JPH033664B2 - - Google Patents
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- JPH033664B2 JPH033664B2 JP57057727A JP5772782A JPH033664B2 JP H033664 B2 JPH033664 B2 JP H033664B2 JP 57057727 A JP57057727 A JP 57057727A JP 5772782 A JP5772782 A JP 5772782A JP H033664 B2 JPH033664 B2 JP H033664B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シアノグアニジン誘導体、特に下式
〔〕で示されるＮ−シアノ−N′−メチル−N″−
２−［［（４−メチル−５−イミダゾリル）メチル］
チオ］エチルグアニジンの製造方法に関する。
〔〕で示されるＮ−シアノ−N′−メチル−N″−
２−［［（４−メチル−５−イミダゾリル）メチル］
チオ］エチルグアニジンの製造方法に関する。
本発明の目的化合物〔〕は一般名をシメチジ
ン（cimetidine）と称せられ、ヒスタミンのH2
一受容体遮断効果を有し抗潰瘍剤として広く知ら
れているものである。
ン（cimetidine）と称せられ、ヒスタミンのH2
一受容体遮断効果を有し抗潰瘍剤として広く知ら
れているものである。
従来、シメチジンの製造法については種々提案
されているが（特開昭54−59275号、同51−
54561、同51−125074号、同50−32174号、特開昭
56−1309号等）、いずれも反応試剤として高価な
システアミン（HSCH2CH2NH2）を必要とし、
かつその反応生成物はクロマトグラフイーによる
分離精製を要する等、工業的な製造法とは言えな
い。また、４−メチル−５−メルカプトメチルイ
ミダゾールを原料とする製造法（特開昭54−
130566号）では、該原料がアルカリ性条件下で酸
化され易いため収率の抵下を免れ得ず、多量の副
生成が分離精製を困難にするという欠点がある。
されているが（特開昭54−59275号、同51−
54561、同51−125074号、同50−32174号、特開昭
56−1309号等）、いずれも反応試剤として高価な
システアミン（HSCH2CH2NH2）を必要とし、
かつその反応生成物はクロマトグラフイーによる
分離精製を要する等、工業的な製造法とは言えな
い。また、４−メチル−５−メルカプトメチルイ
ミダゾールを原料とする製造法（特開昭54−
130566号）では、該原料がアルカリ性条件下で酸
化され易いため収率の抵下を免れ得ず、多量の副
生成が分離精製を困難にするという欠点がある。
本発明は、上記欠点を克服すべくなされたもの
であり、１反応工程にて高収率で目的化合物
〔〕を製造する方法を提供する。
であり、１反応工程にて高収率で目的化合物
〔〕を製造する方法を提供する。
本発明方法によれば、下式〔〕
で示される４−メチル−５−（Ｎ−メチルカルバ
モイルオキシ）メチル−イミダゾールと、下式
〔〕 で示されるＮ−シアノ−N′、Ｓ−エチレンイソ
チオウレアとを、塩基性条件下に反応させて目的
化合物であるシメチジン〔〕を得る。
モイルオキシ）メチル−イミダゾールと、下式
〔〕 で示されるＮ−シアノ−N′、Ｓ−エチレンイソ
チオウレアとを、塩基性条件下に反応させて目的
化合物であるシメチジン〔〕を得る。
上記反応における塩基性条件は、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム
などのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水
酸化物、あるいはナトリウムエトキシド、カリウ
ムエトキシドなどのアルカリ金属アルコキサイド
などによつてもたらされる。反応は、溶媒中、常
圧もしくは加圧条件下、加熱もしくは常温で行な
われる。反応溶媒の例としては、水、メタノー
ル、エタノール、アセトン、アセトニトリル、ジ
メチルホルムアミド（DMF）、ジメチルスルホキ
シド（DMSO）など、あるいはこれらの混合溶
媒が挙げられる。
ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム
などのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水
酸化物、あるいはナトリウムエトキシド、カリウ
ムエトキシドなどのアルカリ金属アルコキサイド
などによつてもたらされる。反応は、溶媒中、常
圧もしくは加圧条件下、加熱もしくは常温で行な
われる。反応溶媒の例としては、水、メタノー
ル、エタノール、アセトン、アセトニトリル、ジ
メチルホルムアミド（DMF）、ジメチルスルホキ
シド（DMSO）など、あるいはこれらの混合溶
媒が挙げられる。
本発明に用いられるイミダゾール誘導体〔〕
は、＊印の炭素がカルボニル基より求核攻撃を受
け易く、求核攻撃により遊離するＮ−メチルカル
バミン酸は容易に脱炭酸を受けて、CO2と
NH2CH3に分離する。一方、環状イソチオウレ
ア誘導体〔〕は、上記化合物〔〕に対する求
核試剤として、その＊印の炭素に求核的に作用
し、それにより生ずるメチルアミンが反応に関与
することによつて目的化合物であるシメチジン
〔〕が１反応工程にて高収率で得られる。
け易く、求核攻撃により遊離するＮ−メチルカル
バミン酸は容易に脱炭酸を受けて、CO2と
NH2CH3に分離する。一方、環状イソチオウレ
ア誘導体〔〕は、上記化合物〔〕に対する求
核試剤として、その＊印の炭素に求核的に作用
し、それにより生ずるメチルアミンが反応に関与
することによつて目的化合物であるシメチジン
〔〕が１反応工程にて高収率で得られる。
