JPH0336794B2 - - Google Patents
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- JPH0336794B2 JPH0336794B2 JP59233891A JP23389184A JPH0336794B2 JP H0336794 B2 JPH0336794 B2 JP H0336794B2 JP 59233891 A JP59233891 A JP 59233891A JP 23389184 A JP23389184 A JP 23389184A JP H0336794 B2 JPH0336794 B2 JP H0336794B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outer tube
- tube
- semiconductor wafer
- insertion side
- inner tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
この発明は減圧気相成長装置に係り、特に加熱
炉に取付けられた例えば、石英管内を減圧して気
相成長を行う減圧気相成長装置に関する。
炉に取付けられた例えば、石英管内を減圧して気
相成長を行う減圧気相成長装置に関する。
＜従来の技術＞
この種の減圧気相成長装置においては、半導体
ウエハの表面に所定の薄膜が成長されるととも
に、チユーブ内面にも前記膜が形成される。チユ
ーブ内面に成長した膜は半導体ウエハを処理する
ごとに厚くなるため、次のような不都合が生じ
る。例えばポリシリコン膜を成長させる場合、ポ
リシリコン膜はチユーブへの接着性が良好で、ま
た、膜自体が強固であるから、ポリシリコン膜の
接着したチユーブが温度変化を受けると、ポリシ
リコン膜と石英の熱膨張係数の差のために、チユ
ーブに大きな熱応力が発生し、ひいてはチユーブ
にクラツクが発生するという問題を引き起こす。
クラツクが発生すると、気密性を保てない。そこ
で、チユーブ内面に例えば厚さ30〜10μｍ程度の
膜が成長すると、加熱炉から当該チユーブを取り
出して、これを洗浄して内面に形成された膜を除
去するようにしている。
ウエハの表面に所定の薄膜が成長されるととも
に、チユーブ内面にも前記膜が形成される。チユ
ーブ内面に成長した膜は半導体ウエハを処理する
ごとに厚くなるため、次のような不都合が生じ
る。例えばポリシリコン膜を成長させる場合、ポ
リシリコン膜はチユーブへの接着性が良好で、ま
た、膜自体が強固であるから、ポリシリコン膜の
接着したチユーブが温度変化を受けると、ポリシ
リコン膜と石英の熱膨張係数の差のために、チユ
ーブに大きな熱応力が発生し、ひいてはチユーブ
にクラツクが発生するという問題を引き起こす。
クラツクが発生すると、気密性を保てない。そこ
で、チユーブ内面に例えば厚さ30〜10μｍ程度の
膜が成長すると、加熱炉から当該チユーブを取り
出して、これを洗浄して内面に形成された膜を除
去するようにしている。
近年、上記問題を解消するために、例えば特開
昭56−28636号公報、実開昭58−162634号公報に
おいて、チユーブをアウターチユーブとインナー
チユーブの２つに分けたタイプの減圧気相成長装
置が提案されている。
昭56−28636号公報、実開昭58−162634号公報に
おいて、チユーブをアウターチユーブとインナー
チユーブの２つに分けたタイプの減圧気相成長装
置が提案されている。
＜発明が解決しようとする課題＞
しかしながら、前記除去の作業を行うにあたつ
ては、装置のシール部等を全て取り外さなければ
ならないので、装置が休止する時間が長くなり、
半導体ウエハプロセス工程における作業能率が低
下するという問題が生じる。
ては、装置のシール部等を全て取り外さなければ
ならないので、装置が休止する時間が長くなり、
半導体ウエハプロセス工程における作業能率が低
下するという問題が生じる。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、
チユーブをアウターチユーブとインナーチユーブ
に区別して使い分けることにより、前記アウター
チユーブの内面に膜が成長しないようにした新規
な減圧気相成長装置を提供することを目的として
