JPH0336549A - フォトマスク及びパターン形成方法 - Google Patents
フォトマスク及びパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0336549A JPH0336549A JP1171427A JP17142789A JPH0336549A JP H0336549 A JPH0336549 A JP H0336549A JP 1171427 A JP1171427 A JP 1171427A JP 17142789 A JP17142789 A JP 17142789A JP H0336549 A JPH0336549 A JP H0336549A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- density
- mask
- photomask
- dimension
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野１
本発明は、パターン密度の高い部分と、低い部分とを有
するフォトマスク、及び、それを用いたパターン形成方
法に関する。 〔従来の技術］ 基板上のレジストへ、フォトマスクのパターンを投影露
光し、現像処理することによりパターン形成を行なうフ
ォト工程で用いられる従来のフォトマスクは、設計寸法
に対して加えられるマスク寸法の補正量が、前記マスク
のパターン密度の高い部分と、低い部分とで共に同じで
あった。
するフォトマスク、及び、それを用いたパターン形成方
法に関する。 〔従来の技術］ 基板上のレジストへ、フォトマスクのパターンを投影露
光し、現像処理することによりパターン形成を行なうフ
ォト工程で用いられる従来のフォトマスクは、設計寸法
に対して加えられるマスク寸法の補正量が、前記マスク
のパターン密度の高い部分と、低い部分とで共に同じで
あった。
しかし、前述の従来技術では以下なる問題点を有する。
第２図は、基板上のポジレジストへ、ｇ線を露光波長と
する５：１縮小投影露光装置によって、フォトマスクの
パターンを０．３秒間投影露光し、静止パドル方式の現
像装置で、有機アルカリ性現像液を用いて６０秒間現像
処理することによリパターン形成した時の、前記マスク
のパターン密度と、現像後のパターン寸法の関係を示し
た図である。前記マスクには、パターン密度が、約１Ｏ
１３０，５０，７０，９０％である部分が試験的に存在
し、設計寸法に対して加えられるマスク寸法の補正量は
、それぞれの部分において等しく無補正である。そして
、第２図に示される関係は、前記のパターンと密度が異
なる部分にそれぞれ設けられた設計寸法ＩＬＬｍのパタ
ーンを測長することにより求めた。 第２図によると、パターン密度５０％を境に、パターン
密度が小さくなると、現像後のパターン寸法は太くなり
、逆に、パターン密度が大きくなると、パターン寸法は
細くなっており、パターン密度に対してマイナスの傾き
をもっている。これは、現像中に、現像液に溶は込むレ
ジスト量が、パターン密度によって異なり、また、前記
レジスト量が増すに伴ない現像速度が低下することによ
るものであり、パターン密度が小さいと、前記レジスト
量が増え、現像速度が低下するためパターン寸法は太く
なり、逆にパターン密度が大きいと、パターン寸法は細
くなる。また、パターン密度５０％を境界とした理由は
、たまたま、今回の露光、現像条件が、パターン密度５
０％部分の１μｍパターンに対してベストであったとい
うことであり、前記条件が変われば、当然のことながら
前記境界もシフトする。しかし、パターン寸法が、パタ
ーン密度に対してマイナスの傾きをもっことに変わりは
ない。 このように、従来のフォトマスク、及び、パターン形成
寸法においては、マスクのパターン密度が相異する部分
で、現像後のパターン寸法が設計値と治りならず、異な
るという問題があった。 そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、マスクのパターン密度が相異
する部分において、現像後のパターン寸法を、それぞれ
設計値どおりに形成することができるフォトマスク、及
び、パターン形成方法を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 （１）本発明のフォトマスクは、基板上のレジストへ、
フォトマスクのパターンを投影露光し、現像処理するこ
とによりパターン形成を行なうフォト工程で用いられる
フォトマスクにおいて、設計寸法に対して加えられるマ
スク寸法の補正量が、前記マスクのパターン密度に応じ
て、前記密度が高い部分と、低い部分とで異なることを
特徴とする。 （２）本発明のパターン形成方法は、基板上のレジスト
へ、フォトマスクのパターンを投影露光し、現像処理す
ることによりパターン形成する際に、設計寸法に対して
加えられるマスク寸法の補正量が、前記マスクのパター
ン密度に応じて、前記密度が高い部分と、低い部分とで
異なるフォトマスクを用いることを特徴とする。 〔実 施 例］ 第１図は、従来技術である第２図の場合と同様に、基板
上のポジレジストへ、ｇ線を露光波長とした５：ｌ縮小
投影露光装置によって、フォトマスクのパターンを０．
３秒間投影露光し、静止バドル方式の現像装置で、有機
アルカリ性現像液を用いて６０秒間現像処理した時の、
前記マスクのパターン密度と、現像後のパターン寸法の
関係を示した図である。しかし、前記マスクには、第２
図の場合と同様に、パターン密度が、約１０．３０．５
０．７０．９０％である部分が試験的に存在するが、設
計寸法に対して加えられるマスク寸法の補正量が、それ
ぞれの部分において異なっており、第２図の各々のパタ
ーン密度における現像後のパターン寸法と、設計寸法と
の差に相当する分が、それぞれマスク寸法に対して補正
されている０例えば、パターン密度３０％でのパターン
寸法と、設計寸法との差は＋０．０３μｍであるため、
この部分のマスク寸法を、前記差分に相当する分だけ細
め、また、パターン密度７０％での前記差分は、−０，
０３μｍであるため、逆に、この部分のマスク寸法を同
