JPH0575768B2 - - Google Patents
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- JPH0575768B2 JPH0575768B2 JP2117796A JP11779690A JPH0575768B2 JP H0575768 B2 JPH0575768 B2 JP H0575768B2 JP 2117796 A JP2117796 A JP 2117796A JP 11779690 A JP11779690 A JP 11779690A JP H0575768 B2 JPH0575768 B2 JP H0575768B2
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 23
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- LVGFPWDANALGOY-UHFFFAOYSA-N 8-methylnonyl prop-2-enoate Chemical group CC(C)CCCCCCCOC(=O)C=C LVGFPWDANALGOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 8
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical group C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QUZSUMLPWDHKCJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol A dimethacrylate Chemical class C1=CC(OC(=O)C(=C)C)=CC=C1C(C)(C)C1=CC=C(OC(=O)C(C)=C)C=C1 QUZSUMLPWDHKCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HMZGPNHSPWNGEP-UHFFFAOYSA-N octadecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C HMZGPNHSPWNGEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N Bisphenol F Natural products C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FHLPGTXWCFQMIU-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-prop-2-enoyloxyphenyl)propan-2-yl]phenyl] prop-2-enoate Chemical class C=1C=C(OC(=O)C=C)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC(=O)C=C)C=C1 FHLPGTXWCFQMIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 2-methylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3C(=O)C2=C1 NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHTZQYDVDPHTAM-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tribromo-1-phenylethanone Chemical compound BrC(Br)(Br)C(=O)C1=CC=CC=C1 WHTZQYDVDPHTAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEBBLNDVSSWJLL-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(2-methylprop-2-enoyloxy)propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(OC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C NEBBLNDVSSWJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUGOMSLRUSTQGV-UHFFFAOYSA-N 2,3-di(prop-2-enoyloxy)propyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(OC(=O)C=C)COC(=O)C=C PUGOMSLRUSTQGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANGRRDJVKMEUPD-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoic