン、トルエン、キシレンなどのご
とき芳香族炭化水素類を単独もしくは併用で使用するこ
とができる。
反応は室温〜230 ’C1好ましくは40〜200°
Cの加熱下、適当な水素圧下、例えば2〜150kg
/ cm ’の水素圧力下に10分〜20時間、好ま1 しくは2〜5時間行なうことにより達成される。
Cの加熱下、適当な水素圧下、例えば2〜150kg
/ cm ’の水素圧力下に10分〜20時間、好ま1 しくは2〜5時間行なうことにより達成される。
反応後、例えば蒸留のごとき手段で精製することにより
高純度のシス−3−ヘキセナールシアルギルアセクール
を得ることができる。
高純度のシス−3−ヘキセナールシアルギルアセクール
を得ることができる。
次いで、このようにして得られたシス−3−ヘキセナー
ルジアルキルアセクールを常法に従い加水分解せしめる
ことにより、容易にシス−3−ヘキセナールを得ること
ができる。加水分解反応は、例えば塩酸、硫酸、リン酸
、ギ酸、酢酸、シュウ酸、モノクロロ酢酸、トリクロロ
酢酸、酸性イオン交換樹脂などのごとき酸の存在下に行
なわれる。
ルジアルキルアセクールを常法に従い加水分解せしめる
ことにより、容易にシス−3−ヘキセナールを得ること
ができる。加水分解反応は、例えば塩酸、硫酸、リン酸
、ギ酸、酢酸、シュウ酸、モノクロロ酢酸、トリクロロ
酢酸、酸性イオン交換樹脂などのごとき酸の存在下に行
なわれる。
反応に際しては水もしくは水と不活性有機溶媒との混合
溶媒を共存させるのが好ましく、該有機溶媒としてはア
セトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、メタノールなどが
例示される。
溶媒を共存させるのが好ましく、該有機溶媒としてはア
セトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、メタノールなどが
例示される。
反応条件は特に制限されないが、通常は反応温度が一8
0〜200°C1反応時間が20分〜10時間である。
0〜200°C1反応時間が20分〜10時間である。
反応後、例えば反応生成物を適当な溶媒で抽出2
し、蒸留することによりシス−3−−−−ギセナールを
高収率、高沌度で得ることができる。
高収率、高沌度で得ることができる。
(発明の効果)
かくして本発明によれば、従来技術に比較して容易に人
手し得る原料から簡単なプロセスでシス3−ヘキセナー
ルを高収率で得ることができる。
手し得る原料から簡単なプロセスでシス3−ヘキセナー
ルを高収率で得ることができる。
(実施例)
以下(こ実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明す
る。なお、実施例、比較例及び参考例中の%ばとくに断
りのないかぎり重量基ff1luである。
る。なお、実施例、比較例及び参考例中の%ばとくに断
りのないかぎり重量基ff1luである。
参考例1 2,4−ヘキサジエナールジメチルアセクー
ルの合成 2.4−ヘキサジエナール96.2 gおよびオルトぎ
酸メチル132.6gの混合物に、硝酸アンモニウム4
.0gをメタノール60gに)岩屑したものを加え、室
温で6時間攪拌した。反応後、沈澱物を濾過によって除
き、無水炭酸すトリウム6、Ogを加えて減圧下にメタ
ノール、未反応のオルト・ぎ酸メチルおよび反応によっ
て生成したぎ酸メチルを留去した。得られた粗生成物を
減圧下に蒸留した3 ところ、2,4−へキサジェナールジメチルアセタル9
9.7 gを得た。使用した2、4−ヘキサジエナール
に対する2、4−ヘキサジエナールジメチルアセクール
の収率は70モル%であった。
ルの合成 2.4−ヘキサジエナール96.2 gおよびオルトぎ
酸メチル132.6gの混合物に、硝酸アンモニウム4
.0gをメタノール60gに)岩屑したものを加え、室
温で6時間攪拌した。反応後、沈澱物を濾過によって除
き、無水炭酸すトリウム6、Ogを加えて減圧下にメタ
ノール、未反応のオルト・ぎ酸メチルおよび反応によっ
て生成したぎ酸メチルを留去した。得られた粗生成物を
減圧下に蒸留した3 ところ、2,4−へキサジェナールジメチルアセタル9
9.7 gを得た。使用した2、4−ヘキサジエナール
に対する2、4−ヘキサジエナールジメチルアセクール
の収率は70モル%であった。
実施例1 シス−3−ヘキセナールジメチルアセクール
の合成 Ill!のオートクレーブ中に2,4−ヘキサジエナー
ルジメチルアセクール568g、メチルシクロヘキサジ
200mI!およびヘキサ力ルポニルクロム2.2 g
を入れ、内部の空気を窒素で十分置換したのち水素を5
0kg/cm2圧入し、190〜195°Cで3時間攪
拌下に反応させた。冷却後、反応混合物を取り出し沈澱
物を濾過によって除いたのち、減圧蒸留したところシス
−3−ヘキセナールジメチルアセクール49.5 gが
得られた。収率は反応に使用した2、4−ヘキサジエナ
ールジメチルアセクールに対して86モル%であった。
の合成 Ill!のオートクレーブ中に2,4−ヘキサジエナー
ルジメチルアセクール568g、メチルシクロヘキサジ
200mI!およびヘキサ力ルポニルクロム2.2 g
を入れ、内部の空気を窒素で十分置換したのち水素を5
0kg/cm2圧入し、190〜195°Cで3時間攪
拌下に反応させた。冷却後、反応混合物を取り出し沈澱
物を濾過によって除いたのち、減圧蒸留したところシス
−3−ヘキセナールジメチルアセクール49.5 gが
得られた。収率は反応に使用した2、4−ヘキサジエナ
ールジメチルアセクールに対して86モル%であった。
尚、シス−3−ヘキセナールジメチルアセクールの同定
はIRスペクトル及び’It−NMRスペクトル値を測
定することにより行なった。
はIRスペクトル及び’It−NMRスペクトル値を測
定することにより行なった。
■4
実施例2
50 [] rn衣のオートクレーブ中0こ2,4−へ
−)−リ”ジェナールジノチルアセクール1.4.2
g、テトうし;ロフランl 00 m p、*;よびノ
