JPH0336425B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0336425B2 JPH0336425B2 JP59233568A JP23356884A JPH0336425B2 JP H0336425 B2 JPH0336425 B2 JP H0336425B2 JP 59233568 A JP59233568 A JP 59233568A JP 23356884 A JP23356884 A JP 23356884A JP H0336425 B2 JPH0336425 B2 JP H0336425B2
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- JP
- Japan
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- photoreceptor
- photosensitive layer
- powder
- fine powder
- oxide ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
- G03G13/06—Developing
- G03G13/08—Developing using a solid developer, e.g. powder developer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0525—Coating methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G9/00—Developers
- G03G9/08—Developers with toner particles
- G03G9/097—Plasticisers; Charge controlling agents
- G03G9/09708—Inorganic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G9/00—Developers
- G03G9/08—Developers with toner particles
- G03G9/097—Plasticisers; Charge controlling agents
- G03G9/09708—Inorganic compounds
- G03G9/09725—Silicon-oxides; Silicates
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Developing Agents For Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子写真感光体及びこれを用いた電子
写真画像形成方法に関し、とりわけ有機光導電体
を用いた電子写真感光体及びその新規な電子写真
画像形成方法に関する。
写真画像形成方法に関し、とりわけ有機光導電体
を用いた電子写真感光体及びその新規な電子写真
画像形成方法に関する。
電子写真感光体で用いる光導電材料として、ア
モルフアスシリコン、セレン、硫化カドミウム、
酸化亜鉛などの無機光導電性材料が知られてい
る。これらの光導電性材料は、数多くの利点、例
えば暗所で適当な電位に帯電できること、暗所で
電荷の逸散が少ないこと、あるいは光照射によつ
て速かに電荷を逸散できることなどの利点をもつ
ている反面、各種の欠点を有している。例えば、
セレン系感光体では、温度、湿度、ごみ、圧力な
どの要因で容易に結晶化が進み、特に雰囲気温度
が40℃を越えると結晶化が著しくなり、帯電性の
低下や画像に白い斑点が発生するといつた欠点が
ある。また、セレン系感光体や硫化カドミウム系
感光体は、多湿下の経時の使用において安定した
感度と耐久性が得られない欠点がある。
モルフアスシリコン、セレン、硫化カドミウム、
酸化亜鉛などの無機光導電性材料が知られてい
る。これらの光導電性材料は、数多くの利点、例
えば暗所で適当な電位に帯電できること、暗所で
電荷の逸散が少ないこと、あるいは光照射によつ
て速かに電荷を逸散できることなどの利点をもつ
ている反面、各種の欠点を有している。例えば、
セレン系感光体では、温度、湿度、ごみ、圧力な
どの要因で容易に結晶化が進み、特に雰囲気温度
が40℃を越えると結晶化が著しくなり、帯電性の
低下や画像に白い斑点が発生するといつた欠点が
ある。また、セレン系感光体や硫化カドミウム系
感光体は、多湿下の経時の使用において安定した
感度と耐久性が得られない欠点がある。
また、酸化亜鉛系感光体は、ローズベンガルに
代表される増感色素による増感効果を必要として
いるが、この様な増感色素がコロナ帯電による帯
電劣化や露光光による光退色を生じるため長期に
亘つて安定した画像を与えることができない欠点
を有している。
代表される増感色素による増感効果を必要として
いるが、この様な増感色素がコロナ帯電による帯
電劣化や露光光による光退色を生じるため長期に
亘つて安定した画像を与えることができない欠点
を有している。
一方、ポリビニルカルバゾールをはじめとする
各種の有機光導電性ポリマーが提案されて来た
が、これらのポリマーは前述の無機系光導電材料
に較べ成膜性、軽量性、高生産性などの点で優れ
ているにもかかわらず、今日までその実用化が困
難であつたのは、感度、耐久特性および環境変化
による安定性の点で無機系光導電材料に較べ劣つ
ているためであつた。しかも、十分に高感度とす
ることができる適当な増感剤が未だに見い出され
ていない。
各種の有機光導電性ポリマーが提案されて来た
が、これらのポリマーは前述の無機系光導電材料
に較べ成膜性、軽量性、高生産性などの点で優れ
ているにもかかわらず、今日までその実用化が困
難であつたのは、感度、耐久特性および環境変化
による安定性の点で無機系光導電材料に較べ劣つ
ているためであつた。しかも、十分に高感度とす
ることができる適当な増感剤が未だに見い出され
ていない。
この様なことから、近年有機光導電物質として
高分子系のものに代わつて、低分子量の有機光導
電性物質の開発も多く為されて来ている。低分子
量の有機光導電性物質の利点は、選択できる化合
物の範囲が広くなつたことから、このうち感度や
帯電保持性の良いものが選択できることにあり、
更に感光層を電荷発生層と電荷輪送層に機能分離
させた積層構造の感光体(OPC感光体と呼ばれ
ている)が提案され、より高感度の感光体の製造
が可能となつた。
高分子系のものに代わつて、低分子量の有機光導
電性物質の開発も多く為されて来ている。低分子