acid propan-1-ol Chemical compound C(C(=C)C)(=O)O.C(C(=C)C)(=O)O.C(C(=C)C)(=O)O.OCCC ANGRRDJVKMEUPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGRBZHPJKWFAFZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-bis(2-methylprop-2-enoyloxy)butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(OC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C GGRBZHPJKWFAFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDAHDQGVJHDLHQ-UHFFFAOYSA-N [2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C=CC=CC=2)C=1C1(O)CCCCC1 BDAHDQGVJHDLHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSZUHSXXAOWGQY-UHFFFAOYSA-N [2-methyl-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HSZUHSXXAOWGQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSUCJIJELNXPQI-UHFFFAOYSA-N [4-[[4-(2-methylprop-2-enoyloxy)phenyl]methyl]phenyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical class C1=CC(OC(=O)C(=C)C)=CC=C1CC1=CC=C(OC(=O)C(C)=C)C=C1 RSUCJIJELNXPQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- -1 benzyl dimethyl ketal Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- CDOSHBSSFJOMGT-UHFFFAOYSA-N linalool Chemical compound CC(C)=CCCC(C)(O)C=C CDOSHBSSFJOMGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940086559 methyl benzoin Drugs 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は紫外線硬化性組成物およびその用途に
関する。特に、本発明は硬化時に低粘度でかつ良
好な機械的性質という独特の組み合わせを有する
ものである紫外線硬化性組成物に関する。本組成
物は約150℃までの温度に対して耐性がありそし
て脆いものではない。本発明の組成物は光デイス
ク用の溝層として特に有用である。
関する。特に、本発明は硬化時に低粘度でかつ良
好な機械的性質という独特の組み合わせを有する
ものである紫外線硬化性組成物に関する。本組成
物は約150℃までの温度に対して耐性がありそし
て脆いものではない。本発明の組成物は光デイス
ク用の溝層として特に有用である。
（従来技術）
光デイスク基板はデジタルオーデイオデイス
ク、光ビデオデイスク、メモリデイスクおよび光
磁気デイスクに幅広く用いられている。光デイス
クの製作において溝層と呼ばれる液体光硬化性組
成物をガラスデイスクとスタンパーと呼ばれる溝
パターンとの間に置くことが知られている。次い
で液体硬化性組成物は紫外線照射され、それによ
り硬膜が形成される。次いでスタンパーが硬化し
た層から取り除かれる。これで硬化した光硬化性
層はスタンパーのパターンを複製したことにな
る。
ク、光ビデオデイスク、メモリデイスクおよび光
磁気デイスクに幅広く用いられている。光デイス
クの製作において溝層と呼ばれる液体光硬化性組
成物をガラスデイスクとスタンパーと呼ばれる溝
パターンとの間に置くことが知られている。次い
で液体硬化性組成物は紫外線照射され、それによ
り硬膜が形成される。次いでスタンパーが硬化し
た層から取り除かれる。これで硬化した光硬化性
層はスタンパーのパターンを複製したことにな
る。
溝層に用いられる光硬化性組成物は幾つかの重
要な性質を有する。例えば、本組成物は比較的低
粘度であるが、それにも拘わらず迅速に硬化する
ことができる。硬化した層は揮発性が低いに違い
なくその結果続いて工程中に用いられる薄膜スタ
ツパー室は汚染されないであろう。また硬化した
膜は次の薄膜スタツパー工程中に経験する150℃
までの高温に耐えることができるであろう。
要な性質を有する。例えば、本組成物は比較的低
粘度であるが、それにも拘わらず迅速に硬化する
ことができる。硬化した層は揮発性が低いに違い
なくその結果続いて工程中に用いられる薄膜スタ
