JPH0192365A - 真空蒸着又はスパッタ用酸化セリウム組成物 - Google Patents
真空蒸着又はスパッタ用酸化セリウム組成物Info
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- JPH0192365A JPH0192365A JP25029887A JP25029887A JPH0192365A JP H0192365 A JPH0192365 A JP H0192365A JP 25029887 A JP25029887 A JP 25029887A JP 25029887 A JP25029887 A JP 25029887A JP H0192365 A JPH0192365 A JP H0192365A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空蒸着用及びスパッタ用酸化セリウム組成
物に関する。
物に関する。
元学、オプトエレクトロニクス等の分野で、化学的に安
定で可視域及び近赤外域で透明な高屈折率多層膜材料に
は酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化タンレμ、硫化
亜鉛等が使用さ九てきた。酸化セリウムの屈折率ｎは２
．１へ２．３（基板３００°Ｃ）と高いにもかかわらず
、真空蒸着の際にガス化するとき強い昇華性のため蒸着
が不安定になったり、蒸着用ペレットが割ｎたりして高
品質膜が得にくかった。近年になって従来から多く行な
わｎて来几ガラス基板への蒸着に加え、各種プラスチッ
クへの真空蒸着が行なわれるに至り友。各種プラスチッ
クへ光学多層膜を蒸着する場合、その構成膜に酸化セリ
ウムを用いるのは尚い屈折率と、蒸着時の加熱電力が少
なくて、蒸発物からの輻射熱が小さい等の利点があるた
め等の理由によるものである。
定で可視域及び近赤外域で透明な高屈折率多層膜材料に
は酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化タンレμ、硫化
亜鉛等が使用さ九てきた。酸化セリウムの屈折率ｎは２
．１へ２．３（基板３００°Ｃ）と高いにもかかわらず
、真空蒸着の際にガス化するとき強い昇華性のため蒸着
が不安定になったり、蒸着用ペレットが割ｎたりして高
品質膜が得にくかった。近年になって従来から多く行な
わｎて来几ガラス基板への蒸着に加え、各種プラスチッ
クへの真空蒸着が行なわれるに至り友。各種プラスチッ
クへ光学多層膜を蒸着する場合、その構成膜に酸化セリ
ウムを用いるのは尚い屈折率と、蒸着時の加熱電力が少
なくて、蒸発物からの輻射熱が小さい等の利点があるた
め等の理由によるものである。
しかし酸化セリウム単成分の蒸着用ペレットやグラニュ
ー金用いて真窒ＭＮｋ行なう場合、突沸現象が生じる等
蒸発ガスが不安定で再現性も乏しいため良好なメヲ得に
くかった。
ー金用いて真窒ＭＮｋ行なう場合、突沸現象が生じる等
蒸発ガスが不安定で再現性も乏しいため良好なメヲ得に
くかった。
又スパッタターゲットに酸化セリウム全屈いる場合には
、酸化セリウムが熱衝撃に弱い几め割ｎた９、ひびが入
つ九りすることがあり、ターゲット作成に特別の配λが
必要であった。
、酸化セリウムが熱衝撃に弱い几め割ｎた９、ひびが入
つ九りすることがあり、ターゲット作成に特別の配λが
必要であった。
本発明の目的は、こｎらの欠点を改善した真空蒸着用又
はスパッタ用酸化セリウム組成物を提供することである
。
はスパッタ用酸化セリウム組成物を提供することである
。
本発明の特徴は酸化セリウムに含有する各種の蒸発物質
にある。そして酸化セリウムに酸化チタン、酸化イツト
リウム、酸化アルミニウム。
にある。そして酸化セリウムに酸化チタン、酸化イツト
リウム、酸化アルミニウム。
酸化メンタル、酸化アンチモン、７ツ化マグネンウム、
酸化ジルコニウム、酸化ビスマスの一種類或いは二種類
以上？混合し友ペレット又はスパッタターゲットを用い
、薄膜を形成することにある。
酸化ジルコニウム、酸化ビスマスの一種類或いは二種類
以上？混合し友ペレット又はスパッタターゲットを用い
、薄膜を形成することにある。
本発明において、真空蒸着用又はスパッタ用酸化セリウ
ム組成物の酸化チタン、酸化イツトリウム、酸化アルミ
ニウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、フッ化マグネ
シウム、酸化ジルコニウム、酸化ビスマスの一種類又は
二種類以上を混合して用いる量は１０重量％Ｓ５０重量
■がｉ＆も良好である。この範囲では真空蒸着用電子銃
の加熱電力も少なく丁み、良好な膜がイひられる。
ム組成物の酸化チタン、酸化イツトリウム、酸化アルミ
ニウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、フッ化マグネ