いる。
チユーブをアウターチユーブとインナーチユーブ
に区別して使い分けることにより、前記アウター
チユーブの内面に膜が成長しないようにした新規
な減圧気相成長装置を提供することを目的として
いる。
さらに前記したアウターチユーブとインナーチ
ユーブに分けたタイプの装置は、その構造が複雑
であるため、インナーチユーブの取り外しが困難
である。このことは作業の能率を低下させる。
ユーブに分けたタイプの装置は、その構造が複雑
であるため、インナーチユーブの取り外しが困難
である。このことは作業の能率を低下させる。
従つて、本発明は半導体ウエハ挿入側に取付け
る扉の部分を工夫して、特にインナーチユーブを
いわゆるワンタツチで容易に取り外したり、取付
けたりできる極めて便利な減圧気相成長装置を提
供することを目的としている。
る扉の部分を工夫して、特にインナーチユーブを
いわゆるワンタツチで容易に取り外したり、取付
けたりできる極めて便利な減圧気相成長装置を提
供することを目的としている。
＜課題を解決するための手段＞
この発明に係る減圧気相成長装置は、熱接触式
のヒータで加熱されるアウターチユーブと、アウ
ターチユーブより小径のインナーチユーブと、半
導体ウエハ挿入側においてアウターチユーブとイ
ンナーチユーブ間をシールするパツキングと、半
導体ウエハ挿入側においてアウターチユーブと気
密に取付けられる第１の閉塞部と、アウターチユ
ーブの反半導体ウエハ挿入側においてアウターチ
ユーブに取付けられる第２の閉塞部を具備した減
圧気相成長装置であつて、前記アウターチユーブ
の半導体ウエハ挿入側近傍にはパージガスを導入
するパージガス導入口が設けられており、前記イ
ンナーチユーブの下面には両チユーブが同軸に挿
入できるように脚部が設けられており、前記第１
の閉塞部は扉と、パツキングを介してアウターチ
ユーブの半導体ウエハ挿入側周縁部に気密に嵌入
される輪状本体と、輪状ホルダーを含んでおり、
前記輪状本体はシールブロツク部と突出円筒部を
含んでおり、輪状本体と輪状ホルダーにより挟持
されたパツキングによりシールブロツク部はアウ
ターチユーブに気密に取付けられており、前記扉
はその内面と突出円筒部の外周間にパツキングを
挟んだ状態において、一端が輪状本体の突出円筒
部にヒンジ結合されるとともに、他端が係合部材
により突出円筒部に気密に係止できるように構成
してあり、突出円筒部に形成した成長ガス導入孔
から成長ガスを導入するとともに、第２の閉塞部
に設けた余剰ガス排出孔から余剰ガスを排出する
ように構成してあり、且つ前記インナーチユーブ
の開口端は余剰ガス排出孔のごく近傍に設けられ
ていることを特徴としている。
のヒータで加熱されるアウターチユーブと、アウ
ターチユーブより小径のインナーチユーブと、半
導体ウエハ挿入側においてアウターチユーブとイ
ンナーチユーブ間をシールするパツキングと、半
導体ウエハ挿入側においてアウターチユーブと気
密に取付けられる第１の閉塞部と、アウターチユ
ーブの反半導体ウエハ挿入側においてアウターチ
ユーブに取付けられる第２の閉塞部を具備した減
圧気相成長装置であつて、前記アウターチユーブ
の半導体ウエハ挿入側近傍にはパージガスを導入
するパージガス導入口が設けられており、前記イ
ンナーチユーブの下面には両チユーブが同軸に挿
入できるように脚部が設けられており、前記第１
の閉塞部は扉と、パツキングを介してアウターチ
ユーブの半導体ウエハ挿入側周縁部に気密に嵌入
される輪状本体と、輪状ホルダーを含んでおり、
前記輪状本体はシールブロツク部と突出円筒部を
含んでおり、輪状本体と輪状ホルダーにより挟持
されたパツキングによりシールブロツク部はアウ
ターチユーブに気密に取付けられており、前記扉
はその内面と突出円筒部の外周間にパツキングを
挟んだ状態において、一端が輪状本体の突出円筒
部にヒンジ結合されるとともに、他端が係合部材
により突出円筒部に気密に係止できるように構成
してあり、突出円筒部に形成した成長ガス導入孔
から成長ガスを導入するとともに、第２の閉塞部
に設けた余剰ガス排出孔から余剰ガスを排出する
ように構成してあり、且つ前記インナーチユーブ
の開口端は余剰ガス排出孔のごく近傍に設けられ
ていることを特徴としている。
＜作用＞
装置内に導入された成長ガスはアウターチユー