ツパー室は汚染されないであろう。また硬化した
膜は次の薄膜スタツパー工程中に経験する150℃
までの高温に耐えることができるであろう。
さらに、硬化した層は高温で良好な機械的性
質、ガラス転移温度（Tg）およびモジユラスを
維持するに違いない。また硬化した組成物は強靭
でありそしてあまり脆くないに違いない。その
上、本組成物はスタンパーからその縁に損傷を与
えることなく容易に剥離するかまたは剥離時に粒
子を生成する。
質、ガラス転移温度（Tg）およびモジユラスを
維持するに違いない。また硬化した組成物は強靭
でありそしてあまり脆くないに違いない。その
上、本組成物はスタンパーからその縁に損傷を与
えることなく容易に剥離するかまたは剥離時に粒
子を生成する。
（発明が解決しようとする課題）
Tajimaらの米国特許第4729938号に例示されて
いるように特定の組成物が溝またはプライマー層
として提案されているが、このような組成物は上
記の所望の性質をすべて満足させるものとは限ら
ない。例えば、広範囲の温度にわたつて良好な機
械的性質とともに低粘度を達成することは回避さ
れる。そのため従来の組成物は改良の余地があ
る。
いるように特定の組成物が溝またはプライマー層
として提案されているが、このような組成物は上
記の所望の性質をすべて満足させるものとは限ら
ない。例えば、広範囲の温度にわたつて良好な機
械的性質とともに低粘度を達成することは回避さ
れる。そのため従来の組成物は改良の余地があ
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明は硬化時に低粘度でかつ良好な機械的性
質という独特の組み合わせを有する紫外線硬化性
組成物を提供する。本組成物は硬化時に広い温度
範囲にわたつて非常に高いTg（ガラス転移温度）
および高いモジユラスを有する。さらに本組成物
は標準室温で約50〜約150センチポアズの低粘度
を有する。
質という独特の組み合わせを有する紫外線硬化性
組成物を提供する。本組成物は硬化時に広い温度
範囲にわたつて非常に高いTg（ガラス転移温度）
および高いモジユラスを有する。さらに本組成物
は標準室温で約50〜約150センチポアズの低粘度
を有する。
本発明の組成物は続いて付与される薄膜層の腐
食または離層をひき起こさない。
食または離層をひき起こさない。
詳しくは、本発明の紫外線硬化性組成物は
(A) 約35〜約70重量％のエトキシル化ビスフエノ
ールＡまたはビスフエノールＦジアクリレート
またはジメタクリレート、 (B) 多官能価アクリレートまたはメタクリレー
ト、 (C) Ｎ−ビニルピロリドン、 (D) 約0.1〜約５重量％の炭素原子10〜22個から
なる長鎖アクリレートまたはメタクリレートお
よび Ｅ） 約0.1〜約５重量％の光開始剤 からなり、ここで(B)と(C)との総量は25〜40重量％
でありそして(B)対(A)の比は約１：２〜２：１であ
る。
ールＡまたはビスフエノールＦジアクリレート
またはジメタクリレート、 (B) 多官能価アクリレートまたはメタクリレー
ト、 (C) Ｎ−ビニルピロリドン、 (D) 約0.1〜約５重量％の炭素原子10〜22個から
なる長鎖アクリレートまたはメタクリレートお
よび Ｅ） 約0.1〜約５重量％の光開始剤 からなり、ここで(B)と(C)との総量は25〜40重量％
でありそして(B)対(A)の比は約１：２〜２：１であ
る。
さらに、本発明は上記組成物を溝層として用い
る光デイスク基板（base plate）に関する。詳し
くは本発明は透明な基体（substrate）、その基体
上に形成しそして情報信号を保持するためのくぼ
みおよび突起を有する溝層およびプライマー層に
形成した記録膜からなり、そしてこの溝層は (A) 約35〜約70重量％のエトキシル化ビスフエノ
ールＡまたはビスフエノールＦジアクリレート
またはジメタクリレート、 (B) 多官能価アクリレートまたはメタクリレー
ト、 (C) Ｎ−ビニルピロリドン、 (D) 約0.1〜約５重量％の炭素原子10〜22個から
なる長鎖アクリレートまたはメタクリレートお
よび (E) 約0.1〜約５重量％の光開始剤 からなり、ここで(B)と(C)との総量は25〜40重量％
でありそして(B)対(A)の比は約１：２〜２：１であ
る紫外線硬化性樹脂組成物を紫外線照射して硬化
することにより得られるものである光デイスク基
板に関する。
る光デイスク基板（base plate）に関する。詳し
くは本発明は透明な基体（substrate）、その基体
上に形成しそして情報信号を保持するためのくぼ
みおよび突起を有する溝層およびプライマー層に
形成した記録膜からなり、そしてこの溝層は (A) 約35〜約70重量％のエトキシル化ビスフエノ
ールＡまたはビスフエノールＦジアクリレート
またはジメタクリレート、 (B) 多官能価アクリレートまたはメタクリレー
ト、 (C) Ｎ−ビニルピロリドン、 (D) 約0.1〜約５重量％の炭素原子10〜22個から
なる長鎖アクリレートまたはメタクリレートお
よび (E) 約0.1〜約５重量％の光開始剤 からなり、ここで(B)と(C)との総量は25〜40重量％
でありそして(B)対(A)の比は約１：２〜２：１であ
る紫外線硬化性樹脂組成物を紫外線照射して硬化
することにより得られるものである光デイスク基
