JPH0338736B2 - - Google Patents
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- JPH0338736B2 JPH0338736B2 JP56133670A JP13367081A JPH0338736B2 JP H0338736 B2 JPH0338736 B2 JP H0338736B2 JP 56133670 A JP56133670 A JP 56133670A JP 13367081 A JP13367081 A JP 13367081A JP H0338736 B2 JPH0338736 B2 JP H0338736B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid phase
- epitaxial growth
- container
- liquid reservoir
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2913—Materials being Group IIB-VIA materials
- H10P14/2917—Tellurides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/265—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3424—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IIB-VIA materials
- H10P14/3432—Tellurides
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液相エピタキシヤル成長装置、特に化
合物半導体のテルル化カドミウム水銀（Hg1-x
CdxTe）の液相エピタキシヤル成長装置の改良に
関するものである。
合物半導体のテルル化カドミウム水銀（Hg1-x
CdxTe）の液相エピタキシヤル成長装置の改良に
関するものである。
化合物半導体のHg1-xCdxTeは、そのエネルギ
ーギヤツプが狭く、赤外線検知素子の材料として
用いられている。
ーギヤツプが狭く、赤外線検知素子の材料として
用いられている。
このようなHg1-xCdxTeの結晶の製造方法とし
ては、従来カーボンよりなる支持台に例えばテル
ル化カドミウム（CdTe）よりなる基板を埋設
し、該支持台上をスライドして移動するスライド
部材に液だめを設け、該液だめ中にテルル（Te）
を溶媒、カドミウム水銀（HgCd）を溶質とした
液相を充填し、該スライド部材をスライドさせて
基板上に上記液相を接触させることでCdTeの基
板上にHg1-xCdxTeの結晶層を形成するいわゆる
スライデイング法が用いられている。
ては、従来カーボンよりなる支持台に例えばテル
ル化カドミウム（CdTe）よりなる基板を埋設
し、該支持台上をスライドして移動するスライド
部材に液だめを設け、該液だめ中にテルル（Te）
を溶媒、カドミウム水銀（HgCd）を溶質とした
液相を充填し、該スライド部材をスライドさせて
基板上に上記液相を接触させることでCdTeの基
板上にHg1-xCdxTeの結晶層を形成するいわゆる
スライデイング法が用いられている。
しかし前記Teよりなる溶媒はスライド部材お
よび支持台よりなる液相エピタキシヤル成長装置
を形成するカーボン材に対してなじみやすく容易
に分離され難いため、たとえば基板上にHg1-x
CdxTeの結晶層を形成してから、スライド部材を
移動させて基板上に残留している液相を除去しよ
うとしても該液相がスライド部材あるいは支持台
に付着しやすいのでスライドする際に支持台、ス
ライド部材に付着している液相が基板に再び付着
し、基板上から液相をぬぐい去ることは困難であ
つた。
よび支持台よりなる液相エピタキシヤル成長装置
を形成するカーボン材に対してなじみやすく容易
に分離され難いため、たとえば基板上にHg1-x
CdxTeの結晶層を形成してから、スライド部材を
移動させて基板上に残留している液相を除去しよ
うとしても該液相がスライド部材あるいは支持台
に付着しやすいのでスライドする際に支持台、ス
ライド部材に付着している液相が基板に再び付着
し、基板上から液相をぬぐい去ることは困難であ
つた。
そこで水銀（Hg）を溶媒として、該Hgに
CdTeを溶質として溶解させてHg1-xCdxTeの液
相を形成してから、CdTeの基板上にHg1-xCdx
Teの結晶層を液相エピタキシヤル成長装置によ