量の有機光導電性物質の利点は、選択できる化合
物の範囲が広くなつたことから、このうち感度や
帯電保持性の良いものが選択できることにあり、
更に感光層を電荷発生層と電荷輪送層に機能分離
させた積層構造の感光体(OPC感光体と呼ばれ
ている)が提案され、より高感度の感光体の製造
が可能となつた。
しかしながら、このOPC感光体は、特に高温
高湿環境下において潜像が流れる、所謂画像流れ
現像を超こし易いという欠点を有している。これ
はコロナ放電等により感光体表面に生成する低抵
抗物質や表面に付着した紙粉その他の低抵抗物質
が高温、高湿下で水分を吸収して極端に抵抗が下
がる事に起因している。この様な欠点を克服する
ため種々の方法が検討されており例えば耐コロナ
性あるいは耐湿性を有する材料の提案等が行なわ
れているがいまだ満足するものはなく、機械的に
これら低抵抗物質をとり除き、感光体表面を常に
新しくする事が最も有効な手段となつている。
高湿環境下において潜像が流れる、所謂画像流れ
現像を超こし易いという欠点を有している。これ
はコロナ放電等により感光体表面に生成する低抵
抗物質や表面に付着した紙粉その他の低抵抗物質
が高温、高湿下で水分を吸収して極端に抵抗が下
がる事に起因している。この様な欠点を克服する
ため種々の方法が検討されており例えば耐コロナ
性あるいは耐湿性を有する材料の提案等が行なわ
れているがいまだ満足するものはなく、機械的に
これら低抵抗物質をとり除き、感光体表面を常に
新しくする事が最も有効な手段となつている。
しかしながらOPC感光体においては、例えば
有機光導電性ポリマーを用いる場合には、その組
成や分子量によつて表面硬度が大きく変化し、又
低分子量有機光導電性物質を用いる場合には、結
着剤として用いる樹脂バインダーの組成や分子量
及び光導電性物質と樹脂バインダーの比率により
表面硬度が変化する。従つて、上記の様に機械的
に低抵抗物質を取り除く手段は感光体表面硬度に
応じて適切な条件下で行なうことが必要である。
すなわち、感光体表面硬度が低い場合に強くクリ
ーニングすることは感光体表面に傷をつけるとと
もに経時での膜厚変化を大きくし、画像上におい
てもカブリ等の欠陥を生ずる様になる。一方、感
光体表面硬度が高い場合にクリーニング力が弱い
と前述の表面に付着している低抵抗物質の除去が
不完全となり、画像流れが生ずることになる。
有機光導電性ポリマーを用いる場合には、その組
成や分子量によつて表面硬度が大きく変化し、又
低分子量有機光導電性物質を用いる場合には、結
着剤として用いる樹脂バインダーの組成や分子量
及び光導電性物質と樹脂バインダーの比率により
表面硬度が変化する。従つて、上記の様に機械的
に低抵抗物質を取り除く手段は感光体表面硬度に
応じて適切な条件下で行なうことが必要である。
すなわち、感光体表面硬度が低い場合に強くクリ
ーニングすることは感光体表面に傷をつけるとと
もに経時での膜厚変化を大きくし、画像上におい
てもカブリ等の欠陥を生ずる様になる。一方、感
光体表面硬度が高い場合にクリーニング力が弱い
と前述の表面に付着している低抵抗物質の除去が
不完全となり、画像流れが生ずることになる。
クリーニング方法としてはブレードクリーニン
グ法、マグブラシクリーニング法、フアーブラシ
クリーニング法、ローラークリーニング法あるい
はローラーとブレードを組み合わせたクリーニン
グ法等が挙げられ、感光体の表面硬度に応じて使
いわけが為されている。例えば感光体表面硬度が
低い場合には主にブレードクリーニング法が用い
られており、表面硬度が高くなるに従いブレード
クリーニング法ではクリーニング力が弱いため、
クリーニング不良が起きはじめるため前述の画像
流れが生じる様になる。そこでより強い力でクリ
ーニングを行なうためにマグブラシクリーニング
法やローラークリーニング法が採用されている
が、装置の大型化、コストアツプ等の欠点が生じ
ることになる。
グ法、マグブラシクリーニング法、フアーブラシ
クリーニング法、ローラークリーニング法あるい
はローラーとブレードを組み合わせたクリーニン
グ法等が挙げられ、感光体の表面硬度に応じて使
いわけが為されている。例えば感光体表面硬度が
低い場合には主にブレードクリーニング法が用い
られており、表面硬度が高くなるに従いブレード
クリーニング法ではクリーニング力が弱いため、
クリーニング不良が起きはじめるため前述の画像
流れが生じる様になる。そこでより強い力でクリ
ーニングを行なうためにマグブラシクリーニング
法やローラークリーニング法が採用されている
が、装置の大型化、コストアツプ等の欠点が生じ
ることになる。
本発明の目的は、高温高湿下におかれても画像
流れを起こすことのない電子写真画像形成方法を
提供することにある。
流れを起こすことのない電子写真画像形成方法を
提供することにある。
本発明の電子写真画像形成方法は、導電性基体
上に感光層を有し、該感光層が有機光導電性物質
を有し、かつ感光層表面を試験面とし、ダイヤモ
ンド又はサフアイア円錐圧子(円錐角90゜、先端
が直径0.01mmの半球状)に垂直荷重を懸け、前記
試験面に沿つて50mm/minの速度で移動させたと
き、50μm巾の引つ掻き傷を付すのに必要な荷重
が10グラム以上である表面硬度を有する電子写真
感光体上に形成された静電潜像を、正帯電した磁
性トナーと酸化物系セラミツク微粉体と非酸化物
系セラミツク微粉体とを含有する現像剤を用いて
現像し、次いで画像を転写した後、前記感光体を
クリーニングするか、あるいは前記特徴を有する
電子写真感光体上に形成された静電潜像を、正帯
電した磁性トナーと非酸化物系セラミツク微粉体
と滑剤とを含有する現像剤で現像し、次いで画像
を転写した後、前記感光体をクリーニングするこ
とを特徴としている。
上に感光層を有し、該感光層が有機光導電性物質
を有し、かつ感光層表面を試験面とし、ダイヤモ
ンド又はサフアイア円錐圧子(円錐角90゜、先端
が直径0.01mmの半球状)に垂直荷重を懸け、前記
試験面に沿つて50mm/minの速度で移動させたと
き、50μm巾の引つ掻き傷を付すのに必要な荷重
が10グラム以上である表面硬度を有する電子写真
感光体上に形成された静電潜像を、正帯電した磁
性トナーと酸化物系セラミツク微粉体と非酸化物
系セラミツク微粉体とを含有する現像剤を用いて
現像し、次いで画像を転写した後、前記感光体を
クリーニングするか、あるいは前記特徴を有する
電子写真感光体上に形成された静電潜像を、正帯
電した磁性トナーと非酸化物系セラミツク微粉体
と滑剤とを含有する現像剤で現像し、次いで画像
を転写した後、前記感光体をクリーニングするこ
とを特徴としている。
以下、本発明を更に詳しく説明する。