チルヘンヅエ1トリカルホニルクロム1.3gを入れ、
内部の空気を窒素で一1分置換したのち水素を50kg
/cm2圧入し、120〜130°Cで31.′l゛間
攪拌下に反応さセた。反し6混合物を減圧茎留したとこ
ろシス3−ヘギセナールシメチルアセタール1.1.4
gが得られた。収;51は反応に使用した2、4−へ
:)・す゛シエナールソメナルアセタールに対して80
モル%であった。
−)−リ”ジェナールジノチルアセクール1.4.2
g、テトうし;ロフランl 00 m p、*;よびノ
チルヘンヅエ1トリカルホニルクロム1.3gを入れ、
内部の空気を窒素で一1分置換したのち水素を50kg
/cm2圧入し、120〜130°Cで31.′l゛間
攪拌下に反応さセた。反し6混合物を減圧茎留したとこ
ろシス3−ヘギセナールシメチルアセタール1.1.4
gが得られた。収;51は反応に使用した2、4−へ
:)・す゛シエナールソメナルアセタールに対して80
モル%であった。
実施例3 2.4−ヘキサジエナールジエチルアセクー
ルの合成 500 rn Eのオー1〜クレーフ゛中に2.4−ヘ
キlノジエナールジエチルアセクール30.0g、メチ
ルシクロヘキサン100rr12およびヘキサ力ルホニ
ルクロム1.1gを入れ、内部の空気を窒素で十分置換
したのし水素を50kg/cm2圧入し、温度190〜
195°Cで3時間攪↑′l)下に反応させた。
ルの合成 500 rn Eのオー1〜クレーフ゛中に2.4−ヘ
キlノジエナールジエチルアセクール30.0g、メチ
ルシクロヘキサン100rr12およびヘキサ力ルホニ
ルクロム1.1gを入れ、内部の空気を窒素で十分置換
したのし水素を50kg/cm2圧入し、温度190〜
195°Cで3時間攪↑′l)下に反応させた。
5
反応混合物を実施例1と同様に処理したところシス−3
−ヘキセナールジエチルアセクール25.88をI)た
。収率ば反応に使用した2、4−へキサジェナールジメ
チルアセクールに対して85モル%であった。
−ヘキセナールジエチルアセクール25.88をI)た
。収率ば反応に使用した2、4−へキサジェナールジメ
チルアセクールに対して85モル%であった。
尚、シス−3−ヘキセナールジエチルアセクールの同定
はIRスペクトル及び’II−NMRスペク]・ル値を
測定することにより行なった。
はIRスペクトル及び’II−NMRスペク]・ル値を
測定することにより行なった。
実hiii例4 シス−3−ヘキセナールの合成攪件器
、滴下ロー1・、温度計および還流冷却器を備えた1p
、の4]コフラスコにシス−3−ヘキセナールジエチル
アセクール36.0 g、アセI・7150gおよびし
ゅう酸の2水塩7.Ogを入れて攪拌しておき、窒素雰
囲気下水浴により50°Cに保らながら滴下ロートより
華留水180gを30う1要して滴下した。′滴下後、
同温度でさらに30分間攪1′トシたのち氷水で冷却し
、炭酸水素すi・リウl、6gを加えて攪拌した。さら
に食塩を加えて飽和させエーテルで3回抽出をおこなっ
た。エーテル層をあわセで5%炭酸水素す1〜リウム水
?8液、6 次いて減圧下に菖留したところシス−3−へ−1−セナ
ール147gを得た。反応に使用したシス−3ヘキセナ
ールジメチルアセクールに苅する収率は60モル%であ
った。
、滴下ロー1・、温度計および還流冷却器を備えた1p
、の4]コフラスコにシス−3−ヘキセナールジエチル
アセクール36.0 g、アセI・7150gおよびし
ゅう酸の2水塩7.Ogを入れて攪拌しておき、窒素雰
囲気下水浴により50°Cに保らながら滴下ロートより
華留水180gを30う1要して滴下した。′滴下後、
同温度でさらに30分間攪1′トシたのち氷水で冷却し
、炭酸水素すi・リウl、6gを加えて攪拌した。さら
に食塩を加えて飽和させエーテルで3回抽出をおこなっ
た。エーテル層をあわセで5%炭酸水素す1〜リウム水
?8液、6 次いて減圧下に菖留したところシス−3−へ−1−セナ
ール147gを得た。反応に使用したシス−3ヘキセナ
ールジメチルアセクールに苅する収率は60モル%であ
った。
尚、シス−3−ヘキセナールの同定はjRスペクl−ル
及び’1m−NMRスペク[・ルイ直を測定することに
より行なった。
及び’1m−NMRスペク[・ルイ直を測定することに
より行なった。
比較例 2.4−ヘキ・す′ジェナールの水素添加50
0mffのオートクレーブ中に2,4−へギザジェナー
ル9.6 g、メチルシクロハ・ギザン100m1およ
びヘキサ力ルポニルクロム1.1 gヲ入h、内部の空
気を窒素−ζ寸分置換したのら水素を50kg / c
m 2圧入し、温度190〜1.95°Cで3時間攪拌
下に反応さ一已た。反応混合物をガスク[171・グラ
フィーによって分析したところ原料の2,4ヘキサジエ
ナールは完全に消費されていたが、[1的とするシス−
3−ヘキセナールはほとんど得られず、複雑な混合物を
与えた。
0mffのオートクレーブ中に2,4−へギザジェナー
ル9.6 g、メチルシクロハ・ギザン100m1およ
びヘキサ力ルポニルクロム1.1 gヲ入h、内部の空
気を窒素−ζ寸分置換したのら水素を50kg / c
m 2圧入し、温度190〜1.95°Cで3時間攪拌
下に反応さ一已た。反応混合物をガスク[171・グラ
フィーによって分析したところ原料の2,4ヘキサジエ
ナールは完全に消費されていたが、[1的とするシス−
3−ヘキセナールはほとんど得られず、複雑な混合物を
与えた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1及びR^2は低級アルキル基又は互いに
結合した低級アルキレン基を表わす)で表わされる2,
4−ヘキサジエナールジアルキルアセタールを、 一般式(II) M_x(CO)_y(arene)_z(II)(式中、
MはCr、MoおよびWよりなる群からえらばれた金属
原子を表わし、areneはアレーン配位子を表わす。 そしてxは1または2であり、yは3〜6の整数を、z
