JPH0339467A - スパッタ用ターゲットの製造方法 - Google Patents

スパッタ用ターゲットの製造方法

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JPH0339467A
JPH0339467A JP1174714A JP17471489A JPH0339467A JP H0339467 A JPH0339467 A JP H0339467A JP 1174714 A JP1174714 A JP 1174714A JP 17471489 A JP17471489 A JP 17471489A JP H0339467 A JPH0339467 A JP H0339467A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sputtering target
dielectric materials
melting point
inorganic compound
manufacturing
Prior art date
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Pending
Application number
JP1174714A
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English (en)
Inventor
Hidemi Isomura
秀己 磯村
Tetsuya Akiyama
哲也 秋山
Takeo Ota
太田　威夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、誘電体薄膜の形成のために用いられるスパッ
タ用ターゲットの製造方法に関するものである。
従来の技術 現在、誘電体薄膜の形成のために用いられるスパッタ用
ターゲットは、広く一般に利用されているが、その多（
は、粉末上の誘電体材料をホットプレスあるいは、冷間
静水圧プレス後ｊこ焼結するという方法で、加圧、加熱
成形によって製造されている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、融点の高い誘電体材料のターゲットを製
造する場合、融点が高いため設備が大掛かりになる。ま
たターゲットを加圧時、加熱成形時にクラックが入りや
すく、しばしば割れが発生するなどの課題がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、ターゲッ
トを加圧時、加熱成形時に、クランクや割れが発生しな
いスパッタ用ターゲットの製造方法を提供することを目
的としている。
課題を解決するための手段 本発明は、上記課題を解決するため、融点の高い２種類
の誘電体材料に、前記誘電体材料よりも融点の低い無機
化合物からなる結合材料を添加して混合し、加圧、加熱
成形したスパッタ用ターゲットである。
作用 融点の低い無機化合物をバインダとして用いることで、
融点の高い誘電体材料を無機化合物の融点の近くの低い
温度で焼結させることができ、又無機化合物を使用して
いるため、化学的に安定な焼結ができる。以上のことか
らターゲットを加圧時、加熱成形時クラックや割れの発
生しないかつスパッタ中においてもクラックや割れの発
生しないスパッタ用ターゲットとなる。
実施例 以下、本発明の一実施例について詳細に説明す２種類の
誘電体材料としてＴａ２０．、Ｓ　ｉ○２を使用した。
図は本発明の一実施例におけるスパッタターゲットの構
造を示す模式断面図である。Ｔａ２０５中に５ｉ０２を
ほぼ均一に分散させたものである。
５ｉｎ２の混合量は約２０ｍｏ１％である。
２種類の誘電体材料を充分に混合したものに、無機化合
物からなる結合材料として、ＴｅＯ２を０．５ｗＬ％添
加して、更に混合したのちに、純水を添加し、９０Ｌで
加圧し圧粉体とした０次にこの圧粉体をＮ２ガス雰囲気
中、７３０℃の温度で加熱することにより、直径１４５
−１厚さ７−の寸法のクラックや割れの発生しないター
ゲットを製造した。なおここではＴｅＯ２の融点７４６
°Ｃに対して７３０℃で加熱を行ったが、無機化合物の
融点の０．９０〜０．９８倍の範囲で加熱温度を選んで
もよい、又他の無機化合物においても同様である。
本実施例においては、純水を添加して、ターゲットを製
造したが、ホットプレスで製造する場合は、純水を添加
する必要はない。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明によれば、簡易な方法で
製造でき、戒形時、加熱成形時にクラックや割れの発生
しない、又スパッタ中においてもクランクや割れの発生
しないスパッタ用ターゲットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例におけるスパンタターゲソトの断
面図である。 ■・・・・・・Ｔａ２Ｏ，（誘電体材料）、２・・・・
・・ＳｉＯ２（誘電体材料）、３・・・・・・ＴｅＯ２
（結合材料）。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　融点の高い２種類の誘電体材料に、前記誘電体
    材料よりも融点の低い無機化合物からなる結合材料を添
    加して混合し、加圧加熱成形することを特徴とするスパ
    ッタ用ターゲットの製造方法。
  2. （２）　無機化合物からなる結合材料を酸化物とする請
    求項（１）記載のスパッタ用ターゲットの製造方法。
  3. （３）　酸化物からなる結合材料は、ＴｅＯ＿２，Ｓｂ
    ＿２Ｏ＿３，ＭｎＯ＿２，とする請求項（１）記載のス
    パッタ用ターゲットの製造方法。
  4. （４）　混合体を加圧成形した後に不活性ガス雰囲気に
    おいて加熱温度を酸化物からなる結合材料の融点の０．
    ９０〜０．９５倍の範囲に選ぶ請求項（１）記載のスパ
    ッタ用ターゲットの製造方法。
  5. （５）　結合材料の割合を０．１〜１ｗｔ％とする請求
    項（１）記載のスパッタ用ターゲットの製造方法。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63210273A (ja) * 1987-02-27 1988-08-31 Nippon Mining Co Ltd チタンシリサイドタ−ゲツトとその製造方法
JPS63318009A (ja) * 1987-06-22 1988-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 誘電体膜
JPH0192365A (ja) * 1987-10-02 1989-04-11 Shin Nippon Kinzoku Kagaku Kk 真空蒸着又はスパッタ用酸化セリウム組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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