JPH0335012A - 紫外線硬化性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は紫外線硬化性組成物およびその用途に関する。

特に、本発明は硬化時に低粘度でかつ良好な機械的性質
という独特の組み合わせを有するものである紫外線硬化
性組成物に関する。

本組成物は約１５０℃までの温度に対して耐性がありそ
して脆いものではない。本発明の組成物は光ディスク用
の溝層として特に有用である。

（従来技術） 光ディスク基板はデジタルオーディオディスク、光ビデ
オディスク、メモリディスクおよび光磁気ディスクに幅
広く用いられている。光ディスクの製作において溝層と
呼ばれる液体光硬化性組成物をガラスディスクとスタン
パート呼ばれる溝パターンとの間に置くことが知られて
いる。次いで液体光硬化性組成物は紫外線照射され、そ
れにより硬膜が形成される。次いでスタンバ−が硬化し
た層から取り除かれる。これで硬化した光硬化性層はス
タンバ−のパターンを複製したことになる。

溝層に用いられる光硬化性組成物は幾つかの重要な性質
を有する。例えば、本組成物は比較的低粘度であるが、
それにも拘わらず迅速に硬化することができる。硬化し
た層は揮発性が低いに違いなくその結果続いて工程中に
用いられる薄膜スタンパートは汚染されないであろう。

また硬化した膜は次の薄膜スタンパー工程中に経験する
１５０℃までの高温に耐えることができるであろう。

さらに、硬化しＩ；層は高温で良好な機械的性質、ガラ
ス転移温度（Ｔｇ）およびモジュラスを維持するに違い
ない。また硬化した組成物は強靭でありそしてあまり脆
くないに違いない。その上、本組成物はスタンバ−から
その縁に損傷を与えることなく容易に剥離するかまたは
剥離時に粒子を生成する。

（発明が解決しようとする課題） Ｔａｊｉｍａらの米国特許第４．７２９，９３８号に例
示されているように特定の組成物が溝まＩ；はプライマ
ー層として提案されているが、このような組成物は上記
の所望の性質をすべて満足させるものとは限らない。例
えば、広範囲の温度にわたって良好な機械的性質ととも
に低粘度を遺戒することは回避されている。そのため従
来の組成物は改良の余地がある。

（問題点を解決するための手段） 本発明は硬化時に低粘度でかつ良好な機械的性質という
独特の組み合わせを有する紫外線硬化性ｉ酸物を提供す
る。本ｉ戊物は硬化時に広い温度範囲にわたって非常に
高いＴｇ（ガラス転移温度）および高いモジュラスを有
する。さらに本組成物は標準室温で約５０〜約１５０セ
ンチポアズの低粘度を有する。

本発明の組成物は統いて付与される薄膜層の腐食または
離層をひき起こさない。

詳しくは、本発明の紫外線硬化性組成物はＡ）約３５〜
約７０重量％のエトキシル化ビスフェノールＡまたはビ
スフェノールＦジアクリレートまたはジメタクリレート
、 Ｂ）多官能価アクリレートまたはメタクリレート、 Ｃ）　　Ｎ−ビニルピロリドン、 Ｄ）約０．１〜約５重量％の炭素原子１０〜２２個から
なる長鎖アクリレートまたはメタクリレートおよび Ｅ）約０．１〜約５重量％の光開始剤 からなり、ここでＢ）とＣ）との総量は２５〜４０重量
％でありそしてＢ）対人）の比は約１：２〜２：１であ
る。

さらに、本発明は上記組成物を溝層として用いる光ディ
スク基板（ｂａｓｅ　ｐｌａｔｅ）に関する。詳しくは
本発明は透明な基体（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）　、その基
体上に形成しそして情報信号を保持するためのくぼみお
よび突起を有する溝層およびプライマー層上に形成した
記録膜からなり、そしてこの溝層は Ａ）約３５〜約７０重量％のエトキシル化ビスフェノー
ルＡまたはビスフェノールＦジアクリレートまたはジメ
タクリレート、 Ｂ）多官能価アクリレートまたはメタクリレート、 Ｃ）　　Ｎ−ビニルピロリドン、 Ｄ）約０．１〜約５重量％の炭素原子１０〜２２個から
なる長鎖アクリレートまたはメタクリレートおよび Ｅ）約Ｏ１１〜約５重量％の光開始剤 からなり、ここでＢ）とＣ）との総量は２５〜４０重量
％でありそしてＢ）対人）の比は約ｌ：２〜２：１であ
る紫外線硬化性樹脂組成物を紫外線照射して硬化するこ
とにより得られるものである光ディスク基板に関する。