ブとインナーチユーブが半導体ウエハ挿入側にお
いて気密にされているので、アウターチユーブ側
に侵入することはない。またアウターチユーブの
後ろ側から侵入しようとする成長ガスはパージガ
スによつてパージされるので、やはりアウターチ
ユーブ側には侵入できない。従つて、アウターチ
ユーブは常に成長ガスに曝されることがない。
ブとインナーチユーブが半導体ウエハ挿入側にお
いて気密にされているので、アウターチユーブ側
に侵入することはない。またアウターチユーブの
後ろ側から侵入しようとする成長ガスはパージガ
スによつてパージされるので、やはりアウターチ
ユーブ側には侵入できない。従つて、アウターチ
ユーブは常に成長ガスに曝されることがない。
なおインナーチユーブの取付け、取り外しは係
合部材を操作することで容易に行うことが可能で
ある。
合部材を操作することで容易に行うことが可能で
ある。
＜実施例＞
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を
説明する。
説明する。
第１図はこの発明に係る減圧気相成長装置の構
成を略示した断面図であり、第２図は第１図にお
けるＡ−Ａ断面図である。
成を略示した断面図であり、第２図は第１図にお
けるＡ−Ａ断面図である。
図において、１はアウターチユーブであつて、
このアウターチユーブ１は熱接触式のヒータで加
熱されるようになつている。
このアウターチユーブ１は熱接触式のヒータで加
熱されるようになつている。
このアウターチユーブ１は両端が開口した石英
管より構成されている。２は前記アウターチユー
ブ１よりも小径のインナーチユーブであり、この
インナーチユーブ２は前記アウターチユーブ１に
挿抜自在に挿入され得る構成となつている。イン
ナーチユーブ２は両端が開口した石英管より構成
されており、その下方外面には両チユーブが略同
軸に挿入されるように、いぼ状の脚部３，３が形
成されている。
管より構成されている。２は前記アウターチユー
ブ１よりも小径のインナーチユーブであり、この
インナーチユーブ２は前記アウターチユーブ１に
挿抜自在に挿入され得る構成となつている。イン
ナーチユーブ２は両端が開口した石英管より構成
されており、その下方外面には両チユーブが略同
軸に挿入されるように、いぼ状の脚部３，３が形
成されている。
１３はパツキングで、パツキング１３は半導体
ウエハ挿入側にあつてアウターチユーブ１とイン
ナーチユーブ２間に介在している。
ウエハ挿入側にあつてアウターチユーブ１とイン
ナーチユーブ２間に介在している。
１Ａはアウターチユーブ１の半導体ウエハ挿入
側近傍に設けたパージガス導入口であり、このパ
ージガス導入口１Ａからパージガスボンベ１６内
のパージガスがバルブ１５を介して装置内に導入
される。
側近傍に設けたパージガス導入口であり、このパ
ージガス導入口１Ａからパージガスボンベ１６内
のパージガスがバルブ１５を介して装置内に導入
される。
パージガスとしては窒素ガス等の不活性ガスが
選ばれる。
選ばれる。
アウターチユーブ１の半導体ウエハ挿入側周縁
にはアウターチユーブ１の気密に取付けられる第
１の閉塞部５が設けてある。
にはアウターチユーブ１の気密に取付けられる第
１の閉塞部５が設けてある。
この第１の閉塞部５はパツキング６を介してア
ウターチユーブ１の半導体ウエハ挿入側周縁部に
気密に嵌入される輪状本体５２と、輪状ホルダー
５６とパツキング６と、ボルト５７、ヒンジ５５
を含む扉５３及びパツキング５４を含んでいる。
ウターチユーブ１の半導体ウエハ挿入側周縁部に
気密に嵌入される輪状本体５２と、輪状ホルダー
５６とパツキング６と、ボルト５７、ヒンジ５５
を含む扉５３及びパツキング５４を含んでいる。
輪状本体５２はシールブロツク部５２１とシー
ルブロツク部５２１からさらに半導体ウエハ挿入
方向に突出形成した略Ｌ字形状の突出円筒部５２
２から形成されている。前記シールブロツク部５
２１の内部には水冷ジヤケツト５２１Ａが形成さ
れている。またシールブロツク部５２１の外周側
にはボルト挿入孔が設けてあるとともに、下面の
反半導体ウエハ挿入側にはテーパ部５２Ｂが形成
されている。そしてデーパ部５２Ｂと前記輪状ホ
ルダー５６でパツキング６を挟み、輪状ホルダー