シウム、酸化ジルコニウム、酸化ビスマスの一種類又は
二種類以上を混合して用いる量は１０重量％Ｓ５０重量
■がｉ＆も良好である。この範囲では真空蒸着用電子銃
の加熱電力も少なく丁み、良好な膜がイひられる。
又混合して用いる量が０．５１量％〜１０重量％の範囲
でもほぼ同様の効果が認めらルる。
でもほぼ同様の効果が認めらルる。
本発明により酸化セリウムの持つ扁い屈折率を損なうこ
となく、より安定な再現性のある蒸着が可能になる。
となく、より安定な再現性のある蒸着が可能になる。
父本発明の酸化セリウム組成ｖｌＪを用いてスパッタを
行なうことによりスパッタターゲットは割れたり、ひび
が入ることなく安定し几条件で高い屈折率の高品質のＦ
Ａ？形成できる。
行なうことによりスパッタターゲットは割れたり、ひび
が入ることなく安定し几条件で高い屈折率の高品質のＦ
Ａ？形成できる。
〔実施例１〕
酸化セリウム（ＣｅＯｚ）に酸化チタンを２５重量％添
加し、充分混合して２００ｋｇ／ｄの圧力でプレス成形
した後約１３００°Ｃで２時間焼結を行なって蒸着用ペ
レットを得た。電子銃加熱蒸着装置に装填して真空蒸着
２行なった。真空度１．５ｘ １０ｔｏｒｒになるまで
排気後背板ガラス（屈折率ｎ＝１．５１）基板上に（基
板温度が３００°Ｃ）酸素を注入しながら真空度８Ｘ１
０−５ｔｏｒご光学的膜厚ｎｄ（ｎ＝屈折率、ｄ＝膜厚
）が２／４（λ＝５２０ｎｍ）となるまで蒸着した。こ
のとき加熱されたペレットは割れず、突沸現象を生じな
かった。又電子銃加熱出力電流も小さく、ガラス基板上
に蒸着され友蒸着膜の屈折率ｎ” ２−２５で吸収もな
く基板に対する付着力も大きかった。そして化学的に安
定で良好な蒸着膜が得らｎた。
加し、充分混合して２００ｋｇ／ｄの圧力でプレス成形
した後約１３００°Ｃで２時間焼結を行なって蒸着用ペ
レットを得た。電子銃加熱蒸着装置に装填して真空蒸着
２行なった。真空度１．５ｘ １０ｔｏｒｒになるまで
排気後背板ガラス（屈折率ｎ＝１．５１）基板上に（基
板温度が３００°Ｃ）酸素を注入しながら真空度８Ｘ１
０−５ｔｏｒご光学的膜厚ｎｄ（ｎ＝屈折率、ｄ＝膜厚
）が２／４（λ＝５２０ｎｍ）となるまで蒸着した。こ
のとき加熱されたペレットは割れず、突沸現象を生じな
かった。又電子銃加熱出力電流も小さく、ガラス基板上
に蒸着され友蒸着膜の屈折率ｎ” ２−２５で吸収もな
く基板に対する付着力も大きかった。そして化学的に安
定で良好な蒸着膜が得らｎた。
〔実施例２〕
酸化セリウム（ＣｅＯ２）に酸化タング／Ｌ’ ｋ ４
０重量％添加し、前記実施例と同様な方法で直径１００
ｍｍ、ｉみが５ｍｍのスパッタターゲットを得た。
０重量％添加し、前記実施例と同様な方法で直径１００
ｍｍ、ｉみが５ｍｍのスパッタターゲットを得た。
そしてＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いてスパッタ
を行なった。真空度がＩ Ｘ １０ ｔｏｒｒまで排
気後、１０分間のプレスパツタを行なった。
を行なった。真空度がＩ Ｘ １０ ｔｏｒｒまで排
気後、１０分間のプレスパツタを行なった。
そして青板ガラス基板上に、Ａｒガスに２５ｍｅ１分及
び０２ガスに２．５ｍ１１分の速度で注入しながら真空
度がＩ Ｘ １０ ｔｏｒｒでスパッタを行なり几。
び０２ガスに２．５ｍ１１分の速度で注入しながら真空
度がＩ Ｘ １０ ｔｏｒｒでスパッタを行なり几。
ＲＦ小出力２００Ｗで３０分間スパッタを行なったとこ
ろ、ターゲットは側光たりひびを生ずることがなく、放
電も安定しており、良好な薄膜を形成した。膜の屈折率
は２．１０で膜の強度も大きい高品質のスパッタ膜がで
きｔｏ 〔実施例３〕 酸化セリウムに酸化アルミニウム全２５重量％添加し、
前記実施例と同様な方法で蒸着用ペレットを得た。約１
ミクロン５ｉＯｚ薄ＩＷコート済みのアクリμ基板に、
基板温度に６０’ｃに加熱しながら実施例１−と同様の
方法で蒸着７行なった。
ろ、ターゲットは側光たりひびを生ずることがなく、放
電も安定しており、良好な薄膜を形成した。膜の屈折率
は２．１０で膜の強度も大きい高品質のスパッタ膜がで
きｔｏ 〔実施例３〕 酸化セリウムに酸化アルミニウム全２５重量％添加し、
前記実施例と同様な方法で蒸着用ペレットを得た。約１
ミクロン５ｉＯｚ薄ＩＷコート済みのアクリμ基板に、
基板温度に６０’ｃに加熱しながら実施例１−と同様の
方法で蒸着７行なった。
加熱さルたペレットは蒸着中に割ｎず、突沸現象も生じ
なかつ次。膜の屈折率ｎ＝１．９５で、基板に対する付
着力の大きな良好な薄膜ができた。
なかつ次。膜の屈折率ｎ＝１．９５で、基板に対する付
着力の大きな良好な薄膜ができた。
また、酸化セリウムに酸化チタン、酸化、ビスマスの二
種類？そｎぞ３１５重景重量つ混合して実施例１と同様
の方法で作成した蒸着用ペレット又はこｎｉ砕いてｌ
