JPH03180468A - スパッタ用ターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタ用ターゲットの製造方法Info
- Publication number
- JPH03180468A JPH03180468A JP1319394A JP31939489A JPH03180468A JP H03180468 A JPH03180468 A JP H03180468A JP 1319394 A JP1319394 A JP 1319394A JP 31939489 A JP31939489 A JP 31939489A JP H03180468 A JPH03180468 A JP H03180468A
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- JP
- Japan
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- sputtering target
- target
- mixture
- melting point
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜形成するためのスパッタ用ターゲットの
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来の技術
薄膜形成するために用いられるスパッタ用ターゲットは
広く一般に利用されているが、通常減圧雰囲気中または
不活性ガス雰囲気中で材料を加熱溶解させ合金状態にし
て冷却する。ここで生成された焼成物を椙かい機などで
粉砕し、金型に入れ不活性ガス中で加圧を行ないホット
プレスなどで製造されていた。
広く一般に利用されているが、通常減圧雰囲気中または
不活性ガス雰囲気中で材料を加熱溶解させ合金状態にし
て冷却する。ここで生成された焼成物を椙かい機などで
粉砕し、金型に入れ不活性ガス中で加圧を行ないホット
プレスなどで製造されていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、スパッタ用ターゲットを製造する場合、
混合された金属を溶融させる工程を設けており、生産性
の低下や設備が大掛かりになるという問題がある。また
、溶融させ冷却するということでターゲット中に不純物
が入りやすいという問題があった。また、蒸気圧の高い
成分が蒸発し易いため、目標組成を得ることが困難であ
るという問題があった。
混合された金属を溶融させる工程を設けており、生産性
の低下や設備が大掛かりになるという問題がある。また
、溶融させ冷却するということでターゲット中に不純物
が入りやすいという問題があった。また、蒸気圧の高い
成分が蒸発し易いため、目標組成を得ることが困難であ
るという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、不純物の少
ない目標組成を持つスパッタ用ターゲットを容易に得る
ことができるスパッタ用ター−ゲットの製造方法を提供
することを目的とするものである。
ない目標組成を持つスパッタ用ターゲットを容易に得る
ことができるスパッタ用ター−ゲットの製造方法を提供
することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、2種類以上の金属
または半金属よりなる材料を粉砕混合して均一な混合物
とした後、この混合物をホットプレスにより非合金状態
の成形体とするものである。
または半金属よりなる材料を粉砕混合して均一な混合物
とした後、この混合物をホットプレスにより非合金状態
の成形体とするものである。
作用
この構成により、非合金状態の成形体とすることで、融
点以上に上げないために不純物の混入を防ぎ、混合物を
安定な状態で製造することができる0以上のことから不
純物の少ない、目標組成を持つターゲットを容易に得る
ことが可能となる。
点以上に上げないために不純物の混入を防ぎ、混合物を
安定な状態で製造することができる0以上のことから不
純物の少ない、目標組成を持つターゲットを容易に得る
ことが可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について詳細に説明する。
なお、下記の説明では金属または半金属材料としてTe
、Ge、Sbを使用した。
、Ge、Sbを使用した。
まず、Te、Ge、Sbの金属粉末を目標組成になるよ
うに秤量し、撞かい機あるいはボールミルなどで混傘し
、均一な混合物を作成する。この混合物をたとえばΦ1
50Ifl+、厚さ6mの成形体になるような金型に入
れN2のような不活性ガス雰囲気中で50kIr/dか
ら300hg/−の範囲で加圧を行なうとともに、3つ
の元素のうち最も融点の低いTeの融点449℃より低
い温度、たとえば350℃に加熱して非合金状態でホッ
トプレスを行ない、T e −G e −S bのター
ゲットを完成させる。
うに秤量し、撞かい機あるいはボールミルなどで混傘し
、均一な混合物を作成する。この混合物をたとえばΦ1
50Ifl+、厚さ6mの成形体になるような金型に入
れN2のような不活性ガス雰囲気中で50kIr/dか
ら300hg/−の範囲で加圧を行なうとともに、3つ
の元素のうち最も融点の低いTeの融点449℃より低
い温度、たとえば350℃に加熱して非合金状態でホッ
トプレスを行ない、T e −G e −S bのター
ゲットを完成させる。
以上の実施例で説明したターゲットを用いてAr雰囲気
中、3閤■0「「のスパッタ圧力でRFスパッタを実施
した。このようにして薄膜にした組成は1時間のスパッ
タを行なった後において、■CPによる分析で目標組成
にほとんど同一であることが判明した。また、不純物と
して含有する酸素濃度を分析した結果、非合金状態で成
形するため、はとんど検出されなかった。
中、3閤■0「「のスパッタ圧力でRFスパッタを実施
した。このようにして薄膜にした組成は1時間のスパッ
タを行なった後において、■CPによる分析で目標組成
にほとんど同一であることが判明した。また、不純物と
して含有する酸素濃度を分析した結果、非合金状態で成
形するため、はとんど検出されなかった。
ところで本実施例においてはTe、Ge、Sbの金属を
用いて説明したが、他の金属または半金属についても同
様である。また、その種類は2種類以上で、金属または
半金属の融点が300℃以上のものであれば良く、要は
混合物の中で最も融点の低い金属または半金属が活性状
態になる温度を選択すれば良い。
用いて説明したが、他の金属または半金属についても同
様である。また、その種類は2種類以上で、金属または
半金属の融点が300℃以上のものであれば良く、要は
混合物の中で最も融点の低い金属または半金属が活性状
態になる温度を選択すれば良い。
発明の効果
以上のように本発明によれば、簡易な方法で不純物の少
ない目標組成を持つスパッタ用ターゲットを容易に得る
ことができるスパッタ用ターゲットの製造方法を提供す
ることができる。
ない目標組成を持つスパッタ用ターゲットを容易に得る
ことができるスパッタ用ターゲットの製造方法を提供す
ることができる。
Claims (1)
- 1.2種類以上の金属または半金属よりなる材料を粉砕
混合して均一な混合物とした後、この混合物をホットプ
レスにより非合金状態の成形体とすることを特徴とする
スパッタ用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319394A JPH03180468A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | スパッタ用ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319394A JPH03180468A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | スパッタ用ターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180468A true JPH03180468A (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=18109686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1319394A Pending JPH03180468A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | スパッタ用ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03180468A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009034775A1 (ja) | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結体の製造方法、焼結体、当該焼結体からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体 |
| WO2009057422A1 (ja) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
| JP2017025349A (ja) * | 2015-07-15 | 2017-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | Te−Ge系スパッタリングターゲット、及び、Te−Ge系スパッタリングターゲットの製造方法 |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP1319394A patent/JPH03180468A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009034775A1 (ja) | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結体の製造方法、焼結体、当該焼結体からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体 |
| WO2009057422A1 (ja) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
| JP2017025349A (ja) * | 2015-07-15 | 2017-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | Te−Ge系スパッタリングターゲット、及び、Te−Ge系スパッタリングターゲットの製造方法 |
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