り形成する方法がとられている。
CdTeを溶質として溶解させてHg1-xCdxTeの液
相を形成してから、CdTeの基板上にHg1-xCdx
Teの結晶層を液相エピタキシヤル成長装置によ
り形成する方法がとられている。
ところで前述したHg1-xCdxTeのHgは易蒸発
性であり、このような易蒸発性のHgを含む
Hg1-xCdxTeの材料の液相を用いて基板上にエピ
タキシヤル成長させる場合には、従来第１図のよ
うな装置を用いていた。
性であり、このような易蒸発性のHgを含む
Hg1-xCdxTeの材料の液相を用いて基板上にエピ
タキシヤル成長させる場合には、従来第１図のよ
うな装置を用いていた。
第１図は従来の液相エピタキシヤル成長装置の
概略図で、例えばカーボンまたは石英よりなる密
閉容器１中にHg1-xCdxTeの液相２を充填し、
CdTeの基板３を設置した基板支持棒４を下方に
移動させて該基板を液相中に浸漬させたのち前記
密閉容器１を加熱する加熱炉（図示せず）の温度
を下降させて液相の温度を冷却させてCdTe基板
上にHg1-xCdxTeの結晶を析出させてから基板支
持棒を上方に移動させて基板上にHg1-xCdxTeの
結晶層を形成させるいわゆるデイツピング法を用
いた装置である。
概略図で、例えばカーボンまたは石英よりなる密
閉容器１中にHg1-xCdxTeの液相２を充填し、
CdTeの基板３を設置した基板支持棒４を下方に
移動させて該基板を液相中に浸漬させたのち前記
密閉容器１を加熱する加熱炉（図示せず）の温度
を下降させて液相の温度を冷却させてCdTe基板
上にHg1-xCdxTeの結晶を析出させてから基板支
持棒を上方に移動させて基板上にHg1-xCdxTeの
結晶層を形成させるいわゆるデイツピング法を用
いた装置である。
しかし上記した装置では前記Hgが易蒸発性で
蒸気圧が高いため、前記Hgの蒸気圧に耐えるよ
うに装置を設計しなければならず、装置が高価な
ものとなる欠点がある。
蒸気圧が高いため、前記Hgの蒸気圧に耐えるよ
うに装置を設計しなければならず、装置が高価な
ものとなる欠点がある。
また前記したカーボンよりなる支持台とスライ
ド部材よりなる液相エピタキシヤル成長装置を用
いて、液だめにHgを溶媒とし、CdTeを溶質とし
て形成した液相を充填し、該液相をCdTeの基板
に接触させて該エピタキシヤル成長装置を加熱す
る加熱炉の温度を低下させて基板にHg1-xCdxTe
の結晶層を形成するいわゆるスライデイング法に
よつてHg1-xCdxTeの結晶層を形成することも試
みた。しかしこの方法であるとエピタキシヤル成
長装置を挿入する水素ガス雰囲気の反応管が開管
状態になつており易蒸発性のHgが蒸発して反応
管より外部に逃散し均一な組成のHg1-xCdxTeの
結晶層が形成されない不都合を生じる。
ド部材よりなる液相エピタキシヤル成長装置を用
いて、液だめにHgを溶媒とし、CdTeを溶質とし
て形成した液相を充填し、該液相をCdTeの基板
に接触させて該エピタキシヤル成長装置を加熱す
る加熱炉の温度を低下させて基板にHg1-xCdxTe
の結晶層を形成するいわゆるスライデイング法に
よつてHg1-xCdxTeの結晶層を形成することも試
みた。しかしこの方法であるとエピタキシヤル成
長装置を挿入する水素ガス雰囲気の反応管が開管
状態になつており易蒸発性のHgが蒸発して反応
管より外部に逃散し均一な組成のHg1-xCdxTeの
結晶層が形成されない不都合を生じる。
本発明は上述した欠点を除去し、簡単な構造で
しかも易蒸発性のHgが蒸発しないような構造の
液相エピタキシヤル成長装置の提供を目的とする
ものである。
しかも易蒸発性のHgが蒸発しないような構造の
液相エピタキシヤル成長装置の提供を目的とする
ものである。
この目的は本発明によれば真空状態にある密閉
容器１６内に、基板の埋設された基板支持台１２
と、該基板上に成長させるべきHg1-xCdxTeの溶
液を収容する液だめを保持する液だめ保持部材１
５とを対向配置して固定封入するとともに、該密
閉容器１６の一端に管軸方向に延びる操作棒Ｂを
連結してなり、かつ該密閉容器全体を加熱炉１８
の反応管１７中に前記操作棒を介して回転可能に
設置した構成を有することを特徴とする液相エピ
タキシヤル成長装置によつて達成される。
容器１６内に、基板の埋設された基板支持台１２
と、該基板上に成長させるべきHg1-xCdxTeの溶
液を収容する液だめを保持する液だめ保持部材１
５とを対向配置して固定封入するとともに、該密
閉容器１６の一端に管軸方向に延びる操作棒Ｂを
連結してなり、かつ該密閉容器全体を加熱炉１８
の反応管１７中に前記操作棒を介して回転可能に