ヘ３ ｍ Ｉｎのグラニュー状にし友ものを用いて蒸着
したところ、実施例１と同様な屈折率ｎ＝２．２０の良
好な蒸着膜が得らｎた。
種類？そｎぞ３１５重景重量つ混合して実施例１と同様
の方法で作成した蒸着用ペレット又はこｎｉ砕いてｌ
ヘ３ ｍ Ｉｎのグラニュー状にし友ものを用いて蒸着
したところ、実施例１と同様な屈折率ｎ＝２．２０の良
好な蒸着膜が得らｎた。
さらに、酸化セリウムに特許請求の範囲（１）項記載の
組成物を混合する方法は１、粉体同志を乾式又は湿式混
合する方法と、粉体を生成する前に液状で混合してから
粉体をつくる共沈法とを比較したがいづれも良好な結果
が得られた。
組成物を混合する方法は１、粉体同志を乾式又は湿式混
合する方法と、粉体を生成する前に液状で混合してから
粉体をつくる共沈法とを比較したがいづれも良好な結果
が得られた。
特許出願人 新日本金属化学株式会社
Claims (3)
- （１）酸化セリウムに酸化チタン、酸化イットリウム、
酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、フ
ッ化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化ビスマスを
含有することを特徴とする真空蒸着又はスパッタ用酸化
セリウム組成物。 - （２）酸化セリウムに酸化チタン、酸化イットリウム、
酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、フ
ッ化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化ビスマスを
一種類或いは二種類以上を混合してその含有量が０．５
重量％〜５０重量％である特許請求の範囲（１）項記載
の真空蒸着用又はスパッタ用酸化セリウム組成物。 - （３）特許請求の範囲（２）項記載の組成物を混合或る
いは共沈法で得た粉体を成形し、焼結して真空蒸着用ペ
レット又はスパッタターゲットを製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25029887A JPH0192365A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 真空蒸着又はスパッタ用酸化セリウム組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25029887A JPH0192365A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 真空蒸着又はスパッタ用酸化セリウム組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0192365A true JPH0192365A (ja) | 1989-04-11 |
| JPH0158267B2 JPH0158267B2 (ja) | 1989-12-11 |
Family
ID=17205824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25029887A Granted JPH0192365A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 真空蒸着又はスパッタ用酸化セリウム組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0192365A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0339467A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ用ターゲットの製造方法 |
| US6921568B2 (en) | 2001-11-22 | 2005-07-26 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP25029887A patent/JPH0192365A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0339467A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ用ターゲットの製造方法 |
| US6921568B2 (en) | 2001-11-22 | 2005-07-26 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0158267B2 (ja) | 1989-12-11 |
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