量だけ太めた。そして、第１図に示される関係は、第２
図の場合と同様に、前記パターン密度が異なる部分に設
けられた設計寸法１ｇｍのパターンを測長することにょ
り求めた。 第１図によると、現像後のパターン寸法は、マスクのパ
ターン密度によらず、どんなパターン密度においても、
はぼ設計値どおりの寸法が得られている。これは、パタ
ーン密度の相異に起因する現像後のパターン寸法と、設
計寸法との差が、あらかじめそのパターン密度に応じて
１個々にマスク寸法に補正されているためである。 このように、設計値に対して加えるマスク寸法の補正量
が、パターン密度に応じて、前記密度が高い部分と、低
い部分とで異なるフォトマスクを用いてパターン形成す
ることにより、パターン密度に影響されず、設計値どお
りのパターン寸法を得ることができた。 また、本発明は、本実施例の他に、 ・ネガレジストを使用する場合。 ・ｌ：ｌ投影露光装置を使用する場合。 ・デイツプ方式の現像装置を使用する場合。 ・有機アルカリ系以外の現像液を使用する場合。 など、その他さまざまな材料、装置条件下においても、
本実施例と同様な考え方で、巾広く応用されるものであ
る。 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、 （１）基板上のレジストへ、フォトマスクのパターンを
投影露光し、現像処理することによりパターン形成を行
なうフォト工程で用いられるフォトマスクにおいて、設
計寸法に対して加えられるマスク寸法の補正量が、前記
マスクのパターン密度に応じて、前記密度が高い部分と
、低い部分とで異なること。 （２）また、基板上のレジストへ、フォトマスクのパタ
ーンを投影露光し、現像処理することによリバクーン形
成する際に、設計寸法に対して加えられるマスク寸法の
補正量が、前記マスクのパターン密度に応じて、前記密
度が高い部分と、低い部分とで異なるフォトマスクを用
いること。 により、前記マスクのパターン密度が相異する部分にお
いて、現像後のパターン寸法を、それぞれ設計値どおり
に形成できるという優れた効果を有するものである。
する５：１縮小投影露光装置によって、フォトマスクの
パターンを０．３秒間投影露光し、静止パドル方式の現
像装置で、有機アルカリ性現像液を用いて６０秒間現像
処理することによリパターン形成した時の、前記マスク
のパターン密度と、現像後のパターン寸法の関係を示し
た図である。前記マスクには、パターン密度が、約１Ｏ
１３０，５０，７０，９０％である部分が試験的に存在
し、設計寸法に対して加えられるマスク寸法の補正量は
、それぞれの部分において等しく無補正である。そして
、第２図に示される関係は、前記のパターンと密度が異
なる部分にそれぞれ設けられた設計寸法ＩＬＬｍのパタ
ーンを測長することにより求めた。 第２図によると、パターン密度５０％を境に、パターン
密度が小さくなると、現像後のパターン寸法は太くなり
、逆に、パターン密度が大きくなると、パターン寸法は
細くなっており、パターン密度に対してマイナスの傾き
をもっている。これは、現像中に、現像液に溶は込むレ
ジスト量が、パターン密度によって異なり、また、前記
レジスト量が増すに伴ない現像速度が低下することによ
るものであり、パターン密度が小さいと、前記レジスト
量が増え、現像速度が低下するためパターン寸法は太く
なり、逆にパターン密度が大きいと、パターン寸法は細
くなる。また、パターン密度５０％を境界とした理由は
、たまたま、今回の露光、現像条件が、パターン密度５
０％部分の１μｍパターンに対してベストであったとい
うことであり、前記条件が変われば、当然のことながら
前記境界もシフトする。しかし、パターン寸法が、パタ
ーン密度に対してマイナスの傾きをもっことに変わりは
ない。 このように、従来のフォトマスク、及び、パターン形成
寸法においては、マスクのパターン密度が相異する部分
で、現像後のパターン寸法が設計値と治りならず、異な
るという問題があった。 そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、マスクのパターン密度が相異
する部分において、現像後のパターン寸法を、それぞれ
設計値どおりに形成することができるフォトマスク、及
び、パターン形成方法を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 （１）本発明のフォトマスクは、基板上のレジストへ、
フォトマスクのパターンを投影露光し、現像処理するこ
とによりパターン形成を行なうフォト工程で用いられる
フォトマスクにおいて、設計寸法に対して加えられるマ
スク寸法の補正量が、前記マスクのパターン密度に応じ
て、前記密度が高い部分と、低い部分とで異なることを
特徴とする。 （２）本発明のパターン形成方法は、基板上のレジスト
へ、フォトマスクのパターンを投影露光し、現像処理す
ることによりパターン形成する際に、設計寸法に対して
加えられるマスク寸法の補正量が、前記マスクのパター
ン密度に応じて、前記密度が高い部分と、低い部分とで
異なるフォトマスクを用いることを特徴とする。 〔実 施 例］ 第１図は、従来技術である第２図の場合と同様に、基板
上のポジレジストへ、ｇ線を露光波長とした５：ｌ縮小
投影露光装置によって、フォトマスクのパターンを０．
３秒間投影露光し、静止バドル方式の現像装置で、有機
アルカリ性現像液を用いて６０秒間現像処理した時の、
前記マスクのパターン密度と、現像後のパターン寸法の
関係を示した図である。しかし、前記マスクには、第２
図の場合と同様に、パターン密度が、約１０．３０．５
０．７０．９０％である部分が試験的に存在するが、設
計寸法に対して加えられるマスク寸法の補正量が、それ
ぞれの部分において異なっており、第２図の各々のパタ
ーン密度における現像後のパターン寸法と、設計寸法と
の差に相当する分が、それぞれマスク寸法に対して補正
されている０例えば、パターン密度３０％でのパターン
寸法と、設計寸法との差は＋０．０３μｍであるため、
この部分のマスク寸法を、前記差分に相当する分だけ細