５６とシールブロツク部５２１はボルト５７で結
合固定されるとともに、アウターチユーブ１と気
密を保持する構成となつている。
ルブロツク部５２１からさらに半導体ウエハ挿入
方向に突出形成した略Ｌ字形状の突出円筒部５２
２から形成されている。前記シールブロツク部５
２１の内部には水冷ジヤケツト５２１Ａが形成さ
れている。またシールブロツク部５２１の外周側
にはボルト挿入孔が設けてあるとともに、下面の
反半導体ウエハ挿入側にはテーパ部５２Ｂが形成
されている。そしてデーパ部５２Ｂと前記輪状ホ
ルダー５６でパツキング６を挟み、輪状ホルダー
５６とシールブロツク部５２１はボルト５７で結
合固定されるとともに、アウターチユーブ１と気
密を保持する構成となつている。
扉５３はその一端が輪状本体５２の突出円筒部
５２２にヒンジ結合され、扉５３の他端は留め具
のような係合部材５５がヒンジ結合されていて、
この係合部材５５が突出円筒部５２２に係止され
る。なお前記係合部材５５は複数個あつたほうが
気密性の上からも好ましい。係合部材５５は例え
ばコの字形の形状をしており、その先端には係止
爪５５Ａが形成されており、その係止爪５５Ａが
突出円筒部５２２に形成した係止凹部５２２Ａに
係止されることにより、扉５３が閉じられる構成
となつている。
５２２にヒンジ結合され、扉５３の他端は留め具
のような係合部材５５がヒンジ結合されていて、
この係合部材５５が突出円筒部５２２に係止され
る。なお前記係合部材５５は複数個あつたほうが
気密性の上からも好ましい。係合部材５５は例え
ばコの字形の形状をしており、その先端には係止
爪５５Ａが形成されており、その係止爪５５Ａが
突出円筒部５２２に形成した係止凹部５２２Ａに
係止されることにより、扉５３が閉じられる構成
となつている。
この場合、扉５３とシールブロツク部５２１間
の気密を保持するため、突出円筒部５２２の先端
側と扉５３の内面との間にパツキング５４が気密
に嵌め込まれる。従つて、パツキング６とパツキ
ング５４でアウターチユーブ１と第１の閉塞部５
の気密性は保持できる。
の気密を保持するため、突出円筒部５２２の先端
側と扉５３の内面との間にパツキング５４が気密
に嵌め込まれる。従つて、パツキング６とパツキ
ング５４でアウターチユーブ１と第１の閉塞部５
の気密性は保持できる。
突出円筒部５２２にはガス導入孔５２２Ａが形
成されており、このガス導入孔５２２Ａにはバル
ブ８を介してガスボンベ７からモノシランガスな
どの成長ガスが装置内に導入される。
成されており、このガス導入孔５２２Ａにはバル
ブ８を介してガスボンベ７からモノシランガスな
どの成長ガスが装置内に導入される。
アウターチユーブ１の反半導体ウエハ挿入側に
はパツキング１０を介して第２の閉塞部９が取付
けられる。第２の閉塞部９には余剰ガス排出孔９
１が設けられている。排気ポンプ１１により、装
置内の余剰ガスは余剰ガス排出孔９１から外部に
排出される。なお１２はインナーチューブ２内に
図外の石英ボートに配列した半導体ウエハを示し
ている。
はパツキング１０を介して第２の閉塞部９が取付
けられる。第２の閉塞部９には余剰ガス排出孔９
１が設けられている。排気ポンプ１１により、装
置内の余剰ガスは余剰ガス排出孔９１から外部に
排出される。なお１２はインナーチューブ２内に
図外の石英ボートに配列した半導体ウエハを示し
ている。
次に上述した構成を備えた減圧気相成長装置の
取扱について説明する。
取扱について説明する。
まず、扉５３が開放されて、半導体ウエハ１
２を載置した石英ボードがインナーチューブ２
内に挿入される。その後、留め具５５を突出円
筒部５２２に係止することにより、扉５３を閉
じる。
２を載置した石英ボードがインナーチューブ２
内に挿入される。その後、留め具５５を突出円
筒部５２２に係止することにより、扉５３を閉
じる。
装置内部を排気減圧する。減圧後、アウター
チユーブ１は前記ヒータにより所定温度にまで
加熱される。
チユーブ１は前記ヒータにより所定温度にまで
加熱される。
その後、成長ガスがガスボンベから装置内に
供給されるとともに、前記パージガスがパージ
ガス導入口１Ａから導入される。成長ガスがア
ウターチユーブ１の後ろ側（反半導体ウエハ挿
入側）から侵入しようとしても、パージガスに
よりパージされるので、結局成長ガスはアウタ
