JPH0335510A - 対磁心インダクタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁心を用いるインダクタの簡易化、および高周
波特性、広帯域特性の改良に関するものである。

〔従来の技術〕

第５図は特開昭６１−２１９１１４号公報に示された従
来のインダクタを薄膜で構成したときの概略構成図であ
る。また、第６図は第５図のＡ−Ａ’断面図である。図
中１は誘電体材を用いる基板、２は薄膜状の励磁導体、
３はストリップ磁心、４は絶縁層である。ストリップ磁
心３が経糸、励磁導体２が緯糸となり、ストリップ磁心
３を励磁導体２で織った構造となっている。また、絶縁
層４は励磁導体２とストリップ磁心３との間に介在し、
励磁導体２を流れる電流がストリップ磁心３に調波する
ことを防ぐためのもの〜である。

なお、絶縁層４は励磁導体２とストリップ磁心３との相
互関係を分かり易く説明するために第５囚では省略して
いる。

次に動作について説明する。第５図中矢印Ｂで示す方向
に励磁導体２中に電流ｉを流すと、この電流により各ス
トリップ磁心３中に励起される磁界Ｈはストリップ磁心
３中に矢印Ｃで示すようになる。すなわち、隣接するス
トリップ磁心３中の磁界の方向は相互に逆向きとなる。

この結果、ストリップ磁心３先端からの漏洩磁束は隣接
するストリップ磁心３の先端に容易に流入し反磁界係数
の小さい磁路が形成され、インダクタンスの大きなイン
ダクタが得られる。

［発明が解決しようとする課題］ 従来のインダクタでは第５図に示すように励磁導体２が
隣接するストリップ磁心３の間の絶縁層中を上下に編む
ように構成する必要があり、フォトリソグラフィ技術等
で積層膜でインダクタを構成する場合には作製工程が繁
雑となる問題があった。

この発明は上記のような問題を解哨するためになされた
もので、簡ｒ１ｔな作製工程で小形の高周波数特性の優
れた薄膜対磁心インダクタを得ることを目的とする。

［課題をＨ決するための手段と作用］ この発明にかかるインダクタは、磁心を、平行に配置さ
れた複数のストリップ磁心よりなる第１の磁心群と、該
第１の磁心群に対しほぼストリップ磁心の幅の長さ方向
に平行にずれた複数のストリップ磁心よりなる第２の磁
心群とで誘電体基板上に構成し、前記第１および第２の
磁心群の間に絶縁されたジグザグ状の励磁導体を配置し
たことを特徴とするもので、隣接した２本のストリップ
磁心を一対として用いることにより、反磁Ｗの小さい磁
路を構成し小形でありながら大きなインダクタンスを得
るとともに、励磁導体を第１のストリップ磁心群と第２
のストリップ磁心群との間に絶縁層を介して配置するだ
けで良いように薄膜の作製工程を簡略にしたものである
。

［実施例］ 以下この発明の実施例を図について説明する。

第１図はこの発明の一大施例を示すインダクタの概略構
成図、第２図は第１図のＡ−Ａ’　１ｌｉ１面図である
。第１図において、１５は複数のストリップ磁心１３よ
りなる第１の磁心群、１６は同じく複数のストリップ磁
心１３よりなる第２の磁心群である。第２の磁心群１６
は第１の磁心群１５に対しほぼストリップ磁心１３の幅
の長さ分だけ平行にずらされており、第２の磁心群１６
のストリップ磁心１３の右下のエッヂは第１の磁心群１
５のストリップ磁心１３の左上のエッヂと絶縁層１４の
薄膜を介して極めて接近している。

また、励磁導体１２は１層の第１の磁心群１５と上層の
第２の磁心群１６との中間に絶縁層１４を介して設けら
れている。

この発明におけるインダクタは極めて接近した第１の磁
心１１５と第２の磁心群１６のストリップ磁心１３を一
対として励磁するものである。今電流ｉを第１図中矢印
りで方向に流すと各ストリップ磁心１３中には矢印Ｅで
示す磁界Ｈが生じる。