板に関する。
（実施例）
本発明の紫外線硬化性組成物はエトキシル化ビ
スフエノールＡジアクリレート、エトキシル化ビ
スフエノールＡジメタクリレート、エトキシル化
ビスフエノールＦジアクリレートまたはエトキシ
ル化ビスフエノールＦジメタクリレートのうち少
なくとも１つを含有する。所望ならばこれらの化
合物の混合物を用いることができる。このような
化合物は例えばエトキシル化ビスフエノールＡジ
アクリレートであるSartomer349のごとくArco
Chemical社から商業的に入手しうる。
スフエノールＡジアクリレート、エトキシル化ビ
スフエノールＡジメタクリレート、エトキシル化
ビスフエノールＦジアクリレートまたはエトキシ
ル化ビスフエノールＦジメタクリレートのうち少
なくとも１つを含有する。所望ならばこれらの化
合物の混合物を用いることができる。このような
化合物は例えばエトキシル化ビスフエノールＡジ
アクリレートであるSartomer349のごとくArco
Chemical社から商業的に入手しうる。
上記の化合物は本組成物中において約35〜約70
重量％好ましくは約45〜約60重量％の量で用いら
れる。
重量％好ましくは約45〜約60重量％の量で用いら
れる。
本発明の組成物はさらに反応性希釈剤としてＮ
−ビニルピロリドン、多官能価アクリレートおよ
び／または多官能価メタクリレートを含有しなけ
ればならない。組成物中におけるＮ−ビニルピロ
リドンおよび多官能価アクリレートまたはメタク
リレートの総量は約25〜約40重量％、好ましくは
約30〜約36重量％でありそしてそのＮ−ビニルピ
ロリドンと多官能価アクリレートまたはメタクリ
レートの比は約１：２〜約２：１、好ましくは約
１：１である。
−ビニルピロリドン、多官能価アクリレートおよ
び／または多官能価メタクリレートを含有しなけ
ればならない。組成物中におけるＮ−ビニルピロ
リドンおよび多官能価アクリレートまたはメタク
リレートの総量は約25〜約40重量％、好ましくは
約30〜約36重量％でありそしてそのＮ−ビニルピ
ロリドンと多官能価アクリレートまたはメタクリ
レートの比は約１：２〜約２：１、好ましくは約
１：１である。
多官能価アクリレートおよびメタクリレートは
少なくとも３個、通常は４個以下のアクリレート
および／またはメタクリレート基を含有する。こ
のような化合物の例としてはトリメチロールプロ
パントリアクリレート、トリメチロールプロパン
トリメタクリレート、１，２，４−ブタントリオ
ールトリメタクリレート、ペンタエリトリトール
テトラメタクリレート、ペンタエリトリトールト
リアクリレート、グリセロールトリアクリレー
ト、グリセロールトリメタクリレート、トリメチ
ロールエタントリメタクリレートおよびトリメチ
ロールエタントリアクリレートが挙げられる。
少なくとも３個、通常は４個以下のアクリレート
および／またはメタクリレート基を含有する。こ
のような化合物の例としてはトリメチロールプロ
パントリアクリレート、トリメチロールプロパン
トリメタクリレート、１，２，４−ブタントリオ
ールトリメタクリレート、ペンタエリトリトール
テトラメタクリレート、ペンタエリトリトールト
リアクリレート、グリセロールトリアクリレー
ト、グリセロールトリメタクリレート、トリメチ
ロールエタントリメタクリレートおよびトリメチ
ロールエタントリアクリレートが挙げられる。
好ましい多官能価アクリレートまたはメタクリ
レートはトリメチロールプロパントリアクリレー
トである。
レートはトリメチロールプロパントリアクリレー
トである。
さらに本発明の組成物は長鎖モノアクリレート
および／または長鎖モノメタクリレートを含有し
なければならない。通常、アクリレートおよび／
またはメタクリレートは10〜22個、好ましくは12
〜18個の炭素原子を含有する。好適な実施例はイ
ソデシルアクリレートおよびステアリルメタクリ
レートである。長鎖アクリレートおよび／または
メタクリレートはスタンパー除去後の本組成物の
縁の状態を改良する。これらはまたスタンピング
工程からの汚染の減少およびスタンパーの硬化し
た組成物からの実際の剥離における改良をもたら
す。長鎖アクリレートおよび／またはメタクリレ
ートは通常約0.1〜５重量％好ましくは約１〜約
３重量％の料で組成物中に存在する。
および／または長鎖モノメタクリレートを含有し
なければならない。通常、アクリレートおよび／
またはメタクリレートは10〜22個、好ましくは12
〜18個の炭素原子を含有する。好適な実施例はイ
ソデシルアクリレートおよびステアリルメタクリ
レートである。長鎖アクリレートおよび／または
メタクリレートはスタンパー除去後の本組成物の
縁の状態を改良する。これらはまたスタンピング
工程からの汚染の減少およびスタンパーの硬化し
た組成物からの実際の剥離における改良をもたら
す。長鎖アクリレートおよび／またはメタクリレ
ートは通常約0.1〜５重量％好ましくは約１〜約
３重量％の料で組成物中に存在する。
本発明の組成物はまた約0.1〜約５重量％好ま
しくは約２〜約４重量％の光開始剤を含有する。
光開始剤の例としてはベンジル類例えばベンジ
ル；ベンゾイン類例えばベンゾイン、ベンゾイン
メチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベ
ンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソ
ブチルエーテルおよびａ−メチルベンゾイン；ベ
ンゾフエノン類例えば１−ヒドロキシシクロヘキ
シルベンゾフエノン；アセトフエノン類例えばア
セトフエノン、２，２，２−トリブロモアセトフ
エノンおよびジメトキシフエニルアセトフエノ
ン；チオキサントン類例えば２−クロロチオキサ
ントン、２−メチルチオキサントン；アントラキ
ノン類例えば２−エチルアントラキノン、２−メ
チルアントラキノン；ベンジルケタール類例えば
ベンジルジメチルケタールが挙げられる。
しくは約２〜約４重量％の光開始剤を含有する。
光開始剤の例としてはベンジル類例えばベンジ
ル；ベンゾイン類例えばベンゾイン、ベンゾイン
メチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベ
ンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソ
ブチルエーテルおよびａ−メチルベンゾイン；ベ
ンゾフエノン類例えば１−ヒドロキシシクロヘキ
シルベンゾフエノン；アセトフエノン類例えばア
セトフエノン、２，２，２−トリブロモアセトフ
エノンおよびジメトキシフエニルアセトフエノ
ン；チオキサントン類例えば２−クロロチオキサ
ントン、２−メチルチオキサントン；アントラキ
ノン類例えば２−エチルアントラキノン、２−メ
チルアントラキノン；ベンジルケタール類例えば
ベンジルジメチルケタールが挙げられる。
これらの光重合開始剤は単独でまたはその混合
物として使用することができる。
物として使用することができる。
好ましい光開始剤はジメトキシフエニルアセト
フエノンである。
フエノンである。
例えば、紫外線硬化性樹脂組成物を２枚のガラ
ス板によりできた空間に注ぎ、２〜20ｇ／cm2好ま
しくは５〜15ｇ／cm2の圧力でプレスしそして高圧
水銀ランプ、キセノンランプなど（例えば365n
ｍにおいて相当な出力を有するランプの何れか）
を用いる50〜400ｍＷ／cm2好ましくは100〜250ｍ
Ｗ／cm2の紫外線照射に暴露して樹脂組成物を硬化
させる。
ス板によりできた空間に注ぎ、２〜20ｇ／cm2好ま
しくは５〜15ｇ／cm2の圧力でプレスしそして高圧
水銀ランプ、キセノンランプなど（例えば365n
ｍにおいて相当な出力を有するランプの何れか）
を用いる50〜400ｍＷ／cm2好ましくは100〜250ｍ
Ｗ／cm2の紫外線照射に暴露して樹脂組成物を硬化
させる。
紫外線硬化性樹脂組成物を用いて、塑性情報記
録用媒体例えば光デイスクは第１〜５図に示され
るような慣用の工程にしたがつて作製することが
できる。
録用媒体例えば光デイスクは第１〜５図に示され
るような慣用の工程にしたがつて作製することが
できる。
例えば第１図に示されるように、均一な厚さの
フオトレジスト膜２を滑らかなガラス板のような
基体１の表面に形成してデイスク基板３とする。
フオトレジスト膜２を滑らかなガラス板のような
基体１の表面に形成してデイスク基板３とする。
次いで第２図に示されるように、デイスク基板
３をスピンドル４に取り付け、回転しそしてレー
ザヘツド５をデイスク基板３の内側から外側に駆
動しながらフオトレジスト膜２上の所定のトラツ
キング信号により変調される打ち抜き用レーザ光
６で照射する。
３をスピンドル４に取り付け、回転しそしてレー
ザヘツド５をデイスク基板３の内側から外側に駆
動しながらフオトレジスト膜２上の所定のトラツ
キング信号により変調される打ち抜き用レーザ光
６で照射する。
次いで、フオトレジスト膜２を現像処理に付し
て打ち抜き用レーザ光６に暴露した部分を除去し
そして情報を保持するための溝が形成されている
記録基板とする。
て打ち抜き用レーザ光６に暴露した部分を除去し
そして情報を保持するための溝が形成されている
記録基板とする。
第３図に示されるように、導電性膜８をNiな
どの蒸着により記録基板のフオトレジスト膜２上
に形成し、次いでその導電性膜８上に例えばNi
などの金属材料を用いて電鋳膜９を形成する。次
いで、導電性膜８と電鋳膜９との積層体を導電性
膜８およびフオトレジスト膜２の界面から取り外
してスタンパー１０とする。
どの蒸着により記録基板のフオトレジスト膜２上
に形成し、次いでその導電性膜８上に例えばNi
などの金属材料を用いて電鋳膜９を形成する。次
いで、導電性膜８と電鋳膜９との積層体を導電性
膜８およびフオトレジスト膜２の界面から取り外
してスタンパー１０とする。
第４図に示されるように、スタンパー１０の溝
の転写側に溝層として紫外線硬化性樹脂組成物１
１を塗布しそしてこの樹脂組成物１１をガラス、
プラスチツクなどから作られた透明な基体１２を
用いて均一に延伸する。
の転写側に溝層として紫外線硬化性樹脂組成物１
１を塗布しそしてこの樹脂組成物１１をガラス、
プラスチツクなどから作られた透明な基体１２を
用いて均一に延伸する。
溝層としての樹脂組成物１１を硬化した後、溝
層と基体との積重ね体をスタンパー１０および溝
層樹脂１１の界面から取り外す。次いで第５図に
示されるように殆んど均一な厚さのBi、In、Te、
As、Pb、Snなどの金属材料から作られた記録膜
１３を溝層樹脂１１の表面上に形成して記録膜１