め、また、パターン密度７０％での前記差分は、−０，
０３μｍであるため、逆に、この部分のマスク寸法を同
量だけ太めた。そして、第１図に示される関係は、第２
図の場合と同様に、前記パターン密度が異なる部分に設
けられた設計寸法１ｇｍのパターンを測長することにょ
り求めた。 第１図によると、現像後のパターン寸法は、マスクのパ
ターン密度によらず、どんなパターン密度においても、
はぼ設計値どおりの寸法が得られている。これは、パタ
ーン密度の相異に起因する現像後のパターン寸法と、設
計寸法との差が、あらかじめそのパターン密度に応じて
１個々にマスク寸法に補正されているためである。 このように、設計値に対して加えるマスク寸法の補正量
が、パターン密度に応じて、前記密度が高い部分と、低
い部分とで異なるフォトマスクを用いてパターン形成す
ることにより、パターン密度に影響されず、設計値どお
りのパターン寸法を得ることができた。 また、本発明は、本実施例の他に、 ・ネガレジストを使用する場合。 ・ｌ：ｌ投影露光装置を使用する場合。 ・デイツプ方式の現像装置を使用する場合。 ・有機アルカリ系以外の現像液を使用する場合。 など、その他さまざまな材料、装置条件下においても、
本実施例と同様な考え方で、巾広く応用されるものであ
る。 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、 （１）基板上のレジストへ、フォトマスクのパターンを
投影露光し、現像処理することによりパターン形成を行
なうフォト工程で用いられるフォトマスクにおいて、設
計寸法に対して加えられるマスク寸法の補正量が、前記
マスクのパターン密度に応じて、前記密度が高い部分と
、低い部分とで異なること。 （２）また、基板上のレジストへ、フォトマスクのパタ
ーンを投影露光し、現像処理することによリバクーン形
成する際に、設計寸法に対して加えられるマスク寸法の
補正量が、前記マスクのパターン密度に応じて、前記密
度が高い部分と、低い部分とで異なるフォトマスクを用
いること。 により、前記マスクのパターン密度が相異する部分にお
いて、現像後のパターン寸法を、それぞれ設計値どおり
に形成できるという優れた効果を有するものである。
第１図は１本発明のフォトマスクを用いてパターン形成
した時の、前記マスクのパターン密度と、現像後のパタ
ーン寸法の関係を示した図である。 第２図は、従来のフォトマスクを用いてパターン形成し
た時の、前記マスクのパターン密度と、現像後のパター
ン寸法の関係を示した図である。 以上
した時の、前記マスクのパターン密度と、現像後のパタ
ーン寸法の関係を示した図である。 第２図は、従来のフォトマスクを用いてパターン形成し
た時の、前記マスクのパターン密度と、現像後のパター
ン寸法の関係を示した図である。 以上
Claims (2)
- （１）基板上のレジストへ、フォトマスクのパターンを
投影露光し、現像処理することによりパターン形成を行
なうフォト工程で用いられるフォトマスクにおいて、設
計寸法に対して加えられるマスク寸法の補正量が、前記
マスクのパターン密度に応じて、前記密度が高い部分と
、低い部分とで異なることを特徴とするフォトマスク。 - （２）基板上のレジストへ、フォトマスクのパターンを
投影露光し、現像処理することによりパターン形成する
際に、設計寸法に対して加えられるマスク寸法の補正量
が、前記マスクのパターン密度に応じて、前記密度が高
い部分と、低い部分とで異なるフォトマスクを用いるこ
とを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171427A JPH0336549A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | フォトマスク及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171427A JPH0336549A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | フォトマスク及びパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336549A true JPH0336549A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15922934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1171427A Pending JPH0336549A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | フォトマスク及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336549A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7042539B2 (en) | 2001-06-22 | 2006-05-09 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Reflection plate, manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
-
1989
- 1989-07-03 JP JP1171427A patent/JPH0336549A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7042539B2 (en) | 2001-06-22 | 2006-05-09 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Reflection plate, manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
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