本発明に用いられる電子写真感光体は、感光層
が有機光導電体を含有しているが、感光層に使用
する有機光導電体としては、ポリビニルカルバゾ
ール等の有機光導電性ポリマーを用いたもの及び
低分子量の有機光導電性物質を絶縁性ポリマーを
バインダーとして用いたものなどがある。これら
のうち感光層が電荷輸送層と電荷発生層とを成分
とする積層構造の機能分離型感光体、とりわけ、
導電性基体側より電荷発生層次いで電荷輸送層の
順で積層されている構造の感光体が本発明におい
て好ましい。
が有機光導電体を含有しているが、感光層に使用
する有機光導電体としては、ポリビニルカルバゾ
ール等の有機光導電性ポリマーを用いたもの及び
低分子量の有機光導電性物質を絶縁性ポリマーを
バインダーとして用いたものなどがある。これら
のうち感光層が電荷輸送層と電荷発生層とを成分
とする積層構造の機能分離型感光体、とりわけ、
導電性基体側より電荷発生層次いで電荷輸送層の
順で積層されている構造の感光体が本発明におい
て好ましい。
本発明に用いられる電子写真感光体を製造する
場合、導電性基体としては、アルミニウム、ステ
ンレスなどの金属、紙、プラスチツクなどの円筒
状シリンダーまたはフイルムが用いられる。これ
らの基体の上には、バリアー機能と下引機能をも
つ下引層(接着層)を設けることができる。
場合、導電性基体としては、アルミニウム、ステ
ンレスなどの金属、紙、プラスチツクなどの円筒
状シリンダーまたはフイルムが用いられる。これ
らの基体の上には、バリアー機能と下引機能をも
つ下引層(接着層)を設けることができる。
下引層は感光層の接着性改良、塗工性改良、基
体の保護、基体上の欠陥の被覆、基体からの電荷
注入性改良、感光層の電気的破壊に対する保護な
どのために形成される。下引層の材料としては、
ポリビニルアルコール、ポリ−N−ビニルイミダ
ゾール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロー
ス、メチルセルロース、エチレン−アクリル酸コ
ポリマー、カゼイン、ポリアミド、共重合ナイロ
ン、ニカワ、ゼラチン、等が知られている。これ
らはそれぞれに適した溶剤に溶解されて基体上に
塗布される。その膜厚は0.2〜2μ程度である。
体の保護、基体上の欠陥の被覆、基体からの電荷
注入性改良、感光層の電気的破壊に対する保護な
どのために形成される。下引層の材料としては、
ポリビニルアルコール、ポリ−N−ビニルイミダ
ゾール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロー
ス、メチルセルロース、エチレン−アクリル酸コ
ポリマー、カゼイン、ポリアミド、共重合ナイロ
ン、ニカワ、ゼラチン、等が知られている。これ
らはそれぞれに適した溶剤に溶解されて基体上に
塗布される。その膜厚は0.2〜2μ程度である。
機能分離型感光体においては、電荷発生物質と
して、セレン、セレン−テルル、ピリリウム、チ
オピリリウム系染料、フタロシアニン系顔料、ア
ントアントロン顔料、ジベンズピレンキノン顔
料、ピラトロン顔料、トリスアゾ顔料、ビスアゾ
顔料、アゾ顔料、インジゴ顔料、キナクドリン系
顔料、非対称キノシアニン、キノシアニン、特開
昭54−143645号公報に記載されているアモルフア
スシリコンなどを用いることができる。また、電
荷輸送物質としては、ピレン、N−エチルカルバ
ゾール、N−イソプロピルカルバゾール、N−メ
チル−N−フエニルヒドラジノ−3−メチリデン
−9−エチルカルバゾール、N,N−ジフエニル
ヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカルバ
ゾール、N,N−ジフエニルヒドラジノ−3−メ
チリデン−10−エチルフエノチアジン、N,N−
ジフエニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−エ
チルフエノキサジン、p−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラゾン、p
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N−α−ナ
フチル−N−フエニルヒドラゾン、p−ピロリジ
ノベンズアルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラ
ゾン、1,3,3−トリメチルインドレニン−ω
−アルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラゾン、
p−ジエチルベンズアルデヒド−3−メチルベン
ズチアゾリノン−2−ヒドラゾン等のヒドラゾン
類、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフエニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール、1−フエ
ニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、1
−〔キノリル(2)〕−3−(p−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(p−ジエチルアミノフエニル)ピラ
ゾリン、1−〔ピリジル(2)〕−3−(p−ジエチル
アミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフエ
ニル)ピラゾリン、1−〔6−メトキシ−ピリジ
ル(2)〕−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5
−(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、
1−〔ピリジル(3)〕−3−(p−ジエチルアミノス
チリル)−5−(p−ジエチルアミノフエニル)ピ
ラゾリン、1−〔レピジル(2)〕−3−(p−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフ
エニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)〕−3−
(p−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5
−(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、
1−〔ピリジル(2)〕−3−(α−メチル−p−ジエ
チルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノ
フエニル)ピラゾリン、1−フエニル−3−(p
−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−
(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、1
−フエニル−3−(α−ベンジル−p−ジエチル
アミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフエ
ニル)ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラ
ゾリン類、2−(p−ジエチルアミノスチリル)−
6−ジエチルアミノベンズオキサゾール、2−
(p−ジエチルアミノフエニル)−4−(p−ジメ
チルアミノフエニル)−5−(2−クロロフエニ
ル)オキサゾール等のオキサゾール系化合物、2
−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジエチル
アミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフエ
ニル)−フエニルメタン等のトリアリールメタン
系化合物、1,1−ビス(4−N,N−ジエチル
アミノ−2−メチルフエニル)ヘプタン、1,
1,2,2−テトラキス−(4−N,N−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフエニル)エタン等のポリ
アリールアルカン類などを用いることができる。
して、セレン、セレン−テルル、ピリリウム、チ
オピリリウム系染料、フタロシアニン系顔料、ア
ントアントロン顔料、ジベンズピレンキノン顔
料、ピラトロン顔料、トリスアゾ顔料、ビスアゾ
顔料、アゾ顔料、インジゴ顔料、キナクドリン系
顔料、非対称キノシアニン、キノシアニン、特開
昭54−143645号公報に記載されているアモルフア
スシリコンなどを用いることができる。また、電
荷輸送物質としては、ピレン、N−エチルカルバ
ゾール、N−イソプロピルカルバゾール、N−メ
チル−N−フエニルヒドラジノ−3−メチリデン
−9−エチルカルバゾール、N,N−ジフエニル
ヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカルバ
ゾール、N,N−ジフエニルヒドラジノ−3−メ
チリデン−10−エチルフエノチアジン、N,N−
ジフエニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−エ
チルフエノキサジン、p−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラゾン、p
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N−α−ナ
フチル−N−フエニルヒドラゾン、p−ピロリジ
ノベンズアルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラ
ゾン、1,3,3−トリメチルインドレニン−ω
−アルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラゾン、
p−ジエチルベンズアルデヒド−3−メチルベン
ズチアゾリノン−2−ヒドラゾン等のヒドラゾン
類、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフエニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール、1−フエ
ニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、1
−〔キノリル(2)〕−3−(p−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(p−ジエチルアミノフエニル)ピラ
ゾリン、1−〔ピリジル(2)〕−3−(p−ジエチル
アミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフエ
ニル)ピラゾリン、1−〔6−メトキシ−ピリジ
ル(2)〕−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5
−(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、
1−〔ピリジル(3)〕−3−(p−ジエチルアミノス
チリル)−5−(p−ジエチルアミノフエニル)ピ
ラゾリン、1−〔レピジル(2)〕−3−(p−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフ
エニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)〕−3−
(p−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5
−(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、
1−〔ピリジル(2)〕−3−(α−メチル−p−ジエ
チルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノ
フエニル)ピラゾリン、1−フエニル−3−(p
−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−
(p−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、1
−フエニル−3−(α−ベンジル−p−ジエチル
アミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフエ
ニル)ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラ
ゾリン類、2−(p−ジエチルアミノスチリル)−
6−ジエチルアミノベンズオキサゾール、2−
(p−ジエチルアミノフエニル)−4−(p−ジメ
チルアミノフエニル)−5−(2−クロロフエニ
ル)オキサゾール等のオキサゾール系化合物、2
−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジエチル
アミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフエ
ニル)−フエニルメタン等のトリアリールメタン
系化合物、1,1−ビス(4−N,N−ジエチル
アミノ−2−メチルフエニル)ヘプタン、1,