３、溝層樹脂１１および透明な基体１２から一体
となつて形成される光デイスク基板１４とする。
層と基体との積重ね体をスタンパー１０および溝
層樹脂１１の界面から取り外す。次いで第５図に
示されるように殆んど均一な厚さのBi、In、Te、
As、Pb、Snなどの金属材料から作られた記録膜
１３を溝層樹脂１１の表面上に形成して記録膜１
３、溝層樹脂１１および透明な基体１２から一体
となつて形成される光デイスク基板１４とする。
記録膜を形成するための材料として、好ましく
はTe系材料例えばPbを含有するTe化合物例えば
Te−Se−Pb結晶性カルコゲナイド（例えば
Te80Se10Pb10）、CH4などをTe上にプラズマ共蒸
着することにより得られるTe−Ｃ、CS2をTe上
にプラズマ共蒸着することにより得られるTe−
CS、TeO2とTeをプラズマ共蒸着することによ
り得られるTeOxなどを用いることができる。
はTe系材料例えばPbを含有するTe化合物例えば
Te−Se−Pb結晶性カルコゲナイド（例えば
Te80Se10Pb10）、CH4などをTe上にプラズマ共蒸
着することにより得られるTe−Ｃ、CS2をTe上
にプラズマ共蒸着することにより得られるTe−
CS、TeO2とTeをプラズマ共蒸着することによ
り得られるTeOxなどを用いることができる。
最後に、第６図に示されるように二枚の光デイ
スク基板１４，１４は溝層樹脂側が互いに向い合
うように平行に置きそして反対側の記録膜１３，
１３の間に所定の空間１５を有するスペーサー
（または非常に小さい熱伝導率を有する物質から
作られた層）を介して結合して情報を記録するた
めの所望の光デイスク１６とする。
スク基板１４，１４は溝層樹脂側が互いに向い合
うように平行に置きそして反対側の記録膜１３，
１３の間に所定の空間１５を有するスペーサー
（または非常に小さい熱伝導率を有する物質から
作られた層）を介して結合して情報を記録するた
めの所望の光デイスク１６とする。
以下の実施例を用いて本発明をさらに詳しく説
明するがこれらに限定されるものではない。
明するがこれらに限定されるものではない。
実施例 １
約60重量％のSartomer348、約18重量％のトリ
メチロールプロパントリアクリレート、約18重量
％のＮ−ビニルピロリドン、約２重量％のイソデ
シルアクリレートおよび約２重量％のジメトキシ
−２−フエニルアセトフエノンを含有する組成物
を調製した。この組成物の粘度は25℃で約100セ
ンチポアズであつた。この組成物を40ｍＷ／cm2で
約365nｍの波長を有する紫外線に75秒間暴露す
ることにより硬化した。硬化した組成物のTgは
195℃であり、またモジユラスは25℃で102000psi
そして200℃で17000psiであつた。
メチロールプロパントリアクリレート、約18重量
％のＮ−ビニルピロリドン、約２重量％のイソデ
シルアクリレートおよび約２重量％のジメトキシ
−２−フエニルアセトフエノンを含有する組成物
を調製した。この組成物の粘度は25℃で約100セ
ンチポアズであつた。この組成物を40ｍＷ／cm2で
約365nｍの波長を有する紫外線に75秒間暴露す
ることにより硬化した。硬化した組成物のTgは
195℃であり、またモジユラスは25℃で102000psi
そして200℃で17000psiであつた。
第１〜６図は光デイスクの製作工程を説明する
ための光デイスクの一部の横断面図である。
ための光デイスクの一部の横断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (A) 約35〜約70重量％のエトキシル化ビスフ
エノールＡまたはビスフエノールＦジアクリレ
ートまたはジメタクリレート、 (B) 多官能価アクリレートまたはメタクリレー
ト、 (C) Ｎ−ビニルピロリドン、 (D) 約0.1〜約５重量％の炭素原子10〜22個から
なる長鎖アクリレートまたはメタクリレートお
よび (E) 約0.1〜約５重量％の光開始剤 からなり、ここで(B)と(C)との総量は25〜40重量％
でありそして(B)対(A)の比は約１：２〜２：１であ
る紫外線硬化性組成物。 ２ (A)はエトキシル化ビスフエノールＡジメタク
リレートである請求項１記載の組成物。 ３ 多官能価アクリレートまたはメタクリレート
はトリメチロールプロパントリアクリレートであ
る請求項１記載の組成物。 ４ 長鎖アクリレートまたはメタクリレートはイ
ソデシルアクリレートまたはステアリルメタクリ
レートまたはその混合物である請求項１記載の組
成物。 ５ 長鎖アクリレートまたはメタクリレートはイ
ソデシルアクリレートを含むものである請求項１
記載の組成物。 ６ 光開始剤はジメトキシ−２−フエニルアセト
フエノンを含むものである請求項１記載の組成
物。 ７ 光開始剤は約２〜約４重量％の量で存在する
請求項１記載の組成物。 ８ 長鎖アクリレートまたはメタクリレートは約
１〜約３重量％の量で存在する請求項１記載の組
成物。 ９ Ｎ−ビニルピロリドンと多官能価アクリレー
トまたはメタクリレートとの比は約１：１である
請求項１記載の組成物。 １０ 約60重量％のエトキシ化ビスフエノールＡ
ジメタクリレートまたはエトキシル化ビスフエノ
ールＡジアクリレートまたはその混合物、約18重
量％のＮ−ビニルピロリドン、約18重量％のトリ