（実施例） 本発明の紫外線硬化性組成物はエトキシル化ビスフェノ
ールＡジアクリレート、エトキシル化ビスフェノールＡ
ジメタクリレート、エトキシル化ビスフェノールＦジア
クリレートまたはエトキシル化ビスフェノールＦジメタ
クリレートのうち少なくとも１つを含有する。所望なら
ばこれらの化合物の混合物を用いることができる。この
ような化合物は例えばエトキシル化ビスフェノールＡジ
アクリレートであるＳａｒｔｏｍｅｒ３４９のごと＜　
Ａｒｃｏ　Ｃｈｅｍｉｃａ１社から商業的に入手しうる
。

上記の化合物は本組成物中において約３５〜約７０重量
％好ましくは約４５〜約６０重量％の量で用いられる。

本発明の組成物はさらに反応性希釈剤としてＮ−ビニル
ピロリドン、多官能価アクリレートおよび／または多官
能価メタクリレートを含有しなければならない。組成物
中におけるＮ−ビニルピロリドンおよび多官能価アクリ
レートまたはメタクリレートの総量は約２５〜約４０重
量％、好ましくは約３０〜約３６重量％でありそしてそ
のＮ−ビニルピロリドンと多官能価アクリレートまたは
メタクリレートの比は約ｌ：２〜約２：１１好ましくは
約ｌ：ｌである。

多官能価アクリレートおよびメタクリレートは少なくと
も３個、通常は４個以下のアクリレートおよび／または
メタクリレート基を含有する。このような化合物の例と
してはトリメチロールプロパントリアクリレート、トリ
メチロールプロパントリメタクリレート、１．２．４−
ブタントリオールトリメタクリレート、ペンタエリトリ
トールテトラメタクリレート、ペンタエリトリトールト
リアクリレート、グリセロールトリアクリレート、グリ
セロールトリメタクリレート、トリメチロールエタント
リメタクリレートおよびトリメチロールエタントリアク
リレートが挙げられる。

好ましい多官能価アクリレートまたはメタクリレートは
トリメチロールプロパントリアクリレートである。

さらに本発明の組成物は長鎖モノアクリレートおよび／
または長鎖モノメタクリレートを含有しなければならな
い。通常、アクリレートおよび／またはメタクリレート
は１０〜２２個、好ましくは１２〜１８個の炭素原子を
含有する。好適な実施例はイソデシルアクリレートおよ
びステアリルメタクリレートである。長鎖アクリレート
および／またはメタクリレートはスタンパ−除去後の本
組成物の縁の状態を改良する。これらはまたスタンピン
グ工程からの汚染の減少およびスタンバ−の硬化した組
成物からの実際の剥離における改良をもたらす。長鎖ア
クリレートおよび／またはメタクリレートは通常約０．
１〜５重量％好ましくは約１〜約３重量％の量で組成物
中に存在する。

本発明の組成物はまた約０．１〜約５重量％好ましくは
約２〜約４重量％の光開始剤を含有する。光開始剤の例
としてはベンジル類例えばベンジル；ベンゾイン類例え
ばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイン
エチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベ
ンゾインイソブチルエーテルおよびａ−メチルベンゾイ
ン；ベンゾフェノン類例えばｌ−ヒドロキシシクロへキ
シルベンゾフェノン；アセトフェノン類例えばアセトフ
ェノン、２．２．２−トリブロモアセトフェノンおよび
ジメトキシ７二二ルアセトフエノン；チオキサントン類
例えば２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサ
ントン：アントラキノン類例えば２−エチルアントラキ
ノン、２−メチルアントラキノン：ベンジルケタール類
例えばベンジルジメチルケタールが挙げられる。

これらの光重合開始剤は単独でまたはその混合物として
使用することができる。

好ましい光開始剤はジメトキシフェニルアセトフェノン
である。

例えば、紫外線硬化性樹脂組成物を２枚のガラス板によ
りできた空間に注ぎ、２〜２０ｇ／ｃｍ”好ましくは５
〜１５９／Ｃ１１”の圧力でプレスしそして高圧水銀ラ
ンプ、キセノンランプなト（例工ば３６５ｎｍにおいて
相当な出力を有するランプの何れか）を用いる５０〜４
００ｍＷ／ｃｍ’好ましくは１００〜２５０ｍＷ／ｃｍ
’の紫外線照射に暴露して樹脂組成物を硬化させる。