1,2,2−テトラキス−(4−N,N−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフエニル)エタン等のポリ
アリールアルカン類などを用いることができる。
電荷発生層は、前記の電荷発生物質を0.5〜4
倍量の結着剤樹脂、および溶剤と共に、ホモジナ
イザー、超音波、ボールミル、振動ボールミル、
サンドミル、アトライター、ロールミルなどの方
法でよく分散し、塗布−乾燥されて形成される。
その厚みは0.1〜1μ程度である。
倍量の結着剤樹脂、および溶剤と共に、ホモジナ
イザー、超音波、ボールミル、振動ボールミル、
サンドミル、アトライター、ロールミルなどの方
法でよく分散し、塗布−乾燥されて形成される。
その厚みは0.1〜1μ程度である。
電荷輸送層は一般的には前記の電荷輸送物質と
結着剤樹脂を溶剤に溶解し、電荷発生層上に塗布
される。電荷輸送物質と結着剤樹脂との混合割合
は2:1〜1:2程度である。溶剤としてはアセ
トン、メチルエチルケトンなどのケトン類、酢酸
メチル、酢酸エチルなどのエステル類、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、クロルベ
ンゼン、クロロホルム、四塩化炭素などの塩素系
炭化水素類などが用いられる。この溶液を塗布す
る際には、例えば浸漬コーテイング法、スプレー
コーテイング法、スピンナーコーテイング法、等
のコーテイング法を用いることができ、乾燥は10
℃〜200℃、好ましくは20℃〜150℃の範囲の温度
で5分〜5時間、好ましくは10分〜2時間の時間
で送風乾燥または静止乾燥下で行なうことができ
る。生成した電荷輸送層の膜厚は5〜20μ程度で
ある。
結着剤樹脂を溶剤に溶解し、電荷発生層上に塗布
される。電荷輸送物質と結着剤樹脂との混合割合
は2:1〜1:2程度である。溶剤としてはアセ
トン、メチルエチルケトンなどのケトン類、酢酸
メチル、酢酸エチルなどのエステル類、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、クロルベ
ンゼン、クロロホルム、四塩化炭素などの塩素系
炭化水素類などが用いられる。この溶液を塗布す
る際には、例えば浸漬コーテイング法、スプレー
コーテイング法、スピンナーコーテイング法、等
のコーテイング法を用いることができ、乾燥は10
℃〜200℃、好ましくは20℃〜150℃の範囲の温度
で5分〜5時間、好ましくは10分〜2時間の時間
で送風乾燥または静止乾燥下で行なうことができ
る。生成した電荷輸送層の膜厚は5〜20μ程度で
ある。
電荷輸送層を設層するのに用いられる結着剤樹
脂としては、アクリル樹脂、スチレン系樹脂、ポ
リエステル、ポリカーボネート類、ポリアリレー
ト、ポリサルホン、ポリフエニレンオキシド、エ
ポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、アルキド樹脂、
及び不飽和樹脂等から選ばれる樹脂が好ましい。
とりわけ好適な樹脂としては、ポリメチルメタク
リレート、ポリスチレン、スチレン−アクリロニ
トリル共重合体、ポリカーボネート類又はジアリ
ルフタレート樹脂があり、なかでもポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ロニトリル共重合体又はジアリルフタレート樹脂
が好適である。
脂としては、アクリル樹脂、スチレン系樹脂、ポ
リエステル、ポリカーボネート類、ポリアリレー
ト、ポリサルホン、ポリフエニレンオキシド、エ
ポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、アルキド樹脂、
及び不飽和樹脂等から選ばれる樹脂が好ましい。
とりわけ好適な樹脂としては、ポリメチルメタク
リレート、ポリスチレン、スチレン−アクリロニ
トリル共重合体、ポリカーボネート類又はジアリ
ルフタレート樹脂があり、なかでもポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ロニトリル共重合体又はジアリルフタレート樹脂
が好適である。
また、本発明の電荷輸送層には、種々の添加剤
を含有させることができる。かかる添加剤として
は、ジフエニル、塩化ジフエニル、o−ターフエ
ニル、p−ターフエニル、ジブチルフタレート、
ジメチルグリコールフタレート、ジオクチルフタ
レート、トリフエニル燐酸、メチルナフタリン、
ベンゾフエノン、塩素化パラフイン、ジラウリル
チオプロピオネート、3,5−ジニトロサリチル
酸、各種フルオロカーボン類などを挙げることが
できる。
を含有させることができる。かかる添加剤として
は、ジフエニル、塩化ジフエニル、o−ターフエ
ニル、p−ターフエニル、ジブチルフタレート、
ジメチルグリコールフタレート、ジオクチルフタ
レート、トリフエニル燐酸、メチルナフタリン、
ベンゾフエノン、塩素化パラフイン、ジラウリル
チオプロピオネート、3,5−ジニトロサリチル
酸、各種フルオロカーボン類などを挙げることが
できる。
本発明における感光層の表面硬度は具体的には
以下の様に測定する。
以下の様に測定する。
感光体を例えばHEIDON14型表面性測定機
(新東科学製)のサンプル台に固定し、感光層表
面にダイヤモンド又はサフアイヤ製針(円錘形
で、円錘角が90゜、但し先端は直径0.01mmの半球
状になつている。)を介して、垂直荷重を懸け、
サンプル台を50mm/minの速度で動かし、感光層
表面に引つ掻き傷をつける。この傷の幅を、例え
ば微小硬度計MVK−F(明石製作所製)付属の
顕微鏡を用いて測る。
(新東科学製)のサンプル台に固定し、感光層表
面にダイヤモンド又はサフアイヤ製針(円錘形
で、円錘角が90゜、但し先端は直径0.01mmの半球
状になつている。)を介して、垂直荷重を懸け、
サンプル台を50mm/minの速度で動かし、感光層
表面に引つ掻き傷をつける。この傷の幅を、例え
ば微小硬度計MVK−F(明石製作所製)付属の
顕微鏡を用いて測る。
上記の操作を、垂直荷重を例えば10g、15g、
20g、25g、30g、35g、40g…と5gおきに換
えてくり返し行ない、傷幅と荷重の直線回帰の関
係より、50μmの引つ掻き傷をつける荷重を算出
し、感光体の硬度とする。ここで感光体がドラム
の場合には、ドラムの軸方向に傷がつけられるよ
うに、感光体をサンプル上にセツトする。
20g、25g、30g、35g、40g…と5gおきに換
えてくり返し行ない、傷幅と荷重の直線回帰の関
係より、50μmの引つ掻き傷をつける荷重を算出
し、感光体の硬度とする。ここで感光体がドラム