メチロールプロパントリアクリレート、約２重量
％のイソデシルアクリレートまたはステアリルメ
タクリレートまたはその混合物および約２重量％
のジメトキシ−２−フエニルアセトフエノンを含
有する請求項１記載の組成物。 １１ 透明な基体、その基体上に形成しそして情
報信号を保持するためのくぼみおよび突起を有す
る溝層およびプライマー層上に形成した記録用膜
からなり、そしてこの溝層は (A) 約35〜約70重量％のエトキシル化ビスフエノ
ールＡまたはビスフエノールＦジアクリレート
またはジメタクリレート、 (B) 多官能価アクリレートまたはメタクリレー
ト、 (C) Ｎ−ビニルピロリドン、 (D) 約0.1〜約５重量％の炭素原子10〜22個から
なる長鎖アクリレートまたはメタクリレートお
よび (E) 約0.1〜約５重量％の光開始剤 からなり、ここで(B)と(C)との総量は25〜40重量％
でありそして(B)対(A)の比は約１：２〜２：１であ
る紫外線硬化性樹脂組成物を紫外線照射して硬化
することにより得られるものである光デイスク基
板。 １２ (A)はエトキシル化ビスフエノールＡジメタ
クリレートである請求項１１記載の光デイスク基
板。 １３ 多官能価アクリレートまたはメタクリレー
トはトリメチロールプロパントリアクリレートで
ある請求項１１記載の光デイスク基板。 １４ 長鎖アクリレートまたはメタクリレートは
イソデシルアクリレートまたはステアリルメタク
リレートまたはその混合物である請求項１１記載
の光デイスク基板。 １５ 長鎖アクリレートまたはメタクリレートは
イソデシルアクリレートを含むものである請求項
１１記載の光デイスク基板。 １６ 光開始剤はジメトキシ−２−フエニルアセ
トフエノンを含むものである請求項１１記載の光
デイスク基板。 １７ 光開始剤は約２〜約４重量％の量で存在す
る請求項１１記載の光デイスク基板。 １８ 長鎖アクリレートまたはメタクリレートは
約１〜約３重量％の量で存在する請求項１１記載
の光デイスク基板。 １９ Ｎ−ビニルピロリドンと多官能価アクリレ
ートまたはメタクリレートとの比は約１：１であ
る請求項１１記載の光デイスク基板。 ２０ 約60重量％のエトキシル化ビスフエノール
Ａジメタクリレートまたはエトキシル化ビスフエ
ノールＡジアクリレートまたはその混合物、約18
重量％のＮ−ビニルピロリドン、約18重量％のト
リメチロールプロパントリアクリレート、約２重
量％のイソデシルアクリレートまたはステアリル
メタクリレートまたはその混合物および約２重量
％のジメトキシ−２−フエニルアセトフエノンを
含有する請求項１１記載の光デイスク基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/363,756 US4948703A (en) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | Ultraviolet light curable composition and use thereof |
| US363,756 | 1989-06-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335012A JPH0335012A (ja) | 1991-02-15 |
| JPH0575768B2 true JPH0575768B2 (ja) | 1993-10-21 |
Family
ID=23431591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117796A Granted JPH0335012A (ja) | 1989-06-09 | 1990-05-09 | 紫外線硬化性組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4948703A (ja) |
| EP (1) | EP0402334B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0335012A (ja) |
| CA (1) | CA2013336C (ja) |
| DE (1) | DE69023281D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8909094B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Sealing member, toner accommodating container and image forming apparatus |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU1962995A (en) | 1994-03-23 | 1995-10-09 | Dsm N.V. | Coated superconducting wire |
| US5822285A (en) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | International Business Machines Corporation | Atomic force microscopy disk data storage system with nonradial tracking lines |