ーチユーブ１側に侵入されることは防止され
る。
供給されるとともに、前記パージガスがパージ
ガス導入口１Ａから導入される。成長ガスがア
ウターチユーブ１の後ろ側（反半導体ウエハ挿
入側）から侵入しようとしても、パージガスに
よりパージされるので、結局成長ガスはアウタ
ーチユーブ１側に侵入されることは防止され
る。
しかして装置内の成長ガスの濃度に関連して排
気ポンプ１１の運転、バルブ８の開閉制御が行わ
れ、半導体ウエハ１２に薄膜が形成される。イン
ナーチューブ２の内面にも膜が形成されるが、ア
ウターチユーブ１の内面には膜は形成されること
はない。
気ポンプ１１の運転、バルブ８の開閉制御が行わ
れ、半導体ウエハ１２に薄膜が形成される。イン
ナーチューブ２の内面にも膜が形成されるが、ア
ウターチユーブ１の内面には膜は形成されること
はない。
ところで、上述した装置において、インナーチ
ューブ２内面に成長した膜の厚さを管理すること
はインナーチューブ２の破損等を防止する上で極
めて重要である。
ューブ２内面に成長した膜の厚さを管理すること
はインナーチューブ２の破損等を防止する上で極
めて重要である。
しかし、インナーチューブ２に付着した膜の厚
さを直接測定することは困難である。そこで、第
４図に示すように、例えば前述したインナーチュ
ーブ２のようなチユーブ２０内に短冊状に切断し
た半導体ウエハ２１を軸方向に沿つて置く。前記
膜厚を正確に測定するために、半導体ウエハ２１
はチユーブ内面に密接するのが好ましい。短冊状
に切断した半導体ウエハ２１を用いるのもこの理
由による。このようにすれば、前記半導体ウエハ
２１を取り出して、干渉型顕微鏡等を使用してチ
ユーブ内面の膜厚を正確に測定することができ
る。
さを直接測定することは困難である。そこで、第
４図に示すように、例えば前述したインナーチュ
ーブ２のようなチユーブ２０内に短冊状に切断し
た半導体ウエハ２１を軸方向に沿つて置く。前記
膜厚を正確に測定するために、半導体ウエハ２１
はチユーブ内面に密接するのが好ましい。短冊状
に切断した半導体ウエハ２１を用いるのもこの理
由による。このようにすれば、前記半導体ウエハ
２１を取り出して、干渉型顕微鏡等を使用してチ
ユーブ内面の膜厚を正確に測定することができ
る。
＜発明の効果＞
この発明に係る減圧気相成長装置は、熱接触式
のヒータで加熱されるアウターチユーブと、アウ
ターチユーブより小径のインナーチューブと、半
導体ウエハ挿入側においてアウターチユーブとイ
ンナーチューブ間をシールするパツキングと、半
導体ウエハ挿入側においてアウターチユーブと気
密に取付けられる第１の閉塞部と、アウターチユ
ーブの反半導体ウエハ挿入側においてアウターチ
ユーブに取付けられる第２の閉塞部を具備した減
圧気相成長装置であつて、前記アウターチユーブ
の半導体ウエハ挿入側近傍にはパージガスを導入
するパージガス導入口が設けられており、前記イ
ンナーチューブの下面には両チユーブが同軸に挿
入できるように脚部が設けられており、前記第１
の閉塞部は扉と、パツキングを介してアウターチ
ユーブの半導体ウエハ挿入側周縁部に気密に嵌入
される輪状本体と、輪状ホルダーを含んでおり、
前記輪状本体はシールブロツク部と突出円筒部を
含んでおり、輪状本体と輪状ホルダーにより挟持
されたパツキングによりシールブロツク部はアウ
ターチユーブに気密に取付けられており、前記扉
はその内面と突出円筒部の外周間にパツキングを
挟んだ状態において、一端が輪状本体の突出円筒
部にヒンジ結合されるとともに、他端が係合部材
により突出円筒部に気密に係止できるように構成
してあり、突出円筒部に形成した成長ガス導入孔
から成長ガスを導入するとともに、第２の閉塞部
に設けた余剰ガス排出孔から余剰ガスを排出する
ように構成してあり、且つ前記インナーチューブ
の開口端は余剰ガス排出孔のごく近傍に設けられ
ていることを特徴とするものであるから、インナ
ーチューブの内面には成長ガスが成長するが、ア
ウターチユーブの内面には殆ど膜は成長しない。
のヒータで加熱されるアウターチユーブと、アウ
ターチユーブより小径のインナーチューブと、半
導体ウエハ挿入側においてアウターチユーブとイ
ンナーチューブ間をシールするパツキングと、半
導体ウエハ挿入側においてアウターチユーブと気