設置した構成を有することを特徴とする液相エピ
タキシヤル成長装置によつて達成される。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細
に説明する。
に説明する。
第２図は本発明の液相エピタキシヤル成長装置
の一実施例の断面図で図示するようにCdTe基板
１１を埋設するカーボン製の基板支持台１２と該
基板支持台１２に対向して該基板上に形成すべき
易蒸発性の成分であるHgを溶媒としCdTeを溶質
としてHg1-xCdxTeの材料の液相１３を収容する
液だめ１４を保持するカーボン製の部材１５が石
英製の容器１６中に収容されている。該容器内部
は真空に排気されて一端が封止されている。そし
て基板１１と液だめ１４とは対向配置されている
ものとする。
の一実施例の断面図で図示するようにCdTe基板
１１を埋設するカーボン製の基板支持台１２と該
基板支持台１２に対向して該基板上に形成すべき
易蒸発性の成分であるHgを溶媒としCdTeを溶質
としてHg1-xCdxTeの材料の液相１３を収容する
液だめ１４を保持するカーボン製の部材１５が石
英製の容器１６中に収容されている。該容器内部
は真空に排気されて一端が封止されている。そし
て基板１１と液だめ１４とは対向配置されている
ものとする。
このような基板支持台１２にCdTeの基板１１
を取りつけ、エピタキシヤル成長処理前には基板
が下方に向くように基板支持台は位置し、また液
だめにはHgを溶媒としCdTeを溶質としたHg1-x
CdxTeの材料を充填し、且つ基板支持台に図示の
如く対向配置される状態で前記基板支持台１２と
液だめを保持する部材１５とを石英容器内部に挿
入し該石英容器の内部を排気して端部Ａを封止す
る。その後封止した石英容器１６を反応管１７中
に挿入し、該反応管１７を加熱炉１８にて加熱す
る。
を取りつけ、エピタキシヤル成長処理前には基板
が下方に向くように基板支持台は位置し、また液
だめにはHgを溶媒としCdTeを溶質としたHg1-x
CdxTeの材料を充填し、且つ基板支持台に図示の
如く対向配置される状態で前記基板支持台１２と
液だめを保持する部材１５とを石英容器内部に挿
入し該石英容器の内部を排気して端部Ａを封止す
る。その後封止した石英容器１６を反応管１７中
に挿入し、該反応管１７を加熱炉１８にて加熱す
る。
このようにして液だめ１４中のHg1-xCdxTeの
材料が溶融した状態で該一端を封止した石英容器
１６を回転させて基板１１上にHg1-xCdxTeの液
相を接触させてから加熱炉の温度を冷却させて過
飽和状態となつたHg1-xCdxTeの液相の組成を結
晶層として基板上に成長させる。この回転時に基
板支持台と液だめ保持部材が離れないようにピン
等を用いて支持台と部材を固定する。その後所定
時間経過して基板上に所定の厚さ結晶層が成長し
た段階で再び一端を封止した石英容器を回転させ
て基板上に載つているHg1-xCdxTeの液相を取り
除く。このように一端を封止した石英容器を回転
させるには、該石英容器に石英棒Ｂ等を溶着等に
より取りつけて反応管１７の外部の方向に引き出
しておけばよい。またこの回転時に基板支持台と
液だめ保持部材が移動しないように石英容器１６
の内部に石英製の枠１９をもうけて該枠に液だめ
保持部材を固定する。
材料が溶融した状態で該一端を封止した石英容器
１６を回転させて基板１１上にHg1-xCdxTeの液
相を接触させてから加熱炉の温度を冷却させて過
飽和状態となつたHg1-xCdxTeの液相の組成を結
晶層として基板上に成長させる。この回転時に基
板支持台と液だめ保持部材が離れないようにピン
等を用いて支持台と部材を固定する。その後所定
時間経過して基板上に所定の厚さ結晶層が成長し
た段階で再び一端を封止した石英容器を回転させ
て基板上に載つているHg1-xCdxTeの液相を取り
除く。このように一端を封止した石英容器を回転
させるには、該石英容器に石英棒Ｂ等を溶着等に
より取りつけて反応管１７の外部の方向に引き出
しておけばよい。またこの回転時に基板支持台と
液だめ保持部材が移動しないように石英容器１６
の内部に石英製の枠１９をもうけて該枠に液だめ
保持部材を固定する。
以上述べたように本発明の液相エピタキシヤル
成長装置を用いれば簡単な装置で易蒸発性のHg
を含むHg1-xCdxTeの結晶層が容易に成長でき、
赤外線検知素子用の結晶が容易に得られる利点を
生じる。また以上の実施例の他に基板支持台およ
び液だめの保持部材は石英を用いて形成してもよ
い。
成長装置を用いれば簡単な装置で易蒸発性のHg
を含むHg1-xCdxTeの結晶層が容易に成長でき、
