JPH03180468A - スパッタ用ターゲットの製造方法 - Google Patents

スパッタ用ターゲットの製造方法

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JPH03180468A
JPH03180468A JP1319394A JP31939489A JPH03180468A JP H03180468 A JPH03180468 A JP H03180468A JP 1319394 A JP1319394 A JP 1319394A JP 31939489 A JP31939489 A JP 31939489A JP H03180468 A JPH03180468 A JP H03180468A
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JP
Japan
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sputtering target
target
mixture
melting point
state
Prior art date
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Pending
Application number
JP1319394A
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English (en)
Inventor
Hidemi Isomura
秀己 磯村
Tetsuya Akiyama
哲也 秋山
Koichi Kodera
宏一 小寺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、薄膜形成するためのスパッタ用ターゲットの
製造方法に関するものである。
従来の技術 薄膜形成するために用いられるスパッタ用ターゲットは
広く一般に利用されているが、通常減圧雰囲気中または
不活性ガス雰囲気中で材料を加熱溶解させ合金状態にし
て冷却する。ここで生成された焼成物を椙かい機などで
粉砕し、金型に入れ不活性ガス中で加圧を行ないホット
プレスなどで製造されていた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、スパッタ用ターゲットを製造する場合、
混合された金属を溶融させる工程を設けており、生産性
の低下や設備が大掛かりになるという問題がある。また
、溶融させ冷却するということでターゲット中に不純物
が入りやすいという問題があった。また、蒸気圧の高い
成分が蒸発し易いため、目標組成を得ることが困難であ
るという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、不純物の少
ない目標組成を持つスパッタ用ターゲットを容易に得る
ことができるスパッタ用ター−ゲットの製造方法を提供
することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 この課題を解決するために本発明は、2種類以上の金属
または半金属よりなる材料を粉砕混合して均一な混合物
とした後、この混合物をホットプレスにより非合金状態
の成形体とするものである。
作用 この構成により、非合金状態の成形体とすることで、融
点以上に上げないために不純物の混入を防ぎ、混合物を
安定な状態で製造することができる0以上のことから不
純物の少ない、目標組成を持つターゲットを容易に得る
ことが可能となる。
実施例 以下、本発明の一実施例について詳細に説明する。
なお、下記の説明では金属または半金属材料としてTe
、Ge、Sbを使用した。
まず、Te、Ge、Sbの金属粉末を目標組成になるよ
うに秤量し、撞かい機あるいはボールミルなどで混傘し
、均一な混合物を作成する。この混合物をたとえばΦ1
50Ifl+、厚さ6mの成形体になるような金型に入
れN2のような不活性ガス雰囲気中で50kIr/dか
ら300hg/−の範囲で加圧を行なうとともに、3つ
の元素のうち最も融点の低いTeの融点449℃より低
い温度、たとえば350℃に加熱して非合金状態でホッ
トプレスを行ない、T e −G e −S bのター
ゲットを完成させる。
以上の実施例で説明したターゲットを用いてAr雰囲気
中、3閤■0「「のスパッタ圧力でRFスパッタを実施
した。このようにして薄膜にした組成は1時間のスパッ
タを行なった後において、■CPによる分析で目標組成
にほとんど同一であることが判明した。また、不純物と
して含有する酸素濃度を分析した結果、非合金状態で成
形するため、はとんど検出されなかった。
ところで本実施例においてはTe、Ge、Sbの金属を
用いて説明したが、他の金属または半金属についても同
様である。また、その種類は2種類以上で、金属または
半金属の融点が300℃以上のものであれば良く、要は
混合物の中で最も融点の低い金属または半金属が活性状
態になる温度を選択すれば良い。
発明の効果 以上のように本発明によれば、簡易な方法で不純物の少
ない目標組成を持つスパッタ用ターゲットを容易に得る
ことができるスパッタ用ターゲットの製造方法を提供す
ることができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.2種類以上の金属または半金属よりなる材料を粉砕
    混合して均一な混合物とした後、この混合物をホットプ
    レスにより非合金状態の成形体とすることを特徴とする
    スパッタ用ターゲットの製造方法。
JP1319394A 1989-12-08 1989-12-08 スパッタ用ターゲットの製造方法 Pending JPH03180468A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009034775A1 (ja) 2007-09-13 2009-03-19 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 焼結体の製造方法、焼結体、当該焼結体からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体
WO2009057422A1 (ja) 2007-11-01 2009-05-07 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ
JP2017025349A (ja) * 2015-07-15 2017-02-02 三菱マテリアル株式会社 Te−Ge系スパッタリングターゲット、及び、Te−Ge系スパッタリングターゲットの製造方法

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