の場合には、ドラムの軸方向に傷がつけられるよ
うに、感光体をサンプル上にセツトする。
本発明の電子写真感光体における感光層の表面
硬度は、前記の定義により垂直荷重10g以上であ
ることが必要であるが、とりわけ12〜50gの範囲
が好ましい。
硬度は、前記の定義により垂直荷重10g以上であ
ることが必要であるが、とりわけ12〜50gの範囲
が好ましい。
本発明の電子写真画像形成方法において現像剤
の成分として用いられる前記酸化物系セラミツク
微粉体としては例えばアルミナ、二酸化チタン、
チタン酸バリウム、チタン酸マグネシウム、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、酸化
亜鉛、ケイ砂、クレー、雲母、ケイ灰石、ケイソ
ウ土、各種無機金属酸化物顔料、酸化クロム、酸
化セリウム、ベンガラ、三酸化アンチモン、酸化
亜鉛−酸化ビスマス、酸化ビスマス、酸化マグネ
シウム、酸化ジルコニウム、酸化ベリウム、Pb
(ZrxTi1-x)O3、Zn(1-x)MnxFe2O4(いずれも0<
x<1)などの粉末乃至粒子が挙げられるが、特
にシリカ微粉体が好ましい。
の成分として用いられる前記酸化物系セラミツク
微粉体としては例えばアルミナ、二酸化チタン、
チタン酸バリウム、チタン酸マグネシウム、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、酸化
亜鉛、ケイ砂、クレー、雲母、ケイ灰石、ケイソ
ウ土、各種無機金属酸化物顔料、酸化クロム、酸
化セリウム、ベンガラ、三酸化アンチモン、酸化
亜鉛−酸化ビスマス、酸化ビスマス、酸化マグネ
シウム、酸化ジルコニウム、酸化ベリウム、Pb
(ZrxTi1-x)O3、Zn(1-x)MnxFe2O4(いずれも0<
x<1)などの粉末乃至粒子が挙げられるが、特
にシリカ微粉体が好ましい。
ここで言うシリカ微粉体はSi−O−Si結合を有
する微粉体であつて乾式法で製造されたもの及び
湿式法で製造されたもののいずれも含まれる。ま
た、本発明の電子写真画像形成方法において現像
剤の成分として用いられる非酸化物系セラミツク
微粉体としては、例えばSiC、AlN、MoSi2、
LaB6、B4C、TiC、WC、TiN、Si3N4、MoS2、
b−BN、CrC、AlON等が挙げられるが、特に
SiC微粉体が好ましい。これらの酸化物系及び非
酸化物系セラミツク微粉体は粒径として0.1μ以
下、吸油量としてこれら微粉体100g当り5〜50
mlのものが特に好ましい。
する微粉体であつて乾式法で製造されたもの及び
湿式法で製造されたもののいずれも含まれる。ま
た、本発明の電子写真画像形成方法において現像
剤の成分として用いられる非酸化物系セラミツク
微粉体としては、例えばSiC、AlN、MoSi2、
LaB6、B4C、TiC、WC、TiN、Si3N4、MoS2、
b−BN、CrC、AlON等が挙げられるが、特に
SiC微粉体が好ましい。これらの酸化物系及び非
酸化物系セラミツク微粉体は粒径として0.1μ以
下、吸油量としてこれら微粉体100g当り5〜50
mlのものが特に好ましい。
これらの微粉体の製造法としては機械的粉砕、
マトマイズ法、焼結法、ガス中蒸発、プラズマ蒸
発、水素アーク加熱、油面蒸着、高周波誘導加
熱、アーク蒸発、熱分解、CVD、ガス環元、電
気分解、活性水素−溶融法等がある。
マトマイズ法、焼結法、ガス中蒸発、プラズマ蒸
発、水素アーク加熱、油面蒸着、高周波誘導加
熱、アーク蒸発、熱分解、CVD、ガス環元、電
気分解、活性水素−溶融法等がある。
酸化物系セラミツク微粉体及び非酸化物系セラ
ミツク微粉体の適用量は、磁性トナー100重量部
に対して夫々が、0.01〜10重量部及び0.1〜10重
量部のときに効果を発揮し特に好ましくは夫々が
0.1〜2重量部及び0.1〜5重量部の量でこれらを
併用添加したときである。
ミツク微粉体の適用量は、磁性トナー100重量部
に対して夫々が、0.01〜10重量部及び0.1〜10重
量部のときに効果を発揮し特に好ましくは夫々が
0.1〜2重量部及び0.1〜5重量部の量でこれらを
併用添加したときである。
一方電子写真感光体上の静電潜像を正にまさつ
帯電した一成分磁性トナーで現像する場合に画像
流れを防止する手段として、非酸化物系セラミツ
ク微粉体、好ましくはSiC微粉体のみを含有させ
ることも効果的である。その添加量は磁性トナー
粉100重量部あたり0.1〜3%、好ましくは0.5〜
2%である。しかしながら磁性粉トナーに上記
SiC微粉末を混合したのみの現像剤を用いると、
感光体の表面は、前記した様な公知のクリーニン
グ法によりクリーニングした場合、とりわけブレ
ードクリーニング時にフイルミングを形成し易く
なり、このため、更に適当な滑材を混合して用い
ることが好ましい。滑材としては各種の無色〜白
色の微粉末を使うことができるが、特に正にまさ
つ帯電したトナーと共に用いたときその荷重に害
を及ぼさないものとして、ポリフツ化ビニリデン
や各種脂肪酸金属塩(好ましくはステアリン酸亜
鉛)が好ましい。
帯電した一成分磁性トナーで現像する場合に画像
流れを防止する手段として、非酸化物系セラミツ
ク微粉体、好ましくはSiC微粉体のみを含有させ
ることも効果的である。その添加量は磁性トナー
粉100重量部あたり0.1〜3%、好ましくは0.5〜
2%である。しかしながら磁性粉トナーに上記
SiC微粉末を混合したのみの現像剤を用いると、
感光体の表面は、前記した様な公知のクリーニン
グ法によりクリーニングした場合、とりわけブレ
ードクリーニング時にフイルミングを形成し易く
なり、このため、更に適当な滑材を混合して用い
ることが好ましい。滑材としては各種の無色〜白
色の微粉末を使うことができるが、特に正にまさ
つ帯電したトナーと共に用いたときその荷重に害
を及ぼさないものとして、ポリフツ化ビニリデン
や各種脂肪酸金属塩(好ましくはステアリン酸亜
鉛)が好ましい。
以下本発明を実施例に従つて説明する。
実施例 1
80φ×300mmのアルミニウムシリンダーを基体
とした。これに、ポリアミド樹脂(商品名:アミ
ランCM800、東レ製)の5%メタノール溶液を
浸漬法で塗布し、1μ厚の下引き層をもうけた。
とした。これに、ポリアミド樹脂(商品名:アミ
ランCM800、東レ製)の5%メタノール溶液を
浸漬法で塗布し、1μ厚の下引き層をもうけた。
次に下記構造式のビスアゾ顔料を10部(重量
部、以下同様)、 ポリビニルブチラール樹脂(商品名;エスレツク
BXL,積水化学(株)製)8部およびシクロヘキサ
ノン60部を1φガラスビーズを用いたサンドミル
装置で20時間分散した。この分散液にメチルエチ
ルケトン70〜120(適宜)部を加えて、下引き層上