| US5804710A (en) * | 1997-06-05 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Atomic force microscope system with multi-directional voice coil actuator for controlling the stylus |
| US6582884B1 (en) | 1997-06-19 | 2003-06-24 | Borden Chemical, Inc. | Coated optical disks |
| TW430672B (en) * | 1997-07-03 | 2001-04-21 | Sumitomo Chemical Co | A photo-curing resin composition for DVD |
| US6168845B1 (en) | 1999-01-19 | 2001-01-02 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic media and method of making the same using selective oxidation |
| US6421195B1 (en) | 1999-09-20 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Magnetic disk media with patterned sections |
| US7150844B2 (en) * | 2003-10-16 | 2006-12-19 | Seagate Technology Llc | Dry passivation process for stamper/imprinter family making for patterned recording media |
| JP4576864B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-11-10 | Ｊｓｒ株式会社 | 光硬化性組成物および光学部材 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4209371A (en) * | 1979-03-01 | 1980-06-24 | The Dow Chemical Company | Method of promoting essentially complete vinyl polymerization of ultraviolet-curable compositions |
| JPS5977647A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式円盤 |
| JPS61117746A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-05 | Hitachi Ltd | 光デイスク基板 |
-
1989
- 1989-06-09 US US07/363,756 patent/US4948703A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-29 CA CA002013336A patent/CA2013336C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-09 JP JP2117796A patent/JPH0335012A/ja active Granted
- 1990-05-21 EP EP90850193A patent/EP0402334B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-21 DE DE69023281T patent/DE69023281D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8909094B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Sealing member, toner accommodating container and image forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2013336C (en) | 1995-06-20 |
| US4948703A (en) | 1990-08-14 |
| JPH0335012A (ja) | 1991-02-15 |
| CA2013336A1 (en) | 1990-12-09 |
| DE69023281D1 (de) | 1995-12-07 |
| EP0402334B1 (en) | 1995-11-02 |
| EP0402334A2 (en) | 1990-12-12 |
| EP0402334A3 (en) | 1991-02-27 |
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