紫外線硬化性樹脂ＩＩＩＲ物を用いて、塑性情報記録用
媒体例えば光ディスクは第１〜５図に示されるような慣
用の工程にしたがって作製することができる。

例えば第１図に示されるように、均一な厚さ＋７）７オ
トレジスト膜（２）を滑らかなガラス板のような基体（
１）の表面に形成してディスク基板（３）とする。

次いで第２図に示されるように、ディスク基板（３）を
スピンドル（４）に取り付け、回転しそしてレーザヘッ
ド（５）をディスク基板（３）の内側から外側に駆動し
ながら７オトレジストｇ（２）上の所定のトラッキング
信号により変調される打ち抜き用レーザ光（６）で照射
する。

次いで、７オトレジスト膜（２）を現像処理に付して打
ち抜き用レーザ光（６）に暴露した部分を除去しそして
情報を保持するための溝が形成されている記録基板とす
る。

第３図に示されるように、導電性膜（８）をＮｉなとの
蒸着により記録基板のフォトレジスト膜（２）上に形成
し、次いでその導電性膜（８）上に例えばＮｉなどの金
属材料を用いて電鋳膜（９）を形成する。次いで、導電
性膜（８）と電鋳膜（９）との積層体を導電性膜（８）
およびフォトレジスト膜（２）の界面から取り外してス
タンパ−（ｌＯ）とする。

第４図に示されるように、スタンパ−（１０）の溝の転
写側に溝層として紫外線硬化性樹脂組成物（１１）を塗
布しそしてこの樹脂組成物（１１）をガラス、プラスチ
ックなどから作られた透明な基体（１２）を用いて均一
に延伸する。

溝層としての樹脂組成物（１１）を硬化しｔ；後、溝層
と基体との積重ね体をスタンパ−（１０）および溝層樹
脂（１１）の界面から取り外す。次いで第５図に示され
るように殆んど均一な厚さのＢ１１１ｎ、　Ｔａ、　Ａ
ｓ、　Ｐｂ、　Ｓｎなどの金属材料から作られた記録膜
（１３）を溝層樹脂（１１）の表面上に形成して記録膜
（１３）、溝層樹脂（１１）および透明な基体（１２）
から一体となって形成される光ディスク基板（１４）と
する。

記録膜を形成するための材料として、好ましくはＴｅ系
材料例えばｐｂを含有するＴｅ化合物例えばＴｅ−５ｅ
−Ｐｂ結結栓性カルコゲナイド例えばＴｅａｏＳｅ＋＊
Ｐｂ＋ｓ）、ＣＨ，などをＴｅ上にプラズマ共蒸着する
ことにより得られるＴｅ−Ｃｓ　　ＣＳＩをＴｅ上にプ
ラズマ共蒸着することにより得られるＴｅ−Ｃ５゜Ｔｅ
ａ、とＴｅをプラズマ共蒸着することにより得られるＴ
ｅＯｘなどを用いることができる。

最後に、第６図に示されるように二枚の光ディスク基板
（１４，１４）は溝層樹脂側が互いに向い合うように平
行に置きそして反対側の記録膜（１３，１３）の間に所
定の空間（１５）を有するスペーサー（または非常に小
さい熱伝導率を有する物質から作られた層）を介して結
合して情報を記録するための所望の光ディスク（１６）
とする。

以下の実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが
これらに限定されるものではない。

実施例　ｌ 約６０重量％のＳａｒｔｏｍｅｒ３４８、約１８重量％
のトリメチロールプロパントリアクリレート、約１８重
量％のＮ−ビニルピロリドン、約２重量％のイソデシル
アクリレートおよび約２重量％のジメトキシ−２−フェ
ニルアセトフェノンを含有する組成物を調製した。この
組成物の粘度は２５℃で約１００センチポアズであった
。この組成物を４０ｍＷ／ｃ−で約３６５ｎｎ＋の波長
を有する紫外線に７５秒間暴露することにより硬化した
。硬化した組成物のＴｇは１９５℃であり、またモジュ
ラスは２５℃で１０２　、０００ｐｓ　ｉそして２００
℃で１７．０００ｐｓｉテあつ　ｔこ　。