に塗布した。膜厚は0.12ミクロンであつた。
部、以下同様)、 ポリビニルブチラール樹脂(商品名;エスレツク
BXL,積水化学(株)製)8部およびシクロヘキサ
ノン60部を1φガラスビーズを用いたサンドミル
装置で20時間分散した。この分散液にメチルエチ
ルケトン70〜120(適宜)部を加えて、下引き層上
に塗布した。膜厚は0.12ミクロンであつた。
次に、
で示される構造式のヒドラゾン化合物7部、ポリ
スチレン樹脂(商品名:ダイヤレツクスHF−
55;三菱モンサント化成製)10部をモノクロルベ
ンゼン50部に溶解した。この液を上記電荷発生層
上に塗布した。乾燥後の膜厚は17μであつた。こ
の様にして作成した感光体表面の硬度を前述の測
定法にて測定したところ、13gの値が得られた。
スチレン樹脂(商品名:ダイヤレツクスHF−
55;三菱モンサント化成製)10部をモノクロルベ
ンゼン50部に溶解した。この液を上記電荷発生層
上に塗布した。乾燥後の膜厚は17μであつた。こ
の様にして作成した感光体表面の硬度を前述の測
定法にて測定したところ、13gの値が得られた。
この感光体を−5.6kVのコロナ帯電器、露光量
13lux°secを有する露光光学系、現像器、転写帯
電器、除電露光光学系、およびブレードクリーナ
ーを備えた電子写真複写機を用いて35℃80%の高
温高湿下においてランニングテストを行なつた。
13lux°secを有する露光光学系、現像器、転写帯
電器、除電露光光学系、およびブレードクリーナ
ーを備えた電子写真複写機を用いて35℃80%の高
温高湿下においてランニングテストを行なつた。
クリーナー条件は、ゴム硬度65゜のシリコーン
ゴム製のブレード、ブレード圧20g/cm、当接角
28゜、侵入量1.5mmであつた。
ゴム製のブレード、ブレード圧20g/cm、当接角
28゜、侵入量1.5mmであつた。
研摩材を添加しない一成分トナーを用いた3000
枚のランニングテスト結果では、画像流れは発生
しなかつたが感光体表面に無数のキズが認められ
トナーのフイルミングも見られた。一方SiC微粉
末0.5%とステアリン酸亜鉛0.5%を添加したトナ
ーを用いたところ3000枚のランニングテスト後も
画像流れ、フイルミングとも認められなかつた。
枚のランニングテスト結果では、画像流れは発生
しなかつたが感光体表面に無数のキズが認められ
トナーのフイルミングも見られた。一方SiC微粉
末0.5%とステアリン酸亜鉛0.5%を添加したトナ
ーを用いたところ3000枚のランニングテスト後も
画像流れ、フイルミングとも認められなかつた。
実施例 2
実施例1のポリスチレン樹脂の代わりにスチレ
ン−アクリロニトリル共重合体(商品名:サンレ
ツクスSAN−C:三菱モンサント化成製)を用
いることを除いては実施例1と同様にして感光体
を作成した。この感光体の表面硬度は17gであつ
た。
ン−アクリロニトリル共重合体(商品名:サンレ
ツクスSAN−C:三菱モンサント化成製)を用
いることを除いては実施例1と同様にして感光体
を作成した。この感光体の表面硬度は17gであつ
た。
次にSiC微粉末0.5%とステアリン酸亜鉛0.5%
を添加したトナーを用いて実施例1と同様の条件
で3000枚のランニングテストを行なつた。その結
果画像流れは全く発生せず良好な画像が得られ
た。
を添加したトナーを用いて実施例1と同様の条件
で3000枚のランニングテストを行なつた。その結
果画像流れは全く発生せず良好な画像が得られ
た。
実施例 3
実施例1のポリスチレン樹脂のかわりにスチレ
ン−メチルメタクリレート共重合体(商品名エス
チレンMS−300:新日鉄化学製)を用いること
を除いては実施例1と同様にして感光体を作成し
た。この感光体の表面硬度は21gであつた。
ン−メチルメタクリレート共重合体(商品名エス
チレンMS−300:新日鉄化学製)を用いること
を除いては実施例1と同様にして感光体を作成し
た。この感光体の表面硬度は21gであつた。
次に研摩材無添加の一成分トナー並びにシリカ
微粉末0.2%とSiC微粉末0.2%を添加したトナー
を用いて実施例1と同様の条件で3000枚のランニ
ングテストを行なつた。その結果、研摩材無添加
トナーを用いた場合には画像流れが発生したが、
研摩材添加トナーでは画像流れは全く発生せず良
好な画像が得られた。
微粉末0.2%とSiC微粉末0.2%を添加したトナー
を用いて実施例1と同様の条件で3000枚のランニ
ングテストを行なつた。その結果、研摩材無添加
トナーを用いた場合には画像流れが発生したが、
研摩材添加トナーでは画像流れは全く発生せず良
好な画像が得られた。
実施例 4
実施例1のポリスチレン樹脂のかわりに、ポリ
メチルメタクリレート(商品名:ダイヤナール
BR−88:三菱レーヨン製)を用いることを除い
ては実施例1と同様の方法にて感光体を作成し
た。次に研摩材無添加の一成分トナー、シリカ微
粉末0.2%とSiC微粉末0.2%添加トナー、並びに
シリカ微粉末1%とSiC微粉末2%添加トナーを
用いて実施例1と同様の条件で1万枚のランニン
グテストを行なつた。その結果研摩材無添加トナ
ーでは100枚前後から画像流れが発生した。又、
シリカ微粉末並びにSiC微粉末を0.2%添加したト
ナーでは3000枚まで画像流れは発生しなかつた。
一方、それぞれ1%と2%添加したトナーでは
10000枚まで画像流れは発生せず、良好な画像を
得ることができた。
メチルメタクリレート(商品名:ダイヤナール
BR−88:三菱レーヨン製)を用いることを除い
ては実施例1と同様の方法にて感光体を作成し
た。次に研摩材無添加の一成分トナー、シリカ微
粉末0.2%とSiC微粉末0.2%添加トナー、並びに
シリカ微粉末1%とSiC微粉末2%添加トナーを
用いて実施例1と同様の条件で1万枚のランニン
グテストを行なつた。その結果研摩材無添加トナ
ーでは100枚前後から画像流れが発生した。又、
シリカ微粉末並びにSiC微粉末を0.2%添加したト
ナーでは3000枚まで画像流れは発生しなかつた。
一方、それぞれ1%と2%添加したトナーでは
10000枚まで画像流れは発生せず、良好な画像を
得ることができた。
実施例 5
実施例4で作成した感光体上に、ジアリルフタ
レート樹脂10部と過酸化ベンゾイル0.1部をモノ
クロルベンゼン40部に溶解した樹脂液を塗工し
120℃60分間加熱後1.5μの樹脂保護層を設けた。
この感光体の表面硬度は46gであつた。次にシリ
カ微粉末2%とSiC微粉末4%を添加したトナー
を用い実施例1と同条件でランニングテストを行
なつた。その結果保護層を設けた事によるVLup
に起因して画像上に若干のカブリが認められたが