なお、環状イソチオウレア誘導体〔〕は、メ
ルカプト基が保護された化学構造であり、塩基性
条件下においても耐酸化性を有するので、化合物
〔〕との反応において従来法のような副反応生
成物を生じることがなく、目的化合物〔〕の分
離精製も容易である。
ルカプト基が保護された化学構造であり、塩基性
条件下においても耐酸化性を有するので、化合物
〔〕との反応において従来法のような副反応生
成物を生じることがなく、目的化合物〔〕の分
離精製も容易である。
次に実施例について説明するが、本発明方法は
これに限定されるものではない。
これに限定されるものではない。
実施例（化合物〔〕＋化合物〔〕→化合物
〔〕） エタノール50mlに水酸化ナトリウム２ｇ（0.05
モル）を溶解し、これにＮ−シアノ−N′、Ｓ−
エチレンイソチオウレア（化合物〔〕）6.4ｇ
（0.05モル）を加え、20分間攪拌し、ついで４−
メチル−５−（Ｎ−メチルカルバモイルオキシ）
メチル−イミダゾール（化合物〔〕）8.45ｇ
（0.05モル）を一度に加え、60〜70℃で１時間攪
拌する。
〔〕） エタノール50mlに水酸化ナトリウム２ｇ（0.05
モル）を溶解し、これにＮ−シアノ−N′、Ｓ−
エチレンイソチオウレア（化合物〔〕）6.4ｇ
（0.05モル）を加え、20分間攪拌し、ついで４−
メチル−５−（Ｎ−メチルカルバモイルオキシ）
メチル−イミダゾール（化合物〔〕）8.45ｇ
（0.05モル）を一度に加え、60〜70℃で１時間攪
拌する。
反応液を留去したのち、2N水酸化ナトリウム
水溶液と酢酸エチルで振とうし、酢酸エチル相を
乾燥留去する。残渣をアセトニトリルとエーテル
の混合溶媒から結晶化させて目的とするシメチジ
ン〔〕を得る。6.9ｇ（55％）。融点：139〜141
℃。
水溶液と酢酸エチルで振とうし、酢酸エチル相を
乾燥留去する。残渣をアセトニトリルとエーテル
の混合溶媒から結晶化させて目的とするシメチジ
ン〔〕を得る。6.9ｇ（55％）。融点：139〜141
℃。
Claims (1)
- １ ４−メチル−５−（Ｎ−メチルカルバモイル
オキシ）メチル−イミダゾールと、Ｎ−シアノ−
N′、Ｓ−エチレンイソチオウレアとを、塩基性
条件下に反応させて、Ｎ−シアノ−N′−メチル
−N″−２−［［（４−メチル−５−イミダゾリル）
メチル〕チオ〕エチルグアニジンを得ることを特
徴とするシアノグアニジン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57057727A JPS58174370A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | シアノグアニジン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57057727A JPS58174370A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | シアノグアニジン誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58174370A JPS58174370A (ja) | 1983-10-13 |
| JPH033664B2 true JPH033664B2 (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=13063956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57057727A Granted JPS58174370A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | シアノグアニジン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58174370A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1762899A1 (en) | 2005-09-12 | 2007-03-14 | Ricoh Company, Ltd. | Latent electrostatic image bearing member, and the method for producing the same, image forming method, image forming apparatus, and process cartridge |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2607369B2 (ja) * | 1987-02-20 | 1997-05-07 | 興和株式会社 | 新規な複素環化合物 |
-
1982
- 1982-04-06 JP JP57057727A patent/JPS58174370A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1762899A1 (en) | 2005-09-12 | 2007-03-14 | Ricoh Company, Ltd. | Latent electrostatic image bearing member, and the method for producing the same, image forming method, image forming apparatus, and process cartridge |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58174370A (ja) | 1983-10-13 |
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