密に取付けられる第１の閉塞部と、アウターチユ
ーブの反半導体ウエハ挿入側においてアウターチ
ユーブに取付けられる第２の閉塞部を具備した減
圧気相成長装置であつて、前記アウターチユーブ
の半導体ウエハ挿入側近傍にはパージガスを導入
するパージガス導入口が設けられており、前記イ
ンナーチューブの下面には両チユーブが同軸に挿
入できるように脚部が設けられており、前記第１
の閉塞部は扉と、パツキングを介してアウターチ
ユーブの半導体ウエハ挿入側周縁部に気密に嵌入
される輪状本体と、輪状ホルダーを含んでおり、
前記輪状本体はシールブロツク部と突出円筒部を
含んでおり、輪状本体と輪状ホルダーにより挟持
されたパツキングによりシールブロツク部はアウ
ターチユーブに気密に取付けられており、前記扉
はその内面と突出円筒部の外周間にパツキングを
挟んだ状態において、一端が輪状本体の突出円筒
部にヒンジ結合されるとともに、他端が係合部材
により突出円筒部に気密に係止できるように構成
してあり、突出円筒部に形成した成長ガス導入孔
から成長ガスを導入するとともに、第２の閉塞部
に設けた余剰ガス排出孔から余剰ガスを排出する
ように構成してあり、且つ前記インナーチューブ
の開口端は余剰ガス排出孔のごく近傍に設けられ
ていることを特徴とするものであるから、インナ
ーチューブの内面には成長ガスが成長するが、ア
ウターチユーブの内面には殆ど膜は成長しない。
従つて、この発明によれば洗浄するためにイン
ナーチューブの取り出すにあたつて、アウターチ
ユーブのシール部等を全く取り外す必要がないの
で、装置の休止時間が短縮でき、全体の作業能率
を向上せしめる。
ナーチューブの取り出すにあたつて、アウターチ
ユーブのシール部等を全く取り外す必要がないの
で、装置の休止時間が短縮でき、全体の作業能率
を向上せしめる。
またこの発明はアウターチユーブによつて気密
性が保持されているので、仮にインナーチューブ
にクラツクが発生しても、従来装置のように装置
全体としての気密性は保持できるから、チユーブ
を交換する必要はなく、大変合理的である。
性が保持されているので、仮にインナーチューブ
にクラツクが発生しても、従来装置のように装置
全体としての気密性は保持できるから、チユーブ
を交換する必要はなく、大変合理的である。
また、上記の構成であるから、係合部材を操作
するだけで、インナーチューブを取付けたり、取
り外したりすることができるので、これまた作業
能率を向上させることができる。
するだけで、インナーチューブを取付けたり、取
り外したりすることができるので、これまた作業
能率を向上させることができる。
また本願発明では、インナーチューブの開口端
を余剰ガス排出孔のごく近傍に設けてあるので、
成長ガスが余剰ガス排出孔の付近に溜まることが
ない。もしここが成長ガスの溜まり場になると、
ここに滞留した使用済みの成長ガスが上流から流
れてきた成長ガスと混合する結果、成長ガスの成
分が実質的に変化するので、良好な膜の成長がで
きなくなる。本願発明ではこのようなことはな
い。
を余剰ガス排出孔のごく近傍に設けてあるので、
成長ガスが余剰ガス排出孔の付近に溜まることが
ない。もしここが成長ガスの溜まり場になると、
ここに滞留した使用済みの成長ガスが上流から流
れてきた成長ガスと混合する結果、成長ガスの成
分が実質的に変化するので、良好な膜の成長がで
きなくなる。本願発明ではこのようなことはな
い。
第１図はこの発明に係る減圧気相成長装置の構
成を略示した断面図、第２図は第１図におけるＡ
−Ａ断面図、第３図はチユーブ内面に成長した膜
の厚さを測定する方法の説明図である。 １……アウターチユーブ、２……インナーチュ
ーブ、５……第１の閉塞部、９……第２の閉塞
部、１２……半導体ウエハ。
成を略示した断面図、第２図は第１図におけるＡ
−Ａ断面図、第３図はチユーブ内面に成長した膜
の厚さを測定する方法の説明図である。 １……アウターチユーブ、２……インナーチュ
ーブ、５……第１の閉塞部、９……第２の閉塞
部、１２……半導体ウエハ。
Claims (1)
- １ 熱接触式のヒータで加熱されるアウターチユ
ーブと、アウターチユーブより小径のインナーチ
ユーブと、半導体ウエハ挿入側においてアウター
チユーブとインナーチユーブ間をシールするパツ