30000枚まで画像流れは全く発生しなかつた。
レート樹脂10部と過酸化ベンゾイル0.1部をモノ
クロルベンゼン40部に溶解した樹脂液を塗工し
120℃60分間加熱後1.5μの樹脂保護層を設けた。
この感光体の表面硬度は46gであつた。次にシリ
カ微粉末2%とSiC微粉末4%を添加したトナー
を用い実施例1と同条件でランニングテストを行
なつた。その結果保護層を設けた事によるVLup
に起因して画像上に若干のカブリが認められたが
30000枚まで画像流れは全く発生しなかつた。
以上の様に、感光層の表面硬度を規定した本発
明の電子写真感光体によれば、画像流れ、フイル
ミング、キズの問題が全て解決でき、高温高湿下
におかれても常に画像流れのない鮮明な画像が得
られる。また、この様な電子写真感光体を用いた
本発明の電子写真画像形成方法によれば、感光体
をクリーニングするときに、ブレードクリーニン
グ法を用いても上記の様な電子写真感光体の優れ
た特徴が発揮される。
明の電子写真感光体によれば、画像流れ、フイル
ミング、キズの問題が全て解決でき、高温高湿下
におかれても常に画像流れのない鮮明な画像が得
られる。また、この様な電子写真感光体を用いた
本発明の電子写真画像形成方法によれば、感光体
をクリーニングするときに、ブレードクリーニン
グ法を用いても上記の様な電子写真感光体の優れ
た特徴が発揮される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 導電性基体上に感光層を有し、該感光層が有
機光導電性物質を有し、かつ感光層表面を試験面
とし、ダイヤモンド又はサフアイア円錐圧子(円
錐角90゜、先端が直径0.01mmの半球状)に垂直荷
重を懸け、前記試験面に沿つて50mm/minの速度
で移動させたとき、50μm巾の引つ掻き傷を付す
のに必要な荷重が10グラム以上である表面硬度を
有する電子写真感光体上に形成された静電潜像
を、正帯電した磁性トナーと酸化物系セラミツク
微粉体と非酸化物系セラミツク微粉体とを含有す
る現像剤を用いて現像し、次いで画像を転写した
後、前記感光体をクリーニングすることを特徴と
する電子写真画像形成方法。 2 酸化物系セラミツク微粉体としてシリカ微粉
体を用い、また非酸化物系セラミツク微粉体とし
てSiC微粉体を用いる特許請求の範囲第1項記載
の電子写真画像形成方法。 3 導電性基体上に感光層を有し、該感光層が有
機光導電性物質を有し、かつ前記感光層表面を試
験面とし、ダイヤモンド又はサフアイア円錐圧子
(円錐角90゜、先端が直径0.01mmの半球状)に垂直
荷重を懸け、前記試験面に沿つて50mm/minの速
度で移動させたとき、50μm巾の引つ掻き傷を付
すのに必要な荷重が10グラム以上である表面硬度
を有する電子写真感光体上に形成された静電潜像
を、正帯電した磁性トナーと非酸化物系セラミツ
ク微粉体と滑材ととを含有する現像剤で現像し、
次いで画像を転写した後、前記感光体をクリーニ
ングすることを特徴とする電子写真画像形成方
法。 4 非酸化物系セラミツク微粉体として、SiC微
粉体を用いる特許請求の範囲第3項記載の電子写
真画像形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233568A JPS61112153A (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | 電子写真画像形成方法 |
| US06/793,105 US4654288A (en) | 1984-11-06 | 1985-10-30 | Electrophotographic photosensitive member and process for forming electrophotographic images using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233568A JPS61112153A (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | 電子写真画像形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61112153A JPS61112153A (ja) | 1986-05-30 |
| JPH0336425B2 true JPH0336425B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=16957109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59233568A Granted JPS61112153A (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | 電子写真画像形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4654288A (ja) |
| JP (1) | JPS61112153A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6031151A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-16 | Toshiba Corp | 画像形成方法 |
| US5430527A (en) * | 1987-06-30 | 1995-07-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus having cleaning width larger than charging width |
| JP2694745B2 (ja) * | 1987-08-14 | 1997-12-24 | キヤノン株式会社 | 電子写真装置 |
| EP0368251B1 (en) * | 1988-11-08 | 1995-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photosensitive material for electrophotography and method for making same |
| US5679488A (en) * | 1994-11-15 | 1997-10-21 | Konica Corporation | Electrophotography photoreceptor |
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