【図面の簡単な説明】

第１〜６図は光ディスクの製作工程を説明するための光
ディスクの一部の横断面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）Ａ）約３５〜約７０重量％のエトキシル化ビスフェ
   ノールＡまたはビスフェノールＦジアク リレートまたはジメタクリレート、 Ｂ）多官能価アクリレートまたはメタクリレート、 Ｃ）Ｎ−ビニルピロリドン、 Ｄ）約０．１〜約５重量％の炭素原子１０〜２２個から
   なる長鎖アクリレートまたはメタクリ レートおよび Ｅ）約０．１〜約５重量％の光開始剤 からなり、ここでＢ）とＣ）との総量は２５〜４０重量
   ％でありそしてＢ）対Ａ）の比は約１：２〜２：１であ
   る紫外線硬化性組成物。 ２）Ａ）はエトキシル化ビスフェノールＡジメタクリレ
   ートである請求項１記載の組成物。 ３）多官能価アクリレートまたはメタクリレートはトリ
   メチロールプロパントリアクリレートである請求項１記
   載の組成物。 ４）長鎖アクリレートまたはメタクリレートはイソデシ
   ルアクリレートまたはステアリルメタクリレートまたは
   その混合物である請求項１記載の組成物。 ５）長鎖アクリレートまたはメタクリレートはイソデシ
   ルアクリレートを含むものである請求項１記載の組成物
   。 ６）光開始剤はジメトキシ−２−フェニルアセトフェノ
   ンを含むものである請求項１記載の組成物。 ７）光開始剤は約２〜約４重量％の量で存在する請求項
   １記載の組成物。 ８）長鎖アクリレートまたはメタクリレートは約１〜約
   ３重量％の量で存在する請求項１記載の組成物。 ９）Ｎ−ビニルピロリドンと多官能価アクリレートまた
   はメタクリレートとの比は約１：１である請求項１記載
   の組成物。 １０）約６０重量％のエトキシル化ビスフェノールＡジ
   メタクリレートまたはエトキシル化ビスフェノールＡジ
   アクリレートまたはその混合物、約１８重量％のＮ−ビ
   ニルピロリドン、約１８重量％のトリメチロールプロパ
   ントリアクリレート、約２重量％のイソデシルアクリレ
   ートまたはステアリルメタクリレートまたはその混合物
   および約２重量％のジメトキシ−２−フェニルアセトフ
   ェノンを含有する請求項１記載の組成物。 １１）透明な基体、その基体上に形成しそして情報信号
   を保持するためのくぼみおよび突起を有する溝層および
   プライマー層上に形成した記録用膜からなり、そしてこ
   の溝層は Ａ）約３５〜約７０重量％のエトキシル化ビスフェノー
   ルＡまたはビスフェノールＦジアク リレートまたはジメタクリレート、 Ｂ）多官能価アクリレートまたはメタクリレート、 Ｃ）Ｎ−ビニルピロリドン、 Ｄ）約０．１〜約５重量％の炭素原子１０〜２２個から
   なる長鎖アクリレートまたはメタクリ レートおよび Ｅ）約０．１〜約５重量％の光開始剤 からなり、ここでＢ）とＣ）との総量は２５〜４０重量
   ％でありそしてＢ）対Ａ）の比は約１：２〜２：１であ
   る紫外線硬化性樹脂組成物を紫外線照射して硬化するこ
   とにより得られるものである光ディスク基板。 １２）Ａ）はエトキシル化ビスフェノールＡジメタクリ
   レートである請求項１１記載の光ディスク基板。 １３）多官能価アクリレートまたはメタクリレートはト
   リメチロールプロパントリアクリレートである請求項１
   １記載の光ディスク基板。 １４）長鎖アクリレートまたはメタクリレートはイソデ
   シルアクリレートまたはステアリルメタクリレートまた
   はその混合物である請求項１１記載の光ディスク基板。 １５）長鎖アクリレートまたはメタクリレートはイソデ
   シルアクリレートを含むものである請求項１１記載の光
   ディスク基板。 １６）光開始剤はジメトキシ−２−フェニルアセトフェ
   ノンを含むものである請求項１１記載の光ディスク基板
   。 １７）光開始剤は約２〜約４重量％の量で存在する請求
   項１１記載の光ディスク基板。 １８）長鎖アクリレートまたはメタクリレートは約１〜
   約３重量％の量で存在する請求項１１記載の光ディスク
   基板。 １９）Ｎ−ビニルピロリドンと多官能価アクリレートま
   たはメタクリレートとの比は約１：１である請求項１１
   記載の光ディスク基板。 ２０）約６０重量％のエトキシル化ビスフェノールＡジ
   メタクリレートまたはエトキシル化ビスフェノールＡジ
   アクリレートまたはその混合物、約１８重量％のＮ−ビ
   ニルピロリドン、約１８重量％のトリメチロールプロパ
   ントリアクリレート、約２重量％のイソデシルアクリレ
   ートまたはステアリルメタクリレートまたはその混合物
   および約２重量％のジメトキシ−２−フェニルアセトフ
   ェノンを含有する請求項１１記載の光ディスク基板。