は0または1〜3の整数を表わす)で表わされる金属カ
ルボニルもしくはそのアレーン錯体触媒の存在下に接触
水素化反応せしめることを特徴とする一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、R^1及びR^2は前記と同じである)で表わ
されるシス−3−ヘキセナールジアルキルアセタールの
製造法。 2、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1及びR^2は低級アルキル基又は互いに
結合した低級アルキレン基を表わす)で表わされる2,
4−ヘキサジエナールジアルキルアセタールを、一般式
(II) M_x(CO)_y(arene)_z(II)(式中、
MはCr、MoおよびWよりなる群からえらばれた金属
原子を表わし、areneはアレーン配位子を表わす。 そしてxは1または2であり、yは3〜6の整数を、z
は0または1〜3の整数を表わす)で表わされる金属カ
ルボニルもしくはそのアレーン錯体触媒の存在下に接触
水素化反応せしめて一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、R^1及びR^2は前記と同じである)で表わ
されるシス−3−ヘキセナールジアルキルアセタールを
得、次いで加水分解せしめることを特徴とするシス−3
−ヘキセナールの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169126A JPH0334952A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | シス―3―ヘキセナールジアルキルアセタール及びシス―3―ヘキセナールの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169126A JPH0334952A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | シス―3―ヘキセナールジアルキルアセタール及びシス―3―ヘキセナールの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334952A true JPH0334952A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15880763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1169126A Pending JPH0334952A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | シス―3―ヘキセナールジアルキルアセタール及びシス―3―ヘキセナールの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334952A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995016660A1 (en) * | 1993-12-17 | 1995-06-22 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Cis-3-hexenal cis-3-hexenyl acetal compound, process for producing the same, and flavor/taste imparting agent, flavor/taste retaining agent and perfume composition each containing the same |
| JP2013159595A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Nippon Zeon Co Ltd | cis−3−ヘキセナールの蒸留方法 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1169126A patent/JPH0334952A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995016660A1 (en) * | 1993-12-17 | 1995-06-22 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Cis-3-hexenal cis-3-hexenyl acetal compound, process for producing the same, and flavor/taste imparting agent, flavor/taste retaining agent and perfume composition each containing the same |
| US5739100A (en) * | 1993-12-17 | 1998-04-14 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Cis-3-hexenal-cis-3-hexenyl acetal compound, process for preparing same, and fragrance-or flavor-imparting or fragrance-or flavor-retaining agent and perfume composition containing same |
| JP2013159595A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Nippon Zeon Co Ltd | cis−3−ヘキセナールの蒸留方法 |
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