赤外線検知素子用の結晶が容易に得られる利点を
生じる。また以上の実施例の他に基板支持台およ
び液だめの保持部材は石英を用いて形成してもよ
い。
第１図は従来の液相エピタキシヤル成長装置の
概略図で、第２図は本発明の液相エピタキシヤル
成長装置の一実施例を示す断面図である。 図において、１は密閉容器、２はHg1-xCdxTe
の液相、３はCdTeの基板、４は支持棒、１１は
基板、１２は基板支持台、１３はHg1-xCdxTeの
液相、１４は液だめ、１５は部材、１６は容器、
１７は反応管、１８は加熱炉、１９は石英枠、Ａ
は端部、Ｂは石英棒を示す。
概略図で、第２図は本発明の液相エピタキシヤル
成長装置の一実施例を示す断面図である。 図において、１は密閉容器、２はHg1-xCdxTe
の液相、３はCdTeの基板、４は支持棒、１１は
基板、１２は基板支持台、１３はHg1-xCdxTeの
液相、１４は液だめ、１５は部材、１６は容器、
１７は反応管、１８は加熱炉、１９は石英枠、Ａ
は端部、Ｂは石英棒を示す。
Claims (1)
- １ 真空状態にある密閉容器１６内に、基板の埋
設された基板支持台１２と、該基板上に成長させ
るべきHgl−xCdxTeの溶液を収容する液だめを
保持する液だめ保持部材１５とを対向配置して固
定封入するとともに、該密閉容器１６の一端に管
軸方向に延びる操作棒Ｂを連結してなり、かつ該
密閉容器全体を加熱炉１８の反応管１７中に前記
操作棒を介して回転可能に設置した構成を有する
ことを特徴とする液相エピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133670A JPS5834925A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133670A JPS5834925A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834925A JPS5834925A (ja) | 1983-03-01 |
| JPH0338736B2 true JPH0338736B2 (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=15110157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133670A Granted JPS5834925A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834925A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194516A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Toyo Aluminium Kk | Aluminum foil for electrolytic condenser |
| US6855408B2 (en) | 2002-01-25 | 2005-02-15 | Showa Denko K.K. | Composite metal material and method for manufacturing the same, etched metal material and method for manufacturing the same and electrolytic capacitor |
| AU2017236006B2 (en) | 2016-06-14 | 2018-04-12 | Flack, Darryl Rodney MR | Helmet with chin crush zone and integrated ventilation |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144271A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-01 | Toshiba Corp | Preparation of semiconductor device |
-
1981
- 1981-08-25 JP JP56133670A patent/JPS5834925A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5834925A (ja) | 1983-03-01 |
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