すなわち、ストリップ磁心１３中の磁界の向きは相互に
逆でしかも励磁導体１２が折り返す毎に励磁導体１２と
交差する部分のストリップ磁心１３中の磁界の方向が反
転している。ストリップ磁心１３中の磁界が反転する周
期は励磁導体１２の折り返し周期と同一であり周期長は
短い。

このため、ストリップ磁心１３の長さ方向の反磁界係数
が大きくなる。また、よく知られているように薄膜の面
に垂直な方向の反＠昇係数は大きい。このため、ストリ
ップ磁心１３中の磁界は反磁界係数の小さい側面により
外部に漏れるようになる。このとき隣接する第１の磁心
群１５と第２の磁心群１６との磁界が相互に逆むきであ
るため、励磁導体１２と交差する一対の磁心各部におい
て反磁界係数の小さい磁路が形成される。この結果、イ
ンダクタ全体の反磁界係数は小さくなり小形で大きなイ
ンダクタンスが得られるようになる。

また、このインダクタにおいては一対の磁心ごとに構成
される部分インダクタが直列に接続されるため、部分イ
ンダクタのもつインダクタンスは部分インダクタの数に
比例して増加し、寄生するキャパシタンスは逆比例して
減少するようになり、自己共振周波数が高くなり高周波
まで使用できるようになる。

第３図はこの発明の他の実施例を示す高周波数帯インダ
クタの概略構成図である。第１図のインダクタに比べて
基板１１の底面に地導体板１７が設けられている。なお
第１図と同様にストリップ磁心１３と励磁導体１２との
相互関係を分かりゃすくするために両者の間に存７Ｅす
る絶縁層１４は省略している。

また第４図は第３図に示したインダクタの等価回路図で
ある。Ｌはインダクタンスである。このインダクタにお
いては電圧が基板１１上層部の励磁導体１２と地導体板
１７との間にかかるようになる。この構造は、高周波数
帯の伝送路として良く知られているマイクロストリップ
線路のストリップ線に磁気回路を結合したものとなる。

このことから電気的等価回路が第４図のようになり高周
波数シ；）インダクタとなることがわかる。

なお、上記実施例ではストリップ磁心を単層膜で溝底す
る場合について承したが、ストリップ磁心は積層薄膜で
あっても良い。

［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、２つの磁心群をジグザ
グ状の線路で励磁するようにしたので、基板上の第１層
に第１の磁心群、その上に絶縁層、励磁導体層、絶縁層
、第２の磁心群を層状に積層するたけで、従来の薄膜イ
ンダクタのように励磁導体を編むように絶縁層中に配置
する必要がなく、作製工糧が簡単で小形のインダクタが
得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるインダクタを示す概
略構成図、第２図は第１園に示すインダクタのＡ−Ａ’
断面図、第３図はこの発明の他の実施例を示すインダク
タの概略構成図、第４図は第３図の等価回路図、第５図
は促来のインダクタの概略構成図、第６図は第５図に示
すインダクタのＡ−Ａ’断面図である。 １１・・・）Ｊ、板、１２・・・励磁導体、１３・・・
ストリップ磁心、１４・・・絶縁層、１５・・・第１の
磁心群、１６・・第２の磁心群、１７・・・地導体板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁心を、平行に配置された複数のストリップ磁心
   よりなる第１の磁心群と、該第１の磁心群に対しほぼス
   トリップ磁心の幅の長さ分だけ平行にずれた複数のスト
   リップ磁心よりなる第２の磁心群とで誘電体基板上に構
   成し、前記第１および第２の磁心群の間に絶縁されたジ
   グザグ状の励磁導体を配置したことを特徴とする対磁心
   インダクタ。
2. （２）上記誘電体基板の磁心、および励磁導体が設けら
   れる面に反対の面上に地導体を設けたことを特徴とする
   請求項１記載の対磁心インダクタ。