キングと、半導体ウエハ挿入側においてアウター
チユーブと気密に取付けられる第１の閉塞部と、
アウターチユーブの反半導体ウエハ挿入側におい
てアウターチユーブに取付けられる第２の閉塞部
を具備した減圧気相成長装置であつて、前記アウ
ターチユーブの半導体ウエハ挿入側近傍にはパー
ジガスを導入するパージガス導入口が設けられて
おり、前記インナーチユーブの下面には両チユー
ブが同軸に挿入できるように脚部が設けられてお
り、前記第１の閉塞部は扉と、パツキングを介し
てアウターチユーブの半導体ウエハ挿入側周縁部
に気密に嵌入される輪状本体と、輪状ホルダーを
含んでおり、前記輪状本体はシールブロツク部と
突出円筒部を含んでおり、輪状本体と輪状ホルダ
ーにより挟持されたパツキングによりシールブロ
ツク部はアウターチユーブに気密に取付けられて
おり、前記扉はその内面と突出円筒部の外周間に
パツキングを挟んだ状態において、一端が輪状本
体の突出円筒部にヒンジ結合されるとともに、他
端が係合部材により突出円筒部に気密に係止でき
るように構成してあり、突出円筒部に形成した成
長ガス導入孔から成長ガスを導入するとともに、
第２の閉塞部に設けた余剰ガス排出孔から余剰ガ
スを排出するように構成してあり、且つ前記イン
ナーチユーブの開口端は余剰ガス排出孔のごく近
傍に設けられていることを特徴とする減圧気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23389184A JPS61111992A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23389184A JPS61111992A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 減圧気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61111992A JPS61111992A (ja) | 1986-05-30 |
| JPH0336794B2 true JPH0336794B2 (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=16962181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23389184A Granted JPS61111992A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61111992A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101442050B1 (ko) * | 2013-05-07 | 2014-09-18 | (주)해피라이프 | 베개 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4871783A (ja) * | 1971-12-29 | 1973-09-28 | ||
| JPS5628636A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | Cvd film forming apparatus |
| JPS58162634U (ja) * | 1982-04-24 | 1983-10-29 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置 |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP23389184A patent/JPS61111992A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101442050B1 (ko) * | 2013-05-07 | 2014-09-18 | (주)해피라이프 | 베개 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61111992A (ja) | 1986-05-30 |
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